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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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西安二期一階段NAND Flash項目預(yù)計9月滿產(chǎn)，產(chǎn)量將占三星總規(guī)模35%

據(jù)西安發(fā)布報道，西安于8月5日下午舉行企業(yè)家座談會，三星（中國）半導(dǎo)體有限公司副總裁池賢基在會上談到，三星西安存儲芯片項目最新進(jìn)展。三星（中國）半導(dǎo)體...

2020-08-07 標(biāo)簽：Nand 三星電子 5.3k 0

DRAM和NAND預(yù)計2020年占所有IC銷售額三分之一，NAND閃存同比大增27%

IC Insights的最近發(fā)布最新報告，預(yù)測33個大IC產(chǎn)品類別銷售額和單位出貨量。33種IC產(chǎn)品類別是世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計（WSTS）組織定義的類別。...

2020-08-05 標(biāo)簽：DRAM NAND 6.2k 0

回顧聯(lián)蕓科技的NAND DSP研究成果

聯(lián)蕓科技 Self-Adaptive NAND DSP 的自適配技術(shù)，能快速提升 LDPC 硬解碼和軟解碼的數(shù)據(jù)錯誤恢復(fù)能力，收集讀取數(shù)據(jù)塊的更多信息，...

2020-08-04 標(biāo)簽：閃存 NAND SSD 1.8k 0

淺談3D NAND Flash技術(shù)未來的走向及發(fā)展趨勢

2020年5月17日-20日舉行了在線IMW（International Memory Workshop），筆者自2018年起已經(jīng)連續(xù)三年參加IMW會議...

2020-07-30 標(biāo)簽：NAND 3D FlaSh 7.6k 0

解析NAND閃存和NOR閃存

無論消費者還是企業(yè)機(jī)構(gòu)，大多數(shù)人在談到閃存時，首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實意義上來講，NAND閃存可以說已經(jīng)成為固態(tài)硬盤的代名詞?；趬K尋址...

2020-07-30 標(biāo)簽：閃存 NAND NOR 1.7萬 0

探討未來的存儲技術(shù)將會如何發(fā)展

未來的存儲技術(shù)會是什么樣子呢？對于基于NVMe的傳統(tǒng)Flash技術(shù)，我們應(yīng)該繼續(xù)期望更高的容量。例如，在QLC NAND技術(shù)之后會出現(xiàn)什么？只有時間才能...

2020-07-29 標(biāo)簽：DRAM NAND SSD 1.2k 0

閃迪宣布投產(chǎn)新工藝的NAND閃存芯片

SanDisk（閃迪）宣布，已于去年底開始投產(chǎn)19nm新工藝的NAND閃存芯片，并對此工藝所能帶來的更好性能、更低成本寄予厚望。

2020-07-24 標(biāo)簽：NAND 閃存芯片閃迪 2.4k 0

解析西部數(shù)據(jù)開發(fā)的第五代3D NAND技術(shù)

西部數(shù)據(jù)公司（NASDAQ： WDC）日前宣布已成功開發(fā)第五代3D NAND技術(shù)——BiCS5，繼續(xù)為行業(yè)提供先進(jìn)的閃存技術(shù)來鞏固其業(yè)界領(lǐng)先地位。Bi...

2020-07-24 標(biāo)簽：NAND 3D 西部數(shù)據(jù) 2.2k 0

長江存儲推出致鈦3D NAND閃存產(chǎn)品及解決方案

8月28日，長江存儲宣布推出SSD品牌致鈦ZHITAI，目前官方微博、官方微信公眾號均已上線。長江存儲表示，致，是格物致知，是精誠所致，更是寧靜致遠(yuǎn)。鈦...

2020-08-28 標(biāo)簽：閃存 NAND SSD 4.1k 0

DRAM和NAND技術(shù)的發(fā)展和面臨的挑戰(zhàn)

半導(dǎo)體存儲器已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用，其中DRAM和SRAM是兩種常見形態(tài)的存儲器。DRAM的特點是需要定時刷新，才可以保存數(shù)據(jù)，SRAM只要存入數(shù)據(jù)了，不...

2020-07-22 標(biāo)簽：DRAM NAND 2.5k 0

什么是pSLC Nand Flash

NAND閃存結(jié)構(gòu)NAND Flash的內(nèi)部組織是由塊和頁構(gòu)成。每個塊包含多個頁

2020-07-22 標(biāo)簽：NAND FlaSh 6.3k 0

FORESEE SPI NAND Flash，加速電子產(chǎn)品小型化進(jìn)程

目前市面上NAND Flash的常規(guī)制程為2X~3Xnm，而江波龍采用的是16nm，更加先進(jìn)。同時內(nèi)置ECC（4bit/512Bytes）單元，省去了M...

2020-07-20 標(biāo)簽：NAND SPI Nand flash 1.9k 0

華為加強(qiáng)了與三星、海力士的合作

據(jù)NAVER報道，華為是三星電子和SK海力士排名前五的重要客戶之一，每年都會從這兩家公司購買約10萬億韓元（合約573億人民幣）的DRAM和NAND存儲芯片。

2020-07-20 標(biāo)簽：NAND 三星電子存儲芯片 4.1k 0

淺談固態(tài)硬盤的壽命長短

這個問題需要從不同的角度看，從技術(shù)和最底層的介質(zhì)層面講（注意這個前提），固態(tài)硬盤的NAND壽命普遍要低于磁盤和磁帶（是的，這里寫了磁帶，企業(yè)級的歸檔數(shù)據(jù)...

2020-07-17 標(biāo)簽：NAND 固態(tài)硬盤 1.1萬 0

在美好的存儲世界中，有什么是可能的？

安全TRIM不僅指刪除數(shù)據(jù)，還涉及管理一旦刪除就會留在存儲器上的標(biāo)記。根據(jù)數(shù)據(jù)的敏感程度，刪除數(shù)據(jù)后在閃存上找不到殘留是非常重要的，因為這可能會暴露可信信息。

2020-07-14 標(biāo)簽：閃存 NAND 存儲系統(tǒng) 812 0

【芯品分享】?SkyHigh Memory/天海存儲為嵌入式產(chǎn)品提供存儲解決方案

潤欣科技代理了SkyHigh Memory產(chǎn)品，下面為大家分享一下關(guān)于SkyHigh Memory以及產(chǎn)品介紹。 SkyHigh Memory/天海存儲...

2020-06-30 標(biāo)簽：嵌入式 NAND 存儲器 1.1萬 0

2021年長江存儲將成為存儲領(lǐng)域強(qiáng)大的市場挑戰(zhàn)者

長江存儲科技希望該陣容將有助于挑戰(zhàn)三星，Kioxia，SK Hynix和美光等市場領(lǐng)導(dǎo)者，而正值全球最大的兩個經(jīng)濟(jì)體中美兩國在貿(mào)易和技術(shù)戰(zhàn)中脫鉤之際。

2020-06-29 標(biāo)簽：NAND 三星電子云計算 4.5k 0

Q1急速英特爾存儲業(yè)務(wù)銷售額同比增長46%，傲騰持久內(nèi)存將大有作為

當(dāng)今世界正在以驚人的速度產(chǎn)生數(shù)據(jù)，從這些數(shù)據(jù)中獲取價值的能力將是決定成敗的關(guān)鍵?；诖耍⑻貭柟镜膽?zhàn)略轉(zhuǎn)向“以數(shù)據(jù)為中心”，構(gòu)建了以數(shù)據(jù)為中心的“三駕...

2020-06-22 標(biāo)簽：英特爾 nand ssd 2.1k 0

長江存儲二期開建產(chǎn)能規(guī)劃月20萬片三星致力于提升NAND 生產(chǎn)良率

編者按：在存儲產(chǎn)品競爭中，三星已經(jīng)在制程和產(chǎn)能上領(lǐng)先，三星最新成立芯片專家組，以提高閃存芯片的生產(chǎn)良率。最新報道，中國長江存儲二期正式開建，國家存儲器基...

2020-06-22 標(biāo)簽：NAND 三星電子長江存儲 9.8k 0

2020年第一季NAND Flash（閃存）位元出貨量較前一季大致持平

延續(xù)去年第四季開始的數(shù)據(jù)中心強(qiáng)勁采購力道，第一季Enterprise SSD仍是供不應(yīng)求。此外，自年初起，各供應(yīng)商當(dāng)時的庫存水位多已恢復(fù)至正常，也帶動主...

2020-06-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 2.7k 0

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云儲存

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云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗和實力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
江波龍

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非易失性存儲器

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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
合肥長鑫

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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
LPDDR4

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NOR flash

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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
nvme

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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
SRAM存儲器

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　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
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3D NAND Flash

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　　NoSQL僅僅是一個概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
云盤

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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個人提供信息的儲存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲品牌。
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