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      標簽　>　sic

      sic

      sic

      +關(guān)注32人關(guān)注

      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

      文章：3335個 瀏覽：69578次 帖子：124個

      sic資訊

      3C-SiC有望PK單晶金剛石，成為高導熱材料的選擇

      研究人員對文獻中關(guān)于3C-SiC的實測熱導率一直存在一個困惑：3C-SiC低于結(jié)構(gòu)更復雜的6H-SiC相，并且低于理論預(yù)測的k值。這與預(yù)測的結(jié)構(gòu)復雜性和...

      2022-12-15 標簽：半導體SiC熱導率 3.1k 0

      國揚公司成功通過江蘇省專精特新中小企業(yè)和市級企業(yè)技術(shù)中心的認定

      日前，江蘇省工信廳公布了江蘇省2022年專精特新中小企業(yè)名單（第二批），揚州國揚電子有限公司成功入選；同時，國揚公司也順利通過了揚州市級企業(yè)技術(shù)中心的認...

      2022-12-14 標簽：IGBTSiC功率模塊 2.8k 0

      SiC制造企業(yè)的一場豪賭

      為了繼續(xù)滿足強勁的需求，SiC制造商正在或承諾投資數(shù)十億美元建設(shè)新的晶圓廠和工藝，以應(yīng)對仍處于起步階段的市場。但潛在的問題是，SiC產(chǎn)品的增長預(yù)測主要是...

      2022-12-13 標簽：SiC供應(yīng)鏈 955 0

      采用熔鹽法制備合成方法實現(xiàn)了BP的高產(chǎn)率

      器件的散熱性能是決定電子器件性能、壽命及穩(wěn)定性的關(guān)鍵因素之一。隨著電子器件微型化、集成化、功能化, 高效散熱問題越來越引起科研人員的廣泛關(guān)注。電子元器件...

      2022-12-12 標簽：電子元器件SiC 2.3k 0

      利用高效的UnitedSiC共源共柵SiC FET技術(shù)實現(xiàn)99.3%的系統(tǒng)能效

      CleanWave200采用UnitedSiC共源共柵FET，能夠在100kHz的頻率下實現(xiàn)99.3%的系統(tǒng)能效，且每個開關(guān)位置并聯(lián)三個器件。

      2022-12-12 標簽：FET驅(qū)動電路SiC 1.4k 0

      第三代半導體碳化硅器件在應(yīng)用領(lǐng)域的深度分析

      SiC（碳化硅）器件作為第三代半導體，具有禁帶寬度大、熱導率高、電子飽和遷移速率高和擊穿電場高等特性，碳化硅器件在高溫、高壓、高頻、大功率電子器件領(lǐng)域和...

      2022-12-09 標簽：半導體SiC碳化硅 2k 0

      影響SiC和GaN器件選擇的主要因素有哪些

      由于其固有的特性，寬禁帶半導體(WBG)在許多功率應(yīng)用中正逐步取代傳統(tǒng)的硅基器件。碳化硅(SiC)功率MOSFET的擊穿電壓高于1kV，這是電動汽車逆變...

      2022-12-08 標簽：SiCGaN 1.2k 0

      第三代化合物半導體材料有利于5G基站的應(yīng)用

      與第一代硅（Si）半導體材料和第二代砷化鎵（GaAs）半導體材料相比，碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）的第三代半導體材料（也稱為寬帶隙半導體材料）具有...

      2022-12-08 標簽：半導體SiC5G 1.9k 0

      SiC是怎么制造出來的？

      GaN為橫向組件，生長在不同基板上，例如SiC或Si基板，為異質(zhì)磊晶技術(shù)，生產(chǎn)出來的GaN薄膜品質(zhì)較差，雖然目前能應(yīng)用在快充等民生消費領(lǐng)域，但用于電動車...

      2022-12-07 標簽：半導體功率器件SiC 3.3k 0

      SiC芯片關(guān)鍵裝備現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢

      在圖形化、刻蝕、化學掩膜沉積、金屬鍍膜等工藝段，只需在現(xiàn)有設(shè)備上調(diào)整參數(shù)，基本上可以兼容適用。因此，產(chǎn)業(yè)上需要將 Si 基功率器件生產(chǎn)線轉(zhuǎn)換成 SiC ...

      2022-12-02 標簽：芯片SiC產(chǎn)業(yè)鏈 5.1k 0

      基于碳化硅(SiC)的MOSFET可實現(xiàn)更高效率水平

      相比基于硅(Si)的MOSFET，基于碳化硅(SiC)的MOSFET器件可實現(xiàn)更高的效率水平，但有時難以輕易決定這項技術(shù)是否更好的選擇。本文將闡述需要考...

      2022-12-01 標簽：MOSFETSiC 2.5k 0

      ?？瓢雽w引領(lǐng)SiC外延片量產(chǎn)新時代

      國產(chǎn)之光希科半導體： 引領(lǐng)SiC外延片量產(chǎn)新時代 ?？瓢雽w科技(蘇州)有限公司 碳化硅外延片新聞發(fā)布 暨投產(chǎn)啟動儀式圓滿成功 中國蘇州，2022年11...

      2022-11-29 標簽：SiC碳化硅外延片 3.9k 0

      羅姆將量產(chǎn)下一代碳化硅功率半導體

      ? ? ? 日本媒體報道稱日本羅姆（ROHM）12月將開始量產(chǎn)下一代功率半導體。原材料是碳化硅（SiC），羅姆花費約20年推進了研發(fā)。據(jù)稱，羅姆在福岡縣...

      2022-11-28 標簽：SiC功率半導體碳化硅 1.1k 0

      測不對SiC MOSFET驅(qū)動波形的6大原因

      測不對SiC MOSFET驅(qū)動波形的6大原因

      開關(guān)特性是功率半導體開關(guān)器件最重要的特性之一，由器件在開關(guān)過程中的驅(qū)動電壓、端電壓、端電流表示。一般在進行器件評估時可以采用雙脈沖測試，而在電路設(shè)計時直...

      2022-11-28 標簽：MOSFET波形SiC 2.1k 0

      SIC功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀！

      近年來，SiC功率器件結(jié)構(gòu)設(shè)計和制造工藝日趨完善，已經(jīng)接近其材料特性決定的理論極限，依靠Si器件繼續(xù)完善來提高裝置與系統(tǒng)性能的潛力十分有限。本文首先介紹...

      2022-11-24 標簽：功率器件SiC功率半導體 3k 0

      SiC性能優(yōu)異，材料升級勢在必行

      半導體材料按被研究和規(guī)?；瘧?yīng)用的時間先后順序通常分為三代。第一代：20 世紀 40 年代，硅（Si）、鍺（Ge）開始應(yīng)用，硅的自然儲量大、制 備工藝簡單...

      2022-11-23 標簽：新能源半導體材料SiC 6.1k 0

      下一代SiC半導體在汽車中的應(yīng)用

      　　這些半導體的一個引人注目的應(yīng)用是允許電力電子設(shè)備的更高開關(guān)頻率，這些電力電子設(shè)備共同充當電動和混合動力汽車的“指揮中心”。從 2018 年 6 月開...

      2022-11-23 標簽：芯片半導體SiC 1.2k 0

      SmartSiC解決方案的創(chuàng)新優(yōu)勢、研發(fā)、生產(chǎn)情況

      通過重復利用稀缺的 200mm 單晶供體，Soitec 能夠助力這些大尺寸襯底的快速落地應(yīng)用，賦能市場的增長。SmartSiC 的優(yōu)化設(shè)計所帶來的卓越生...

      2022-11-23 標簽：單晶SiCSOITEC 2.6k 0

      國產(chǎn)8英寸SiC襯底捷報頻出，與海外龍頭差距還有多大？

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）“碳化硅行業(yè)得襯底者得天下”，襯底作為SiC產(chǎn)業(yè)鏈中成本占比最大的部分，自然是各家必爭之地。在下游需求帶動下，SiC襯底正...

      2022-11-23 標簽：SiC 3k 0

      揚杰科技2022年慕尼黑華南電子展圓滿落幕

      ? -共/創(chuàng)/共/享.同/芯/同/行- 2022年慕尼黑華南電子展圓滿落幕！ ? 合作共贏 2022年11月15-17日，為期三天的“2022慕尼黑華南...

      2022-11-18 標簽：MOSFET汽車電子IGBT 644 0

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        +關(guān)注
        TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)（步進和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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        　　閾值電壓 （Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
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        無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負載。實際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
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        ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
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        +關(guān)注
        目前手機快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。 另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實。
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        Qi標準
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        國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標準，將該標準引入中國。
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        　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護各個電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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        采用可靠、經(jīng)濟、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標準化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實時在線分析和控制決策，進而提高整個電網(wǎng)運行可靠性及經(jīng)濟性的變電站。
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        USB PD
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      • 浪涌抑制器
        浪涌抑制器
        +關(guān)注
      • DCDC電源
        DCDC電源
        +關(guān)注
        DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
      • 納微半導體
        納微半導體
        +關(guān)注
        Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵 （GaN）半導體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計 13B 美元的功率半導體市場帶來的能源。
      • USB-PD
        USB-PD
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      • PWM信號
        PWM信號
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      • 共享充電寶
        共享充電寶
        +關(guān)注
        共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
      • 醫(yī)療電源
        醫(yī)療電源
        +關(guān)注
      • 系統(tǒng)電源
        系統(tǒng)電源
        +關(guān)注
      • 董明珠
        董明珠
        +關(guān)注
        董明珠， 出生于江蘇南京，企業(yè)家 ，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學院、中南財經(jīng)政法大學EMBA2008級 、中國社會科學院經(jīng)濟學系研究生班、中歐國際工商學院EMBA 。 　　1990年進入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務(wù) 。2004年3月，當選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
      • UCD3138
        UCD3138
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      你是誰啊z efans_62931057 jf_65683686 jf_87116849 jf_27590559 Austin11122 jf_19631743 jf_91020522 efans_80e021 13148775181 畫皮西瓜 角里先生同學

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