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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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sic資訊

國(guó)產(chǎn)驅(qū)動(dòng)芯片瞻芯電子2款通用柵極驅(qū)動(dòng)芯片IVCR1801A、IVCR1407A量產(chǎn)

近期,瞻芯電子自主開(kāi)發(fā)的2款通用柵極驅(qū)動(dòng)芯片IVCR1801A、IVCR1407A啟動(dòng)了全國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈量產(chǎn),將更有力地保障供應(yīng),滿足市場(chǎng)需求。 瞻芯電子自...

2023-02-23 標(biāo)簽:SiC驅(qū)動(dòng)芯片柵極驅(qū)動(dòng) 7k 0

光儲(chǔ)系統(tǒng)高壓化升級(jí),2000V SiC MOSFET開(kāi)始走進(jìn)市場(chǎng)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)功率SiC器件目前最大的應(yīng)用市場(chǎng)是電動(dòng)汽車。在汽車應(yīng)用中,電動(dòng)汽車的母線電壓普遍在400V左右,因此在主驅(qū)等部件中只需要用...

2024-05-09 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC 7k 0

意法半導(dǎo)體完成Norstel AB整體收購(gòu),可應(yīng)對(duì)SiC晶圓產(chǎn)能緊缺

據(jù)了解,Norstel將被完全整合到意法半導(dǎo)體的全球研發(fā)和制造業(yè)務(wù)中,繼續(xù)發(fā)展150mm碳化硅裸片和外延片生產(chǎn)業(yè)務(wù)研發(fā)200mm晶圓以及更廣泛的寬禁帶材料。

2019-12-03 標(biāo)簽:晶圓意法半導(dǎo)體sic 7k 0

碳化硅等第三代半導(dǎo)體迎來(lái)政策東風(fēng) 中國(guó)擬全面支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

碳化硅等第三代半導(dǎo)體迎來(lái)政策東風(fēng) 中國(guó)擬全面支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

今天政策層面有一個(gè)大消息,特大消息,那就是我國(guó)擬全面支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將寫入十四五規(guī)劃,利好刺激下半導(dǎo)體、MINILED等科技股全天持續(xù)大...

2020-09-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件SiC 7k 0

升級(jí)“中國(guó)芯”_中車時(shí)代電氣第三代功率半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線建設(shè)見(jiàn)聞

2月7日,株洲中車時(shí)代電氣SiC(碳化硅)生產(chǎn)線上,工人忙著生產(chǎn)。透過(guò)通透的玻璃擋板,可以看到從頭到腳“全副武裝”的粉色制服技術(shù)人員和藍(lán)色制服設(shè)備人員,...

2018-04-30 標(biāo)簽:IGBTSiC功率半導(dǎo)體 7k 0

策馬算力新紀(jì)元:SiC碳化硅頂冷技術(shù)與輔助電源方案在AI服務(wù)器電源中的應(yīng)用解析

公元2026年,歲次丙午,五行屬火,是為“火馬”之年。古語(yǔ)云:“天馬行空,獨(dú)往獨(dú)來(lái)”,寓意著勢(shì)不可擋的突破與超越。在數(shù)字文明的浩瀚疆域中,算力已成為驅(qū)動(dòng)...

2026-02-14 標(biāo)簽:SiC碳化硅算力 6.9k 0

工業(yè)級(jí)SiC MOSFET的柵極氧化層可靠性

工業(yè)級(jí)SiC MOSFET的柵極氧化層可靠性

《工業(yè)級(jí)SiC MOSFET的柵極氧化層可靠性——偏壓溫度不穩(wěn)定性(BTI)》 在正常使用器件時(shí),由于半導(dǎo)體-氧化層界面處缺陷的產(chǎn)生和/或充放電,SiC...

2021-01-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電壓SiC 6.9k 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì) 開(kāi)啟高效能源轉(zhuǎn)換新紀(jì)元

碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì) 開(kāi)啟高效能源轉(zhuǎn)換新紀(jì)元

引言: 隨著全球?qū)δ茉葱屎铜h(huán)境保護(hù)要求的日益提高,傳統(tǒng)的硅基功率器件已經(jīng)逐漸無(wú)法滿足新時(shí)代對(duì)高效能、高頻率、高溫度和高電壓應(yīng)用的需求。碳化硅(SiC)...

2024-03-21 標(biāo)簽:功率器件SiC氮化鎵 6.9k 0

300億! 近十年內(nèi)亞洲最大的汽車電子融資!

1月20日消息,比亞迪半導(dǎo)體股份有限公司已接受中金公司IPO輔導(dǎo),并于近日在深圳證監(jiān)局完成輔導(dǎo)備案。行業(yè)專家認(rèn)為,比亞迪半導(dǎo)體作為國(guó)內(nèi)為數(shù)不多的汽車芯片...

2021-01-21 標(biāo)簽:比亞迪華為IGBT 6.8k 1

碳化硅SiC制造工藝詳解 碳化硅SiC與傳統(tǒng)半導(dǎo)體對(duì)比

碳化硅SiC制造工藝詳解 碳化硅(SiC)作為一種高性能的半導(dǎo)體材料,其制造工藝涉及多個(gè)復(fù)雜步驟,以下是對(duì)SiC制造工藝的詳細(xì)介紹: 原材料選擇與預(yù)處理...

2024-11-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓SiC 6.8k 0

碳化硅行業(yè)現(xiàn)狀及前景怎么樣

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈分為襯底材料制備、外延層生長(zhǎng)、器件制造以及下游應(yīng)用。通常采用物理氣相傳輸法(PVT法)制備碳化硅單晶,再在襯底上使用化學(xué)氣相沉積法(CVD法...

2023-02-03 標(biāo)簽:SiC碳化硅 6.8k 0

首次量產(chǎn)至今8年時(shí)間,溝槽柵SiC MOSFET的發(fā)展現(xiàn)狀如何?

首次量產(chǎn)至今8年時(shí)間,溝槽柵SiC MOSFET的發(fā)展現(xiàn)狀如何?

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)SiC MOSFET的發(fā)展歷史其實(shí)相當(dāng)長(zhǎng)遠(yuǎn),全球SiC產(chǎn)業(yè)龍頭Wolfspeed的前身Cree公司,其創(chuàng)始人之一John ...

2023-03-18 標(biāo)簽:SiC 6.8k 0

三季度利潤(rùn)暴增1108%!IGBT漲價(jià)、SiC營(yíng)收大漲,本土功率廠商打入高毛利市場(chǎng)

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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)最近國(guó)內(nèi)各家功率半導(dǎo)體大廠都披露了2025年第三季度的財(cái)報(bào),整體來(lái)看業(yè)績(jī)表現(xiàn)普遍都迎來(lái)了一波大漲,尤其值得關(guān)注的是在盈利方...

2025-11-12 標(biāo)簽:IGBTSiC 6.7k 0

科銳宣布將在美國(guó)紐約州建造全球最大SiC制造工廠

近日,科銳在官網(wǎng)宣布擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃進(jìn)展,表示將在美國(guó)紐約州建造全球最大SiC制造工廠。

2019-09-26 標(biāo)簽:SiC科銳 6.7k 0

228億!ST持續(xù)投資中國(guó),與三安光電合資建SiC晶圓廠,加速國(guó)產(chǎn)8寸襯底落地

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)6月7日晚間,三安光電與意法半導(dǎo)體(ST)宣布,雙方已簽署協(xié)議在重慶合資共同建立一個(gè)新的碳化硅器件制造工廠。與此同時(shí),為配...

2023-06-09 標(biāo)簽:SiC 6.7k 0

碳化硅材料技術(shù)對(duì)器件可靠性有哪些影響

前言 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測(cè)是碳化...

2021-08-16 標(biāo)簽:SiC碳化硅CVD 6.7k 0

簡(jiǎn)述4H-SiC無(wú)線無(wú)源高溫壓力傳感器設(shè)計(jì)

簡(jiǎn)述4H-SiC無(wú)線無(wú)源高溫壓力傳感器設(shè)計(jì)

高溫壓力傳感器研制的主要目的是解決高溫惡劣環(huán)境下的壓力測(cè)量問(wèn)題,SiC是制造高溫壓力傳感器的理想材料,結(jié)合

2021-04-06 標(biāo)簽:諧振電路SiC高溫壓力傳感器 6.7k 0

融合SiC和Si的優(yōu)點(diǎn):混合功率模塊和混合分立器件

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)在大功率、大電流的應(yīng)用,比如電動(dòng)汽車目前動(dòng)輒300kW以上的電機(jī)功率中,由于對(duì)損耗和散熱方面的要求較高,所以一般會(huì)在逆變器...

2024-02-04 標(biāo)簽:MOSFETIGBT分立器件 6.6k 0

華潤(rùn)微宣布首條6英寸商用SiC晶圓生產(chǎn)線正式量產(chǎn)

華潤(rùn)微的歷史可追溯至香港華科電子公司。1983年,華潤(rùn)集團(tuán)與原四機(jī)部、七機(jī)部、外經(jīng)貿(mào)部聯(lián)合在香港設(shè)立微電子企業(yè)——香港華科電子公司,建立中國(guó)首條4英寸晶...

2020-09-30 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體晶圓 6.6k 0

安森美半導(dǎo)體在功率SiC市場(chǎng)的現(xiàn)狀與未來(lái)

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)是功率電子領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者之一,在SiC功率器件領(lǐng)域的地位正在迅速攀升。

2019-07-30 標(biāo)簽:安森美半導(dǎo)體SiC 6.6k 0

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