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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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長距離電動汽車應用中 SiC 功率器件的有效實現(xiàn)

內燃機 (IC)、EV 和 HEV 等所有汽車對動力子系統(tǒng)的需求一直呈指數(shù)級增長，以支持高級輔助駕駛系統(tǒng) (ADAS)、電動車窗、車門和后視鏡、內部網絡...

2019-08-19 標簽：MOSFET SiC Ev 7.8k 0

SiC MOSFET驅動電壓尖峰與抑制方法分析（上）

高頻、高速開關是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優(yōu)勢之一，這能顯著提升系統(tǒng)效率，但也會在寄生電感和電容上產生更大的振蕩，從而讓驅動電壓產生更大的尖峰。

2023-12-18 標簽：MOSFET emc 電磁干擾 7.8k 1

碳化硅跟石墨怎樣分辨？哪個比較好？

碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

2023-02-17 標簽：SiC 電阻爐碳化硅 7.7k 0

碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）應用差異在哪里？

SiC 和 GaN 被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)。由于使用的生產工藝，WBG 設備顯示出以下優(yōu)點：

2023-10-09 標簽：晶體管 SiC 氮化鎵 7.7k 1

SiC功率MOSFET內部晶胞單元的結構

碳化硅(SiC)作為第三代半導體材料的代表性材料，下圖1展示了SiC的材料優(yōu)勢，相較于 Si，SiC 具有更高的禁帶寬度，使 SiC 器件的工作溫度可達...

2025-12-05 標簽：半導體 SiC 碳化硅 7.6k 0

基于JEDEC JEP183A標準的SiC MOSFET閾值電壓精確測量方法

閾值電壓 (Vth) 是 MOSFET (金屬氧化物半導體) 的一種基本的電學參數(shù)。閾值電壓 (Vth) 為施加到柵極的最小電壓，以建立MOSFET漏極...

2025-11-08 標簽：MOSFET 半導體 SiC 7.5k 0

柵極驅動芯片選型要求，如何為SiC MOSFET選擇合適的柵極驅動芯片

柵極驅動芯片可根據功能分為多種類型，如單路、雙路、多路等。因此，在選型時需要根據具體應用情況進行選擇。

2023-07-14 標簽：MOSFET SiC 柵極驅動 7.5k 0

SiC功率器件輻照效應研究進展概述

隨著微電子技術日新月異的發(fā)展，作為傳統(tǒng)半導體材料的硅（Si）與砷化鎵（GaAs）在半導體器件中表現(xiàn)出的電學性能已逐漸接近其理論極限。

2023-12-13 標簽：新能源汽車 MOSFET 功率器件 7.5k 0

使用安森美SiC JFET優(yōu)化固態(tài)斷路器設計

斷路器是一種用于保護電路免受過電流、過載及短路損壞的器件。機電式斷路器 (EMB) 作為業(yè)界公認的標準器件，包含兩個獨立觸發(fā)裝置：一個是雙金屬片，響應速...

2025-11-14 標簽：安森美 JFET 斷路器 7.3k 0

SiC-MOS與IGBT抗短路能力對比

在IGBT為主流的時代，提到抗短路能力，就是有或者沒有。如果器件具備抗短路能力，那就是比較能抗，一般不容易引起失效。但是SiC-MOS給人的感覺就是不那...

2025-11-06 標簽：逆變器 IGBT SiC 7.2k 0

什么是GaN氮化鎵？為什么充電器用GaN而不是SiC？

新能源車的功率控制單元（PCU）是汽車電驅系統(tǒng)的中樞神經，管理電池中的電能與電機之間的流向、傳遞速度。傳統(tǒng) PCU 使用硅基材料半導體制成，強電流與高壓...

2022-10-08 標簽：充電器 SiC 氮化鎵 7.1k 0

碳化硅器件的生產流程，碳化硅有哪些優(yōu)劣勢？

中游器件制造環(huán)節(jié)，不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎上進行產線升級便可滿足碳化硅器件的制造需求。當然碳化硅材料的特殊性質決定其器件制造中某些工藝需要...

2023-10-27 標簽：肖特基二極管功率器件 SiC 7k 0

液相法、3C-SiC！中科院又取得新成果

該團隊開發(fā)了一個生長3C-SiC的液相TSSG長晶設備，其生長過程是這樣的：首先，在高溫石墨坩堝區(qū)域中溶解C粉；然后在對流作用下，將C粉從高溫區(qū)輸送到低...

2023-04-24 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 7k 0

SiC和GaN系統(tǒng)設計工程師不再迷茫

在現(xiàn)實世界中，沒有理想的開關特性。但基于新材料、擁有超低開關損耗的多種寬禁帶器件正在出現(xiàn)，既能實現(xiàn)低開關損耗，又能處理超高速率dv/dt轉換，并支持超快...

2018-10-30 標簽：天線 DC-DC轉換器 SiC 7k 0

碳化硅SiC MOSFET器件的結構及特性

　　SiC功率MOSFET內部晶胞單元的結構，主要有二種：平面結構和溝槽結構。平面SiC MOSFET的結構，如圖1所示。這種結構的特點是工藝簡單，單元...

2023-02-12 標簽：MOSFET SiC 氮化鎵 7k 0

SiC MOSFET的實時結溫監(jiān)控電路測量方案

本文介紹了一種新穎的測量電路，以測量用于測量SiC MOSFET的實時或實際結溫。可以看出，出于訂購和處理數(shù)據或電流傳感器的目的，不需要本質上復雜的任何算法。

2021-04-23 標簽：MOSFET 監(jiān)控電路 SiC 6.9k 0

三菱電機開發(fā)了首款6.5kV全SiC(Silicon Carbide)功率模塊

6.5kV新型全SiC MOSFET功率模塊內部采用半橋拓撲，一般的大功率應用可以采用并聯(lián)連接來提高輸出功率。高電壓功率模塊在高頻下運行，需要考慮模塊自...

2018-09-13 標簽：MOSFET 三菱電機 SiC 6.9k 0

SiC器件不同濕法腐蝕工藝的腐蝕機理和應用領域

SiC 晶體中不同類型的位錯通常是根據腐蝕坑的形貌和尺寸來完成定量分析的。如圖 7（a）所示，大六邊形沒有底部的腐蝕坑代表 MP，中六邊形有底部的腐蝕...

2023-03-10 標簽：SiC 碳化硅 6.9k 0

碳化硅SIC MOSFET替代傳統(tǒng)MOSFET及IGBT的優(yōu)點

碳化硅MOS優(yōu)點：高頻高效，高耐壓，高可靠性?？梢詫崿F(xiàn)節(jié)能降耗，小體積，低重量，高功率密度。

2023-04-12 標簽：變壓器 MOSFET IGBT 6.9k 0

什么是外延工藝？什么是單晶與多晶？哪些地方會涉及到外延工藝？

外延工藝的介紹，單晶和多晶以及外延生長的方法介紹。

2023-11-30 標簽：半導體功率器件 SiC 6.9k 0

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