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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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探索 onsemi NVHL075N065SC1 SiC MOSFET:高性能與可靠性的完美結(jié)合
作為一名電子工程師,在日常的設(shè)計(jì)工作中,我們總是在尋找那些能夠提升產(chǎn)品性能、增強(qiáng)可靠性的優(yōu)質(zhì)元器件。今天,我想和大家分享一款來自 onsemi 的單通道...
三菱電機(jī)SiC MOSFET在工業(yè)電源中的應(yīng)用
SiC器件具有低開關(guān)損耗,可以使用更小的散熱器,同時(shí)可以在更高開關(guān)頻率下運(yùn)行,減小磁性元件體積。采用SiC器件的工業(yè)電源,可以實(shí)現(xiàn)高效率和高功率密度。三...
1200V-23mΩ SiC FET(UF4SC120023B7S):高性能功率開關(guān)的新選擇
在電子工程師的日常工作中,選擇合適的功率開關(guān)器件至關(guān)重要。今天,我們要深入探討一款名為UF4SC120023B7S的1200V、23mΩ G4 SiC ...
2025-12-02 標(biāo)簽:功率開關(guān)FETSiC 868 0
如何用雙脈沖測(cè)試更好的表征SiC MOS動(dòng)態(tài)能力?
? ? 揚(yáng)杰科技干貨分享- 如何用雙脈沖測(cè)試更好的表征SiC MOS動(dòng)態(tài)能力? ? 引言 隨著碳化硅(SiC)MOS產(chǎn)品的迭代發(fā)展,SiC MOS相比于...
安森美10A、1200V碳化硅肖特基二極管NDSH10120C-F155解析
作為電子工程師,我們?cè)陔娫丛O(shè)計(jì)領(lǐng)域總是不斷追求更高的效率、更快的頻率和更小的體積。碳化硅(SiC)肖特基二極管的出現(xiàn),為我們帶來了新的解決方案。今天就來...
解析 onsemi NDSH20120CDN:SiC 肖特基二極管的卓越性能
在電力電子領(lǐng)域,不斷追求更高的效率、更快的開關(guān)速度和更小的系統(tǒng)尺寸,碳化硅(SiC)肖特基二極管正逐漸成為新一代功率半導(dǎo)體的首選。今天,我們將深入探討 ...
碳化硅肖特基二極管:NDSH20120C-F155的技術(shù)剖析
在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)肖特基二極管正憑借其卓越性能逐漸成為主流。今天我要和大家分享安森美(onsemi)的一款碳化硅肖特基二極管——NDSH2...
探索 onsemi NVHL015N065SC1 SiC MOSFET:高效能與可靠性的完美結(jié)合
在電子工程領(lǐng)域,功率半導(dǎo)體器件的性能對(duì)系統(tǒng)的效率、可靠性和成本有著至關(guān)重要的影響。今天,我們將深入探討 onsemi 的 NVHL015N065SC1 ...
2025-11-28 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 719 0
探索 onsemi NDSH40120C-F155 SiC 肖特基二極管:高效與可靠的完美結(jié)合
在當(dāng)今電子設(shè)備不斷追求高性能、高可靠性和小型化的時(shí)代,功率半導(dǎo)體器件的性能提升至關(guān)重要。碳化硅(SiC)肖特基二極管作為新一代功率半導(dǎo)體,憑借其卓越的性...
探索 onsemi NTH4L023N065M3S SiC MOSFET:高性能開關(guān)的理想之選
作為電子工程師,我們一直在尋找性能卓越、能滿足各種復(fù)雜應(yīng)用需求的電子元件。今天要給大家介紹的是 onsemi 的 NTH4L023N065M3S 碳化硅...
Onsemi碳化硅MOSFET NTH4L018N075SC1:高效能與可靠性的完美結(jié)合
在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)MOSFET憑借其卓越的性能,正逐漸成為眾多應(yīng)用的首選功率器件。今天,我們就來深入了解Onsemi推出的一款優(yōu)秀的碳...
探索 onsemi NTBG023N065M3S SiC MOSFET 的卓越性能
在電子工程師的設(shè)計(jì)工具箱中,功率半導(dǎo)體器件的選擇至關(guān)重要。今天,我們將深入探討 onsemi 的 NTBG023N065M3S 碳化硅(SiC)MOSF...
解析 onsemi NVVR26A120M1WSB SiC 功率模塊:電動(dòng)車牽引逆變器的理想之選
在當(dāng)今電動(dòng)車和混合動(dòng)力車蓬勃發(fā)展的時(shí)代,牽引逆變器作為核心部件,對(duì)功率模塊的性能和可靠性提出了極高要求。onsemi 的 NVVR26A120M1WSB...
onsemi UF3N120007K4S SiC JFET晶體管的特性與應(yīng)用解析
在電子工程領(lǐng)域,功率半導(dǎo)體器件的性能對(duì)電路設(shè)計(jì)和系統(tǒng)性能有著至關(guān)重要的影響。今天,我們來詳細(xì)探討一下安森美(onsemi)的UF3N120007K4S碳...
?安森美NTBL032N065M3S碳化硅MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
onsemi NTBL032N065M3S碳化矽(SiC)MOSFET專為快速開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì),在負(fù)柵極電壓驅(qū)動(dòng)和關(guān)斷尖峰時(shí)性能可靠。onsemi NTB...
基于onsemi NVH4L050N170M1碳化硅MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)的技術(shù)解析與應(yīng)用指南
onsemi NVH4L050N170M1碳化矽(SiC)MOSFET性能卓越,在V~GS~ = 20V時(shí),典型R~DS(on)~ 為53mΩ。onse...
2025-11-24 標(biāo)簽:MOSFETSiC柵極驅(qū)動(dòng) 666 0
基于onsemi EVBUM2897G-EVB評(píng)估板的雙脈沖測(cè)試技術(shù)詳解
onsemi EVBUM2897G-EVB評(píng)估板設(shè)計(jì)用于比較測(cè)量各種分立封裝的Elite SiC MOSFET和IGBT。Onsemi EVBUM289...
onsemi NVBG050N170M1 碳化矽 MOSFET 技術(shù)解析與應(yīng)用指南
安森美 (onsemi) NVBG050N170M1碳化矽(SiCSiC)MOSFET是1700V M1平面SiC MOSFET系列的一部分,該系列專為...
onsemi NXH015F120M3F1PTG 碳化硅功率模塊技術(shù)解析
安森美 (onsemi) NXH015F120M3F1PTG碳化硅 (SiC) 模塊采用15mΩ/1200V M3S碳化硅 (SiC) MOSFET全橋...
解析可編程輸出隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器的優(yōu)勢(shì)
為應(yīng)對(duì) Si、SiC 和GaN 等不斷發(fā)展的技術(shù),優(yōu)化功率驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)需要適應(yīng)性強(qiáng)的柵極驅(qū)動(dòng)解決方案。本文重點(diǎn)介紹了可編程輸出的隔離型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的...
2025-11-18 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器晶體管SiC 2.9k 0
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