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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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深入解讀?國(guó)產(chǎn)高壓SiC MOSFET及競(jìng)品分析

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李誠(chéng)）工業(yè)4.0時(shí)代及電動(dòng)汽車快速的普及，工業(yè)電源、高壓充電器對(duì)功率器件開(kāi)關(guān)損耗、功率密度等性能也隨之提高，傳統(tǒng)的Si-MosFe...

2021-09-16 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 MOSFET 功率器件 6k 0

丙午烈馬與SiC碳化硅革命：2026年高頻電源產(chǎn)業(yè)技術(shù)藍(lán)皮書(shū)

丙午烈馬與SiC碳化硅革命：2026年高頻電源產(chǎn)業(yè)技術(shù)藍(lán)皮書(shū) 全球能源互聯(lián)網(wǎng)核心節(jié)點(diǎn)賦能者-BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體之一級(jí)代理商...

2026-02-17 標(biāo)簽：SiC 高頻電源 5.9k 0

羅姆參展“2018第二十屆中國(guó)國(guó)際工業(yè)博覽會(huì)”帶來(lái)SiC功率元器件為中心的電源解決方案

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（ROHM）于2018年9月19日-23日在國(guó)家會(huì)展中心（上海）舉行的第二十屆中國(guó)國(guó)際工業(yè)博覽會(huì)上首次亮相。在為期5天的展會(huì)上，...

2018-09-21 標(biāo)簽：SiC 羅姆功率元器件 5.9k 0

車載逆變器需求旺盛，加速向SiC轉(zhuǎn)變

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李寧遠(yuǎn)）在很多日常電氣設(shè)備的使用場(chǎng)景中，逆變器都充當(dāng)了不可或缺的重要角色。逆變器的應(yīng)用場(chǎng)景非常多，比如汽車旅游、野外作業(yè)、應(yīng)急電源...

2024-04-23 標(biāo)簽：逆變器車載逆變器 SiC 5.9k 0

志橙半導(dǎo)體：半導(dǎo)體芯片設(shè)備提供核心部件-SiC涂層石墨基座

志橙半導(dǎo)體成立于2017年底，專注于為半導(dǎo)體芯片設(shè)備提供核心部件-SiC涂層石墨基座，據(jù)稱是國(guó)內(nèi)首家、也是唯一一家實(shí)現(xiàn)石墨盤產(chǎn)業(yè)化的細(xì)分領(lǐng)域頭部企業(yè)，現(xiàn)...

2022-12-20 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體材料 SiC 5.9k 0

我國(guó)成功研制4米口徑高碳化硅反射鏡，是世界最大口徑的碳化硅反射鏡

日前從中國(guó)科學(xué)院獲悉，由中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所承擔(dān)的國(guó)家重大科研裝備研制項(xiàng)目“4米量級(jí)高精度SiC非球面反射鏡集成制造系統(tǒng)”通過(guò)項(xiàng)目驗(yàn)收。

2018-08-27 標(biāo)簽：sic 望遠(yuǎn)鏡反射鏡 5.8k 0

滿足新能源汽車應(yīng)用的SiC MOSFET系列產(chǎn)品

產(chǎn)品基本覆蓋了以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料全產(chǎn)業(yè)鏈，包括：電子級(jí)碳化硅高純粉料、碳化硅單晶襯底片、碳化硅外延片、碳化硅功率器件、功率模塊和典型應(yīng)用，...

2019-03-15 標(biāo)簽：新能源汽車 MOSFET SiC 5.8k 0

從工業(yè)到汽車，東芝在功率器件市場(chǎng)的布局

近幾年來(lái)，新能源汽車發(fā)展迅猛，與之配套的汽車功率器件也發(fā)展迅速，不少?gòu)S商開(kāi)始針對(duì)汽車應(yīng)用開(kāi)發(fā)新的產(chǎn)品。比如說(shuō)SiC就是一個(gè)典型，自從特斯拉在Model ...

2021-10-11 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 功率器件 5.8k 0

可降低功耗的內(nèi)置SiC二極管的IGBT

在現(xiàn)代社會(huì)，工廠的工業(yè)產(chǎn)品生產(chǎn)活動(dòng)和廠房的運(yùn)轉(zhuǎn)等都會(huì)消耗大量的能源。然而，近年來(lái)，全球眾多國(guó)家和地區(qū)加快了實(shí)現(xiàn)碳中和的進(jìn)程，這就要求各行各業(yè)的企業(yè)付出超...

2024-06-03 標(biāo)簽：IGBT 功率器件 SiC 5.8k 0

英飛凌推出650V SiC MOSFET，低壓SiC市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈

英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標(biāo)志著公司進(jìn)一步增強(qiáng)了在低壓SiC領(lǐng)域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。

2020-05-09 標(biāo)簽：英飛凌 SiC 5.7k 0

在OBC-PFC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中SiC MOSFET有哪些優(yōu)勢(shì)

根據(jù)Yole的預(yù)測(cè)，到2024年，碳化硅功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)至20億美元，2018-2024年期間的復(fù)合年增長(zhǎng)率將高達(dá)29%。其中，汽車市場(chǎng)無(wú)疑是最...

2021-10-29 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車半導(dǎo)體 SiC 5.7k 0

GaN和SiC能促電動(dòng)汽車電池降本？一大波半導(dǎo)體器件商表關(guān)注

迄今為止，電動(dòng)汽車電池的價(jià)格昂貴，體積大且效率低。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）是汽車電子領(lǐng)域的兩項(xiàng)半導(dǎo)體新技術(shù)，它們也許可以改變這一切。較新的化...

2020-01-09 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 SiC GaN 5.7k 0

Sic功率芯片制造工藝技術(shù)知識(shí)與專家報(bào)告分享

Sic功率芯片：即碳化硅（Silicon Carbide，簡(jiǎn)稱SiC）芯片，是一種基于第三代半導(dǎo)體材料的芯片。SiC芯片具有寬禁帶、高臨界擊穿電場(chǎng)、高電...

2024-12-06 標(biāo)簽：SiC 功率芯片 5.6k 0

SiC的驅(qū)動(dòng)電壓多少才合適？

過(guò)去的一年，作為第三代半導(dǎo)體的典型代表，碳化硅（SiC）器件著實(shí)火了一把，其高工作溫度、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高耐壓、高熱導(dǎo)率、高功率密度以及高可靠性，為設(shè)計(jì)師打...

2021-04-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體安森美 SiC 5.6k 0

2025年全球半導(dǎo)體行業(yè)10大技術(shù)趨勢(shì)

2024年，全球半導(dǎo)體行業(yè)雖然未像預(yù)期那般出現(xiàn)全面復(fù)蘇，但生成式人工智能(AIGC)、汽車電子和通信技術(shù)的快速發(fā)展，卻奠定了底層技術(shù)在2025年的基礎(chǔ)，...

2025-01-17 標(biāo)簽：傳感器半導(dǎo)體 SiC 5.6k 0

收購(gòu)日本先鋒微技術(shù)后，英唐智控發(fā)力第三代半導(dǎo)體SiC產(chǎn)品

近日，英唐智控完成對(duì)日本先鋒微技術(shù)的股權(quán)交割，正式標(biāo)志著其主營(yíng)業(yè)務(wù)由電子元器件分銷，向半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域的轉(zhuǎn)型升級(jí)。

2020-10-22 標(biāo)簽：SiC 英唐智控 5.6k 0

季豐電子新增應(yīng)用在MOS等高壓IV Curve和高壓熱點(diǎn)定位

季豐電子新增加高壓IV Curve和高壓熱點(diǎn)定位，主要應(yīng)用在MOS，SiC，IGBT等高壓產(chǎn)品的失效分析，IV Curve掃描電壓范圍在±3000V，通...

2021-10-15 標(biāo)簽：IC IGBT MOS 5.6k 0

英飛凌達(dá)成200mm碳化硅(SiC)新里程碑：開(kāi)始交付首批產(chǎn)品

2月18日，英飛凌科技股份公司在200 mm SiC產(chǎn)品路線圖上取得重大進(jìn)展。公司將于2025年第一季度向客戶提供首批基于先進(jìn)的200 mm SiC技術(shù)...

2025-02-18 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車英飛凌 SiC 5.5k 0

SiC戰(zhàn)場(chǎng)轉(zhuǎn)向國(guó)內(nèi)？三款SiC MOSFET新品齊發(fā)，導(dǎo)通損耗再降50%

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/莫婷婷）碳化硅（SiC）MOSFET已成為功率半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)演進(jìn)的重要方向。相比其他現(xiàn)有技術(shù)，SiC MOSFET在性能上展現(xiàn)出顯...

2025-06-10 標(biāo)簽：MOSFET SiC 5.5k 0

重點(diǎn)分析和綜述碳化硅功率模塊封裝中的4個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題

SiC與第1代半導(dǎo)體材料硅（Si）、鍺（Ge）和第 2 代半導(dǎo)體材料砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、GaAsAl、GaAsP 等化合物相比，其禁帶...

2022-07-10 標(biāo)簽：SiC 功率模塊寄生電感 5.5k 0

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尼吉康

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
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Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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