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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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解析GaN與SiC在太陽(yáng)能逆變器中的應(yīng)用方案

光伏發(fā)電（PV）是一種將陽(yáng)光轉(zhuǎn)化為電能的技術(shù)，這個(gè)過(guò)程涉及使用太陽(yáng)能電池來(lái)捕獲太陽(yáng)能并將其轉(zhuǎn)化為可用的電力；然后，使用逆變器將太陽(yáng)能電池產(chǎn)生的電力從直流...

2025-12-10 標(biāo)簽：太陽(yáng)能逆變器 SiC 4.9k 0

SiC-MOSFET的體二極管的特性

如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。從MOSFET的結(jié)構(gòu)上講，體二極管是由源極-漏極間的pn結(jié)形成的，也被...

2023-02-24 標(biāo)簽：二極管 MOSFET SiC 4.9k 0

詳細(xì)的MOSFET制造工藝流程及版圖設(shè)計(jì)

　　帶保護(hù)環(huán)的SiC屏蔽DMOSFET的模擬　　A.Kanale和B.J.Baliga，“加強(qiáng)短路電流抑制方法的比較”1.2kV SiC功率MOSF...

2023-02-06 標(biāo)簽：MOSFET SiC 4.9k 0

SiC MOSFET模塊的損耗計(jì)算

為了安全使用SiC模塊，需要計(jì)算工作條件下的功率損耗和結(jié)溫，并在額定值范圍內(nèi)使用。MOSFET損耗計(jì)算與IGBT既有相似之處，也有不同。相對(duì)IGBT，M...

2025-06-18 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 三菱電機(jī) 4.9k 0

如何將SiC庫(kù)導(dǎo)入LTspice并對(duì)其進(jìn)行仿真

碳化硅（SiC）是一種越來(lái)越重要的半導(dǎo)體材料：用這種材料制造的電子元件越來(lái)越普遍和高效。最好的電子仿真程序已經(jīng)用這些組件豐富了他們的庫(kù)，這些組件現(xiàn)在在...

2022-08-05 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 SiC 4.8k 0

碳化硅(SiC)二極管的種類(lèi)及優(yōu)勢(shì)

以碳化硅(silicon carbide，SiC)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件，受到了廣泛的關(guān)注。SiC中存在各種多型體(結(jié)晶多系)，它們的物性值也各不相...

2023-02-04 標(biāo)簽：SiC 碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 4.8k 0

為什么SiC MOSFET的短路耐受時(shí)間比較小

我們都知道，IGBT發(fā)生短路時(shí)，需要在10us或者更短的時(shí)間內(nèi)關(guān)閉IGBT，在相同的短路能耗下可以由其他參數(shù)來(lái)進(jìn)行調(diào)節(jié)，如柵極電壓VGE，母線(xiàn)電壓等，但...

2022-08-07 標(biāo)簽：MOSFET IGBT SiC 4.8k 0

SiC外延片測(cè)試需要哪些分析

對(duì)于摻雜的SiC外延片，紅外光譜測(cè)量膜厚為通用的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。碳化硅襯底與外延層因摻雜濃度的不同導(dǎo)致兩者具有不同的折射率，因此試樣的反射光譜會(huì)出現(xiàn)反映外延層...

2023-08-05 標(biāo)簽：測(cè)試儀 SiC 紅外光譜 4.8k 0

關(guān)于SiC MOSFET短路Desat保護(hù)設(shè)計(jì)

富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專(zhuān)業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶(hù)打造個(gè)性化的解決方案，并縮短產(chǎn)品設(shè)計(jì)周期。在第三代半導(dǎo)體的實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域...

2022-07-30 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 SiC 4.8k 0

SiC MOSFET和SiC IGBT的區(qū)別

　　在SiC MOSFET的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級(jí)的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率...

2023-02-12 標(biāo)簽：MOSFET IGBT PN結(jié) 4.7k 0

氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)和原理功率器件氮化鎵焊接方法有哪些

氮化鎵功率器件具有較低的導(dǎo)通阻抗和較高的開(kāi)關(guān)速度，使其適用于高功率和高頻率應(yīng)用，如電源轉(zhuǎn)換、無(wú)線(xiàn)通信、雷達(dá)和太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域。由于其優(yōu)異的性能，氮化鎵...

2023-08-24 標(biāo)簽：功率器件 SiC 氮化鎵 4.7k 0

從晶體到系統(tǒng)之路：關(guān)于碳化硅的關(guān)鍵的襯底和外延epi分析

由于襯底和外延和芯片的技術(shù)發(fā)展相關(guān)性不是特別大，所以我單獨(dú)把這兩個(gè)流程拿出來(lái)和大家分享，接下來(lái)的芯片技術(shù)發(fā)展比如MOSFET的平面結(jié)構(gòu)或者溝槽結(jié)構(gòu)都是直...

2023-02-02 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件 SiC 4.7k 0

選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器來(lái)解決碳化硅(SiC)的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

Balogh還指出了其他需要考慮的問(wèn)題，例如保護(hù)功能、欠壓鎖定、更高頻率的工作、更快的開(kāi)關(guān)速度和裸片上的熱點(diǎn)，這些都會(huì)對(duì)功耗、EMI和尺寸產(chǎn)生影響。

2022-08-07 標(biāo)簽：MOSFET SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器 4.7k 0

碳化硅外延設(shè)備技術(shù)研究

與傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料硅、鍺相比，第三代半導(dǎo)體材料碳化硅 (Silicon Carbide, SiC) 具有禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率高、高溫穩(wěn)定性好以及...

2023-12-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料 SiC 4.7k 0

剖析SiC-MOSFET特征及其與Si-MOSFET的區(qū)別 1

功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一直在進(jìn)行各種改良。SiC功率元器件半導(dǎo)體有如下優(yōu)勢(shì)，如低損耗、高速開(kāi)關(guān)、高溫...

2023-02-06 標(biāo)簽：電路 MOSFET SiC 4.7k 0

淺談高壓SiC MOSFET發(fā)展歷程與研究現(xiàn)狀

高壓SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)和技術(shù)存在著幾個(gè)重要瓶頸：1）器件漂移區(qū)的導(dǎo)通電阻隨電壓等級(jí)相應(yīng)增加，其他結(jié)構(gòu)（溝道、JFET區(qū)等）的存在進(jìn)一步提高了總導(dǎo)通電阻。

2023-05-04 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 導(dǎo)通電阻 4.7k 0

SiC器件的優(yōu)缺點(diǎn)！

在逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電池充電器等應(yīng)用中，碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、更低的冷卻要求和更低的整體系統(tǒng)成本等優(yōu)勢(shì)。

2023-02-21 標(biāo)簽：逆變器 IGBT SiC 4.7k 0

車(chē)載充電機(jī)OBC的技術(shù)方向與碳化硅應(yīng)用方案

車(chē)載充電機(jī)（On-Board Charger，簡(jiǎn)稱(chēng)為OBC）的基本功能是：電網(wǎng)電壓經(jīng)由地面交流充電樁、交流充電口，連接至車(chē)載充電機(jī)，給車(chē)載動(dòng)力電池進(jìn)行慢...

2022-07-20 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 OBC 4.6k 0

AMB陶瓷基板在IGBT中應(yīng)用的優(yōu)勢(shì)

AMB（活性金屬釬焊）工藝技術(shù)是DBC（直接覆銅）工藝技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。AMB陶瓷基板利用含少量活性元素的活性金屬焊料實(shí)現(xiàn)銅箔與陶瓷基片間的焊接。

2023-03-17 標(biāo)簽：逆變器 IGBT 功率器件 4.6k 0

SiC外延層的缺陷控制研究

探索SiC外延層的摻雜濃度控制與缺陷控制，揭示其在高性能半導(dǎo)體器件中的關(guān)鍵作用。

2024-01-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體技術(shù)SiC 4.6k 0

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快充技術(shù)

快充技術(shù)

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尼吉康

尼吉康

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trinamic

trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱(chēng)作是一個(gè)神話(huà)，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線(xiàn)中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱(chēng)為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱(chēng)為閾值電壓。
無(wú)線(xiàn)供電

無(wú)線(xiàn)供電

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無(wú)線(xiàn)供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線(xiàn)供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線(xiàn)供電。
寧德時(shí)代

寧德時(shí)代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專(zhuān)業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶(hù)具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類(lèi)：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車(chē)的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國(guó)際無(wú)線(xiàn)充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線(xiàn)充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線(xiàn)不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
WPC

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電池系統(tǒng)

電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱(chēng)之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
手機(jī)快充

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手機(jī)快充電主要分為三大類(lèi)：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線(xiàn)充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

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+關(guān)注

采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線(xiàn)分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
USB PD

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太陽(yáng)能充電

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PSR

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光伏并網(wǎng)逆變器

光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線(xiàn)電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
浪涌抑制器

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DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類(lèi)，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類(lèi)。例如車(chē)載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
USB-PD

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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶(hù)使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶(hù)。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線(xiàn)共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶(hù)規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶(hù)規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷(xiāo)人物”
UCD3138

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