sic

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

淺談SiC技術(shù)和封裝的創(chuàng)新 SiC如何應(yīng)對(duì)汽車(chē)電子技術(shù)挑戰(zhàn)

在開(kāi)始討論技術(shù)和開(kāi)發(fā)目標(biāo)前，先看一下圖1的電動(dòng)汽車(chē)概念的簡(jiǎn)單示意圖。在這種情況下，功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)和牽引電機(jī)所用的電子元器件是本項(xiàng)目的研究方向。

2018-12-23 標(biāo)簽：汽車(chē)電子 SiC 5.7k 0

三菱電機(jī)SiC DIPIPM在變頻家電中的應(yīng)用（2）

三菱電機(jī)于1997年將DIPIPM正式推向市場(chǎng)，迄今已在家電、工業(yè)和汽車(chē)空調(diào)等領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。在Si-IGBT DIPIPM基礎(chǔ)上，三菱電機(jī)開(kāi)發(fā)了集...

2025-07-19 標(biāo)簽：MOSFET 封裝 IGBT 5.6k 0

GaN 和 SiC 器件相似和差異

GaN 和 SiC 器件在某些方面相似，但有顯著差異。

2021-11-17 標(biāo)簽：SiC GaN 半導(dǎo)體器件 5.6k 0

半導(dǎo)體切割-研磨-拋光工藝簡(jiǎn)介

SiC襯底切割是將晶棒切割為晶片，切割方式有內(nèi)圓和外圓兩種。由于SiC價(jià)格高，外圓、內(nèi)圓刀片厚度較大，切割損耗高、生產(chǎn)效率低，加大了襯底的成本。

2023-06-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體技術(shù)SiC CMP 5.6k 0

Microsemi宣布推出一系列SiC功率器件

汽車(chē)、工業(yè)、太空和國(guó)防領(lǐng)域越來(lái)越需要能提升系統(tǒng)效率、穩(wěn)健性和功率密度的SiC功率產(chǎn)品。

2019-08-08 標(biāo)簽：微芯 SiC 5.6k 0

淺談SiC MOSFET芯片的短路能力

SiC MOSFET芯片的短路能力是非常差的，目前大部分都不承諾短路能力，有少數(shù)在數(shù)據(jù)手冊(cè)上標(biāo)明短路能力的幾家，也通常把短路耐受時(shí)間（SCWT：shor...

2023-12-13 標(biāo)簽：芯片 MOSFET IGBT 5.6k 0

基于SiC的MOSFET器件在電源與電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)中的特點(diǎn)分析

商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史，自問(wèn)世以來(lái)，MOSFET和IGBT一直是開(kāi)關(guān)電源的主要功率處理控制組件，被廣泛用于電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等電路設(shè)計(jì)。

2019-12-03 標(biāo)簽：mosfet 電機(jī)驅(qū)動(dòng)sic 5.6k 0

SiC MOSFET進(jìn)入主流市場(chǎng)，功率器件新局面正式開(kāi)啟

進(jìn)一步提高切換頻率會(huì)導(dǎo)致硅基解決方案效率與最大輸出功率迅速降低，但SiC MOSFET的低切換損耗不會(huì)有此問(wèn)題。透過(guò)此范例的證明，工作頻率高達(dá)72kHz...

2019-02-04 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件 SiC 5.5k 0

功率半導(dǎo)體的革命：SiC與GaN的共舞

功率半導(dǎo)體”多被用于轉(zhuǎn)換器及逆變器等電力轉(zhuǎn)換器進(jìn)行電力控制。目前，功率半導(dǎo)體材料正迎來(lái)材料更新?lián)Q代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二...

2013-03-07 標(biāo)簽：SiC GaN 功率半導(dǎo)體 5.5k 0

探討改變電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的氮化鎵IC

氮化鎵提供更低的開(kāi)關(guān)損耗、更快的開(kāi)關(guān)速度、更高的功率密度、更好的熱預(yù)算、從而提高電動(dòng)汽車(chē)的功率輸出和能效，且降低了重量和成本。

2018-07-17 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)igbt SiC 5.5k 0

SiC碳化硅的基本概念、制備方法、應(yīng)用領(lǐng)域和發(fā)展趨勢(shì)

碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的物理、化學(xué)和電學(xué)性能，在高溫、高頻、高壓等惡劣環(huán)境下具有很高的穩(wěn)定性和可靠性。本文將對(duì)SiC碳化硅的基...

2023-09-12 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 SiC 5.5k 0

碳化硅離子注入和退火工藝介紹

統(tǒng)的硅功率器件工藝中，高溫?cái)U(kuò)散和離子注入是最主要的摻雜控制方法，兩者各有優(yōu)缺點(diǎn)。一般來(lái)說(shuō)，高溫?cái)U(kuò)散工藝簡(jiǎn)單，設(shè)備便宜，摻雜分布輪廓為等向性，且高溫?cái)U(kuò)散工...

2023-12-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 5.5k 0

碳化硅晶體的生長(zhǎng)原理

碳化硅晶體的生長(zhǎng)原理在自然界中，晶體不勝枚舉，其分布及應(yīng)用都十分廣泛。例如日常生活中隨處可見(jiàn)的鹽、糖、鉆石、雪花都是晶體；此外，半導(dǎo)體晶體、激光晶體、...

2024-08-03 標(biāo)簽：晶體 SiC 襯底 5.4k 0

4H-SiC缺陷概述

4H-SiC概述（生長(zhǎng)、特性、應(yīng)用）、Bulk及外延層缺陷、光致發(fā)光/拉曼光譜法/DLTS/μ-PCD/KOH熔融/光學(xué)顯微鏡，TEM，SEM/散射光等...

2023-12-28 標(biāo)簽：SEM SiC TEM 5.4k 0

SiC材料及器件介紹

SiC，作為發(fā)展最成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，具有禁帶寬度寬、臨界擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和漂移速度高及抗輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn)。

2023-09-28 標(biāo)簽：晶圓場(chǎng)效應(yīng)晶體管肖特基二極管 5.4k 0

高頻驅(qū)動(dòng)，有利于外圍元器件的小型化

在PWM逆變器驅(qū)動(dòng)時(shí)的損耗仿真中，與同等額定電流的IGBT模塊相比，相同開(kāi)關(guān)頻率的損耗在5kHz時(shí)減少30%、20kHz時(shí)減少55%，總體損耗顯著降低。...

2018-06-15 標(biāo)簽：元器件逆變器 SiC 5.4k 0

高壓SiC MOSFET發(fā)展歷程與研究現(xiàn)狀

高壓 SiC MOSFET 由于其單極工作模式，高擊穿電壓將嚴(yán)重限制器件的導(dǎo)通電流能力。例如對(duì)于10 kV 等級(jí)器件來(lái)說(shuō)，室溫下其電流等級(jí)約為 20~4...

2023-02-03 標(biāo)簽：SiC SiC MOSFET 5.4k 0

干貨 | 一文了解 SiC/GaN 功率轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)

基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開(kāi)始在各種創(chuàng)新市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類應(yīng)用包括太陽(yáng)...

2019-06-13 標(biāo)簽：SiC GaN 5.4k 0

橫向型與垂直型MOSFET簡(jiǎn)介

橫向型MOSFET，又稱之為橫向?qū)щ娦偷腗OSFET，結(jié)構(gòu)如下圖所示。這里橫向的意思是指電流的流動(dòng)方向與晶圓襯底之間的方向。

2023-06-25 標(biāo)簽：MOSFET 晶圓電壓源 5.3k 1

3300V SiC MOSFET柵氧可靠性研究

摘要：碳化硅 SiC功率器件因其卓越的材料性能，表現(xiàn)出巨大的應(yīng)用前景，其中金屬-氧化物-場(chǎng)效應(yīng)晶體管 MOSFET是最重要的器件。3300 V SiC...

2024-01-04 標(biāo)簽：MOSFET 光伏晶體管 5.3k 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車(chē)的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
浪涌抑制器

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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車(chē)載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
USB-PD

USB-PD

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PWM信號(hào)

PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
UCD3138

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模數(shù)轉(zhuǎn)換器	數(shù)模轉(zhuǎn)換器	數(shù)字電位器	觸摸屏控制器	AFE	ADC	DAC	電源管理
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