紫光宏茂微電子宣布成功實現(xiàn)大容量企業(yè)級3DNAND芯片封測的規(guī)模量產(chǎn)

1月7日，紫光集團官方微信公眾號發(fā)文，宣布旗下紫光宏茂微電子（上海）有限公司宣布成功實現(xiàn)大容量企業(yè)級3D NAND芯片封測的規(guī)模量產(chǎn)。

2019-01-09 標(biāo)簽：芯片NAND紫光 8k 0

美光計劃削減12.5億美元的資本支出，減少內(nèi)存及閃存芯片的產(chǎn)量

美光總裁、CEO Sanjay Mehrotra在財報電話會議上表示，為了適應(yīng)當(dāng)前市場的狀況，美光將減少DRAM內(nèi)存及NAND閃存芯片的產(chǎn)量。根據(jù)美光的...

2018-12-21 標(biāo)簽：NAND閃存芯片美光 4.4k 0

預(yù)估明年第一季NAND Flash合約價將再跌10%

展望2019年上半年，盡管原廠對擴充產(chǎn)能態(tài)度保守，甚至開始抑制擴產(chǎn)，但由于淡季影響，加上市場庫存水位仍高，供過于求的情況只會更加顯著，預(yù)估第一季NAND...

2018-12-20 標(biāo)簽：NANDFlash 3.3k 0

帶你認識eMMC閃存和UFS閃存 規(guī)格不是萬能的

一部完整的手機是由許多零部件組成的，但是用戶往往只關(guān)注運算處理器、運行內(nèi)存、圖形處理器等核心硬件，卻忽略了另外一個直接影響手機性能和讀取速度的硬件模塊：...

2018-12-18 標(biāo)簽：閃存NAND 1.4萬 0

賽普拉斯把一個營收一億八千六百萬美元的業(yè)務(wù)剝離出去，為什么在這個時候做這個決定？

Hassane表示，賽普拉斯重奪USB芯片出貨量頭名，靠得也是專注與變革。“賽普拉斯曾經(jīng)是USB市場第一名，但因為不夠?qū)Ｗ?，所以失去了這個位置。”Has...

2018-12-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體NAND賽普拉斯 4.4k 0

關(guān)于不同NAND閃存的種類對比淺析

由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：單層單元（SLC）、多層單元（MLC...

2018-12-17 標(biāo)簽：閃存NAND 2.6k 0

SLC NAND Flash是旺宏今年營運主要成長動力之一

旺宏電子（2337）2018年4月合并營收29.02億元，較3月之32.53億元減少10.8%，較2017年同期20.48億元，則增加41.7%。

2018-12-14 標(biāo)簽：NAND旺宏 8.5k 0

3D NAND flash大戰(zhàn)開打 三星獨霸局面打破

記憶體的3D NAND flash大戰(zhàn)即將開打！目前3D NAND由三星電子獨家量產(chǎn)，但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營，如今美光(Micron)也...

2018-12-13 標(biāo)簽：NAND三星電子美光 1.4k 0

英特爾與傲騰聯(lián)手 重塑數(shù)據(jù)中心存儲架構(gòu)

今日，以“智數(shù)據(jù)·創(chuàng)未來”為主題的2018中國存儲與數(shù)據(jù)峰會在北京拉開帷幕。作為中國數(shù)據(jù)與存儲行業(yè)頂級的交流平臺，本次峰會匯集了全球近百位來自產(chǎn)業(yè)界、學(xué)...

2018-12-13 標(biāo)簽：英特爾NAND存儲 900 0

DRAM連漲之后持續(xù)下跌 各大廠商已做好準(zhǔn)備

全球DRAM市場上，三星一家獨大，接著是SK Hynix及美光，這三家的DRAM份額占到了全球95％左右，而華亞科被美光全資收購之后，Nanya南亞科技...

2018-12-10 標(biāo)簽：DRAMNAND內(nèi)存 8k 0

分拆內(nèi)存業(yè)務(wù) 助力提高東芝/威騰陣營的NAND Flash產(chǎn)能及產(chǎn)品開發(fā)

最新調(diào)查顯示，日本大廠東芝（Toshiba）為提升半導(dǎo)體業(yè)務(wù)競爭力，已正式宣布將在今年3月31日前完成分拆內(nèi)存業(yè)務(wù)，預(yù)期分拆后的新公司將有更多經(jīng)營彈性及...

2018-12-10 標(biāo)簽：東芝NAND內(nèi)存 1.4k 0

64層/72層3D NAND開始出貨 SSD市場將迎來新的局面

6月15日，三星電子宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)第四代64層256Gb V-NAND，與48層256Gb V-NAND相比，生產(chǎn)效率將提高30%以上。東芝/西部數(shù)據(jù)...

2018-12-10 標(biāo)簽：NAND三星電子SSD 1.6k 0

預(yù)計明年Q1季度DRAM內(nèi)存環(huán)比降幅高達10-15%

經(jīng)過兩年多的漲價之后，DRAM內(nèi)存在今年10月份也就是Q4季度終于降價了，靠著內(nèi)存漲價而賺了大把利潤的三星、SK Hynix及美光公司對此顯然是不滿意的...

2018-12-05 標(biāo)簽：nand三星電子內(nèi)存 4.1k 0

3D NAND技術(shù)的轉(zhuǎn)換促進產(chǎn)業(yè)洗牌戰(zhàn) 三星/英特爾/東芝各有應(yīng)對招數(shù)

NAND Flash產(chǎn)業(yè)在傳統(tǒng)的Floating Gate架構(gòu)面臨瓶頸后，正式轉(zhuǎn)進3D NAND Flash時代，目前三星電子（Samsung Elec...

2018-12-03 標(biāo)簽：英特爾NAND三星電子 2.4k 0

為滿足NAND Flash市場增加的需求 SK海力士宣布將建新存儲器晶圓廠

SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個存儲器晶圓廠，滿足NAND Flash市場增加的需求。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個月開始設(shè)計外部的建...

2018-12-03 標(biāo)簽：NANDSK海力士 1.8k 0

3D NAND未來五年需求大好 但紫光在技術(shù)上仍存在瓶頸

全球 3D NAND 價格近來快速崩跌，紫光集團旗下的長江存儲肩負打破國內(nèi)“零”存儲自制率之重任，以”光速”的氣勢加入這場存儲世紀大戰(zhàn)。除了武漢 12 ...

2018-11-30 標(biāo)簽：NAND存儲紫光 3k 0

3大危機發(fā)酵？蘋果公司再度雪上加霜，網(wǎng)友：坑完用戶坑開發(fā)者！

2018年時光飛逝，氣溫逐漸下降，而對于蘋果公司來說就猶如天氣般， 多項危機接踵而至，讓蘋果公司也進入了嚴寒冬季。蘋果公司曾是所有人的寵兒，如今，蘋果好...

2018-11-27 標(biāo)簽：NAND 3.9k 0

長江存儲成功將Xtacking技術(shù)應(yīng)用于其第二代3D NAND產(chǎn)品的開發(fā)

談到NAND閃存，或者說以它為代表的SSD產(chǎn)品，多數(shù)人對速度的理解集中在像是SATA 3／PCIe 3．0等外部接口上，但其實閃存芯片也有內(nèi)部接口，LG...

2018-11-26 標(biāo)簽：閃存NAND長江存儲 1.8萬 0

存儲器產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈建立過多庫存的問題特別明顯

外資摩根士丹利認為，存儲器于2015年遭遇產(chǎn)業(yè)逆風(fēng)時，至少持續(xù)了三個季度，而這次的產(chǎn)業(yè)逆風(fēng)，從交貨時間、重復(fù)下單、庫存等觀察指標(biāo)來看，現(xiàn)在都比2015年...

2018-11-27 標(biāo)簽：NAND存儲器 1k 0

長江存儲預(yù)計在2019年全速量產(chǎn) 2020年會趕超國際領(lǐng)先的閃存公司

NAND閃存芯片被三星、東芝、SK Hynix、美光、Intel等少數(shù)公司壟斷，中國公司在此領(lǐng)域毫無話語權(quán)，甚至連收購、合作外資公司都沒可能，想獲得突破...

2018-11-23 標(biāo)簽：閃存NAND長江存儲 1.3萬 0