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基板貼換技術 - 超高輝度4元紅光LED特性分析

2011年11月04日 12:07 本站整理 作者:秩名 用戶評論(0
關鍵字:led(661777)
基板貼換技術如如圖4所示,(1)首先準備低缺陷AlGaInP磊晶硅晶圓,(2)接著將發(fā)光層黏貼至底部支撐基板,(3)最后從已經(jīng)貼合的晶圓去除GaAs基板,就可以在底部支撐基板上面形成具備發(fā)光層的結構。

  

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  初期特性

  有關金屬反射膜型發(fā)光二極管(MR Type LED)與受質基板型發(fā)光二極管(AS Type LED)的特性,兩芯片的外形都是300×300μm角柱形。

  圖5是這兩種發(fā)光二極管實際發(fā)光的照片,由照片可知,金屬反射膜型發(fā)光二極管的發(fā)光比受質基板型發(fā)光二極管亮。

  

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  如表1的金屬反射膜型發(fā)光二極管(MR Type LED)與受質基板型發(fā)光二極管(AS Type LED)初期特性比較一覽所示,順向電流20mA通電時的光束為1.92 lm,可以實現(xiàn)48 lm/W的發(fā)光效率,金屬反射膜型發(fā)光二極管(MR Type)比受質基板型發(fā)光二極管(AS Type),發(fā)光效率提高4倍以上。

  

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  圖6是上述兩種紅光LED的順向電流-光束特性,由圖可知,光線強度亦即光束對電流呈直線增加,即使受到發(fā)熱的影響,光輸出并未降低。

  

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  圖7是上述兩種紅光LED的順向電流-順向電壓特性,由圖可知,雖然金屬反射膜型發(fā)光二極管(MR Type)的順向電壓比受質基板型發(fā)光二極管 (AS Type)高,不過卻可以達成實用上要求的2.2V以下順向電壓(IF=20mA),證實即使是金屬反射膜結構,串聯(lián)阻抗同樣可以被充分削減。

  

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  晶圓面內(nèi)的分布

  發(fā)光二極管當作顯示用途并排使用的場合,如果光強度有分布不均,會引發(fā)輝度不均。

  此外定電壓驅動時要求相同的順向電壓,因此研究人員調查3英寸金屬反射膜型發(fā)光二極管 (MR Type)晶圓的光束,與順向電壓的面內(nèi)分布特性。

  

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( 發(fā)表人:小蘭 )

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