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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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淺讀最新的全面More Moore路線圖

STT-MRAM不僅是嵌入式SRAM的替代方案，也是嵌入式Flash （NOR）的替代方案。這對于物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用來說可能特別有趣，因?yàn)榈凸氖亲钪匾摹?/p>

2021-03-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體嵌入式 NAND 4.1k 0

SK海力士成功收購英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)

SK海力士就擬議的英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)收購獲得了美國外國投資委員會(The Committee on Foreign Investment in th...

2021-03-19 標(biāo)簽：英特爾 NAND SK海力士 2.6k 0

存儲市場冰火兩重天！DRAM和NAND芯片緊缺，國產(chǎn)廠商如何搶占先機(jī)？

2021年全球存儲市場前景如何？存儲芯片出貨受阻，到底會怎樣影響全球市場格局？國產(chǎn)替代風(fēng)起云涌，在存儲領(lǐng)域的國產(chǎn)替代已經(jīng)有哪些突破口？國產(chǎn)廠商在主控芯片...

2021-03-15 標(biāo)簽：DRAM NAND 美光 1.3萬 0

NAND和DRAM市場發(fā)展?fàn)顩r預(yù)測

上周，美光科技調(diào)升了公司二季度營收和利潤的預(yù)期。而高盛分析師注意到，可以從調(diào)研分析預(yù)測當(dāng)前和未來幾個季度的NAND和DRAM市場狀況。

2021-03-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM NAND 3.6k 0

2020年Q4英特爾NAND閃存銷售額12億美元，市場份額占比11.5%

市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce近日發(fā)布全球NAND閃存市場報告。報告顯示，三星電子NAND芯片在2020年第四季度銷售額達(dá)到了46.44億美元，市場份...

2021-03-08 標(biāo)簽：芯片英特爾 nand 2.8k 0

六大NAND FLASH廠商產(chǎn)業(yè)營收詳情匯總

全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示，2020年第四季NAND Flash產(chǎn)業(yè)營收為141億美元，季減2.9%。該季度全球前六大NA...

2021-03-04 標(biāo)簽：NAND 三星電子 8.9k 0

Intel推出基于144層QLC技術(shù)的670p固態(tài)硬盤

在2021年3月2日，Intel面向消費(fèi)級市場，正式推出基于144層QLC技術(shù)的670p固態(tài)硬盤，致力于同時滿足大容量、高性能、高性價比及耐用性，能為普...

2021-03-03 標(biāo)簽：NAND 硬盤 PC 3.4k 0

NAND閃存類型，如何選擇SLC/MLC和TLCSSD

NAND閃存是用于SSD和存儲卡的一種非易失性存儲體系結(jié)構(gòu)。它的名字來源于邏輯門（NOT-AND），用于確定數(shù)字信息如何存儲在閃存設(shè)備的芯片中。

2021-03-02 標(biāo)簽：閃存 NAND 5.1k 0

解析半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

半導(dǎo)體可能是世界上最重要的行業(yè)，因?yàn)樗鼈兪歉鞣N產(chǎn)品和服務(wù)的基礎(chǔ)。此外，它們在新興技術(shù)（例如人工智能（AI），高性能計算（HPC），5G，物聯(lián)網(wǎng)和自治系統(tǒng)...

2021-02-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 存儲器 1.9萬 0

三星在NAND閃存市場將面臨哪些挑戰(zhàn)?

眾所周知，三星電子在NAND閃存芯片市場上一直保持領(lǐng)先地位，占有30％以上的份額。但是，由于競爭對手開始表現(xiàn)出更好的工藝，它們似乎在挑戰(zhàn)三星的技術(shù)能力。

2021-02-26 標(biāo)簽：芯片閃存 NAND 3.3k 0

高畫質(zhì)時代來臨群聯(lián)推出世界首款SD Express卡

SD卡與microSD卡于消費(fèi)型市場的應(yīng)用已經(jīng)逐漸飽和，但是在工業(yè)應(yīng)用、數(shù)字監(jiān)控、醫(yī)療設(shè)備、嵌入式系統(tǒng)、以及內(nèi)容創(chuàng)作者等市場正在蓬勃發(fā)展。

2021-02-24 標(biāo)簽：NAND SD卡 microSD卡 2.3k 0

渠道、行業(yè)市場SSD最新報價

春節(jié)假期剛過，企業(yè)陸續(xù)開始復(fù)產(chǎn)復(fù)工，然而本周市場仍然延續(xù)節(jié)前的“缺料”氛圍，尤其是近期接連發(fā)生的福島地震與德州停電導(dǎo)致三星、英飛凌、恩智浦、瑞薩電子等多...

2021-02-24 標(biāo)簽：芯片閃存 NAND 2.3k 0

2020年第四季度NAND Flash市場銷售收入達(dá)141億美元

根據(jù)CFM研究顯示，NAND Flash市場規(guī)模在三季度創(chuàng)下近兩年來的收入高峰后，由于服務(wù)器市場主要OEM客戶庫存繼續(xù)調(diào)整使得需求相對疲軟，再加上NAN...

2021-02-24 標(biāo)簽：智能手機(jī)NAND 存儲 3.6k 0

鎧俠和西部數(shù)據(jù)推出第六代162層3D閃存技術(shù)

新一代3D NAND技術(shù)已迎來新的戰(zhàn)局，繼美光和SK海力士在2020年底陸續(xù)推出新一代176層3D NAND之后，鎧俠和西部數(shù)據(jù)也正式宣布推出162層3...

2021-02-24 標(biāo)簽：NAND 三星電子存儲器 2.9k 0

國產(chǎn)閃存終在全球市場份額突破1%

2020年全球閃存價格穩(wěn)步下滑，各大廠商的營收也因此受影響，特別是Q4季度，當(dāng)季總營收141億美元，環(huán)比Q3季度下滑了3.3%。

2021-02-22 標(biāo)簽：閃存 NAND 1.8k 0

半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)拓荊科技擬沖刺IPO

遼寧證監(jiān)局披露了拓荊科技股份有限公司（以下簡稱“拓荊科技”）輔導(dǎo)備案基本情況表。信息顯示，拓荊科技于2021年1月28日與招商證券簽訂輔導(dǎo)協(xié)議，并于同日...

2021-02-22 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體閃存 5.1k 0

鎧俠開發(fā)出約170層的NAND閃存

日本芯片制造商Kioxia開發(fā)了大約170層的NAND閃存，加入了與美國同行Micron Technology和韓國的SK Hynix的競賽。

2021-02-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體閃存 NAND 3.4k 0

盤點(diǎn)2020年存儲行業(yè)十大事件

2020年4月13日，長江存儲宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功，這也是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存。同年8月14日，長...

2021-02-05 標(biāo)簽：芯片閃存 NAND 2.8k 0

預(yù)計2020年中國存儲芯片市場規(guī)模將突破3000億元

在國家大力支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的大背景下，中國半導(dǎo)體存儲器基地于2016年開工建設(shè)。半導(dǎo)體行業(yè)迅速發(fā)展推動中國存儲芯片應(yīng)用場景不斷拓寬。當(dāng)前中國存儲芯片在...

2021-02-04 標(biāo)簽：芯片 nand 存儲 7.7k 0

DRAM合約價格全面上漲美光1a DRAM制程量產(chǎn)能否解決燃眉之急？

美光科技執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana認(rèn)為，全新的 1α 技術(shù)將為手機(jī)行業(yè)帶來最低功耗的 DRAM，針對今年云端市場、5G手機(jī)和汽車內(nèi)存...

2021-02-02 標(biāo)簽：DRAM NAND SSD 8.9k 0

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云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費(fèi)云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
江波龍

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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
合肥長鑫

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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
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　　NoSQL僅僅是一個概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個人提供信息的儲存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲品牌。
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