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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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北京順義泰科天潤(rùn)項(xiàng)目一期投資4億元，預(yù)計(jì)2028年達(dá)產(chǎn)

3月4日，北京順義消息顯示，順義區(qū)21個(gè)在建市區(qū)重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目全部復(fù)工復(fù)產(chǎn)，其中包括泰科天潤(rùn)建設(shè)公司總部、研發(fā)中心及8英寸SiC功率器件生產(chǎn)基地項(xiàng)目。

2024-03-11 標(biāo)簽：新能源汽車 MOSFET 晶圓 1.9k 0

瞻芯電子開(kāi)發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET通過(guò)了車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證

3月8日，瞻芯電子開(kāi)發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過(guò)了嚴(yán)格的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified）。

2024-03-11 標(biāo)簽：MOSFET 導(dǎo)通電阻 SiC 1.7k 0

英飛凌推出CoolSiC MOSFET G2技術(shù)，提升電力效率與可靠性

另外，CoolSiC MOSFET產(chǎn)品組合還成功實(shí)現(xiàn)了SiC MOSFET市場(chǎng)中的最低導(dǎo)通電阻值（Rdson），這大大提高了能效、功率密度，以及在電力系...

2024-03-10 標(biāo)簽：英飛凌 MOSFET 電力系統(tǒng) 1.9k 0

格力斥資百億，打造全球第二座、亞洲首座全自動(dòng)化合物芯片工廠

2023年6月，珠海市環(huán)保部發(fā)布公告證實(shí)，格力電子元器件增產(chǎn)項(xiàng)目已經(jīng)通過(guò)審核。根據(jù)環(huán)評(píng)文件，該項(xiàng)目占地面積達(dá)到20萬(wàn)平方米，建設(shè)周期12個(gè)月。預(yù)計(jì)將建造...

2024-03-10 標(biāo)簽：電子元器件生產(chǎn)線 SiC 5.5k 0

董明珠：格力將投資近百億元建設(shè)碳化硅芯片工廠

這是全球第二座、亞洲第一座全自動(dòng)化化合物芯片工廠。

2024-03-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓 SiC 3.9k 0

英飛凌、NXP、瑞薩等十大汽車芯片廠，怎么看2024行情呢？

2019年汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模大約372億美元，2020年受疫情影響縮減到355億美元，2021年增長(zhǎng)31.5%達(dá)到467億美元，2022年增長(zhǎng)約26%達(dá)...

2024-03-08 標(biāo)簽：英飛凌 MOSFET SiC 9.8k 0

可喜可賀！國(guó)產(chǎn)車規(guī)級(jí)芯片加速上車

近年來(lái)，智能電動(dòng)汽車銷量一路迅速攀升，智能化深度發(fā)展致單車芯片搭載量持續(xù)增長(zhǎng)，智能電動(dòng)汽車領(lǐng)域?qū)囈?guī)級(jí)芯片的需求越發(fā)旺盛。而在如此旺盛的需求之下，中國(guó)車...

2024-03-08 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 mcu SiC 2.2k 0

8英寸SiC襯底陣容加速發(fā)展全球8英寸SiC晶圓廠將達(dá)11座

近年來(lái)，隨著碳化硅（SiC）襯底需求的持續(xù)激增，降低SiC成本的呼聲日益強(qiáng)烈，最終產(chǎn)品價(jià)格仍然是消費(fèi)者的關(guān)鍵決定因素。SiC襯底的成本在整個(gè)成本結(jié)構(gòu)中占...

2024-03-08 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體晶圓 2.3k 0

全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)迅猛增長(zhǎng)：消費(fèi)電子產(chǎn)品與新興技術(shù)共同驅(qū)動(dòng)

除了智能手機(jī)，通信設(shè)備、計(jì)算機(jī)、娛樂(lè)系統(tǒng)和家用電器等其他消費(fèi)電子產(chǎn)品也對(duì)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)產(chǎn)生了深遠(yuǎn)影響。

2024-03-07 標(biāo)簽：智能手機(jī)SiC 氮化鎵 2k 0

激光裝備制造商萊普科技啟動(dòng)IPO輔導(dǎo)

近日，成都萊普科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“萊普科技”）在四川證監(jiān)局完成了輔導(dǎo)備案登記，標(biāo)志著該公司正式開(kāi)啟了沖刺資本市場(chǎng)的征程。

2024-03-07 標(biāo)簽：IGBT SiC 晶圓制造 1.6k 0

希爾電子功率半導(dǎo)體新項(xiàng)目廠房預(yù)計(jì)在今年下半年逐步投用

3月5日，據(jù)“樂(lè)山發(fā)布”消息，四川樂(lè)山高新區(qū)希爾電子功率半導(dǎo)體新項(xiàng)目廠房預(yù)計(jì)在今年下半年逐步投用，屆時(shí)企業(yè)將新增4個(gè)品類的生產(chǎn)線，全部投用后可實(shí)現(xiàn)年銷售...

2024-03-07 標(biāo)簽：晶圓 IGBT 功率器件 1.9k 0

瞻芯電子兩款SiC MOSFET產(chǎn)品通過(guò)車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證

上海瞻芯電子科技有限公司（簡(jiǎn)稱“瞻芯電子”）近期取得了一項(xiàng)重要的技術(shù)突破。該公司推出的兩款第二代SiC MOSFET產(chǎn)品，分別為650V 40mΩ規(guī)格的...

2024-03-07 標(biāo)簽：MOSFET SiC 瞻芯電子 1.7k 0

碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體公司瞻芯電子完成股份改制

2024年3月5日，上海瞻芯電子科技有限公司為了適應(yīng)公司戰(zhàn)略及經(jīng)營(yíng)發(fā)展需要，已經(jīng)順利完成股份改制，并獲得上海市市場(chǎng)監(jiān)督管理局核準(zhǔn)，公司名稱正式變更為：上...

2024-03-07 標(biāo)簽：MOSFET SiC 功率半導(dǎo)體 2k 0

使用349NX激光器進(jìn)行SiC的拉曼光譜和光致發(fā)光實(shí)驗(yàn)

來(lái)自Link?pingUniversity的IvanIvanov教授團(tuán)隊(duì)利用Skylark的349nm激光器成功替代了實(shí)驗(yàn)室中的陳舊氬離子氣體激光器，在...

2024-03-06 標(biāo)簽：激光器材料 SiC 2.7k 0

嘉興斯達(dá)微電子20億投資項(xiàng)目即將投用，新增建筑面積20.6萬(wàn)平米

該項(xiàng)目坐落于嘉興南湖區(qū)，投資總額達(dá)到20億元人民幣，占地總面積279畝，擬新建建筑20.6萬(wàn)平方米，包括生產(chǎn)廠房、動(dòng)力樓以及危險(xiǎn)化學(xué)品儲(chǔ)藏室等設(shè)施，同時(shí)...

2024-03-06 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體 SiC 3.7k 0

功率半導(dǎo)體2035年市值將達(dá)77,757億日元，SiC等占45%

此次調(diào)查針對(duì)功率半導(dǎo)體18項(xiàng)、零部件材料20項(xiàng)、制造設(shè)備19項(xiàng)。調(diào)查期間為2023年10月至2024年2月。

2024-03-06 標(biāo)簽：功率器件 SiC 功率半導(dǎo)體 1.2k 0

Qorvo發(fā)布1200V碳化硅模塊

全球知名的連接和電源解決方案供應(yīng)商Qorvo近日宣布，推出四款采用E1B封裝的1200V碳化硅（SiC）模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置，其...

2024-03-06 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 Qorvo 1.5k 0

芯聯(lián)集成宣布與理想汽車正式簽署戰(zhàn)略合作框架協(xié)議

據(jù)介紹，按照雙方協(xié)議簽署，芯聯(lián)集成將和理想汽車在碳化硅（SiC）領(lǐng)域展開(kāi)全面戰(zhàn)略合作，雙方將一起積極推動(dòng)產(chǎn)品化進(jìn)程，共同提升雙方的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

2024-03-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 1.4k 0

800V碳化硅汽車?yán)^續(xù)火爆！華為、理想等7大廠商將建10+萬(wàn)超充樁

春節(jié)過(guò)后，800V碳化硅汽車?yán)^續(xù)火爆，新增了15款車型（回顧點(diǎn)這里），同時(shí)也迎來(lái)了一波降價(jià)潮——先有極氪007降至20萬(wàn)級(jí)（回顧點(diǎn)這里），昨天小鵬汽車G...

2024-03-05 標(biāo)簽：SiC 功率半導(dǎo)體充電樁 3.5k 0

東芝半導(dǎo)體將加快開(kāi)發(fā)下一代功率器件及SiC和GaN第三代半導(dǎo)體

2023年，東芝半導(dǎo)體的功率器件銷售額估計(jì)約為1000億日元，其中35%用于汽車市場(chǎng)，20%用于工業(yè)市場(chǎng)。

2024-03-04 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件 SiC 1.3k 0

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尼吉康

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
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Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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放大器	運(yùn)算放大器	差動(dòng)放大器	電流感應(yīng)放大器	比較器	儀表放大器	可變?cè)鲆娣糯笃?	隔離放大器
時(shí)鐘	時(shí)鐘振蕩器	時(shí)鐘發(fā)生器	時(shí)鐘緩沖器	定時(shí)器	寄存器	實(shí)時(shí)時(shí)鐘	PWM 調(diào)制器
視頻放大器	功率放大器	頻率轉(zhuǎn)換器	揚(yáng)聲器放大器	音頻轉(zhuǎn)換器	音頻開(kāi)關(guān)	音頻接口	音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器	數(shù)模轉(zhuǎn)換器	數(shù)字電位器	觸摸屏控制器	AFE	ADC	DAC	電源管理
線性穩(wěn)壓器	LDO	開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器	DC/DC	降壓轉(zhuǎn)換器	電源模塊	MOSFET	IGBT
振蕩器	諧振器	濾波器	電容器	電感器	電阻器	二極管	晶體管
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