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簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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NP4409SR 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP4409SR采用先進(jìn)的溝槽技術(shù) 設(shè)計(jì)為低柵極提供優(yōu)良的RDS(ON) 電荷??捎糜谪?fù)載開(kāi)關(guān)和電池 保護(hù)應(yīng)用程序。 一般特征 ?VDS = -3...
NP2302FVR-J(20 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2302FVR-J使用先進(jìn)的海溝技術(shù) 提供優(yōu)秀的RDS()、低門(mén)和高收費(fèi) 超低密度細(xì)胞設(shè)計(jì)導(dǎo)通電阻。這個(gè)設(shè)備適合作為負(fù)荷開(kāi)關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
NP2302FHR(20 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2302FHR使用先進(jìn)的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS()、低門(mén)和高收費(fèi) 超低密度細(xì)胞設(shè)計(jì)導(dǎo)通電阻。這設(shè)備適用于作為負(fù)荷開(kāi)關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
NP50P03D6 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP50P03D6采用先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON),本設(shè)備適合使用 作為負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM應(yīng)用。 一般特征 ?VDS = -30v, i...
NP3403MR 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP3403MR采用先進(jìn)壕溝 技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵 在極低電壓的情況下進(jìn)行充電和操作 2.5 v。該裝置適用于負(fù)載開(kāi)關(guān) 或在PWM應(yīng)...
NP3403VR 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP3403VR采用先進(jìn)的戰(zhàn)壕 技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵 在極低電壓的情況下進(jìn)行充電和操作 2.5 v。該裝置適用于負(fù)載開(kāi)關(guān) 或在PWM...
NP2302FVR(20 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2302FVR使用先進(jìn)的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS()、低門(mén)和高收費(fèi) 超低密度細(xì)胞設(shè)計(jì)導(dǎo)通電阻。這設(shè)備適用于作為負(fù)荷開(kāi)關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
NP3401YMR 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP3401YMR采用先進(jìn)的戰(zhàn)壕 提供卓越的RDS(ON)技術(shù) 一般特征 、低門(mén) 充電和工作的柵極電壓低至2.5V。 本裝置適用于作為負(fù)載開(kāi)關(guān)或中...
NP2302DVR(20 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2302D使用先進(jìn)的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS()、低門(mén)和高收費(fèi) 超低密度細(xì)胞設(shè)計(jì)導(dǎo)通電阻。這設(shè)備適用于作為負(fù)荷開(kāi)關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
NP2302CVR(20 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2302C使用先進(jìn)的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS()、低門(mén)和高收費(fèi) 超低密度細(xì)胞設(shè)計(jì)導(dǎo)通電阻。這設(shè)備適用于作為負(fù)荷開(kāi)關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
NP2302DHR(20 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2302DHR使用先進(jìn)的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS()、低門(mén)和高收費(fèi) 超低密度細(xì)胞設(shè)計(jì)導(dǎo)通電阻。這設(shè)備適用于作為負(fù)荷開(kāi)關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
NP3401YMR 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP3401YMR采用先進(jìn)的戰(zhàn)壕 提供卓越的RDS(ON)技術(shù) 一般特征 、低門(mén) 充電和工作的柵極電壓低至2.5V。 本裝置適用于作為負(fù)載開(kāi)關(guān)或中...
NP2300VR-M(20 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2300VR-M使用先進(jìn)的戰(zhàn)壕 技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS(上)、低門(mén)電荷和高密度細(xì)胞設(shè)計(jì)超低導(dǎo)通電阻。本設(shè)備適用于作為負(fù)載 在PWM開(kāi)關(guān)或應(yīng)用程序。
NP3403VR 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP3403VR采用先進(jìn)的戰(zhàn)壕 技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵 在極低電壓的情況下進(jìn)行充電和操作 2.5 v。該裝置適用于負(fù)載開(kāi)關(guān) 或在PWM...
NP3401YMR 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP3401YMR采用先進(jìn)的戰(zhàn)壕 提供卓越的RDS(ON)技術(shù) 一般特征 、低門(mén) 充電和工作的柵極電壓低至2.5V。 本裝置適用于作為負(fù)載開(kāi)關(guān)或中...
NP2300MR使用先進(jìn)的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS()、低門(mén)和高收費(fèi) 超低密度細(xì)胞設(shè)計(jì)導(dǎo)通電阻。這設(shè)備適用于作為負(fù)荷開(kāi)關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
NP2300BHR(20 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2300BHR使用先進(jìn)的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS()、低門(mén)和高收費(fèi) 超低密度細(xì)胞設(shè)計(jì)導(dǎo)通電阻。這設(shè)備適用于作為負(fù)荷開(kāi)關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
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