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電子發(fā)燒友網(wǎng)>音視頻及家電>功放技術(shù)>Vishay推新款VRPower?集成式DrMOS功率級(jí)解決方案

Vishay推新款VRPower?集成式DrMOS功率級(jí)解決方案

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2010-07-21 08:58:441120

Vishay推出集成DrMOS解決方案SiC762CD

Vishay推出集成DrMOS解決方案--SiC762CD。在緊湊的PowerPAKMLP 6x6的40腳封裝內(nèi),該器件集成了對(duì)PWM信號(hào)優(yōu)化的高邊和低邊N溝
2011-01-03 15:05:071165

Vishay推出新款TrenchFET功率MOSFET--SiA427DJ

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK SC-70封裝,具有迄今為止P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。
2011-01-26 09:04:081830

Vishay推出新款TrenchFET功率MOSFET--SiA923EDJ

Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK SC-70封裝,
2011-03-02 10:19:301778

Vishay推出PLTT新款精密低TCR薄膜電阻

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出可在-55℃~+215℃寬溫范圍內(nèi)工作的新款精密低TCR薄膜電阻---PLTT
2011-03-28 11:04:301730

Vishay推出新款單相直排橋整流器LVB1560和LVB2560

Vishay Intertechnology, Inc.推出采用GSIB-5S封裝的新款單相直排橋整流器--- LVB1560和LVB2560。
2011-04-13 10:52:351762

Vishay推出集成DrMOS解決方案-SiC779CD

Vishay宣布,推出具有為PWM優(yōu)化的高邊和低邊N溝道MOSFET、全功能MOSFET驅(qū)動(dòng)IC、自舉二極管的集成DrMOS解決方案---SiC779CD
2011-05-12 08:51:141737

飛兆半導(dǎo)體推出Generation II XS DrMOS器件

兆半導(dǎo)體公司開(kāi)發(fā)出一系列Generation II XS DrMOS (集成驅(qū)動(dòng)器 + MOSFET) 器件,這些器件能夠提供高效率和高功率密度,可讓設(shè)計(jì)人員滿(mǎn)足不同應(yīng)用的特定設(shè)計(jì)需求
2011-05-27 08:51:061544

Vishay發(fā)布新款TrenchFET功率MOSFET-SiB437EDKT

日前,Vishay Intertechnology, Inc.發(fā)布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB437EDKT。此外,SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導(dǎo)通的此類(lèi)器件。
2011-08-18 09:42:402999

Vishay發(fā)布集成電阻表面貼裝MLCC

Vishay Intertechnology宣布推出采用一個(gè)集成電阻和低電致伸縮陶瓷配方的新款陶瓷多層片式電容器(MLCC)——VJ CDC。
2011-11-18 09:22:091054

Vishay推出新款高性能Power Metal Strip電阻WSLP2512

日前,Vishay 宣布,推出新款采用2512外形尺寸的表面貼裝Power Metal Strip?電阻--- WSLP2512,這種電阻具有高達(dá)3W的功率和0.0005Ω的極低阻值。
2012-02-07 11:43:062943

Vishay新款單片在線(xiàn)路薄膜電阻網(wǎng)絡(luò)

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,發(fā)布新款通過(guò)MIL-PRF-83401認(rèn)證(標(biāo)準(zhǔn)碼57489)的通孔、單片在線(xiàn)路薄膜電阻網(wǎng)絡(luò)。M83401具有低至±25ppm/℃的絕對(duì)TCR,5ppm/℃的TCR跟蹤和±0.05%的嚴(yán)格比例容
2012-02-17 11:57:081222

飛兆半導(dǎo)體DrMOS系列Ultrabook應(yīng)用解決方案

飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)提供第二代XS? DrMOS系列FDMF6708N,這是經(jīng)全面優(yōu)化的緊湊型集成MOSFET解決方案加驅(qū)動(dòng)器功率級(jí)解決方案
2012-03-21 08:59:523228

Vishay推出新款TrenchFET功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB

Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541792

飛兆半導(dǎo)體集成智能功率級(jí)(SPS)模塊 具有更高的功率密度和更佳的效率

功率驅(qū)動(dòng)器的解決方案。該系列采用飛兆在DrMOS方面的專(zhuān)業(yè)技術(shù),為高性能計(jì)算和電信系統(tǒng)中的同步降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用提供高效率、高功率密度和高開(kāi)關(guān)頻率性能。
2013-11-14 16:57:012749

Vishay推出高集成度、高效率、高開(kāi)關(guān)頻率的5A同步降壓穩(wěn)壓器

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出可編程開(kāi)關(guān)頻率高達(dá)4MHz的新款5A器件---SiP12108,擴(kuò)大其microBUCK?集成同步降壓穩(wěn)壓器系列。
2013-12-23 09:19:371445

Vishay發(fā)布HML新款微型軸向引線(xiàn)的厚膜電阻

Vishay發(fā)布HML新款微型軸向引線(xiàn)的厚膜電阻——1.85 mm x 0.91 mm的器件采用結(jié)實(shí)耐用的塑料外殼,可用于助聽(tīng)器和工業(yè)高頻探頭。
2014-01-21 11:39:25937

Vishay發(fā)布汽車(chē)級(jí)電子認(rèn)證的全集成距離和環(huán)境光傳感器

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,其光電子產(chǎn)品部發(fā)布通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的,工作溫度可達(dá)+105℃的新款集成距離和環(huán)境光傳感器--- VCNL4020X01。
2014-06-17 15:23:59930

Vishay新款VRPower DrMOS尺寸更小更高效

PowerPAK? MLP 5mm x 5mm的31pin封裝的VRPower?集成DrMOS新品---SiC620。
2014-09-09 11:20:081343

Vishay新款IGBT模塊為太陽(yáng)能逆變器和UPS提供集成方案

賓夕法尼亞、MALVERN — 2014 年 10 月16 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出專(zhuān)門(mén)為串接太陽(yáng)能逆變器和中功率不間斷電源(UPS)設(shè)計(jì)的新款IGBT電源模塊。
2014-10-16 11:35:032419

Vishay新款12V芯片級(jí)MOSFET可有效降低超便攜產(chǎn)品功耗

賓夕法尼亞、MALVERN — 2014 年 10 月21 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,發(fā)布有助于在智能手機(jī)、平板電腦、可穿戴設(shè)備和高端筆記本電腦中減少功耗并延長(zhǎng)電池使用時(shí)間的新款功率MOSFET---Si8457DB。
2014-10-21 14:18:221366

瑞薩電子推出新款集成汽車(chē)駕駛艙解決方案

日本東京訊—全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體及解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社,推出新款集成汽車(chē)駕駛艙解決方案,以提升駕駛體驗(yàn)。
2014-11-13 18:04:571286

Vishay推出新款超薄、大電流、汽車(chē)級(jí)電感器

2014 年 12 月16 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,發(fā)布新款汽車(chē)級(jí)的超薄、大電流電感器---IHLE-4040DC-5A,該電感器采用可減少EMI的整體e屏蔽層和緊湊的4040外形尺寸。
2014-12-16 17:27:58885

Vishay推出新款汽車(chē)級(jí)超薄、大電流電感器

賓夕法尼亞、MALVERN — 2015 年 2 月9 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出4040外形尺寸的新款汽車(chē)級(jí)IHLP?低高度、大電流電感器---IHLP-4040DZ-8A,可在+180℃高溫下連續(xù)工作。
2015-02-09 16:17:201495

Vishay新款20V MOSFET提高便攜電子產(chǎn)品功率密度和可靠性

PowerPAK SC-70?封裝的新款20V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA466EDJ。
2015-03-05 16:30:041121

Vishay新款功率平面變壓器具有更高效率和更小尺寸

  賓夕法尼亞、MALVERN — 2016 年 4 月19 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出功率從1kW到3kW,70mm x 53mm x 22mm小外形尺寸的新款平面變壓器---PLA51。
2016-04-19 11:16:011648

Vishay新款超薄功率電感器可為便攜電子產(chǎn)品節(jié)省寶貴空間

賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 4 月21 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出2顆適用于便攜電子產(chǎn)品中DC
2017-04-27 18:31:111665

汽車(chē)級(jí)功率器件的設(shè)計(jì)及應(yīng)用趨勢(shì)

本文介紹了VISHAY汽車(chē)級(jí)功率器件的設(shè)計(jì)及應(yīng)用趨勢(shì)。
2017-11-20 16:44:2524

Vishay宣布新推出電流達(dá)1A的集成功率光敏可控硅---VO2223B

近日,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,新推出電流達(dá)1A的集成功率光敏可控硅---VO2223B,可直接驅(qū)動(dòng)中功率的交流負(fù)載。Vishay Semiconductors VO2223B的dv/dt性能達(dá)到600V/μs,具有很高的穩(wěn)定性和噪聲隔離功能,可用于家用電器和工業(yè)設(shè)備。
2018-05-03 17:19:001526

Vishay宣布推出電流達(dá)1A的集成功率光敏可控硅---VO2223B

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,新推出電流達(dá)1A的集成功率光敏可控硅---VO2223B,可直接驅(qū)動(dòng)中功率的交流負(fù)載。Vishay Semiconductors
2018-02-14 22:15:003908

Vishay大電流平面阻流電感 額定電流高達(dá)110A

Vishay推出了新款大電流平面阻流電感---IPLA 32,能夠以更小的體積提供與繞線(xiàn)電感相同的性能。新型 IPLA 32 尺寸僅為31 mm×43 mm×22.2 mm,但其額定電流高達(dá)110 A,讓大功率DC/DC轉(zhuǎn)換器占用的體積更小。
2018-07-03 10:45:002074

5W無(wú)線(xiàn)充電SoC方案有哪些 FSM、Drmos、Mos哪家強(qiáng)

隨著越來(lái)越多的智能手機(jī)搭載無(wú)線(xiàn)充電功能后,無(wú)線(xiàn)充電市場(chǎng)持續(xù)升溫。無(wú)線(xiàn)充電SoC方案層出新,F(xiàn)SM、Drmos、Mos集成方案,哪種方案更勝一籌呢?
2018-06-13 14:34:2210216

高度集成28nm CMOS RADAR雷達(dá)解決方案

查看我們創(chuàng)新型高度集成28nm CMOS RADAR雷達(dá)解決方案的系統(tǒng)級(jí)演示,該方案將角分辨率指數(shù)級(jí)升高,以支持面向OEM、一級(jí)廠商、創(chuàng)業(yè)公司和顛覆性初創(chuàng)公司的高度自動(dòng)化的駕駛應(yīng)用。
2019-07-23 06:17:002135

Vishay推出新款小型1500外形尺寸汽車(chē)級(jí)插件電感器

器件符合 AEC-Q200 標(biāo)準(zhǔn),用以取代體積較大且昂貴的解決方案,可在 +155 °C 高溫下連續(xù)工作 Vishay 推出新款小型 1500 外形尺寸汽車(chē)級(jí)插件電感器,電感值減小 30% 的情況下
2021-05-17 16:12:542659

矽力杰集成功率級(jí)DrMOS方案

伴隨著CPU, GPU等的性能進(jìn)步和制程發(fā)展,主板的供電設(shè)計(jì)也迎來(lái)了更多的挑戰(zhàn),大電流、高效率、空間占用小、動(dòng)態(tài)響應(yīng)快、保護(hù)更智能的需求使得傳統(tǒng)的采用分立MOS的方案逐漸被取代,SPS/DrMOS解決方案憑借更好的性能表現(xiàn)成為主流。
2022-12-21 09:17:523631

SILERGY矽力杰集成功率級(jí)DrMOS方案

SILERGY矽力杰集成功率級(jí)DrMOS方案
2023-06-07 15:17:172099

矽力杰集成功率級(jí)DrMOS方案

分立MOS的方案逐漸被取代,SPS/DrMOS解決方案憑借更好的性能表現(xiàn)成為主流。01矽力杰DrMOS方案SQ29663采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)封裝,芯片內(nèi)部集成兩個(gè)高性能的
2023-01-12 15:17:182072

矽力杰高效率DrMOS方案

,包括:更高的效率、更高的功率密度,同時(shí)滿(mǎn)足極高的瞬態(tài)響應(yīng)要求。多相Buck電源(多相控制器+DrMOS)正是低壓、高功耗應(yīng)用場(chǎng)景的最佳解決方案DrMOS矽力杰Dr
2023-11-22 08:19:194101

使用集成 GaN 解決方案提高功率密度

使用集成 GaN 解決方案提高功率密度
2023-12-01 16:35:281095

Vishay推出第二代集成EMI屏蔽4040封裝汽車(chē)級(jí)IHLE?電感器

集成電場(chǎng)屏蔽電感器。與上一代解決方案相比,Vishay Dale IHLE-4040DDEW-5A提供改進(jìn)的屏蔽設(shè)計(jì),極性標(biāo)識(shí)提高EMI性能的一致性,不需要單獨(dú)板級(jí)法拉第(Faraday)屏蔽,
2024-06-18 15:19:131083

Vishay推出第二代新型汽車(chē)級(jí)器件

Vishay 推出采用 10 mm x 10 mm 4040 封裝的第二代新型汽車(chē)級(jí)器件,擴(kuò)充 IHLE 系列超薄、大電流集成電場(chǎng)屏蔽電感器。與上一代解決方案相比,Vishay Dale
2024-06-21 09:20:111355

Vishay SiC658A集成功率級(jí)技術(shù)解析:打造高效能同步降壓解決方案

Vishay SiC658A 50A VRPower ^?^ 集成功率級(jí)具備高效率和出色的散熱性能,非常適合大電流應(yīng)用。Vishay SiC658A憑借先進(jìn)的MOSFET技術(shù),可確保最佳電源轉(zhuǎn)換并
2025-11-10 11:35:58466

基于Vishay SiC653A數(shù)據(jù)手冊(cè)的技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Vishay Semicductors SiC653A 50A VRPower^?^ 集成功率級(jí)針對(duì)同步降壓應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,可提供大電流、高效率和高功率密度。Vishay
2025-11-11 10:16:53382

Vishay SiC674A 55A VRPower集成功率級(jí)技術(shù)解析

Vishay Semicductors SiC674 55A VRPower^?^ 集成功率級(jí)專(zhuān)為同步降壓應(yīng)用而設(shè)計(jì),可提供大電流、高效率和高功率密度,并將關(guān)斷電流降至最低。Vishay
2025-11-11 10:25:45358

Vishay SiC544 40A VRPower?集成功率級(jí)技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Vishay Semicductors SiC544 40A VRPower^?^ 集成功率級(jí)專(zhuān)為大電流、高效率和高功率密度同步降壓應(yīng)用而設(shè)計(jì)。Vishay Semiconductors
2025-11-13 15:00:01352

HT7166高功率集成升壓轉(zhuǎn)換器:便攜系統(tǒng)的高效電源解決方案

功率、全集成升壓轉(zhuǎn)換器,憑借其出色的集成設(shè)計(jì)與性能表現(xiàn),精準(zhǔn)契合了這些需求,成為便攜系統(tǒng)電源解決方案的優(yōu)選器件。? ? ? ? HT7166的核心優(yōu)勢(shì)首先體現(xiàn)在高度集成的硬件配置上,這也是其實(shí)現(xiàn)“小尺寸”解決方案的關(guān)鍵所在。該器件
2025-11-18 16:49:10497

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