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標簽 > sic
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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在電動汽車驅(qū)動控制器中,逆變控制器是實現(xiàn)能量交直流轉(zhuǎn)化的關(guān)鍵部件,用于電機的驅(qū)動或制動時的能量回收或是提供交流電源。市場對于逆變控制器的能量傳輸效率、功...
電源設(shè)計筆記:適用于高性能應(yīng)用的SiC JFET
本文檢查了 JFET SJEP120R100A 的功能和性能——這篇文章純粹是指導(dǎo)性的;此組件不再可用。但是這種簡單的方法也可以應(yīng)用于其他新組件。在接下...
SiC MOSFET在電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計中的優(yōu)化方案
作者:英飛凌科技資深高級工程師René Mente 談起電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計,諸如碳化硅(SiC)等寬禁帶(WBG)技術(shù)是當今進行器件選擇時的現(xiàn)實考慮。65...
2021-03-25 標簽:MOSFET電源轉(zhuǎn)換器SiC 3k 0
引言 人們對用于器件應(yīng)用的碳化硅(SiC)重新產(chǎn)生了濃厚的興趣。它具有良好的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù),可以作為第三族氮化物外延生長的襯底。在許多應(yīng)用領(lǐng)域,例...
碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs、GaP、InP等)之后發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體材料。作...
碳化硅SiC芯片封裝:銀燒結(jié)與銅燒結(jié)設(shè)備的技術(shù)探秘
隨著碳化硅(SiC)功率器件在電力電子領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,其高效、耐高壓、高溫等特性得到了業(yè)界的廣泛認可。然而,要充分發(fā)揮SiC芯片的性能優(yōu)勢,封裝技術(shù)起著...
解析可編程輸出隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器的優(yōu)勢
為應(yīng)對 Si、SiC 和GaN 等不斷發(fā)展的技術(shù),優(yōu)化功率驅(qū)動設(shè)計需要適應(yīng)性強的柵極驅(qū)動解決方案。本文重點介紹了可編程輸出的隔離型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的...
2025-11-18 標簽:轉(zhuǎn)換器晶體管SiC 2.9k 0
在為任一高功率或高電壓系統(tǒng)設(shè)計印刷電路板 (PCB) 布局時,柵極驅(qū)動電路特別容易受到寄生阻抗和信號的影響。對于碳化硅 (SiC) 柵極驅(qū)動,更需認真關(guān)...
基于長線列紅外焦平面探測器冷箱組件開展焦面熱應(yīng)力變形研究
隨著紅外焦平面探測器陣列規(guī)模的不斷擴大,由多層結(jié)構(gòu)低溫?zé)崾湫巫儗?dǎo)致的杜瓦可靠性問題愈發(fā)突出,對焦面低溫形變的定量化表征需求越來越迫切。
半導(dǎo)體器件作為現(xiàn)代電子技術(shù)的核心元件,廣泛應(yīng)用于集成電路、消費電子及工業(yè)設(shè)備等場景,其性能直接影響智能終端與裝備的運行效能。以氮化鎵(GaN)和碳化硅(...
硅是半導(dǎo)體的傳統(tǒng)材料,但其近親碳化硅(SiC)最近已成為激烈的競爭對手。碳化硅的特性特別適合高溫、高壓應(yīng)用。它提供了更高的效率,并擴展了功率密度和工...
碳化硅(SiC)功率器件核心優(yōu)勢及技術(shù)挑戰(zhàn)
SiC器件的核心優(yōu)勢在于其寬禁帶、高熱導(dǎo)率、以及高擊穿電壓。具體來說,SiC的禁帶寬度是硅的近3倍,這意味著在高溫下仍可保持良好的電性能;其熱導(dǎo)率是硅的...
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