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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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SiC,也稱為碳化硅,是硅和碳化物在晶體結(jié)構(gòu)中的組合,大約有250種不同的晶體形式可以找到SiC。碳化硅可以采取許多不同的形式:單個SiC晶??梢詿Y(jié)在...
在光伏逆變器、車載充電器及牽引逆變器等應(yīng)用領(lǐng)域中,由第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)制成的SiC MOSFET正逐步替代由傳統(tǒng)硅基(Si)制成的Si IGBT。
SiC MOSFET:通過波形的線性近似分割來計算損耗的方法
首先,計算開通和關(guān)斷時間內(nèi)消耗的功率損耗Pton和Ptoff。波形使用圖1中的示例波形。功率損耗使用表1中的近似公式來計算。由于計算公式會因波形的形狀而...
碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導(dǎo)通電阻。
2023-12-12 標(biāo)簽:MOSFET電源轉(zhuǎn)換器肖特基二極管 2.9k 0
三菱電機(jī)1200V級SiC MOSFET技術(shù)解析
1200V級SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢的器件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車等領(lǐng)域。目前,1200V級SiC MOSFET被多家器件廠商定位為...
隨著新能源領(lǐng)域的發(fā)展, 在數(shù)字電源控制系統(tǒng)中要求功率密度高且轉(zhuǎn)換效率高。其中,整機(jī)功率密度的提升,就需要提高開關(guān)頻率, 大部分現(xiàn)有產(chǎn)品的開關(guān)頻率在50k...
和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開關(guān)頻率高等諸多優(yōu)點(diǎn),因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優(yōu)點(diǎn)同時也給SiC功率器件的互連封裝帶...
隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)因其優(yōu)異的性能,如高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和高工作溫度,逐漸成為高...
碳化硅在下一代工業(yè)電機(jī)驅(qū)動器中的作用
使用WBG材料如碳化硅(SiC)可制造出性能超越硅(Si)的同類產(chǎn)品。雖然有各種重要的機(jī)會使用這項(xiàng)技術(shù),但工業(yè)電機(jī)驅(qū)動正獲得最大的興趣和關(guān)注。
2021-07-04 標(biāo)簽:SiC電機(jī)驅(qū)動器碳化硅 2.9k 0
未來幾年將看到電子設(shè)備和邏輯板的飛躍式增長。但作為電子產(chǎn)品和半導(dǎo)體滲透到新的行業(yè)和產(chǎn)品,設(shè)計師和制造商一直在尋找更好、更智能的制造方式這些重要組成部分。
使用碳化硅SiC進(jìn)行雙向充電機(jī)OBC設(shè)計
電動汽車車載充電機(jī)(On Board Charger,OBC)可以根據(jù)功率水平和功能采取多種形式,充電功率從微型電動汽車應(yīng)用中的2KW,到高端電動汽車中...
具有低導(dǎo)通電阻的GaN-on-SiC肖特基勢壘二極管設(shè)計
北京工業(yè)大學(xué)和中國北京大學(xué)報道了碳化硅襯底(GaN/SiC)上由氮化鎵制成的全垂直結(jié)構(gòu)肖特基勢壘二極管(SBD)的性能
高性能SiC JFET SJEP120R100A的操作和性能
本文分析了 JFET SJEP120R100A 的操作和性能。這種 SiC JFET 適用于任何需要高功率和快速開關(guān)速度的應(yīng)用。然而,它特別適合用于音頻...
在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)技術(shù)對于推動向電動移動性的轉(zhuǎn)變和提高可再生能源系統(tǒng)的效率至關(guān)重要。隨著市場需求的增加,功率半導(dǎo)體公司面臨著迅速擴(kuò)大生產(chǎn)能...
面向汽車應(yīng)用的下一代高壓離散電源產(chǎn)品
電動汽車的激增將功率半導(dǎo)體性能的邊界推向了新的高度。傳統(tǒng)上,硅功率器件已用于控制汽車中的各種功率電子系統(tǒng),例如用于主逆變器電機(jī),泵,HVAC壓縮機(jī),制動...
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