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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

淺談SiC MOSFET器件的短路耐受能力

SiC MOSFET器件的短路耐受能力，在高壓和低壓應(yīng)用是有所不同的，在耐受時(shí)間上通常在?2-7μs?范圍內(nèi)。多數(shù)規(guī)格書標(biāo)稱的短路時(shí)間是供應(yīng)商在評(píng)估器件...

2025-09-02 標(biāo)簽：三極管 MOSFET 封裝 1.5k 0

浮思特 | 為什么新能源離不開碳化硅?聊聊至信微的 SiC MOSFET 模塊

大家可能經(jīng)常聽到這樣一句話：“碳化硅(SiC)正在改變電力電子行業(yè)。”那么，為什么一塊小小的半導(dǎo)體器件，能讓電動(dòng)車跑得更遠(yuǎn)，光伏逆變器更高效，甚至讓充電...

2025-08-29 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 SiC MOSFET 799 0

超景深顯微鏡航天領(lǐng)域應(yīng)用：織構(gòu)化超分子復(fù)合材料摩擦性能三維表征

超高分子量聚乙烯（UHMWPE）具優(yōu)異自潤(rùn)滑性、耐腐蝕性與抗沖擊性，在航空航天、精密機(jī)械領(lǐng)域應(yīng)用前景廣，但低硬度、抗磨粒磨損差的缺陷限制極端工況適配。表...

2025-08-26 標(biāo)簽：航天 SiC 復(fù)合材料 815 0

Force-I QSCV技術(shù)在SiC MOSFET界面陷阱測(cè)量中的應(yīng)用

電容-電壓 (C-V) 測(cè)量廣泛用于半導(dǎo)體材料和器件表征，可提取氧化物電荷、界面陷阱、摻雜分布、平帶電壓等關(guān)鍵參數(shù)。傳統(tǒng)基于 SMU 施加電壓并測(cè)量電流...

2025-08-25 標(biāo)簽：放大器 MOSFET 半導(dǎo)體 4.3k 0

柵極驅(qū)動(dòng)器環(huán)路設(shè)計(jì)對(duì)SiC MOSFET開關(guān)性能的影響

摘要每個(gè)功率開關(guān)都需要一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路，這是必要的，但容易被忽視。柵極驅(qū)動(dòng)電路對(duì)功率器件的開關(guān)過(guò)程有著非常重要的影響，本文分析了驅(qū)動(dòng)電路的輸出能力和雜散參數(shù)...

2025-08-22 標(biāo)簽：MOSFET SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器 927 0

PCIM2025論文摘要 | 1200V CoolSiC? MOSFET G2分立器件的開關(guān)行為調(diào)查

完整版內(nèi)容請(qǐng)關(guān)注2025PCIMAsia英飛凌將為您帶來(lái)更多分享*本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布摘要英飛凌CoolSiCMOSFETG2通過(guò)單元間距縮...

2025-08-20 標(biāo)簽：MOSFET 分立器件 SiC 909 0

三種功率器件的區(qū)別解析

600-650V功率器件是Si SJ MOS(又稱Si 超結(jié)MOS)，SiC MOS和GaN HEMT競(jìng)爭(zhēng)最為激烈的產(chǎn)品區(qū)間，其典型應(yīng)用為高頻高效高功率...

2025-08-16 標(biāo)簽：封裝功率器件 SiC 3.9k 0

工業(yè)充電器中元器件選型策略

碳化硅（SiC）功率開關(guān)器件正成為工業(yè)電池領(lǐng)域一種廣受歡迎的選擇，因其能夠?qū)崿F(xiàn)更快的開關(guān)速度和更優(yōu)異的低損耗工作，從而在不妥協(xié)性能的前提下提高功率密度。...

2025-08-15 標(biāo)簽：MOSFET 充電器安森美 2.6k 0

安森美SiC MOSFET模塊在牽引逆變器的應(yīng)用

牽引逆變器被稱為電驅(qū)系統(tǒng)的 “心臟”，為車輛行駛提供必需的扭矩與加速度。當(dāng)前，很多純電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車均采用IGBT技術(shù)。而碳化硅(SiC)技術(shù)的引...

2025-08-15 標(biāo)簽：MOSFET 安森美 SiC 2.6k 0

半導(dǎo)體碳化硅SiC制造工藝CMP后晶圓表面粗糙度檢測(cè)

在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，碳化硅（SiC）因其卓越的電導(dǎo)性、熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性而成為制作高功率和高頻電子器件的理想材料。然而，為了實(shí)現(xiàn)這些器件的高性能，必須對(duì)...

2025-08-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 1.2k 0

基于SiC MOSFET的T型三電平數(shù)據(jù)中心UPS高效設(shè)計(jì)方案

以下是基于B3M010C075Z（750V）和B3M013C120Z（1200V）SiC MOSFET的 T型三電平數(shù)據(jù)中心UPS高效設(shè)計(jì)方案，融合多...

2025-08-10 標(biāo)簽：MOSFET UPS 數(shù)據(jù)中心 1.2k 0

三菱電機(jī)SiC MOSFET在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用（2）

隨著市場(chǎng)需求的不斷增長(zhǎng)，SiC MOSFET在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用日益廣泛，已經(jīng)成為推動(dòng)電動(dòng)汽車電氣化和高效能的重要技術(shù)之一。上一篇我們介紹了三菱電機(jī)SiC...

2025-08-08 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 MOSFET 三菱電機(jī) 3.4k 0

三菱電機(jī)SiC MOSFET在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用（1）

隨著市場(chǎng)需求的不斷增長(zhǎng)，SiC MOSFET在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用日益廣泛，已經(jīng)成為推動(dòng)電動(dòng)汽車高效能的重要技術(shù)之一。本章節(jié)主要帶你探究三菱電機(jī)的SiC M...

2025-08-08 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車二極管 MOSFET 3.4k 0

一文探究SiC MOSFET的短路魯棒性

SiC MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、反向阻斷特性好、熱導(dǎo)率高、開關(guān)速度快等優(yōu)勢(shì)，在高功率、高頻率應(yīng)用領(lǐng)域中占有重要地位。然而，SiC MOSFET面臨的...

2025-08-04 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 SiC 3.4k 0

方正微電子SiC MOS功率模塊FA120P002AA簡(jiǎn)介

方正微HPD SiC MOS模塊FA120P002AA（1200V 2.1mΩ）是一款專為新能源車主驅(qū)逆變器設(shè)計(jì)的高性能SiC MOS功率模塊，旨在提供...

2025-07-31 標(biāo)簽：芯片 MOS SiC 1.6k 0

RIGOL功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)性能測(cè)試解決方案

功率變換器是電能利用的重要裝置，其性能主要取決于其核心—功率半導(dǎo)體器件，常見類型有 MOSFET、IGBT 和二極管。傳統(tǒng) Si 器件已逼近材料極限，成...

2025-07-29 標(biāo)簽：MOSFET SiC 功率半導(dǎo)體 2.4k 0

三菱電機(jī)SiC DIPIPM在變頻家電中的應(yīng)用（2）

三菱電機(jī)于1997年將DIPIPM正式推向市場(chǎng)，迄今已在家電、工業(yè)和汽車空調(diào)等領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。在Si-IGBT DIPIPM基礎(chǔ)上，三菱電機(jī)開發(fā)了集...

2025-07-19 標(biāo)簽：MOSFET 封裝 IGBT 5.6k 0

三菱電機(jī)SiC DIPIPM在變頻家電中的應(yīng)用（1）

2025-07-19 標(biāo)簽：MOSFET 家電三菱電機(jī) 3.7k 0

Texas Instruments UCC57102Z/UCC57102Z-Q1低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

Texas Instruments UCC57102Z/UCC57102Z-Q1低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)MOSFET、碳化硅 (SiC) MOSFET...

2025-07-10 標(biāo)簽：MOSFET SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器 787 0

Texas Instruments TCAN1472-Q1汽車級(jí)故障保護(hù)收發(fā)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

Texas Instruments TCAN1472-Q1汽車級(jí)故障保護(hù)收發(fā)器是一款具有信號(hào)改善能力 (SIC) 的高速控制器局域網(wǎng) (CAN) 收發(fā)...

2025-07-09 標(biāo)簽：收發(fā)器局域網(wǎng)SiC 805 0

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快充技術(shù)

快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

寧德時(shí)代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
WPC

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電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
USB PD

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太陽(yáng)能充電

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PSR

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
浪涌抑制器

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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
USB-PD

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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
醫(yī)療電源

醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
UCD3138

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視頻放大器	功率放大器	頻率轉(zhuǎn)換器	揚(yáng)聲器放大器	音頻轉(zhuǎn)換器	音頻開關(guān)	音頻接口	音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器	數(shù)模轉(zhuǎn)換器	數(shù)字電位器	觸摸屏控制器	AFE	ADC	DAC	電源管理
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