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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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傾佳電子推動(dòng)SiC模塊全面替代IGBT模塊的技術(shù)動(dòng)因

傾佳電子推動(dòng)SiC模塊全面替代IGBT模塊的技術(shù)動(dòng)因與SiC模塊應(yīng)用系統(tǒng)級優(yōu)勢深度研究傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能...

2025-09-07 標(biāo)簽：IGBT SiC 2.4k 0

62mm封裝SiC MOSFET模塊在多領(lǐng)域應(yīng)用場景中的技術(shù)優(yōu)勢與市場價(jià)值分析

傾佳電子62mm封裝SiC MOSFET模塊在多領(lǐng)域應(yīng)用場景中的技術(shù)優(yōu)勢與市場價(jià)值分析傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能...

2025-09-07 標(biāo)簽：MOSFET 封裝 SiC 1k 0

傾佳電子BTD5452R隔離型SiC碳化硅MOSFET門極驅(qū)動(dòng)器米勒鉗位串?dāng)_抑制與DESAT短路保護(hù)的技術(shù)價(jià)值

現(xiàn)代功率電子系統(tǒng)，如光伏逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和儲(chǔ)能變流器（PCS），正朝著高效率、高功率密度和高可靠性的方向快速發(fā)展。伴隨著第三代半導(dǎo)體（如碳化硅SiC ...

2025-09-06 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 837 0

國產(chǎn)SiC模塊（碳化硅MOSFET功率模塊）及SiC分立器件產(chǎn)品技術(shù)特點(diǎn)分析

碳化硅（SiC）屬于第三代寬禁帶半導(dǎo)體，帶隙寬度高達(dá)3.26 eV（為硅的近3倍），決定了其具備高臨界擊穿場強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、高電子飽和漂移速率和優(yōu)異的高溫...

2025-09-06 標(biāo)簽：分立器件 SiC 功率模塊 1.1k 0

電流密度1 kA/cm2，二極管耐壓比SiC大3倍！氧化鎵器件商業(yè)化！

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào) 道（文/梁浩斌）最近，康奈爾大學(xué)孵化的初創(chuàng)企業(yè)Gallox semiconductors成功入選 Activate Fellowshi...

2025-09-06 標(biāo)簽：SiC 氧化鎵 7.5k 0

基本半導(dǎo)體連獲兩個(gè)行業(yè)獎(jiǎng)項(xiàng)

近日，基本半導(dǎo)體憑借在碳化硅模塊領(lǐng)域的突出表現(xiàn)，連獲“國產(chǎn)SiC模塊TOP企業(yè)獎(jiǎng)”和“年度優(yōu)秀功率器件產(chǎn)品獎(jiǎng)”兩個(gè)行業(yè)獎(jiǎng)項(xiàng)。

2025-09-05 標(biāo)簽：功率器件 SiC 基本半導(dǎo)體 1.1k 0

傾佳電子Hydrogen Rectifier制氫電源拓?fù)洹⒓夹g(shù)演進(jìn)與SiC功率模塊的顛覆性作用

傾佳電子Hydrogen Rectifier制氫電源拓?fù)?、技術(shù)演進(jìn)與SiC功率模塊的顛覆性作用

傾佳電子Hydrogen Rectifier制氫電源拓?fù)?、技術(shù)演進(jìn)與SiC功率模塊的顛覆性作用傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)...

2025-09-05 標(biāo)簽：SiC 功率模塊 631 0

傾佳電子SiC碳化硅MOSFET功率模塊在電力電子應(yīng)用中對IGBT模塊的全面替代

傾佳電子SiC碳化硅MOSFET功率模塊在電力電子應(yīng)用中對IGBT模塊的全面升級替代傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源...

2025-09-05 標(biāo)簽：MOSFET IGBT SiC 2.4k 0

SiC技術(shù)如何提高電池儲(chǔ)能系統(tǒng)性能

儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）是一種儲(chǔ)存能量以供后續(xù)使用的技術(shù)，這些系統(tǒng)可以捕獲一次產(chǎn)生的能量，并在需要時(shí)提供可靠的供應(yīng)，這一過程對于維持穩(wěn)定的能源供應(yīng)、優(yōu)化能源使...

2025-09-04 標(biāo)簽：SiC 儲(chǔ)能系統(tǒng)電池 941 0

傾佳電子行業(yè)洞察：中國SiC功率器件產(chǎn)業(yè)的崛起如何重新定義行業(yè)熱點(diǎn)與技術(shù)路線

傾佳電子行業(yè)洞察：中國SiC功率器件產(chǎn)業(yè)的崛起如何重新定義行業(yè)熱點(diǎn)與技術(shù)路線一些曾被視為行業(yè)發(fā)展關(guān)鍵瓶頸和熱點(diǎn)議題的技術(shù)挑戰(zhàn)，例如柵氧可靠性問題以及作...

2025-09-04 標(biāo)簽：功率器件 SiC 743 0

揚(yáng)杰科技斬獲2025年度優(yōu)秀功率器件產(chǎn)品獎(jiǎng)

8月26-28日，2025深圳國際電子展(ELEXCON)在深圳會(huì)展中心成功舉辦。這場電子行業(yè)的年度盛會(huì)，一如既往地吸引了眾多優(yōu)秀企業(yè)同臺(tái)交流，展示最新...

2025-09-03 標(biāo)簽：功率器件 SiC 揚(yáng)杰科技 533 0

傾佳電子SiC碳化硅MOSFET開關(guān)行為深度解析及體二極管的關(guān)斷特性

傾佳電子SiC碳化硅MOSFET開關(guān)行為深度解析，特別是其本征體二極管的關(guān)斷特性傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車...

2025-09-01 標(biāo)簽：二極管 MOSFET SiC 1.8k 0

傾佳電子ANPC三電平拓?fù)渖疃冉馕黾癝iC MOSFET功率模塊在ANPC中應(yīng)用價(jià)值研究報(bào)告

傾佳電子ANPC三電平拓?fù)渖疃冉馕黾癝iC MOSFET功率模塊在ANPC中應(yīng)用價(jià)值研究報(bào)告傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體...

2025-09-01 標(biāo)簽：SiC 功率模塊 SiC MOSFET 2.6k 0

SiC碳化硅MOSFET在LLC應(yīng)用中取代超結(jié)MOSFET的優(yōu)勢和邏輯

傾佳電子電源LLC深度研究分析與SiC碳化硅MOSFET在LLC應(yīng)用中取代超結(jié)MOSFET的優(yōu)勢和邏輯傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于...

2025-09-01 標(biāo)簽：MOSFET SiC LLC 2.8k 0

傾佳電子SiC碳化硅MOSFET開關(guān)行為深度研究與波形解析

傾佳電子SiC碳化硅MOSFET開關(guān)行為深度研究與波形解析傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服...

2025-09-01 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 3k 0

電力電子應(yīng)用中IGBT模塊向SiC模塊的技術(shù)升級與應(yīng)用策略

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基本半導(dǎo)體SiC功率模塊與驅(qū)動(dòng)板技術(shù)優(yōu)勢及應(yīng)用價(jià)值深度分析

碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料的杰出代表，其物理特性，如寬禁帶、高臨界電場和高熱導(dǎo)率，從根本上超越了傳統(tǒng)硅（Si）基功率器件的性能極限。這些本征優(yōu)...

2025-08-30 標(biāo)簽：SiC 功率模塊碳化硅 4.9k 0

CoolSiC? 2000V SiC 溝槽柵MOSFET定義新能源應(yīng)用中功率密度增強(qiáng)的新基準(zhǔn)

本文為2024年P(guān)CIM論文更多精彩內(nèi)容請關(guān)注2025PCIM本文介紹了新的CoolSiC2000VSiC溝槽柵MOSFET系列。該系列單管產(chǎn)品采用新的...

2025-08-29 標(biāo)簽：新能源 MOSFET SiC 1.8k 0

Toshiba推出TOLL封裝650V第三代SiC MOSFET

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation?(“Toshiba”)推出三款650V碳化硅(SiC)...

2025-08-29 標(biāo)簽：封裝 Toshiba SiC 2k 0

英飛凌CoolSiC? MOSFET G2最新產(chǎn)品榮獲2025年度半導(dǎo)體市場創(chuàng)新表現(xiàn)獎(jiǎng)

8月26日上午，英飛凌科技憑借第二代CoolSiCMOSFETG21400V分立器件以及全新封裝的1200VEasyC系列碳化硅模塊，以其卓越的產(chǎn)品性能...

2025-08-27 標(biāo)簽：英飛凌 MOSFET 半導(dǎo)體 1.4k 0

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
USB-PD

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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費(fèi)者對共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報(bào)《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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