2025ANALYTICS數(shù)據(jù)賦能AI領(lǐng)芯程數(shù)據(jù)智驅(qū)芯制造，績(jī)卓領(lǐng)航芯征程普迪飛半導(dǎo)體技術(shù)（上海）有限公司2025年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加速邁入智能化、先進(jìn)化發(fā)展新階段，普迪飛（PDFSolutions
2025-12-31 17:07:23
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本文將聚焦半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)、核心摻雜工藝，以及半導(dǎo)體二極管的工作原理——這些是理解復(fù)雜半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)。
2025-12-26 15:05:13438 
12月17日晚間，兆易創(chuàng)新公司發(fā)布公告：公司已通過(guò)香港聯(lián)交所上市委員會(huì)的聆訊。這意味著兆易創(chuàng)新公司赴港上市進(jìn)程取得關(guān)鍵進(jìn)展。半導(dǎo)體公司兆易創(chuàng)新已在A股上市，一旦在港交所上市，兆易創(chuàng)新公司將形成
2025-12-22 14:28:03322 
傾佳電子（Changer Tech）銷(xiāo)售團(tuán)隊(duì)培訓(xùn)材料：功率半導(dǎo)體拓?fù)浼軜?gòu)與基本半導(dǎo)體（BASIC Semiconductor）碳化硅器件的戰(zhàn)略應(yīng)用 1. 執(zhí)行摘要與戰(zhàn)略背景 在“雙碳”戰(zhàn)略的宏觀驅(qū)動(dòng)
2025-12-22 08:17:35170 
半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)在半導(dǎo)體研發(fā)、生產(chǎn)、質(zhì)量控制及應(yīng)用中具有重要的使用價(jià)值和意義，主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面： 1. 技術(shù)價(jià)值：確保器件性能與可靠性 半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng) 精準(zhǔn)
2025-12-16 16:22:19123 
在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造過(guò)程中，器件性能的精確測(cè)試是確保產(chǎn)品可靠性與一致性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。蘇州永創(chuàng)智能科技有限公司推出的 STD2000X 半導(dǎo)體靜態(tài)電性測(cè)試系統(tǒng) ，正是面向 Si、SiC、GaN 等材料
2025-11-21 11:16:03118 
隨著新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能以及工業(yè)電源的迅速發(fā)展，半導(dǎo)體器件在這些領(lǐng)域中的應(yīng)用也愈發(fā)廣泛，為了提升系統(tǒng)的性能，半導(dǎo)體器件系統(tǒng)正朝著更高效率、更高功率密度和更小體積的方向快速發(fā)展。對(duì)于半導(dǎo)體器件性能質(zhì)量
2025-11-17 18:18:372314 
HP 4145B / Agilent 4145B 半導(dǎo)體參數(shù)分析儀4145B 半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是一款獨(dú)立的儀器，能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體器件和材料進(jìn)行完整的直流表征。它刺激電壓和電流敏感設(shè)備，測(cè)量產(chǎn)生的電流
2025-11-03 11:20:32
一臺(tái)半導(dǎo)體參數(shù)分析儀抵得上多種測(cè)量?jī)x器Keysight B1500A 半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是一款一體化器件表征分析儀，能夠測(cè)量 IV、CV、脈沖/動(dòng)態(tài) I-V 等參數(shù)。 主機(jī)和插入式模塊能夠表征大多數(shù)
2025-10-29 14:28:09
近日，東海半導(dǎo)體正式榮獲“國(guó)家專(zhuān)精特新企業(yè)”稱(chēng)號(hào)。這一認(rèn)定，不僅是國(guó)家對(duì)我們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體功率器件研發(fā)與設(shè)計(jì)領(lǐng)域深耕細(xì)作的高度肯定，更是對(duì)東海技術(shù)“以創(chuàng)新鑄魂、向一流看齊”發(fā)展理念的有力見(jiàn)證。 自創(chuàng)立以來(lái)
2025-10-28 09:47:31438 近日，工業(yè)和信息化部正式公布第七批國(guó)家級(jí)專(zhuān)精特新“小巨人”企業(yè)名單， 華大半導(dǎo)體旗下飛锃半導(dǎo)體（上海）有限公司憑借在寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件領(lǐng)域的突出技術(shù)創(chuàng)新能力、深厚產(chǎn)業(yè)積累與廣闊市場(chǎng)前景成功入選
2025-10-27 15:44:58460 隨著便攜儲(chǔ)能、新能源及工業(yè)電源應(yīng)用對(duì)高效率、高功率密度需求的不斷提升，IGBT作為電力電子系統(tǒng)的核心開(kāi)關(guān)器件，其性能已成為決定整機(jī)效能與可靠性的關(guān)鍵因素。為應(yīng)對(duì)市場(chǎng)對(duì)高性能功率器件的迫切需求，龍騰半導(dǎo)體正式推出四款650V F系列IGBT新品，致力于為高頻、高效應(yīng)用提供更優(yōu)異的解決方案。
2025-10-24 14:03:301877 
自由空間半導(dǎo)體激光器半導(dǎo)體激光器是以一定的半導(dǎo)體材料做工作物質(zhì)而產(chǎn)生激光的器件。.其工作原理是通過(guò)一定的激勵(lì)方式，在半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶（導(dǎo)帶與價(jià)帶）之間，或者半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶與雜質(zhì)（受主或施主）能級(jí)
2025-10-23 14:24:06
靜電在自然界中無(wú)處不在。從芯片制造、封裝測(cè)試、運(yùn)輸存儲(chǔ)到組裝使用，靜電可能在任一環(huán)節(jié)對(duì)芯片造成不可逆損。半導(dǎo)體ESD失效的四大特征1.隱蔽性（1）人體通常需2~3KV靜電才能感知，而現(xiàn)代半導(dǎo)體器件
2025-10-22 14:33:21598 
在2025灣區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)博覽會(huì)(灣芯展)上，云天勵(lì)飛以“算力積木”為核心理念，攜全棧AI推理產(chǎn)品體系重磅亮相，集中展示了從芯片到模組再到整機(jī)的完整布局，全面呈現(xiàn)在AI推理領(lǐng)域的最新成果與產(chǎn)業(yè)化能力。
2025-10-16 17:45:15870 ? 半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)是用于評(píng)估二極管、晶體管、晶閘管等獨(dú)立功能器件性能的專(zhuān)業(yè)設(shè)備。 一、核心功能 ? 參數(shù)測(cè)試 ? ? 靜態(tài)參數(shù) ?：擊穿電壓（V(BR)）、漏電流（I(CES)）、導(dǎo)通電
2025-10-16 10:59:58342 
兆易創(chuàng)新GigaDevice與納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）共同設(shè)立的“數(shù)字能源聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”在合肥正式揭牌。該實(shí)驗(yàn)室將GD32 MCU領(lǐng)域的深厚積累，與納微半導(dǎo)體在高頻、高速、高集成度氮化
2025-10-13 13:52:54409 精準(zhǔn)洞察，卓越測(cè)量---BW-4022A半導(dǎo)體分立器件綜合測(cè)試平臺(tái)
原創(chuàng) 一覺(jué)睡到童年 陜西博微電通科技
2025年09月25日 19:08 陜西
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的浪潮中，每一顆微小的半導(dǎo)體
2025-10-10 10:35:17
半導(dǎo)體器件清洗工藝是確保芯片制造良率和可靠性的關(guān)鍵基礎(chǔ)，其核心在于通過(guò)精確控制的物理化學(xué)過(guò)程去除各類(lèi)污染物，同時(shí)避免對(duì)材料造成損傷。以下是該工藝的主要技術(shù)要點(diǎn)及實(shí)現(xiàn)路徑的詳細(xì)闡述：污染物分類(lèi)與對(duì)應(yīng)
2025-10-09 13:40:46705 
電阻率的測(cè)試方法多樣，應(yīng)根據(jù)材料的維度（如塊體、薄膜、低維結(jié)構(gòu)）、形狀及電學(xué)特性選擇合適的測(cè)量方法。在低維半導(dǎo)體材料與器件的研發(fā)和生產(chǎn)中，電阻率作為反映材料導(dǎo)電性能的關(guān)鍵參數(shù)，其精確測(cè)量對(duì)器件性能
2025-09-29 13:43:16580 
點(diǎn)擊藍(lán)字，關(guān)注我們2025年9月22日，普迪飛（PDFSolutions，納斯達(dá)克股票代碼：PDFS）宣布與全球大型半導(dǎo)體制造商達(dá)成擴(kuò)展版多年期合作協(xié)議，消息發(fā)布后公司股價(jià)當(dāng)日上漲14%；同時(shí)，普迪
2025-09-25 15:45:48806 摩矽半導(dǎo)體：專(zhuān)耕半導(dǎo)體行業(yè)20年，推動(dòng)半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化進(jìn)展！
2025-09-24 09:52:052102 
9月10日，SEMI-e深圳國(guó)際半導(dǎo)體展暨2025集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新展在深圳舉行。云天勵(lì)飛受邀出席同期舉辦的“端側(cè)AI芯片新架構(gòu)與新應(yīng)用專(zhuān)題研討會(huì)”并發(fā)表主題演講。
2025-09-12 14:31:131567 今天下午，“第七屆硬核芯生態(tài)大會(huì)暨頒獎(jiǎng)典禮”在深圳國(guó)際會(huì)展中心（寶安新館）盛大舉行。瑞能半導(dǎo)體憑借其在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)突破與市場(chǎng)表現(xiàn)，成功摘得“2025年度硬核功率器件獎(jiǎng)”的桂冠。這一殊榮不僅彰顯了公司在功率半導(dǎo)體賽道的領(lǐng)先地位，更是對(duì)其持續(xù)創(chuàng)新能力的權(quán)威認(rèn)可。
2025-09-11 17:42:53879 9月10日，中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)全鏈條技術(shù)展示與交流核心平臺(tái)——SEMI-e深圳國(guó)際半導(dǎo)體展暨2025集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新展在深圳成功召開(kāi)。作為國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)的重要組成力量，本次展覽，兆芯展示了開(kāi)先、開(kāi)勝
2025-09-11 10:49:281424 作為 FOSAN 富捷科技集團(tuán)旗下專(zhuān)注半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心企業(yè)，安徽富信半導(dǎo)體科技有限公司憑借豐富的半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品線與場(chǎng)景化解決方案能力，深度滲透 BMS 電池管理、儲(chǔ)能電源、智能裝備、消費(fèi)
2025-09-08 14:45:28699 
我們知道，帶電離子穿透半導(dǎo)體材料的過(guò)程中，會(huì)與靶材原子發(fā)生交互作用，沿離子運(yùn)動(dòng)軌跡生成電子 - 空穴對(duì)，這一物理過(guò)程正是單粒子效應(yīng)的誘發(fā)根源。從作用機(jī)理來(lái)看，半導(dǎo)體器件及集成電路中單粒子效應(yīng)的產(chǎn)生需經(jīng)歷三個(gè)核心階段，各階段的物理行為存在顯著差異：
2025-09-08 09:48:181143 
一、基本概念 CV特性 （電容-電壓特性）是指半導(dǎo)體器件在不同偏置電壓下表現(xiàn)出的電容變化規(guī)律，主要用于分析器件的介電特性、載流子分布和界面狀態(tài)。該特性是評(píng)估功率器件性能的核心指標(biāo)之一。 CV特性測(cè)試
2025-09-01 12:26:20930 微量摻雜元素表征的意義1.材料性能摻雜元素可改變半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)和載流子行為，從而決定器件的電學(xué)特性。以硅材料為例，摻入五價(jià)砷（As）元素可為晶格引入多余電子，使本征硅轉(zhuǎn)變?yōu)閚型半導(dǎo)體，直接影響導(dǎo)電
2025-08-27 14:58:20650 
功率半導(dǎo)體概述功率半導(dǎo)體是一種特殊的半導(dǎo)體器件，它們?cè)陔娏ο到y(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。這些器件能夠高效地控制和調(diào)節(jié)電力的流動(dòng)，包括電壓和頻率的轉(zhuǎn)換，以及交流電（AC）和直流電（DC）之間的轉(zhuǎn)換。這種
2025-08-25 15:30:17664 
TestOperations是Exensio數(shù)據(jù)分析平臺(tái)的四個(gè)主要模塊之一。T-Ops模塊旨在幫助集成器件制造商（IDM）、無(wú)晶圓廠半導(dǎo)體公司（Fabless）和外包半導(dǎo)體（產(chǎn)品）封測(cè)廠（OSAT
2025-08-19 13:53:32950 近日，在中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)分立器件年會(huì)上，新潔能憑借在半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域的卓越表現(xiàn)和行業(yè)貢獻(xiàn)，再次成功入選 “中國(guó)半導(dǎo)體功率器件十強(qiáng)企業(yè)”！自2016年以來(lái)，這已經(jīng)是新潔能第八次獲此殊榮，不僅是對(duì)企業(yè)技術(shù)實(shí)力與市場(chǎng)地位的認(rèn)可，更是對(duì)企業(yè)持續(xù)創(chuàng)新、追求卓越的肯定！
2025-08-05 17:58:091699 
7月26日-27日，第十九屆中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件年會(huì)在江蘇南京召開(kāi)。會(huì)議期間，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)正式發(fā)布了“2024年中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)功率器件十強(qiáng)企業(yè)”名單。
2025-08-01 17:58:191757 7月25日至27日，第十九屆中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件年會(huì)暨2025年中國(guó)半導(dǎo)體器件技術(shù)創(chuàng)新及產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇在南京圓滿(mǎn)落幕。在備受矚目的年度評(píng)選環(huán)節(jié)中，聞泰科技憑借其持續(xù)領(lǐng)先的市場(chǎng)表現(xiàn)與深厚扎實(shí)
2025-07-30 17:50:241182 A22-3分立半導(dǎo)體器件(MOS管)知識(shí)與應(yīng)用專(zhuān)題
2025-07-30 09:57:0118519 
A22-2分立半導(dǎo)體器件(三極管)知識(shí)與應(yīng)用專(zhuān)題
2025-07-30 09:55:23446 
A22-1分立半導(dǎo)體器件(二極管)知識(shí)與應(yīng)用專(zhuān)題
2025-07-30 09:46:5912891 
2025 年7月25日-27日，第十九屆中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件年會(huì)暨2025年中國(guó)半導(dǎo)體器件技術(shù)創(chuàng)新及產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇在南京盛大啟幕。本次大會(huì)由中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)指導(dǎo)、中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體
2025-07-28 18:30:071313 科技憑借深厚的技術(shù)積累和持續(xù)的創(chuàng)新，推出了一系列高性能示波器，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的各個(gè)環(huán)節(jié)，從芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造，到封裝測(cè)試，有效保障了半導(dǎo)體器件的質(zhì)量與性能。 是德示波器產(chǎn)品特性剖析 卓越的帶寬與采樣率
2025-07-25 17:34:52652 
深?lèi)?ài)半導(dǎo)體推出新品IPM模塊
IPM（Intelligent Power Module，智能功率模塊） 是集成了功率器件、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)功能的“系統(tǒng)級(jí)”功率半導(dǎo)體方案。其高度集成方案可縮減 PCB
2025-07-23 14:36:03
半導(dǎo)體分立器件測(cè)試是對(duì)二極管、晶體管、晶閘管等獨(dú)立功能半導(dǎo)體器件的性能參數(shù)進(jìn)行系統(tǒng)性檢測(cè)的過(guò)程，旨在評(píng)估其電氣特性、可靠性和適用性。以下是主要測(cè)試內(nèi)容與方法的總結(jié)： 1. ? 測(cè)試對(duì)象與分類(lèi)
2025-07-22 17:46:32825 
近日，總投資超200億元的長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體基地項(xiàng)目正式運(yùn)營(yíng)投產(chǎn)。該項(xiàng)目是目前國(guó)內(nèi)規(guī)模最大的碳化硅半導(dǎo)體基地，年產(chǎn)36萬(wàn)片6英寸碳化硅晶圓，可滿(mǎn)足144萬(wàn)輛新能源汽車(chē)制造需求，推動(dòng)我國(guó)第三代半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)
2025-07-22 07:33:221042 
目錄
第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運(yùn)動(dòng)與復(fù)合
第3章?器件制造技術(shù)
第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié)
第5章?MOS電容
第6章?MOSFET晶體管
第7章?IC中的MOSFET
2025-07-12 16:18:42
本書(shū)較全面地講述了現(xiàn)有各類(lèi)重要功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性，有機(jī)地將功率器件的設(shè)計(jì)、器件中的物理過(guò)程和器件的應(yīng)用特性聯(lián)系起來(lái)。
書(shū)中內(nèi)容由淺入深，從半導(dǎo)體的性質(zhì)、基本的半導(dǎo)體
2025-07-11 14:49:36
在半導(dǎo)體工藝研發(fā)與制造過(guò)程中，精確的表征技術(shù)是保障器件性能與良率的核心環(huán)節(jié)。
2025-07-07 11:19:401346 
在半導(dǎo)體制造的精密鏈條中，半導(dǎo)體清洗機(jī)設(shè)備是確保芯片良率與性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。它通過(guò)化學(xué)或物理手段去除晶圓表面的污染物（如顆粒、有機(jī)物、金屬離子等），為后續(xù)制程提供潔凈的基底。本文將從設(shè)備定義、核心特點(diǎn)
2025-06-25 10:31:51
有沒(méi)有這樣的半導(dǎo)體專(zhuān)用大模型，能縮短芯片設(shè)計(jì)時(shí)間，提高成功率，還能幫助新工程師更快上手?；蛘哕浻布梢栽谠O(shè)計(jì)和制造環(huán)節(jié)確實(shí)有實(shí)際應(yīng)用。會(huì)不會(huì)存在AI缺陷檢測(cè)。
能否應(yīng)用在工藝優(yōu)化和預(yù)測(cè)性維護(hù)中
2025-06-24 15:10:04
半導(dǎo)體藥液?jiǎn)卧–hemical Delivery Unit, CDU）是半導(dǎo)體前道工藝（FEOL）中的關(guān)鍵設(shè)備，用于精準(zhǔn)分配、混合和回收高純化學(xué)試劑（如蝕刻液、清洗液、顯影液等），覆蓋光刻、蝕刻
2025-06-17 11:38:08
在5G通信、智能駕駛、物聯(lián)網(wǎng)飛速發(fā)展的今天，半導(dǎo)體光電器件是實(shí)現(xiàn)光電信號(hào)轉(zhuǎn)換與信息傳遞的核心元件，其性能優(yōu)劣直接決定設(shè)備的功能與可靠性。正因如此，半導(dǎo)體光電器件測(cè)試成為貫穿研發(fā)、生產(chǎn)與質(zhì)檢全流程
2025-06-12 19:17:281516 
之際，晶豐明源推出革新Smart DrMOS智能集成功率器件芯片，在高效率、高密度與智能化電源管理領(lǐng)域取得關(guān)鍵性突破，憑借其全集成設(shè)計(jì)、卓越的高性能表現(xiàn)以及低靜態(tài)功耗等核心優(yōu)勢(shì)，顯著提升了系統(tǒng)能效，為核心處理器打造了高效可靠的電源管理系統(tǒng)。
2025-06-10 09:22:521476 
引線框架（Lead Frame）是一種金屬結(jié)構(gòu)，主要用于半導(dǎo)體芯片的封裝中，作用就像橋梁——它連接芯片內(nèi)部的電信號(hào)到外部電路，實(shí)現(xiàn)電氣連接，同時(shí)還承擔(dān)機(jī)械支撐和散熱任務(wù)。它廣泛應(yīng)用于中低引腳數(shù)的封裝形式中，比如DIP、QFP、SOP、DFN等，是半導(dǎo)體封裝的基礎(chǔ)材料之一。
2025-06-09 14:55:171512 在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的宏大版圖中，蘇州芯矽電子科技有限公司宛如一座默默耕耘的燈塔，雖低調(diào)卻有著不可忽視的光芒，尤其在半導(dǎo)體清洗機(jī)領(lǐng)域，以其穩(wěn)健的步伐和扎實(shí)的技術(shù)，為行業(yè)發(fā)展貢獻(xiàn)著關(guān)鍵力量。
芯矽科技扎根于
2025-06-05 15:31:42
化合物半導(dǎo)體器件以Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族元素通過(guò)共價(jià)鍵形成的材料為基礎(chǔ)，展現(xiàn)出獨(dú)特的電學(xué)與光學(xué)特性。以砷化鎵（GaAs）為例，其電子遷移率高達(dá)8500cm2/V·s，本征電阻率達(dá)10?Ω·cm，是制造高速、高頻、抗輻射器件的理想材料。
2025-05-28 14:37:382338 
華太半導(dǎo)體（Hottek-semi）最新推出輸入電壓范圍:4.5V-60V，頻率：150KHz/1.2MHz，SOT23-6封裝，高耐壓DC-DC降壓芯片，HT2459(異步)，HT2481
2025-05-19 17:49:43
半導(dǎo)體分立器件分類(lèi)及應(yīng)用領(lǐng)域 一、核心分類(lèi) ?基礎(chǔ)元件? ?二極管?：包括普通二極管（如硅/鍺二極管）、穩(wěn)壓二極管、肖特基二極管、瞬態(tài)電壓抑制二極管（TVS）等。 ?三極管?：如NPN/PNP型雙極
2025-05-19 15:28:061308 
從清華大學(xué)到鎵未來(lái)科技，張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守！近年來(lái)，珠海市鎵未來(lái)科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“鎵未來(lái)”）在第三代半導(dǎo)體行業(yè)異軍突起，憑借領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）技術(shù)儲(chǔ)備和不斷推出的新產(chǎn)品
2025-05-19 10:16:02
電子束半導(dǎo)體圓筒聚焦電極
在傳統(tǒng)電子束聚焦中，需要通過(guò)調(diào)焦來(lái)確保電子束焦點(diǎn)在目標(biāo)物體上。要確認(rèn)是焦點(diǎn)的最小直徑位置非常困難，且難以測(cè)量。如果焦點(diǎn)是一條直線，就可以免去調(diào)焦過(guò)程，本文將介紹一種能把
2025-05-10 22:32:27
在功率器件快速發(fā)展的當(dāng)下，如何實(shí)現(xiàn)更低的損耗、更強(qiáng)的可靠性與更寬的應(yīng)用覆蓋，成為行業(yè)關(guān)注焦點(diǎn)。龍騰半導(dǎo)體推出**1200V 50A Field Stop Trench IGBT**新品，專(zhuān)為高頻應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)計(jì)。依托先進(jìn)工藝平臺(tái)與系統(tǒng)化設(shè)計(jì)能力，為工業(yè)逆變、UPS、新能源等場(chǎng)景注入高效驅(qū)動(dòng)力。
2025-04-29 14:43:471042 4月，作為國(guó)內(nèi)深耕于IGBT、MOS管的廠家代表，飛虹半導(dǎo)體成功參加了第104屆中國(guó)電子展（深圳）以及慕尼黑上海電子展，兩大行業(yè)盛會(huì)圓滿(mǎn)落幕。
2025-04-29 11:39:30881 微量摻雜元素在半導(dǎo)體器件的發(fā)展中起著至關(guān)重要的作用，可以精準(zhǔn)調(diào)控半導(dǎo)體的電學(xué)、光學(xué)性能。對(duì)器件中微量摻雜元素的準(zhǔn)確表征和分析是深入理解半導(dǎo)體器件特性、優(yōu)化器件性能的關(guān)鍵步驟，然而由于微量摻雜元素含量極低，對(duì)它的檢測(cè)和表征也面臨很多挑戰(zhàn)。
2025-04-25 14:29:531705 
SC2020晶體管參數(shù)測(cè)試儀/?半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)-日本JUNO測(cè)試儀DTS-1000國(guó)產(chǎn)平替 ?專(zhuān)為半導(dǎo)體分立器件測(cè)試而研發(fā)的新一代高速高精度測(cè)試機(jī)。? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ??
2025-04-16 17:27:20
0 。 第1章 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)介紹 第2章 半導(dǎo)體材料特性 第3章 器件技術(shù) 第4章 硅和硅片制備 第5章 半導(dǎo)體制造中的化學(xué)品 第6章 硅片制造中的沾污控制 第7章 測(cè)量學(xué)和缺陷檢查 第8章 工藝腔內(nèi)的氣體控制
2025-04-15 13:52:11
2025年慕尼黑上海電子展即將在上海新國(guó)際博覽中心隆重舉辦。2025年4月15-17日飛虹半導(dǎo)體攜其在大功率分立器件領(lǐng)域的創(chuàng)新成果——MOS管、IGBT、肖特基、三極管等系列產(chǎn)品亮相展會(huì)。在此誠(chéng)邀各位電子領(lǐng)域的同行共賞盛宴，共同交流！
2025-04-14 15:49:06758 第104屆中國(guó)電子展即CITE2025即將在深圳會(huì)展中心（福田）隆重舉辦。2025年4月9-11日飛虹半導(dǎo)體受邀參展，攜其在大功率分立器件領(lǐng)域的創(chuàng)新成果——MOS管、IGBT、肖特基等系列產(chǎn)品亮相展會(huì)。與參展者圍繞“科技創(chuàng)新·‘圳’在變革”的主題共襄盛典，展望電子產(chǎn)業(yè)的未來(lái)。
2025-04-09 16:22:41907 
有機(jī)半導(dǎo)體材料是具有半導(dǎo)體性質(zhì)的有機(jī)材料，1986年第一個(gè)聚噻吩場(chǎng)效應(yīng)晶體管發(fā)明以來(lái)，有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（OFET）飛速發(fā)展。有機(jī)物作為半導(dǎo)體甚至是導(dǎo)體制備電子器件來(lái)代替以部分硅為主的傳統(tǒng)電子產(chǎn)品，利用有機(jī)物可以大規(guī)模低成本合成的優(yōu)勢(shì)，市場(chǎng)前景是巨大的。
2025-04-09 15:51:551064 
兆易創(chuàng)新GigaDevice今日宣布與納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼: NVTS）達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，通過(guò)將兆易創(chuàng)新先進(jìn)的高算力MCU產(chǎn)品和納微半導(dǎo)體高頻、高速、高集成度的氮化鎵技術(shù)進(jìn)行優(yōu)勢(shì)整合
2025-04-09 09:30:43736 
? ? ? 今日，兆易創(chuàng)新宣布與納微半導(dǎo)體正式達(dá)成戰(zhàn)略合作！雙方將強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，通過(guò)將兆易創(chuàng)新先進(jìn)的高算力MCU產(chǎn)品和納微半導(dǎo)體高頻、高速、高集成度的氮化鎵技術(shù)進(jìn)行優(yōu)勢(shì)整合，打造智能、高效、高功率密度
2025-04-08 18:12:443885 
??????最近，意法半導(dǎo)體（ST）重磅升級(jí)STM32WBA產(chǎn)品系列，推出STM32WBA6系列新品，能夠在單芯片上同時(shí)支持藍(lán)牙低功耗（Bluetooth LE）和IEEE 802.15.4標(biāo)準(zhǔn)的器件。
2025-03-21 09:40:521827 
雖然明確說(shuō)明了先輯半導(dǎo)體HPM6E00系列產(chǎn)品能用來(lái)做EtherCAT的從站，但它可以用來(lái)做主站嗎，還是說(shuō)必須用其他芯片做主站呢
2025-03-16 10:16:43
2024年，芯途璀璨，創(chuàng)新不止。武漢芯源半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“武漢芯源半導(dǎo)體”）在21ic電子網(wǎng)主辦的2024年度榮耀獎(jiǎng)項(xiàng)評(píng)選中，憑借卓越的技術(shù)創(chuàng)新實(shí)力與行業(yè)貢獻(xiàn)，榮膺“年度創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)獎(jiǎng)”。這一
2025-03-13 14:21:54
半導(dǎo)體器件可靠性測(cè)試方法多樣，需根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景(如消費(fèi)級(jí)、工業(yè)級(jí)、車(chē)規(guī)級(jí))和器件類(lèi)型(如IC、分立器件、MEMS)選擇合適的測(cè)試組合。測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)(如JEDEC、AEC-Q、MIL-STD)為測(cè)試提供了詳細(xì)的指導(dǎo)，確保器件在極端條件下的可靠性和壽命。
2025-03-08 14:59:291107 
AEC-Q102是汽車(chē)電子領(lǐng)域針對(duì)分立光電半導(dǎo)體元器件的應(yīng)力測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，由汽車(chē)電子委員會(huì)（AEC）制定。該標(biāo)準(zhǔn)于2017年3月首次發(fā)布，隨后在2020年4月更新為AEC-Q102REVA版本，成為目前
2025-03-07 15:35:151610 
RS-232接口及Ethernet接口，可實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程自動(dòng)控制。
可針對(duì)以下封裝的半導(dǎo)體器件進(jìn)行高精度自動(dòng)溫度實(shí)驗(yàn)測(cè)量
(1)石英晶體諧振器、振蕩器
(2)電阻、電容、電感
(3)二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管
2025-03-06 10:48:56
北京市最值得去的十家半導(dǎo)體芯片公司
原創(chuàng) 芯片失效分析 半導(dǎo)體工程師 2025年03月05日 09:41 北京
北京市作為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要基地，聚集了眾多在芯片設(shè)計(jì)、制造、設(shè)備及新興技術(shù)領(lǐng)域具有
2025-03-05 19:37:43
半導(dǎo)體塑封工藝是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中不可或缺的一環(huán)，它通過(guò)將芯片、焊線、框架等封裝在塑料外殼中，實(shí)現(xiàn)對(duì)半導(dǎo)體器件的保護(hù)、固定、連接和散熱等功能。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，塑封工藝也在不斷演進(jìn)，以適應(yīng)更高性能、更小尺寸、更高可靠性的半導(dǎo)體器件的需求。
2025-02-20 10:54:412565 
近日，先導(dǎo)科技集團(tuán)旗下子公司——武漢海飛通公司，正式推出了一款備受矚目的新品：高功率1550nm SOA(半導(dǎo)體光放大器)器件。這款器件以其卓越的性能和獨(dú)特的設(shè)計(jì)，迅速吸引了業(yè)界的廣泛關(guān)注。 據(jù)悉
2025-02-20 10:13:19961 優(yōu)恩半導(dǎo)體(UNSEMI)推出的多功能電源保護(hù)模塊，專(zhuān)為工業(yè)電源在應(yīng)用中可能會(huì)遇到的各種復(fù)雜問(wèn)題而設(shè)計(jì)。
2025-02-19 14:42:01995 
一、引言隨著科技的不斷發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件在電力電子系統(tǒng)、電動(dòng)汽車(chē)、智能電網(wǎng)、新能源并網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用。近年來(lái)，第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件以其獨(dú)特的高溫、高頻、高耐壓等特性，逐漸
2025-02-15 11:15:301609 
AIS328DQTR 產(chǎn)品概述 如需了解價(jià)格貨期等具體信息，歡迎在首頁(yè)找到聯(lián)系方式鏈接我。不要留言，留言會(huì)被吞，收不到留言。 AIS328DQTR 是意法半導(dǎo)體
2025-02-10 07:40:46
半導(dǎo)體常用器件的介紹
2025-02-07 15:27:210 近年來(lái)，隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件在風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電、電動(dòng)汽車(chē)等戶(hù)外工況中的應(yīng)用日益廣泛。然而，這些戶(hù)外環(huán)境往往伴隨著較高的濕度，這對(duì)功率半導(dǎo)體器件的運(yùn)行可靠性構(gòu)成了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)
2025-02-07 11:32:251527 
在《意法半導(dǎo)體新能源功率解決方案：從產(chǎn)品到應(yīng)用，一文讀懂（上篇）》文章中，我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統(tǒng)IGBT和高壓MOSFET器件，讓大家對(duì)其在相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用有了一定了解。接下來(lái)，本文將聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品以及其新能源功率解決方案。
2025-02-07 10:38:501640 
為了加快能效和功率密度都很出色的氮化鎵（GaN）電源（PSU）的設(shè)計(jì)，意法半導(dǎo)體推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）的諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)。
2025-02-06 11:31:151133 半導(dǎo)體封裝是半導(dǎo)體器件制造過(guò)程中的一個(gè)重要環(huán)節(jié)，旨在保護(hù)芯片免受外界環(huán)境的影響，同時(shí)實(shí)現(xiàn)芯片與外部電路的連接。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，封裝技術(shù)也在不斷革新，以滿(mǎn)足電子設(shè)備小型化、高性能、低成本和環(huán)保的需求。本文將詳細(xì)介紹半導(dǎo)體封裝的類(lèi)型和制造方法。
2025-02-02 14:53:002637 碳化硅（SiC）在半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色，其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導(dǎo)體中的主要作用及優(yōu)勢(shì)： 一、碳化硅的物理特性 碳化硅具有高禁帶寬度、高
2025-01-23 17:09:352663 ▍全球最大數(shù)字智能化LED芯片廠加碼化合物半導(dǎo)體 來(lái)源：LEDinside等網(wǎng)絡(luò)資料 近日，兆馳集團(tuán)二十周年盛典暨全球戰(zhàn)略合作伙伴生態(tài)峰會(huì)在江西隆重召開(kāi)，在盛典上，兆馳集團(tuán)明確了未來(lái)10到20年
2025-01-23 11:49:081624 
近日，泰克科技與遠(yuǎn)山半導(dǎo)體的合作再次取得了突破性進(jìn)展，雙方共同對(duì)遠(yuǎn)山半導(dǎo)體最新推出的1700V GaN(氮化鎵)器件進(jìn)行了全面深入的測(cè)試與評(píng)估，取得了令人矚目的成果。 此次合作不僅驗(yàn)證了遠(yuǎn)山半導(dǎo)體
2025-01-20 11:07:33962 遠(yuǎn)山半導(dǎo)體在連續(xù)推出幾款高壓GaN器件后，最終將他們最新款產(chǎn)品的額定電壓推向1700V，相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器件常見(jiàn)的電流崩塌問(wèn)題，他們采用特有的極化超級(jí)結(jié)
2025-01-14 09:42:281899 
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-13 17:36:111819 
隨著新能源汽車(chē)、5G通信、高端裝備制造等領(lǐng)域的蓬勃發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件作為其核心組件，正面臨著前所未有的挑戰(zhàn)與機(jī)遇。在這些領(lǐng)域中，功率半導(dǎo)體器件不僅需要有更高的效率和可靠性，還要滿(mǎn)足壽命長(zhǎng)、制造步驟
2025-01-08 13:06:132115 
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-06 17:05:481328 在半導(dǎo)體器件的實(shí)際部署中，它們會(huì)因功率耗散及周?chē)h(huán)境溫度而發(fā)熱，過(guò)高的溫度會(huì)削弱甚至損害器件性能。因此，熱測(cè)試對(duì)于驗(yàn)證半導(dǎo)體組件的性能及評(píng)估其可靠性至關(guān)重要。然而，半導(dǎo)體熱測(cè)試過(guò)程中常面臨諸多挑戰(zhàn)
2025-01-06 11:44:391580
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