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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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DRAM與NAND供應(yīng)商遭遇下滑的原因分析

根據(jù)行業(yè)分析機(jī)構(gòu)DRAMeXChange的統(tǒng)計(jì)，各DRAM供應(yīng)商與NAND供應(yīng)商在2018年第四季度皆遭遇出貨量與產(chǎn)品價(jià)格下滑問(wèn)題，收入縮水自然也成為無(wú)...

2019-03-02 標(biāo)簽：DRAM NAND 3.4k 0

市場(chǎng)跌宕起伏存儲(chǔ)三巨頭日子越來(lái)越不好過(guò)

這兩年，DRAM內(nèi)存、NAND閃存市場(chǎng)跌宕起伏，也帶動(dòng)內(nèi)存條、固態(tài)硬盤持續(xù)動(dòng)蕩，而作為掌握核心芯片資源的三星電子、SK海力士、美光等巨頭，自然是賺得盆滿...

2019-02-28 標(biāo)簽：DRAM NAND 存儲(chǔ) 1.3k 0

美光推出全球首款1TB micro SD卡可提供高性能可移動(dòng)存儲(chǔ)

西班牙巴塞羅那，2019 年 2 月 25 日 —— 在2019世界移動(dòng)通信大會(huì)上，作為創(chuàng)新內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，美光科技股份有限公司（納斯達(dá)...

2019-02-26 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)美光 1.4k 0

因2018年第四季總體經(jīng)濟(jì)不確定性提高 NAND Flash大廠營(yíng)收持續(xù)走跌

全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）表示，部分服務(wù)器廠商因2018年第四季總體經(jīng)濟(jì)不確定性提高，決定延后進(jìn)貨或取消訂單，與...

2019-02-24 標(biāo)簽：NAND 三星電子 SK海力士 822 0

未來(lái)十年存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存將取代NAND閃存?

近日，HPE 3PAR存儲(chǔ)單元副總裁兼總經(jīng)理Ivan Iannaccone進(jìn)行了一次大膽預(yù)測(cè)，在他看來(lái)，存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（SCM）或?qū)⒃?0年內(nèi)取代NAND閃...

2019-02-19 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)內(nèi)存 6.5k 0

LiteOn推出采用東芝64層3D NAND最新SSD

近日，LiteOn推出一款最新MU3系列SSD，采用東芝64層BiCS 3D TLC NAND，7毫米/2.5英寸外形，SATA 6Gbps接口，提供1...

2019-02-18 標(biāo)簽：東芝 NAND SSD 4.4k 0

記憶體庫(kù)存去壓力難解電競(jìng)SSD價(jià)格快速走跌

記憶體市況需求冷淡，受到庫(kù)存水位偏高，首季價(jià)格跌幅達(dá)到雙位數(shù)，由于預(yù)期市場(chǎng)價(jià)格持續(xù)下探，模組廠及終端拉貨動(dòng)能趨向保守。但記憶體價(jià)格走跌下，電競(jìng)記憶體拉貨...

2019-02-14 標(biāo)簽：Nand 記憶體 SSD 1.6k 0

SCM將取代閃存成為首選的高速存儲(chǔ)介質(zhì)

存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（SCM）這種RAM能夠像NAND閃存那樣保保存其內(nèi)容，但兼具DRAM的速度，最終將會(huì)取代閃存成為首選的高速存儲(chǔ)介質(zhì)。

2019-02-11 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ) 5k 0

存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存克服了NAND閃存的局限性因而勢(shì)必會(huì)取而代之

2019-01-28 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)內(nèi)存 1.1k 0

SCM比NAND閃存更快，但仍然很昂貴

由于閃存的固有設(shè)計(jì)，SCM在這塊要好很多。性能問(wèn)題和閃存延遲的最大原因之一是使用垃圾收集以滿足新寫入。將數(shù)據(jù)寫入閃存驅(qū)動(dòng)器時(shí)，無(wú)法覆蓋舊信息。它必須在其...

2019-01-28 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)器 SCM 5.5k 0

邁入2019年，NAND快閃記憶體確定會(huì)是記憶體產(chǎn)業(yè)的焦點(diǎn)

繼2015年Samsung推出32層堆層的3D V-NAND之后，2016年市場(chǎng)便很熱鬧，除了SK Hynix推出了36層的3D NAND V2、Mic...

2019-01-28 標(biāo)簽：NAND 3D 記憶體 1.3萬(wàn) 0

預(yù)測(cè)2019年電子行業(yè)和IT行業(yè)的未來(lái)

對(duì)于中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來(lái)，2019年具有非常重要的意義。

2019-01-27 標(biāo)簽：NAND 長(zhǎng)江存儲(chǔ) 5.6k 0

DRAM，NAND閃存價(jià)格分別下降11%，21% SK海力士預(yù)計(jì)今年設(shè)備投資削減40%

去年，SK海力士設(shè)備總投資達(dá)17萬(wàn)億韓元（約合151億美元），預(yù)計(jì)2019年設(shè)備投資與去年相比減少40％。由于中美貿(mào)易爭(zhēng)端和全球IT行業(yè)放緩的影響，今...

2019-01-27 標(biāo)簽：DRAM NAND SK海力士 9.7k 0

2019年第二季度NAND和DRAM的跌幅可以達(dá)到15%至50%

面對(duì)本次降價(jià)大潮，不少企業(yè)打算收縮戰(zhàn)線，準(zhǔn)備過(guò)冬，比如中國(guó)臺(tái)灣的南亞科，就計(jì)劃將資本支出減少一半，也就是減少大約100億新臺(tái)幣的資本支出。不過(guò)，對(duì)于中國(guó)...

2019-01-23 標(biāo)簽：DRAM NAND 存儲(chǔ)芯片 6.9k 0

衡宇科技完成新一輪融資潛心發(fā)展嵌入式NAND Flash控制芯片等

據(jù)悉，衡宇科技于2012年2月創(chuàng)立，可為用戶提供應(yīng)用于通訊、消費(fèi)電子及數(shù)據(jù)處理行業(yè)的閃存主控芯片產(chǎn)品，主要業(yè)務(wù)為嵌入式NAND Flash控制芯片等，衡...

2019-01-22 標(biāo)簽：嵌入式 NAND 控制芯片 2.9k 0

隨著更高性能的存儲(chǔ)火爆也給3D Xpoint帶來(lái)了新的機(jī)會(huì)

在3D NAND Flash大行其道的21世紀(jì)，當(dāng)Intel和美光在2015年首次介紹3D Xpoint的時(shí)候，市場(chǎng)掀起了軒然大波。據(jù)當(dāng)時(shí)的介紹，3D ...

2019-01-19 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)3D Xpoint 1.4k 0

存儲(chǔ)市場(chǎng)動(dòng)蕩行業(yè)龍頭企業(yè)又如何順勢(shì)和逆勢(shì)

三星是存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的霸主，其一舉一動(dòng)將影響到整個(gè)行業(yè)。DRAM內(nèi)存是三星目前的“搖錢樹(shù)”，就算市場(chǎng)趨勢(shì)是降價(jià)，但是三星必將逆勢(shì)而為，通過(guò)降產(chǎn)控量的方式確保自...

2019-01-18 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ) 3.8k 0

NAND價(jià)格下滑，終端市場(chǎng)疲軟 2019存儲(chǔ)原廠如何布局？

繼NAND Flash度過(guò)了兩年的蜜月期后，2018年NAND Flash市場(chǎng)價(jià)格迎來(lái)大幅度下滑。而存儲(chǔ)原廠為維穩(wěn)價(jià)格而獲得高營(yíng)收或盈利能力，針對(duì)201...

2019-01-16 標(biāo)簽：閃存 NAND 3D 7.6k 0

美光公司宣布正式行權(quán)收購(gòu)IMFT公司，英特爾公司將獲得15億美元的分手費(fèi)

目前雙方的3D XPoint閃存主要是在美國(guó)猶他州的工廠生產(chǎn)，雙方將繼續(xù)通力合作完成第二代3D XPoint技術(shù)開(kāi)發(fā)，最終將會(huì)在2019年上半年完成并開(kāi)...

2019-01-16 標(biāo)簽：英特爾 NAND 美光 4.5k 0

紫光宏茂微電子宣布公司成功實(shí)現(xiàn)大容量企業(yè)級(jí)3D NAND芯片封測(cè)的規(guī)模量產(chǎn)

在2017年年底舉行的第四屆世界互聯(lián)網(wǎng)大會(huì)上透露，紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)透露，紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)研發(fā)出了32層64G的完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的3D NAND...

2019-01-15 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)鏈 9.4k 0

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
江波龍

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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語(yǔ)：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE

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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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