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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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近期,由于東南亞持續(xù)爆發(fā)新冠病毒疫情,全球IDM(Integrated Devices Manufactures)工廠紛紛調(diào)整晶圓廠產(chǎn)能,減少消費類電子...
GaN FET如何實現(xiàn)下一代工業(yè)電源的應(yīng)用設(shè)計
氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體的物理特性與硅器件不相上下。傳統(tǒng)的電源供應(yīng)器金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲...
由第三代 SIC MOSFET 供電的電動汽車和工業(yè)應(yīng)用
意法半導(dǎo)體最近推出了第三代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET,針對先進的功率應(yīng)用(例如 EV 動力系統(tǒng))和其他功率密度、能效和可靠性是相...
半橋LLC諧振轉(zhuǎn)換器中Si和SiC MOSFET的比較
LLC 諧振轉(zhuǎn)換器可用于各種應(yīng)用,如消費電子產(chǎn)品,以及可再生能源應(yīng)用,如光伏、風(fēng)能、水力和地?zé)岬?。本文提供了?3KW 中建模的 Si 和 SiC MO...
考慮到SiC MOSFET在高壓應(yīng)用中 與IGBT相比的技術(shù)優(yōu)勢,人們顯然會為新設(shè)計選擇寬帶隙組件,尤其是在應(yīng)用中驅(qū)動高功率密度和低損耗的情況下。
在電氣領(lǐng)域,漏極和源極之間的漏電流 (I DSS ) 或柵極和源極之間的漏電流 (I GSS ) 是功率 MOSFET 故障的一般類別。將故障分析集中在...
2022-07-29 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管功率器件 1.5k 0
S-MOS單元技術(shù)提高了SiC MOSFET的效率
采用 SiC 作為功率器件材料的優(yōu)點之一是能夠使用許多眾所周知的硅器件原理和制造程序?;酒骷?fù)浒ù怪毙ぬ鼗O管或垂直功率 MOSFET(在通過 ...
適用于CSP GaN FET的簡單且高性能的熱管理解決方案?
本文將展示芯片級封裝 (CSP) GaN FET 如何提供至少與硅 MOSFET 相同(如果不優(yōu)于)的熱性能。由于其卓越的電氣性能,GaN FET 的尺...
本文分析了高性能肖特基勢壘二極管和 D 型 HEMT 在基于 p-GaN HEMT 的 200-V GaN-on-SOI 智能功率 IC 平臺上的成功協(xié)...
2022-07-29 標(biāo)簽:MOSFETGaNdcdc轉(zhuǎn)換器 1.6k 0
本文追溯了電力電子的歷史,可追溯到硅MOSFET仍用于驅(qū)動強大的電子負(fù)載時。讓我們通過描述、應(yīng)用和模擬重新發(fā)現(xiàn)硅的世界,看看電子世界是如何在短短幾年內(nèi)因...
發(fā)動機控制、智能電網(wǎng)和智能家居技術(shù)采用的增加以及對高壓設(shè)備的需求增加促進了全球柵極驅(qū)動器市場的增長。 完整的發(fā)動機控制系統(tǒng)包括電源、主機微控制器、柵極驅(qū)...
我們發(fā)現(xiàn)機架式電源對電信服務(wù)器具有一定的吸引力。即使在 5g 數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)場中,他們只需要越來越高的效率,所有輸出范圍內(nèi)的效率都超過 90%,這讓您進入鈦...
有限的電池壽命會損害智能手機用戶的自主權(quán)。盡管它們的尺寸很大,但最新的智能手機電池非常出色,但無論它們多么重要,它們的尺寸仍然有限。制造商試圖讓手機越來...
2022-07-27 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETusb 2.7k 0
近年來,德州儀器 (TI) 等擁有強大制造足跡的全球公司已將一整套具有成本效益的 GaN 場效應(yīng)晶體管 (FET) 產(chǎn)品組合推向市場。聯(lián)合電子器件工程委...
2022-07-27 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)管 1.3k 0
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