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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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長江存儲32層三維NAND閃存芯片量產(chǎn)提上日程光谷是希望之地

按照計(jì)劃，今年四季度，設(shè)備有望點(diǎn)亮投產(chǎn)。紫光集團(tuán)全球執(zhí)行副總裁、長江存儲執(zhí)行董事長高啟全透露，今年將量產(chǎn)的產(chǎn)品，是去年成功研發(fā)的中國首顆32層三維NAN...

2018-04-23 標(biāo)簽：nand 紫光長江存儲 3.8k 0

中國存儲芯片即將起飛，有望打破韓美日壟斷存儲芯片的局面

2018-04-18 標(biāo)簽：集成電路 NAND 存儲芯片 7.1k 0

一文看懂半導(dǎo)體工藝演進(jìn)對DRAM、邏輯器件、NAND的影響

本文主要圍繞DRAM、邏輯器件和NAND這三大尖端產(chǎn)品來進(jìn)行詳細(xì)介紹。

2018-04-21 標(biāo)簽：dram nand 邏輯器件 1.4萬 0

中國力推半導(dǎo)體國產(chǎn)化,2018年底或?qū)㈤_始提供三維NAND閃存芯片

據(jù)報道，由于智能手機(jī)需求下降，NAND目前行情疲軟。不過，年初向來是需求下降的時期。很多人認(rèn)為，為迎接年底促銷，各公司2018年夏季將開始采購智能手機(jī)零...

2018-04-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 閃存芯片 1.5萬 0

“中國芯”國際地位要提高長江存儲要用5年時間達(dá)到世界水平

目前，全球存儲器芯片技術(shù)主要掌握在韓、日、美等國企業(yè)手中，屬于相對壟斷市場。去年6月，三星宣布64層NAND閃存開始大規(guī)模量產(chǎn)。這些技術(shù)和產(chǎn)品，將推動以...

2018-04-17 標(biāo)簽：nand 閃存芯片長江存儲 3.7k 0

解說DRAM、邏輯器件和NAND這三大尖端產(chǎn)品

影響DRAM工藝縮減的主要問題是電容。為了可靠地存儲數(shù)據(jù)，電容需要大于一定的閾值。要繼續(xù)制造出占用面積更小的電容，可以把電容做得更高，薄膜更薄，或者增加...

2018-04-16 標(biāo)簽：DRAM NAND 邏輯器件 1.0萬 0

內(nèi)存價格降了？ 2018年NAND市場將再創(chuàng)新高

IHS表示，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器芯片的銷售總額增長了77％，而閃存芯片的銷售額增長了47％。隨著全年供應(yīng)日益緊張，市場也受到明顯影響，隨著需求增加，201...

2018-05-13 標(biāo)簽：高通英特爾 nand 1.2k 0

在春節(jié)長假期，國人歡慶佳節(jié)的時候，長江存儲的工廠依然在加緊建設(shè)，以確保今年三季度投產(chǎn)NAND flash，隨著長江存儲投產(chǎn)，中國可望打破當(dāng)前三星在NA...

2018-07-02 標(biāo)簽：NAND 存儲長江 5.7k 0

2018年DRAM市場整體規(guī)模將會達(dá)到996億美元

DRAM市場整體規(guī)模將會達(dá)到996億美元，比NAND閃存市場621億美元還高出375億美元，將成為IC行業(yè)最大的單一產(chǎn)品類別。從圖表中就可以看出，在過去...

2018-03-23 標(biāo)簽：DRAM NAND 存儲器 1.0萬 0

英特爾想要盡快壓制三星，用這些新戰(zhàn)略試試看？

作者/Sang-Yun Lee, CEO, BeSang Inc. 英特爾自從1992年以來首次在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)收入中失去第一名，需要新的策略來縮小差距或超...

2018-03-22 標(biāo)簽：英特爾 DRAM NAND 7.7k 0

三星工廠停電可能導(dǎo)致NAND Flash再上漲大基金1.4億砸向新三板

1、高盛：比特幣陷破底危機(jī)，恐再摔35% 據(jù)Coin Market Cap的報價，比特幣昨（12）日報9,155.44美元，過去一周時間累計(jì)重挫21%，...

2018-03-18 標(biāo)簽：NAND Flash 大基金 6k 0

DRAM報價超預(yù)期 IC insights大幅上修今年IC成長預(yù)估值

因DRAM、NAND等內(nèi)存報價上漲、需求強(qiáng)勁，調(diào)研機(jī)構(gòu)昨日（3月14日）發(fā)布最新研究報告，將2018年全球IC市場成長預(yù)估值拉高近一倍，從原本的8%一口...

2018-03-16 標(biāo)簽：DRAM NAND 1.5k 0

全球存儲器市場再爆震撼彈擴(kuò)產(chǎn)殺價競爭風(fēng)暴再起

韓國三星、SK海力士，以及美光等三大主要內(nèi)存芯片廠重啟產(chǎn)能擴(kuò)建行動，加上中國大基金與紫光集團(tuán)同步加碼投入內(nèi)存的資金和人力，市調(diào)機(jī)構(gòu)示警，明年內(nèi)存市場將再...

2018-04-11 標(biāo)簽：東芝 nand 三星電子 1.1k 0

閃存的價格轉(zhuǎn)為下跌，NAND閃存將進(jìn)入調(diào)整期

日經(jīng)新聞表示，自2016年iPhone搭載了可容納幾十部高清電影的閃存之后，全球智能手機(jī)的容量紛紛變大。此外，IT企業(yè)將個人信息保存于數(shù)據(jù)中心的需求也出...

2018-03-15 標(biāo)簽：閃存 NAND 1.3萬 0

紫光“從芯到云”戰(zhàn)略的重要連接者明年將采用長存NAND顆粒

紫光集團(tuán)聯(lián)席總裁兼紫光存儲科技有限公司CEO齊聯(lián)表示，紫光存儲的競爭優(yōu)勢，一是在于有完整的產(chǎn)業(yè)鏈條支撐，產(chǎn)品具有較高的性價比。二是作為本地化企業(yè)，能夠更...

2018-03-03 標(biāo)簽：nand 紫光新華三 2k 0

2017年第四季NAND Flash供貨商營收成長僅6.8%

集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)表示，2017年第四季各供貨商持續(xù)進(jìn)行3D-NAND的擴(kuò)產(chǎn)及良率提升，然需求面僅靠智能手機(jī)旺季需求動能...

2018-02-28 標(biāo)簽：nand 美光 sk海力士 1.3k 0

4大主流存儲技術(shù)對比，誰是下世代明星

目前存儲依儲存特性，以斷電后資料是否消失可分為揮發(fā)性和非揮發(fā)性存儲，揮發(fā)性存儲斷電后資料不能留存，成本較高但是速度快，通常用于資料暫存；非揮發(fā)性存儲存取...

2018-06-23 標(biāo)簽：dram nand 存儲技術(shù) 8.1k 0

美光與英特爾在3D XPoint存儲芯片市場上競爭激烈，互不相讓

英特爾已經(jīng)推出了幾款3D XPoint產(chǎn)品，但是到目前為止，美光科技還沒有什么動作。

2018-07-02 標(biāo)簽：英特爾 NAND 存儲 1.6k 0

關(guān)于美光與英特爾NAND市場競爭格局分析？5張圖給你解釋

筆者認(rèn)為如果這些發(fā)生了的話，將會改變整個NAND 市場的格局，對美光將是巨大的威脅。英特爾和美光都認(rèn)為3D XPoint最終將替代目前PC市場和服務(wù)器...

2018-06-29 標(biāo)簽：英特爾 NAND 美光 3.5k 0

全球DRAM平均售價將降低 5大跡象十分清晰

內(nèi)存芯片在2017年掀起一陣狂熱，價格只增不減?？v觀2018年甚至2019年局勢，5大跡象顯示內(nèi)存芯片「超級循環(huán)」將結(jié)束，全球 DRAM 的平均售價將降低。

2018-02-23 標(biāo)簽：dram nand 三星電子 1.7k 0

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云存儲是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費(fèi)云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
江波龍

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非易失性存儲器

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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
合肥長鑫

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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
SRAM存儲器

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　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
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　　NoSQL僅僅是一個概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個人提供信息的儲存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲品牌。
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