TP65H070G4PS 650 V SuperGaN? GaN FET.pdf 一、產(chǎn)品概述 TP65H070G4PS 是一款 650V、70mΩ 的氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET），屬于常關(guān)型器件。它巧妙地將先進(jìn)的高壓 GaN HEM
2025-12-29 14:45:10
77 RAA211320：30V 2A 集成式開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的設(shè)計(jì)指南 作為電子工程師，在電源管理設(shè)計(jì)中，選擇合適的穩(wěn)壓器至關(guān)重要。RAA211320 是一款集成式 30V、2A 同步降壓穩(wěn)壓器，采用電流模式
2025-12-29 11:55:12176 燈具壽命！?智能小家電?：電機(jī)控制，加濕器，美容儀，靜音節(jié)能兩不誤。
我司有20V 30V 40V 60V 100V 150V 200V 250V的不同電壓值的PDFN33、PDFN56、TO-252
2025-12-27 11:29:33
威兆半導(dǎo)體推出的VS3508AS是一款面向-30V低壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用SOP8封裝，適配低壓電源的高側(cè)開(kāi)關(guān)、負(fù)載控制等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P
2025-12-24 13:01:21127 
不間斷電源（UPS）電路中，MOS管因其高開(kāi)關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和易于驅(qū)動(dòng)的特性，被廣泛應(yīng)用于需要高效電能轉(zhuǎn)換和快速控制的關(guān)鍵位置。本期UPS選型專題，MOS管廠家推薦的這一款產(chǎn)品是100A、80V的場(chǎng)效應(yīng)管。
2025-12-22 16:28:43352 
長(zhǎng)晶科技重磅推出新一代 SGT Gen2.0工藝。在30V電壓平臺(tái)，與Gen1.0相比，F(xiàn)om值可降低50%，超同期歐美系水平12.5%；相比上一代，Rsp值可降低41.6%，超同期歐美系水平
2025-12-18 10:08:23271 
威兆半導(dǎo)體推出的VS3510AD是一款面向30V低壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用TO-252封裝，適配低壓電源的高側(cè)開(kāi)關(guān)、負(fù)載控制等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-12-16 11:50:07171 
威兆半導(dǎo)體推出的VS3510AS是一款面向30V低壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用SOP8封裝，適配低壓電源的負(fù)載開(kāi)關(guān)、電源通路控制等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-12-16 11:46:18213 
屏幕顯示和語(yǔ)音提示引導(dǎo)行駛的?定位與導(dǎo)航功能?，以及部分設(shè)備集成影音娛樂(lè)、實(shí)時(shí)路況更新、電子狗預(yù)警等擴(kuò)展功能。微碩WINSOK高性能N溝道場(chǎng)效應(yīng)管WSF60100
2025-12-15 14:05:22261 
威兆半導(dǎo)體推出的VS3540AC是一款面向-30V低壓小電流場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用SOT23小型封裝，適配低壓負(fù)電源切換、小型負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強(qiáng)型
2025-12-10 09:44:34249 
威兆半導(dǎo)體推出的VS3510AE是一款面向-30V低壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，適配低壓負(fù)電源切換、電源路徑管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源
2025-12-08 11:16:24222 威兆半導(dǎo)體推出的VS3508AP是一款面向-30V低壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，適配低壓負(fù)電源切換、電源路徑管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強(qiáng)型功率
2025-12-05 09:51:31284 
威兆半導(dǎo)體推出的VS3508AP-K是一款面向-30V低壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，適配低壓負(fù)電源切換、負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強(qiáng)型功率
2025-12-05 09:38:27258 組態(tài)。
39、在多級(jí)放大電路中總的通頻帶比其中每一級(jí)的通頻帶窄。
40、場(chǎng)效應(yīng)管從結(jié)構(gòu)上分成結(jié)型FET和MOSFET兩大類型，它屬于電壓控制型器件。
41、場(chǎng)效應(yīng)管屬于電壓控制電流型器件，而雙極型
2025-12-05 08:21:15
貼片MOS管100N03 TO-252電流100A 30V
2025-12-04 17:12:57
0
PMOS 管（P 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）以 P 型半導(dǎo)體為襯底，通過(guò)柵極施加負(fù)電壓調(diào)控源漏極間空穴遷移，實(shí)現(xiàn)電路開(kāi)關(guān)控制或信號(hào)放大，是拓展塢電路中的關(guān)鍵基礎(chǔ)器件，專為其多接
2025-12-04 11:12:41
PMOS管（P型金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）以P型半導(dǎo)體為襯底，通過(guò)柵極施加負(fù)電壓調(diào)控源漏極間空穴遷移，實(shí)現(xiàn)電路開(kāi)關(guān)控制或信號(hào)放大，是逆變器電路中的關(guān)鍵基礎(chǔ)器件，尤其適配逆變器低壓側(cè)開(kāi)關(guān)控制
2025-12-03 15:13:04
威兆半導(dǎo)體推出的VS3510AP是一款面向-30V低壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，憑借低導(dǎo)通電阻與高電流承載能力，適用于低壓電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域
2025-11-28 11:22:59207 30P06 TO-252貼片MOS管規(guī)格書(shū)
2025-11-25 10:26:240 仁懋電子（MOT）推出的MOT3712G是一款P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借-30V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高電流承載能力，適用于PWM應(yīng)用、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道
2025-11-21 10:31:06233 
SMDJ30CA雙向 TVS瞬態(tài)抑制二極管：30V雙向電壓000W 浪涌中壓電路防護(hù)核心
2025-11-20 16:42:401145 
釋放大電流，幫助發(fā)動(dòng)機(jī)啟動(dòng)?。微碩WINSOK高性能P溝道場(chǎng)效應(yīng)管WSF70P03以7.5mΩ低RDS(ON)、30V65ATO-252-2L封裝，完美契合汽車應(yīng)
2025-11-15 11:15:48658 WINSOK高性能N溝道場(chǎng)效應(yīng)管WSD75100DN56以5.3mΩ低RDS(ON)、75V100ADFN5*6-8L封裝，完美契合后視鏡折疊器系統(tǒng)對(duì)高功率密度與散熱效率
2025-11-07 14:18:20391
PMOS 管即 P 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，以 P 型半導(dǎo)體為襯底，通過(guò)在柵極施加負(fù)電壓調(diào)控源漏極間空穴的遷移，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)電路的開(kāi)關(guān)控制或信號(hào)放大，是半導(dǎo)體電路中的基礎(chǔ)器件。
其
2025-11-05 15:58:17
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展的今天，場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）作為電子設(shè)備的核心功率控制單元，其性能直接決定了終端產(chǎn)品的能效、可靠性與小型化水平。中科微電作為深耕場(chǎng)效應(yīng)管領(lǐng)域的高新技術(shù)企業(yè)，自成立以來(lái)便以
2025-11-03 16:18:27631 
標(biāo)準(zhǔn)更為嚴(yán)苛。
產(chǎn)業(yè)鏈聯(lián)動(dòng)效應(yīng)：快充技術(shù)的普及不僅推動(dòng)了充電器產(chǎn)品的更新，也帶動(dòng)了如 MOSFET（金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）等核心元器件的市場(chǎng)需求增長(zhǎng)，這類元器件是保障快充安全與效率的關(guān)鍵
2025-11-03 09:28:36
標(biāo)配。這類裝置需要快速響應(yīng)、低功耗、高可靠性的功率器件支持。微碩WINSOK高性能P溝道場(chǎng)效應(yīng)管WSD86P10DN56以17mΩ低RDS(ON)、100V86AD
2025-10-31 17:38:23505 ZK30G011G作為一款專為低壓大電流場(chǎng)景設(shè)計(jì)的N溝道MOSFET，以30V額定電壓、160A額定電流的硬核性能為基礎(chǔ)，融合成熟可靠的溝槽型（Trench）工藝與PDFN5*6小型化封裝，既突破了傳統(tǒng)低壓器件的電流承載上限，又實(shí)現(xiàn)了小體積與高穩(wěn)定性的平衡，成為低壓功率控制領(lǐng)域的優(yōu)選方案。
2025-10-31 14:28:12214 
，推出ZK3010DS N+P溝道互補(bǔ)型MOS管，憑借30V/-30V雙向耐壓、5.8A/-12A電流承載、低至1.85V/-1.5V的柵極閾值電壓，結(jié)合Trenc
2025-10-28 13:49:32192 
在電力電子領(lǐng)域，場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）作為核心開(kāi)關(guān)器件，其性能直接決定了整機(jī)系統(tǒng)的效率、可靠性與成本控制。ZK60N50T作為一款典型的N溝道功率MOSFET，憑借其優(yōu)異的電氣參數(shù)與穩(wěn)定的工作特性
2025-10-27 14:36:45337 
所有半導(dǎo)體單體元件，包括二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管（FET）等?。它通過(guò)半導(dǎo)體材料的電學(xué)特性（如摻雜形成的PN結(jié)）控制電流流動(dòng)，是現(xiàn)代電子電路的基礎(chǔ)構(gòu)建塊?。 核心特性 ?功能多樣性?：可放大微弱信號(hào)（如音頻放大器）、快
2025-10-24 12:20:23349 
在電力電子領(lǐng)域，場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）作為能量轉(zhuǎn)換與電路控制的核心器件，其性能參數(shù)直接決定了整機(jī)系統(tǒng)的效率、可靠性與集成度。ZK60N20DG作為一款專注于中低壓應(yīng)用場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管
2025-10-23 17:40:26516 
MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 全稱：金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），簡(jiǎn)稱MOS管，屬于場(chǎng)效應(yīng)管（FET）的一種。
2025-10-23 13:56:439246 
在低壓大電流功率電子領(lǐng)域，MOS管的導(dǎo)通損耗、電流承載能力與封裝適配性，直接決定了終端設(shè)備的能效、可靠性與設(shè)計(jì)靈活性。中科微電推出的ZK30N140TN溝道MOS管，憑借30V額定電壓、140A超大
2025-10-22 09:42:38381 
PMOS 管即 P 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，以 P 型半導(dǎo)體為襯底，通過(guò)在柵極施加負(fù)電壓調(diào)控源漏極間空穴的遷移，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)電路的開(kāi)關(guān)控制或信號(hào)放大，是半導(dǎo)體電路中的基礎(chǔ)器件。
其
2025-10-21 11:59:56
可能聯(lián)動(dòng)車機(jī)實(shí)現(xiàn)語(yǔ)音控制或智能溫控????。微碩WINSOK高性能雙P溝道場(chǎng)效應(yīng)管WSP4099以30mΩ低RDS(ON)、40V6.5ASOP-8L封裝，恰好滿足
2025-10-18 14:38:411060 、設(shè)計(jì)與應(yīng)用提供全面技術(shù)支撐。漏源電壓 30V柵源電壓 ±20V連續(xù)漏極電流 90A連續(xù)漏極電流 55A脈沖漏極電流 360A單脈沖雪崩能量 90mJ功耗 90W結(jié)到殼
2025-10-15 17:54:450 進(jìn)程，阻礙技術(shù)效能釋放。此時(shí)，德昌場(chǎng)效應(yīng)管SOT-523/SOT-883兩種封裝產(chǎn)品是高頻開(kāi)關(guān)生產(chǎn)痛點(diǎn)的“破局者”，成為破解高頻開(kāi)關(guān)生產(chǎn)困局的關(guān)鍵密鑰。高頻開(kāi)關(guān)生產(chǎn)
2025-09-29 17:24:001035 
前言MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管）是電子學(xué)中最為基礎(chǔ)和重要的器件之一，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)等電性能優(yōu)勢(shì)，以及兼有體積小、重量輕、功耗低、壽命長(zhǎng)等工程特性。從
2025-09-26 10:08:191648 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FS8205 20V N 溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管技術(shù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-09-23 15:03:332 Texas Instruments LMG342xR030 GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）集成了驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，可使設(shè)計(jì)人員在電子設(shè)備系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)新的功率密度和效率水平。
2025-09-19 11:06:08586 
WINSOK推出的高性能雙P溝道場(chǎng)效應(yīng)管WSP4099憑借卓越的電氣特性和緊湊的封裝設(shè)計(jì)，成為提升汽車儀表盤(pán)的理想選擇。一、市場(chǎng)趨勢(shì)驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品需求市場(chǎng)趨勢(shì)驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品需求截至2
2025-09-12 18:21:40940 ### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介**TM4884S-VB** 是一款 **N 型單極場(chǎng)效應(yīng)管 (MOSFET)**，采用 **SOP8** 封裝，專為高效開(kāi)關(guān)和負(fù)載控制應(yīng)用設(shè)計(jì)。它具有 **30V** 的最大漏極源
2025-09-08 17:40:26
SM4073L作為30V工業(yè)級(jí)耐壓鋰電池充電芯片，通過(guò)1A可編程快充、30V耐壓、多重安全保護(hù)機(jī)制及簡(jiǎn)化高壓場(chǎng)景設(shè)計(jì)，解決工業(yè)24V系統(tǒng)浪涌、車載12V拋負(fù)載及快充高壓輸入三大痛點(diǎn)，成為高壓電源管理市場(chǎng)的高可靠性解決方案。
2025-09-06 15:28:46513 
場(chǎng)效應(yīng)管WSF85P06以P溝道、60V/85A、10mΩ超低導(dǎo)通電阻和TO-252-2L封裝，在100-800W戶外音響中可同時(shí)滿足?高功率輸出?、?環(huán)境適應(yīng)性
2025-08-22 17:15:321104 中國(guó)家電制造業(yè)已占據(jù)全球 70% 市場(chǎng)份額，其中吸塵器領(lǐng)域更是以 80%+ 的占比領(lǐng)跑全球。然而核心元器件的進(jìn)口依賴始終是行業(yè)痛點(diǎn)。合科泰半導(dǎo)體深耕功率器件領(lǐng)域多年，推出HKTD70N04 場(chǎng)效應(yīng)管，作為 AON6236 等型號(hào)的理想國(guó)產(chǎn)替代方案，為吸塵器直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)提供高性能、高可靠性的解決方案。
2025-08-14 11:30:254520 P管，最大電壓-20V，最大電流2.4A導(dǎo)通內(nèi)阻0.1歐。
2025-08-13 15:58:500 在工業(yè)自動(dòng)化的精密控制系統(tǒng)中，變頻器作為電機(jī)調(diào)速的核心部件，其性能直接決定了生產(chǎn)效率與能源消耗。合科泰半導(dǎo)體針對(duì)中小功率變頻驅(qū)動(dòng)場(chǎng)景，推出HKTD5N50 高壓場(chǎng)效應(yīng)管，以 500V 耐壓、低導(dǎo)通損耗及快速開(kāi)關(guān)特性，成為風(fēng)機(jī)、水泵等流體控制設(shè)備的理想驅(qū)動(dòng)方案。
2025-08-12 16:57:071079 AM2381P-VB是VBsemi品牌的P—Channel溝道場(chǎng)效應(yīng)管，采用SOT23封裝。以下是詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明和應(yīng)用簡(jiǎn)介：- 電壓（Vds）：-60V- 電流（Id）：-5.2A- 導(dǎo)通電阻（RDS
2025-08-12 14:19:19
VBsemi AM2305E3R-VB是一款P溝道場(chǎng)效應(yīng)管（P-Channel MOSFET）芯片，具有以下關(guān)鍵參數(shù)和特性：- 額定電壓（VDS）：-30V- 額定電流（ID）：-5.6A- 開(kāi)關(guān)
2025-08-11 17:52:23
VBsemi AFP2341S23RG-VB是一款P溝道場(chǎng)效應(yīng)管（P-Channel MOSFET）芯片，具有以下關(guān)鍵參數(shù)和特性：- 額定電壓（VDS）：-30V- 額定電流（ID）：-5.6A-
2025-08-11 15:31:45
戶外儲(chǔ)能電源是一種便攜式儲(chǔ)能設(shè)備，能為手機(jī)、筆記本、小型家電等提供電力解決方案，廣泛應(yīng)用于戶外活動(dòng)、應(yīng)急救災(zāi)和移動(dòng)辦公等場(chǎng)景。而微碩WINSOK高性能場(chǎng)效應(yīng)管WSD45P04DN56憑借其優(yōu)異的散熱
2025-08-11 10:52:41911 高效可靠，驅(qū)動(dòng)未來(lái)：惠海HC070N10L MOSFET賦能電子設(shè)計(jì)
在追求高效能與緊湊設(shè)計(jì)的電子工程領(lǐng)域，惠海半導(dǎo)體推出的HC070N10L N溝道MOS管憑借其良好性能與工業(yè)級(jí)可靠性，成為中小
2025-08-09 11:10:45
貼片MOS場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)的識(shí)別需結(jié)合命名規(guī)則、封裝特征及參數(shù)查詢?nèi)矫孢M(jìn)行，以下是具體方法： 一、型號(hào)命名規(guī)則解析 貼片MOS管的型號(hào)通常由制造商標(biāo)識(shí)、基本型號(hào)、功能標(biāo)識(shí)、封裝形式及技術(shù)參數(shù)組成，常見(jiàn)
2025-08-05 14:31:102474 
截至2025年，消費(fèi)電子行業(yè)已成為中國(guó)無(wú)線充電器（以下簡(jiǎn)稱無(wú)線充）應(yīng)用的重要陣地之一。在無(wú)線充電技術(shù)快速發(fā)展的當(dāng)下，無(wú)線充電器的性能和效率成為了眾多廠商關(guān)注的焦點(diǎn)。而微碩WINSOK場(chǎng)效應(yīng)管新品
2025-08-04 14:08:36848 截至2025年，消費(fèi)電子行業(yè)已成為中國(guó)無(wú)刷電機(jī)應(yīng)用的重要陣地之一。在無(wú)刷電機(jī)飛速發(fā)展的今天，提升可靠性、效率和散熱性能成為了場(chǎng)效應(yīng)管（以下簡(jiǎn)稱MOS管）設(shè)計(jì)的重要方向。DFN5*6封裝，以其優(yōu)異
2025-07-28 15:05:36714 1.5-5.0V，為了使負(fù)載電流不超 過(guò)輸出晶體管的電流容量，內(nèi)置了過(guò)流保護(hù)及短路保護(hù)功能。 LN1179 支持高壓（30V）的電源和使能輸入，同時(shí)內(nèi) 部采用低功耗設(shè)計(jì)，適合一些低功耗場(chǎng)合應(yīng)用
2025-07-25 15:49:210 在電源轉(zhuǎn)換技術(shù)不斷進(jìn)步的背景下，瑞薩電子(RenesasElectronics)近日推出了三款新型650伏氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaNFET)，專注于滿足數(shù)據(jù)中心、工業(yè)以及電動(dòng)交通應(yīng)用對(duì)高效能和高密度
2025-07-14 10:17:383206 
工程師在研發(fā)24V車載高頻逆變器的DC-DC推挽升壓電路中，MOS管就是控制能量流動(dòng)的“高速開(kāi)關(guān)閥門(mén)”。在電路中MOS管必須承受高壓沖擊（≈2倍輸入+尖峰），高效地通過(guò)大電流，并且被精確地控制開(kāi)和關(guān)。因此選對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管是非常重要的。
2025-07-01 16:52:112003 描述AP10P04MI采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)提供優(yōu)良的rds (ON)，低柵極電荷和工作電壓低至4.5V。這該裝置適合作為電池保護(hù)裝置使用或其它開(kāi)關(guān)應(yīng)用。一般特征vds = -40v I d
2025-06-30 09:52:040 在微電子系統(tǒng)中，場(chǎng)效應(yīng)晶體管通過(guò)柵極電位的精確調(diào)控實(shí)現(xiàn)對(duì)主電流通路的智能管理，這種基于電位差的主控模式使其成為現(xiàn)代電路中的核心調(diào)控元件。實(shí)現(xiàn)這種精密控制的基礎(chǔ)源于器件內(nèi)部特殊的載流子遷移機(jī)制與電場(chǎng)調(diào)控特性。
2025-06-18 13:41:14694 TPS54202x 是一款 4.5V 至 30V 輸入電壓范圍、2A 同步降壓轉(zhuǎn)換器。該器件包括兩個(gè)集成開(kāi)關(guān) FET、內(nèi)部環(huán)路補(bǔ)償和 5ms 內(nèi)部軟啟動(dòng)，以減少元件數(shù)量。
通過(guò)集成
2025-05-28 15:04:45638 
TPS561300 是一款 4.5V 至 30V 輸入電壓范圍、1A 同步降壓轉(zhuǎn)換器。該器件包括兩個(gè)集成開(kāi)關(guān) FET、內(nèi)部環(huán)路補(bǔ)償和 5ms 內(nèi)部軟啟動(dòng)，以減少元件數(shù)量。
通過(guò)集成
2025-05-28 14:11:57603 
TPS54202x 是一款 4.5V 至 30V 輸入電壓范圍、2A 同步降壓轉(zhuǎn)換器。該器件包括兩個(gè)集成開(kāi)關(guān) FET、內(nèi)部環(huán)路補(bǔ)償和 5ms 內(nèi)部軟啟動(dòng)，以減少元件數(shù)量。
通過(guò)集成
2025-05-28 09:18:55985 
概述：AET3152AP具有-30V的漏源電壓、最高-40A的連續(xù)漏極電流以及低導(dǎo)通電阻（RDS(ON)在VGS=-10V時(shí)為11mΩ）。它支持快速開(kāi)關(guān)操作，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，不含鹵素和銻
2025-05-22 18:11:03
AO4803AAO4803A雙P通道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOS電源控制電路采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，以低門(mén)電荷提供優(yōu)秀的RDS（開(kāi)）。此設(shè)備適用于負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM應(yīng)用。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品AO4803A不含鉛（符合RoHS和索尼259規(guī)范）
2025-05-19 17:59:3828 2010年，愛(ài)爾蘭 Tyndall 國(guó)家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三柵無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，器件結(jié)構(gòu)如圖1.15所示。從此，半導(dǎo)體界興起了一股研究無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的熱潮，每年的國(guó)際
2025-05-19 16:08:13777 
當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢(shì)壘結(jié)所構(gòu)成：雙極結(jié)型晶體管（BJT）包含兩個(gè)背靠背的PN 結(jié)，MOSFET也是如此。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET） 垂直于溝道方向有一個(gè) PN結(jié)，隧道穿透
2025-05-16 17:32:071122 
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Junction Field-Effect Transistor, JFET）是在同一塊 N型半導(dǎo)體上制作兩個(gè)高摻雜的P區(qū)，并將它們連接在一起，所引出的電極稱為柵極（G），N型半導(dǎo)體兩端分別引出兩個(gè)電極，分別稱為漏極（D）和源極（S），如圖 1.11所示。
2025-05-14 17:19:202620 
圣邦微電子推出 SGMNQ36430，一款 30V 單 N 溝道功率 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。該器件可應(yīng)用于 CPU 電源傳輸、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、功率負(fù)載開(kāi)關(guān)以及筆記本電池管理等領(lǐng)域。
2025-05-09 16:57:26971 
放大音頻信號(hào)是MOS管在音響功放的主要作用，意味著好的MOS管能夠直接影響產(chǎn)品的品質(zhì)。對(duì)于電路研發(fā)工程師，如何選擇好的、能代換IRF3710型號(hào)參數(shù)用于音響功放中是非常重要的。
2025-04-29 11:42:43919 AW2K21是一款同時(shí)實(shí)現(xiàn)了超小型封裝和超低導(dǎo)通電阻的30V耐壓Nch MOSFET。利用可共享2枚MOSFET電路源極的共源電路，不僅能以一體化封裝實(shí)現(xiàn)雙向電路保護(hù)，還可以通過(guò)改變引腳連接來(lái)作為單MOSFET使用。
2025-04-17 14:55:11615 
這款 30V、3.2mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換損耗 應(yīng)用。 *附件：CSD17581Q3A 30V N 溝道
2025-04-16 11:25:34775 
這款 30V、12.6mΩ、2mm × 2mm SON NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗，并針對(duì) 5V 柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。2mm × 2mm SON 為封裝尺寸提供出色的熱性能。
2025-04-15 17:08:38699 
N管 30V 178A 如需了解產(chǎn)品詳情請(qǐng)聯(lián)系我們
2025-04-11 17:56:200 OPA818 是一款解補(bǔ)償（穩(wěn)定增益 = 7V/V）電壓反饋運(yùn)算放大器，具有低噪聲結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 (JFET) 輸入級(jí)，它將高增益帶寬與 6V 至 13V 的寬電源電壓范圍集于一身，適用于高速、寬動(dòng)態(tài)
2025-04-11 10:52:331053 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT8618FD共漏N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-25 18:04:400 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TC1201低噪聲和中功率GaAs場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-17 17:15:420 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1541SIJ P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-07 11:33:071 場(chǎng)效應(yīng)管mos管三個(gè)引腳怎么區(qū)分
2025-03-07 09:20:470 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1756SJ N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-05 17:29:160 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1729SI P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-04 18:05:040 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1728SJ P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-04 18:02:350 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1725SI P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-04 16:32:030 在現(xiàn)代電子學(xué)的宏偉建筑中，場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET-Field Effect Transistor）是其不可或缺的基石。這些精巧的電子組件以其卓越的性能優(yōu)勢(shì): 低功耗、高輸入阻抗和簡(jiǎn)便的偏置需求, 在
2025-03-03 14:44:532190 
FDS4435BZP 溝道 PowerTrench? MOSFET（金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）-30V，-8.8A，20 毫歐特性當(dāng) = -10V， = -8.8A 時(shí)，最大導(dǎo)通電阻為
2025-02-28 14:32:47
型號(hào)匹配性、應(yīng)用場(chǎng)景適配性及核心參數(shù)對(duì)比三個(gè)維度，客觀分析飛虹半導(dǎo)體FHP230N06V場(chǎng)效應(yīng)管的產(chǎn)品價(jià)值。
2025-02-24 16:38:261017 
WD5030 DC/DC15A30V 高效同步降壓轉(zhuǎn)換器技術(shù)手冊(cè)：30V輸入15A輸出，85-300KHz開(kāi)關(guān)頻率
2025-02-24 14:57:201357 
CS9N50A2 是佳訊電子（JIAXUN）推出的高性能場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管），采用 TO-220F 封裝，具備 9A 連續(xù)電流承載能力 和 500V 高耐壓 特性。作為原裝正品，其核心優(yōu)勢(shì)在于 低功耗、高可靠性，專為嚴(yán)苛的工業(yè)與消費(fèi)電子場(chǎng)景設(shè)計(jì)，支持現(xiàn)貨速發(fā)，滿足高效生產(chǎn)需求。
2025-02-23 10:12:441082 LMG342XEVM - 04X 包含兩個(gè)以半橋配置的 LMG342XR0X0 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaN FET）。所有的偏置和電平轉(zhuǎn)換組件都已集成，這使得低側(cè)參考信號(hào)能夠控制兩個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。功率級(jí)上配備了高頻去耦電容，采用優(yōu)化布局，以盡量減少寄生電感并降低電壓過(guò)沖。
2025-02-21 18:16:54786 
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2025-02-20 16:29:230 FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)從平面晶體管到FinFET的演變是一種先進(jìn)的晶體管架構(gòu)，旨在提高集成電路的性能和效率。它通過(guò)將傳統(tǒng)的平面晶體管轉(zhuǎn)換為三維結(jié)構(gòu)來(lái)減少短溝道效應(yīng)，從而允許更小、更快且功耗更低的晶體管。本文將從硅底材開(kāi)始介紹FinFET制造工藝流程，直到鰭片(Fin)的制作完成。
2025-02-17 14:15:022600 
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2025-02-13 15:23:257 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSMN1RO-30YLC N溝道30V 1.15 mΩ邏輯電平MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 14:16:450 隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷逼近物理極限，傳統(tǒng)的平面晶體管（Planar FET）、鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET）從平面晶體管到FinFET的演變，乃至全環(huán)繞柵或圍柵（GAA
2025-01-24 10:03:514437 
SN7406反相器數(shù)據(jù)手冊(cè)上顯示輸出電壓最大能達(dá)到30V
問(wèn)題1、SN7406輸出端需要接上拉嗎？
問(wèn)題2、根據(jù)上面對(duì)于數(shù)據(jù)手冊(cè)的截圖是指反相器輸出端接上拉的電源可以最大達(dá)到30V么？
2025-01-24 08:05:58
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2025-01-23 16:33:410 朱利葉斯·埃德加·利利恩菲爾德在1925年申請(qǐng)的專利為場(chǎng)效應(yīng)晶體管奠定了理論基礎(chǔ)。 雖然第一個(gè)工作的場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）直到1945年才出現(xiàn)，但這個(gè)想法早在近20年前，即朱利葉斯·埃德加·利利恩
2025-01-23 09:42:111476 
重點(diǎn)型號(hào)推薦
同步升降壓
LTT4445FJ N管 PDFN5X6-8L30V 60A
LT6428FJ N管PDFN5X6-8L30V60A
LT7444FLN管PDFN3X3-8L30V
2025-01-17 16:42:10
場(chǎng)效應(yīng)管代換手冊(cè)
2025-01-08 13:44:213
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工商網(wǎng)監(jiān)
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