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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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智能混合信號無橋圖騰柱PFC控制器解決AC-DC電源能效挑戰(zhàn)
評估板在265 VAC、395 VDC下提供300瓦??焖僦烽_關(guān)采用GaN HEMT,交流電同步整流器采用Si-MOSFET,在整個電源電壓范圍內(nèi)...
IGBT 和 SiC 電源開關(guān)有哪些市場和應(yīng)用? 高效的電源轉(zhuǎn)換在很大程度上取決于系統(tǒng)中使用的功 率半導(dǎo)體器件。由于功率器件技術(shù)不斷改進,大功率應(yīng) 用的...
2022-03-18 標簽:IGBT電源開關(guān)SiC 9.1k 0
Si3N4為何要用AMB工藝?AMB Si3N4的生產(chǎn)流程介紹
功率電子器件在電力存儲,電力輸送,電動汽車,電力機車等眾多工業(yè)領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。
SiC MOSFET模塊封裝技術(shù)及驅(qū)動設(shè)計
碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅SiC MOSFET作為一種新型寬禁帶半導(dǎo)體器件,具有導(dǎo)通電阻低,開關(guān)損耗小的特...
外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上,經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜,襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片,可進...
消費者、各行業(yè)及政府都在采取各項措施以增加對可再生能源的利用,這正在將發(fā)電和輸配電系統(tǒng)從中心化的電網(wǎng)轉(zhuǎn)換成更加智能化網(wǎng)格化的,支持本地發(fā)電的拓撲,并通過...
2020-12-10 標簽:智能電網(wǎng)太陽能光伏SiC 8.7k 0
使用三種無鉛焊料系統(tǒng):Sn96.5-Ag3.5、Ag74.2-In25.8和Au76-In24幾乎實現(xiàn)了無孔隙焊點。實驗看到,焊點厚度在熱退火之前和之后...
SiC MOSFET學習筆記2:短路保護—軟關(guān)斷
想象一個場景:一輛高端新能源車行駛在高速公路上,作為把電池中的直流電轉(zhuǎn)化為交流電送到電機的核心部件,SiC MOSFET的上管和下管都工作得好好的,你關(guān)...
SiC如何實現(xiàn)比硅更好的熱管理?SiC在電子領(lǐng)域有哪些應(yīng)用?
碳化硅(SiC)是由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物,屬于寬帶隙(WBG)系列材料。它的物理鍵非常牢固,使半導(dǎo)體具有很高的機械,化學和熱穩(wěn)定性。寬...
眾所周知單晶材料是SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ),依據(jù)器件的使用,還會要求SiC單晶片要有高的表面質(zhì)量
寬帶隙半導(dǎo)體開關(guān):緩慢的開關(guān)沿可減少過沖和EMI
在寬帶隙半導(dǎo)體開關(guān)的新時代,器件類型的選擇包括具有自己的特性并聲稱具有最佳性能的SiC?MOSFET和GaN HEMT單元。但是,這兩者都不是理想的開關(guān)...
SiC MOSFET實現(xiàn)高頻大功率變換——固態(tài)變壓器應(yīng)用案例剖析
在傳統(tǒng)的配電網(wǎng)結(jié)構(gòu)中,工頻變壓器是實現(xiàn)電能分配和電壓等級變換的主要電氣設(shè)備。工頻變壓器的主要組成部件為鐵芯和繞組,常采用油浸式或者干式,具有可靠性高,效...
與 Si 器件相比, SiC 器件具有更加優(yōu)異的電氣性能, 新特性給其結(jié)溫評估帶來了新挑 戰(zhàn), 許多適用于 Si 器件的結(jié)溫評估方法可能不再適用于 Si...
SiC 功率 MOSFET 和肖特基二極管正在快速應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換半導(dǎo)體 (PECS) 應(yīng)用,例如電動汽車充電和牽引、儲能系統(tǒng)和工業(yè)電源。SiC 功率...
SiC和GaN功率半導(dǎo)體在混合動力和電動汽車的主傳動系逆變器中的應(yīng)用
SiC電力電子器件主要包括功率二極管和三極管(晶體管、開關(guān)管)。SiC功率器件可使電力電子系統(tǒng)的功率、溫度、頻率、抗輻射能力、效率和可靠性倍增,帶來體積...
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