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電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>TriQuint半導(dǎo)體推出具有卓越增益的新氮化鎵晶體管

TriQuint半導(dǎo)體推出具有卓越增益的新氮化鎵晶體管

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2025-06-17 15:29:17

2SC5200音頻配對(duì)功率PNP型晶體管

深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)2SC5200音頻配對(duì)功率PNP型晶體管,原裝現(xiàn)貨 2SC5200是一款PNP型晶體管,2SA1943的補(bǔ)充型。 擊穿電壓:250V (集射極電壓 Vceo) min
2025-06-05 10:24:29

鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的原理和優(yōu)勢(shì)

半導(dǎo)體晶體管問世以來(lái),集成電路技術(shù)便在摩爾定律的指引下迅猛發(fā)展。摩爾定律預(yù)言,單位面積上的晶體管數(shù)量每?jī)赡攴环?,而這一進(jìn)步在過去幾十年里得到了充分驗(yàn)證。
2025-06-03 18:24:131494

納微半導(dǎo)體雙向氮化開關(guān)深度解析

前不久,納微半導(dǎo)體剛剛發(fā)布全球首款量產(chǎn)級(jí)的650V雙向GaNFast氮化功率芯片。
2025-06-03 09:57:502384

薄膜晶體管技術(shù)架構(gòu)與主流工藝路線

導(dǎo)語(yǔ)薄膜晶體管(TFT)作為平板顯示技術(shù)的核心驅(qū)動(dòng)元件,通過材料創(chuàng)新與工藝優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了從傳統(tǒng)非晶硅向氧化物半導(dǎo)體、柔性電子的技術(shù)跨越。本文將聚焦于薄膜晶體管制造技術(shù)與前沿發(fā)展。
2025-05-27 09:51:412511

英飛凌推出CoolGaN G5中壓晶體管

英飛凌推出CoolGaN G5中壓晶體管,它是全球首款集成肖特基二極的工業(yè)用氮化(GaN)功率晶體管。該產(chǎn)品系列通過減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能,進(jìn)一步提升整體系統(tǒng)效率。此外,該集成解決方案還簡(jiǎn)化了功率級(jí)設(shè)計(jì),降低了用料成本。
2025-05-21 10:00:44804

無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件的發(fā)展歷程

2010年,愛爾蘭 Tyndall 國(guó)家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三柵無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,器件結(jié)構(gòu)如圖1.15所示。從此,半導(dǎo)體界興起了一股研究無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的熱潮,每年的國(guó)際
2025-05-19 16:08:13777

從清華大學(xué)到未來(lái)科技,張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守!

從清華大學(xué)到未來(lái)科技,張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守!近年來(lái),珠海市未來(lái)科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱“未來(lái)”)在第三代半導(dǎo)體行業(yè)異軍突起,憑借領(lǐng)先的氮化(GaN)技術(shù)儲(chǔ)備和不斷推出的新產(chǎn)品
2025-05-19 10:16:02

無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管詳解

場(chǎng)效應(yīng)晶體管(TFET)沿溝道方向有一個(gè) PN結(jié),金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MESFET)或高電子遷移率晶體管(HEMT)垂直于溝道方向含有一個(gè)柵電極肖特基勢(shì)壘結(jié)。
2025-05-16 17:32:071122

什么是晶體管?你了解多少?知道怎樣工作的嗎?

晶體管(Transistor)是一種?半導(dǎo)體器件?,用于?放大電信號(hào)?、?控制電流?或作為?電子開關(guān)?。它是現(xiàn)代電子技術(shù)的核心元件,幾乎所有電子設(shè)備(從手機(jī)到超級(jí)計(jì)算機(jī))都依賴晶體管實(shí)現(xiàn)功能。以下
2025-05-16 10:02:183877

LM395系列 42V 功率晶體管數(shù)據(jù)手冊(cè)

LM195/LM395 是具有完全過載保護(hù)的快速單片電源集成電路。這些器件充當(dāng)高增益功率晶體管,芯片上包括電流限制、功率限制和熱過載保護(hù),使其幾乎不可能因任何類型的過載而損壞。在標(biāo)準(zhǔn) TO-3 晶體管功率封裝中,LM195 將提供超過 1.0A 的負(fù)載電流,并可在 500 ns 內(nèi)切換 40V。
2025-05-15 10:41:11781

LP395 系列 36V 功率晶體管數(shù)據(jù)手冊(cè)

LP395 是一款具有完全過載保護(hù)的快速單片晶體管。這非常 片上包括高增益晶體管、電流限制、功率限制和熱 過載保護(hù),使其幾乎難以因任何類型的過載而銷毀。適用于 該器件采用環(huán)氧樹脂 TO-92 晶體管封裝,額定電流為 100 mA。
2025-05-15 10:36:29602

這個(gè)晶體管的發(fā)射機(jī)直接接到電源負(fù)極上,不會(huì)燒嗎?

我的理解晶體管的cb be都是有固定壓降的,加在發(fā)射極上那么大電壓還不連電阻。
2025-05-15 09:20:48

寬帶隙WBG功率晶體管的性能測(cè)試與挑戰(zhàn)

功率電子技術(shù)的快速發(fā)展,得益于寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體材料的進(jìn)步,尤其是氮化(GaN)和碳化硅(SiC)。與傳統(tǒng)硅材料相比,這些材料具有更高的擊穿電壓、更好的熱導(dǎo)率和更快的開關(guān)速度。這些特性使得功率
2025-04-23 11:36:00780

納微半導(dǎo)體GaNSafe?氮化功率芯片正式通過車規(guī)認(rèn)證

日訊——納微半導(dǎo)體宣布其高功率旗艦GaNSafe氮化功率芯片已通過 AEC-Q100 和 AEC-Q101 兩項(xiàng)車規(guī)認(rèn)證,這標(biāo)志著氮化技術(shù)在電動(dòng)汽車市場(chǎng)的應(yīng)用正式邁入了全新階段。 ? 納微半導(dǎo)體的高功率旗艦——第四代GaNSafe產(chǎn)品家族, 集成了控制、驅(qū)動(dòng)、感測(cè)以及關(guān)鍵的保護(hù)功能
2025-04-17 15:09:264296

SC2020晶體管參數(shù)測(cè)試儀/?半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)介紹

SC2020晶體管參數(shù)測(cè)試儀/?半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)-日本JUNO測(cè)試儀DTS-1000國(guó)產(chǎn)平替 ?專為半導(dǎo)體分立器件測(cè)試而研發(fā)的新一代高速高精度測(cè)試機(jī)。? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ??
2025-04-16 17:27:200

多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)

多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu) 為滿足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要,設(shè)計(jì)了一款多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管。控制二進(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門電路,實(shí)際上是對(duì)電壓的一種選擇,而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門電路通常比較復(fù)雜
2025-04-15 10:24:55

晶體管電路設(shè)計(jì)(下)

晶體管,F(xiàn)ET和IC,F(xiàn)ET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設(shè)計(jì),源極跟隨器電路設(shè)計(jì),F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計(jì)與制作,柵極接地放大電路的設(shè)計(jì),電流反饋型OP放大器的設(shè)計(jì)與制作,進(jìn)晶體管
2025-04-14 17:24:55

有機(jī)半導(dǎo)體材料及電子器件電性能測(cè)試方案

有機(jī)半導(dǎo)體材料是具有半導(dǎo)體性質(zhì)的有機(jī)材料,1986年第一個(gè)聚噻吩場(chǎng)效應(yīng)晶體管發(fā)明以來(lái),有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(OFET)飛速發(fā)展。有機(jī)物作為半導(dǎo)體甚至是導(dǎo)體制備電子器件來(lái)代替以部分硅為主的傳統(tǒng)電子產(chǎn)品,利用有機(jī)物可以大規(guī)模低成本合成的優(yōu)勢(shì),市場(chǎng)前景是巨大的。
2025-04-09 15:51:551064

330W氮化方案,可過EMC

氮化
深圳市三佛科技發(fā)布于 2025-04-01 11:31:39

意法半導(dǎo)體與英諾賽科簽署氮化技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議 借力雙方制造產(chǎn)能

??雙方簽署氮化(GaN)技術(shù)聯(lián)合開發(fā)協(xié)議,致力于為AI數(shù)據(jù)中心、可再生能源發(fā)電與存儲(chǔ)、汽車等領(lǐng)域打造面向未來(lái)的功率電子技術(shù)。 ??英諾賽科可借助意法半導(dǎo)體在歐洲的制造產(chǎn)能,意法半導(dǎo)體可借助英諾賽
2025-04-01 10:06:023805

下一代3D晶體管技術(shù)突破,半導(dǎo)體行業(yè)迎新曙光!

新的晶體管技術(shù)。加州大學(xué)圣巴巴拉分校的研究人員在這一領(lǐng)域邁出了重要一步,他們利用二維(2D)半導(dǎo)體技術(shù),成功研發(fā)出新型三維(3D)晶體管,為半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展開啟了新的篇
2025-03-20 15:30:451073

GaN驅(qū)動(dòng)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載 氮化半導(dǎo)體功率器件門極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案

GaN驅(qū)動(dòng)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載 氮化半導(dǎo)體功率器件門極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案
2025-03-13 18:06:0046931

納微半導(dǎo)體發(fā)布雙向GaNFast氮化功率芯片

唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼: NVTS)今日重磅發(fā)布全球首款量產(chǎn)級(jí)650V雙向GaNFast氮化
2025-03-13 15:49:392996

京東方華燦光電氮化器件的最新進(jìn)展

日前,京東方華燦的氮化研發(fā)總監(jiān)馬歡應(yīng)半導(dǎo)體在線邀請(qǐng),分享了關(guān)于氮化器件的最新進(jìn)展,引起了行業(yè)的廣泛關(guān)注。隨著全球半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)Ω咝阅?、高效率器件的需求不斷加大?b class="flag-6" style="color: red">氮化(GaN)技術(shù)逐漸成為新一代電子器件的熱點(diǎn),其優(yōu)越的性能使其在電源轉(zhuǎn)換和射頻應(yīng)用中展現(xiàn)出巨大的潛力。
2025-03-13 11:44:261526

晶體管柵極結(jié)構(gòu)形成

柵極(Gate)是晶體管的核心控制結(jié)構(gòu),位于源極(Source)和漏極(Drain)之間。其功能類似于“開關(guān)”,通過施加電壓控制源漏極之間的電流通斷。例如,在MOS中,柵極電壓的變化會(huì)在半導(dǎo)體表面形成導(dǎo)電溝道,從而調(diào)節(jié)電流的導(dǎo)通與截止。
2025-03-12 17:33:202746

晶體管電路設(shè)計(jì)(下) [日 鈴木雅臣]

本書主要介紹了晶體管,F(xiàn)ET和Ic,F(xiàn)ET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設(shè)計(jì),源極跟隨電路的設(shè)計(jì),F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計(jì)和制作,柵極接地放大電路的設(shè)計(jì),電流反饋行型op放大器的設(shè)計(jì)與制作
2025-03-07 13:55:19

氮化晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載

氮化晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì)總結(jié) 先上鏈接,感興趣的朋友可以直接下載: *附件:氮化晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì).pdf 一、引言 ? 應(yīng)用場(chǎng)景 ?:并聯(lián)開關(guān)廣泛應(yīng)用于大功率場(chǎng)合,如牽引逆變器、可回收能源系統(tǒng)等
2025-02-27 18:26:311103

氮化(GaN)充電頭安規(guī)問題及解決方案

什么是氮化(GaN)充電頭?氮化充電頭是一種采用氮化(GalliumNitride,GaN)半導(dǎo)體材料制造的新型電源適配器。相比傳統(tǒng)硅基(Si)充電器,GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
2025-02-27 07:20:334528

晶體管電路設(shè)計(jì)與制作

這本書介紹了晶體管的基本特性,單電路的設(shè)計(jì)與制作, 雙管電路的設(shè)計(jì)與制作,3~5電路的設(shè)計(jì)與制作,6以上電路的設(shè)計(jì)與制作。書中具體內(nèi)容有:直流工作解析,交流工作解析,接地形式,單反相放大器,雙管反相放大器,厄利效應(yīng),雙管射極跟隨器等內(nèi)容。
2025-02-26 19:55:46

HFA3135超高頻匹配對(duì)晶體管應(yīng)用筆記

成為高頻放大器和混頻器應(yīng)用的理想選擇。這兩個(gè)陣列都是匹配的高頻晶體管對(duì)。匹配簡(jiǎn)化了直流偏置問題,并最大限度地減少了差分放大器配置中的不平衡。它們的高fT使UHF放大器的設(shè)計(jì)具有卓越的穩(wěn)定性.
2025-02-26 09:29:07866

氮化硼散熱材料大幅度提升氮化快充效能

什么是氮化(GaN)充電頭?氮化充電頭是一種采用氮化(GalliumNitride,GaN)半導(dǎo)體材料制造的新型電源適配器。相比傳統(tǒng)硅基(Si)充電器,GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
2025-02-26 04:26:491181

HFA3134超高頻晶體管應(yīng)用筆記

的 fT 為 7GHz。兩種類型都具有低噪聲特性,是高頻放大器和混頻器應(yīng)用的理想選擇。兩個(gè)陣列都是匹配的高頻晶體管對(duì)。這種匹配簡(jiǎn)化了 DC 偏置問題,并最大限度地減少了差分放大器配置中的不平衡。它們的高 fT 使 UHF 放大器的設(shè)計(jì)具有卓越的穩(wěn)定性。
2025-02-25 17:26:35897

納微半導(dǎo)體APEC 2025亮點(diǎn)搶先看

近日,唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 宣布將參加APEC 2025,展示氮化和碳化硅技術(shù)在AI數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車和移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域的應(yīng)用新突破。
2025-02-25 10:16:381781

突破電力效能邊界:ZN70C1R460D 氮化晶體管重磅登場(chǎng)!

?在科技飛速發(fā)展的當(dāng)下,電子元件的創(chuàng)新成為推動(dòng)各領(lǐng)域進(jìn)步的關(guān)鍵力量。Ziener 公司最新推出的 ZN70C1R460D 氮化(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET),以其卓越性能在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域掀起波瀾
2025-02-18 16:47:25949

第四代半導(dǎo)體新進(jìn)展:4英寸氧化單晶導(dǎo)電型摻雜

生長(zhǎng)4英寸導(dǎo)電型氧化單晶仍沿用了細(xì)籽晶誘導(dǎo)+錐面放肩技術(shù),籽晶與晶體軸向平行于[010]晶向,可加工4英寸(010)面襯底,適合SBD等高功率器件應(yīng)用。 ? 在以碳化硅和氮化為主的第三代半導(dǎo)體之后,氧化被視為是下一代半導(dǎo)體的最佳材
2025-02-17 09:13:241340

半導(dǎo)體成功實(shí)現(xiàn)VB法4英寸氧化單晶導(dǎo)電摻雜

VB法4英寸氧化單晶導(dǎo)電型摻雜 2025年1月,杭州半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱“半導(dǎo)體”)基于自主研發(fā)的氧化專用晶體生長(zhǎng)設(shè)備進(jìn)行工藝優(yōu)化,采用垂直布里奇曼(VB)法成功實(shí)現(xiàn)4英寸氧化單晶
2025-02-14 10:52:40900

Nexperia共源共柵氮化(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的高級(jí)SPICE模型

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Nexperia共源共柵氮化(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的高級(jí)SPICE模型.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 15:23:257

聞泰科技深耕氮化推動(dòng)產(chǎn)業(yè)升級(jí)

隨著人工智能、數(shù)據(jù)中心、汽車電子等應(yīng)用領(lǐng)域的快速發(fā)展,第三代半導(dǎo)體——氮化(GaN)正迎來(lái)前所未有的發(fā)展機(jī)遇。聞泰科技已布局GaN領(lǐng)域多年,憑借卓越的創(chuàng)新能力不斷推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展,創(chuàng)造新的價(jià)值增量。
2025-02-10 17:15:041127

納微半導(dǎo)體氮化和碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈

近日,GaNFast氮化功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)今日宣布其氮化和碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈,為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。
2025-02-07 13:35:081231

二極晶體管的比較分析

在現(xiàn)代電子技術(shù)中,二極晶體管是兩種不可或缺的半導(dǎo)體器件。它們?cè)陔娐吩O(shè)計(jì)中有著廣泛的應(yīng)用,從簡(jiǎn)單的信號(hào)處理到復(fù)雜的集成電路。 二極 二極是一種兩端器件,其主要功能是允許電流單向流動(dòng)。它由一個(gè)P
2025-02-07 09:50:371618

意法半導(dǎo)體推出250W MasterGaN參考設(shè)計(jì)

為了加快能效和功率密度都很出色的氮化(GaN)電源(PSU)的設(shè)計(jì),意法半導(dǎo)體推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)的諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)。
2025-02-06 11:31:151133

互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)和作用

隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷逼近物理極限,傳統(tǒng)的平面晶體管(Planar FET)、鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)從平面晶體管到FinFET的演變,乃至全環(huán)繞柵或圍柵(GAA
2025-01-24 10:03:514437

測(cè)量探頭的 “溫漂” 問題,都是怎么產(chǎn)生的,以及對(duì)于氮化襯底厚度測(cè)量的影響

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)這片高精尖的領(lǐng)域中,氮化(GaN)襯底作為新一代芯片制造的核心支撐材料,正驅(qū)動(dòng)著光電器件、功率器件等諸多領(lǐng)域邁向新的高峰。然而,氮化襯底厚度測(cè)量的精準(zhǔn)度卻時(shí)刻面臨著一個(gè)來(lái)自暗處的挑戰(zhàn)
2025-01-22 09:43:37449

測(cè)量探頭的 “溫漂” 問題,對(duì)于氮化襯底厚度測(cè)量的實(shí)際影響

半導(dǎo)體制造這一微觀且精密的領(lǐng)域里,氮化(GaN)襯底作為高端芯片的關(guān)鍵基石,正支撐著光電器件、功率器件等眾多前沿應(yīng)用蓬勃發(fā)展。然而,氮化襯底厚度測(cè)量的準(zhǔn)確性卻常常受到一個(gè)隱匿 “敵手” 的威脅
2025-01-20 09:36:50404

不同的氮化襯底的吸附方案,對(duì)測(cè)量氮化襯底 BOW/WARP 的影響

在當(dāng)今高速發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)浪潮中,氮化(GaN)襯底宛如一顆耀眼的新星,憑借其卓越的電學(xué)與光學(xué)性能,在眾多高端芯片制造領(lǐng)域,尤其是光電器件、功率器件等方向,開拓出廣闊的應(yīng)用天地。然而,要想充分發(fā)揮
2025-01-17 09:27:36420

意法半導(dǎo)體推出全新40V MOSFET晶體管

意法半導(dǎo)體推出了標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管,新系列產(chǎn)品兼?zhèn)鋸?qiáng)化版溝槽柵技術(shù)的優(yōu)勢(shì)和出色的抗噪能力,適用于非邏輯電平控制的應(yīng)用場(chǎng)景。
2025-01-16 13:28:271022

氮化充電器和普通充電器有啥區(qū)別?

的代替材料就更加迫切。 氮化(GaN)被稱為第三代半導(dǎo)體材料。相比硅,它的性能成倍提升,而且比硅更適合做大功率器件、體積更小、功率密度更大。氮化芯片頻率遠(yuǎn)高于硅,有效降低內(nèi)部變壓器等原件體積,同時(shí)優(yōu)秀
2025-01-15 16:41:14

東科半導(dǎo)體集成雙氮化功率的有源鉗位反激電源管理芯片-DK8607AD

東科半導(dǎo)體集成雙氮化功率的有源鉗位反激電源管理芯片-DK8607AD一、產(chǎn)品概述:DK8607AD電源管理芯片是一款集成了兩顆GaN功率器件的有源鉗位反激控制AC-DC功率開關(guān)芯片
2025-01-10 16:29:49

Nexperia發(fā)布BJT雙極性晶體管應(yīng)用手冊(cè)

微電子學(xué)的基礎(chǔ),可以被認(rèn)為是大多數(shù)現(xiàn)代處理器的“原始單元”。如今,微電子行業(yè)經(jīng)歷了大規(guī)模創(chuàng)新,但半導(dǎo)體制造商每年仍會(huì)生產(chǎn)數(shù)十億個(gè)NPN和PNP雙極性晶體管,安裝在各種類型的電氣和電子設(shè)備中。
2025-01-10 16:01:501488

日本開發(fā)出用于垂直晶體管的8英寸氮化單晶晶圓

1月8日消息,日本豐田合成株式會(huì)社(Toyoda Gosei Co., Ltd.)宣布,成功開發(fā)出了用于垂直晶體管的 200mm(8英寸)氮化 (GaN)單晶晶圓。 據(jù)介紹,與使用采用硅基GaN
2025-01-09 18:18:221356

2025年功率半導(dǎo)體行業(yè):五大關(guān)鍵趨勢(shì)洞察

趨勢(shì)一:碳化硅(SiC)與氮化(GaN)大放異彩 在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,碳化硅(SiC)和氮化(GaN)宛如兩顆冉冉升起的新星,正以迅猛之勢(shì)改變著行業(yè)格局。 與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體相比,SiC
2025-01-08 16:32:155035

東科半導(dǎo)體集成雙氮化功率的不對(duì)稱半橋AC-DC-100W電源管理芯片-DK8710AD

東科半導(dǎo)體集成雙氮化功率的不對(duì)稱半橋AC-DC-100W電源管理芯片-DK8710AD一、產(chǎn)品概述DK87XXAD是一顆基于不對(duì)稱半橋架構(gòu),集成了兩顆氮化功率器件的AC-DC功率開關(guān)芯片
2025-01-08 15:33:07

半導(dǎo)體制造中的作用

隨著科技的飛速發(fā)展,半導(dǎo)體技術(shù)已經(jīng)成為現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)的基石。在眾多半導(dǎo)體材料中,因其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì),在半導(dǎo)體制造中占據(jù)了一席之地。 的基本性質(zhì) 是一種柔軟、銀白色的金屬,具有低熔點(diǎn)
2025-01-06 15:11:592707

英諾賽科登陸港交所,氮化功率半導(dǎo)體領(lǐng)域明星企業(yè)閃耀登場(chǎng)

近日,全球氮化(GaN)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者英諾賽科(2577.HK)成功登陸港交所主板,為港股市場(chǎng)增添了一枚稀缺且優(yōu)質(zhì)的投資標(biāo)的。 英諾賽科作為全球首家實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)8英吋硅基氮化晶圓的公司,其在
2025-01-06 11:29:141123

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