，用于研究突發(fā)脈沖磁場(chǎng)對(duì)IGBT模塊的干擾效應(yīng)。首先，通過(guò)等效電路模型表示IGBT模塊，隨后針對(duì)其易受干擾的區(qū)域進(jìn)行磁場(chǎng)仿真。仿真不同時(shí)間步長(zhǎng)的磁場(chǎng)分布、渦流分布、磁通密度以及IGBT模塊中的溫升。此外
2025-02-25 09:54:45
1679 
）的雙脈沖測(cè)試軟件 (WBG-DPT) 包含一種專為雙脈沖測(cè)試設(shè)計(jì)的新型消偏技術(shù)。這種新穎的方法與傳統(tǒng)方法截然不同，并且 速度顯著提升，可以將測(cè)試時(shí)間縮短數(shù)小時(shí) 。 該技術(shù)適用于使用FET（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）或IGBT（絕緣柵雙極晶體管）的功率轉(zhuǎn)換器
2025-06-25 17:17:021543 
雙脈沖測(cè)試是廣泛應(yīng)用于MOSFET和IGBT等功率開(kāi)關(guān)元件特性評(píng)估的一種測(cè)試方法。
2020-12-21 14:58:079335 
通常情況下，為了測(cè)試器件的動(dòng)態(tài)特性，我們都會(huì)搭建一個(gè)通用的雙脈沖測(cè)試平臺(tái)。測(cè)試平臺(tái)的功率回路部分包含了疊層母排、母線電容、待測(cè)功率器件和驅(qū)動(dòng)電路。雙脈沖測(cè)試電路的原理為半橋電路，如圖1所示。
2022-04-17 09:16:307931 雙脈沖測(cè)試是表征功率半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)特性的重要手段，適用于各類功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。
2022-10-12 15:32:583082 雙脈沖測(cè)試是表征功率半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)特性的重要手段，適用于各類功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。同時(shí)，這項(xiàng)測(cè)試發(fā)生在器件研發(fā)、器件生產(chǎn)、系統(tǒng)
2022-10-12 15:31:133901 IGBT作為一種功率開(kāi)關(guān)，從門(mén)級(jí)信號(hào)到器件開(kāi)關(guān)過(guò)程需要一定反應(yīng)時(shí)間，就像生活中開(kāi)關(guān)門(mén)太快容易擠壓手一樣，過(guò)短的開(kāi)通脈沖可能會(huì)引起過(guò)高的電壓尖峰或者高頻震蕩問(wèn)題。這種現(xiàn)象隨著IGBT被高頻PWM調(diào)制
2023-04-19 09:27:111891 通常我們對(duì)某款IGBT的認(rèn)識(shí)主要是通過(guò)閱讀相應(yīng)的datasheet，數(shù)據(jù)手冊(cè)中所描述的參數(shù)是基于一些已經(jīng)給定的外部參數(shù)條件測(cè)試得來(lái)的，而實(shí)際應(yīng)用中的外部參數(shù)都是個(gè)性化的，往往會(huì)有所不同，因此這些參數(shù)有些是不能直接拿來(lái)使用的。
2023-11-24 16:16:056340 
通過(guò)雙脈沖測(cè)試，可以得到IGBT的各項(xiàng)開(kāi)關(guān)參數(shù)。
2023-11-24 16:36:4216069 
利用IGBT雙脈沖測(cè)試電路，改變電壓及電流測(cè)量探頭的位置，即可對(duì)IGBT并聯(lián)的續(xù)流二極管（下文簡(jiǎn)稱FRD）的相關(guān)參數(shù)進(jìn)行測(cè)量與評(píng)估。
2023-11-24 16:52:102667 
轉(zhuǎn)換和功率控制的任務(wù)。為了保證電機(jī)控制器的性能和可靠性，需要對(duì)這些功率器件進(jìn)行嚴(yán)格的測(cè)試，其中就包括雙脈沖測(cè)試。
2024-12-19 10:29:261950 
在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子技術(shù)領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體器件的性能優(yōu)化至關(guān)重要。雙脈沖測(cè)試（DPT）作為一種關(guān)鍵的測(cè)試方法，為功率器件的動(dòng)態(tài)行為評(píng)估提供了精準(zhǔn)的手段。本文將深入解析雙脈沖測(cè)試的原理、應(yīng)用及泰克科技在這一領(lǐng)域的先進(jìn)解決方案，并介紹泰克專家高遠(yuǎn)新書(shū)的相關(guān)內(nèi)容。
2025-06-05 11:37:571161 
? ? 揚(yáng)杰科技干貨分享- 如何用雙脈沖測(cè)試更好的表征SiC MOS動(dòng)態(tài)能力？ ? 引言 隨著碳化硅（SiC）MOS產(chǎn)品的迭代發(fā)展，SiC MOS相比于Si IGBT的高頻應(yīng)用潛力得到越來(lái)越多工程師
2025-12-02 09:36:222300 
雙脈沖測(cè)試就是給被測(cè)器件兩個(gè)脈沖作為驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)，如圖1所示。第一個(gè)脈沖相對(duì)較寬，以獲得一定的電流。
2021-09-23 14:43:319641 
實(shí)際測(cè)試過(guò)程中可以用二極管替代。具體測(cè)試原理如下：圖2 雙脈沖測(cè)試原理及波形如圖2所示，在t0時(shí)刻，被測(cè)IGBT的門(mén)極接收到第一個(gè)脈沖，被測(cè)IGBT導(dǎo)通，母線電壓U加在負(fù)載電感L上，電感上的電流線
2019-09-11 09:49:33
各位好，想請(qǐng)教下雙脈沖測(cè)試的幾個(gè)參數(shù)問(wèn)題。項(xiàng)目所用IGBT是1200V 75A的單管，開(kāi)關(guān)頻率4kHz。初次接觸雙脈沖測(cè)試，有幾個(gè)疑問(wèn)：（1）測(cè)試時(shí)的最大電流是按額定75A來(lái)，還是150A
2019-11-06 20:47:30
有沒(méi)有大佬幫忙分析下，做雙脈沖測(cè)試的時(shí)候，第一個(gè)脈沖在關(guān)斷的時(shí)候，馬上要關(guān)完了，結(jié)果驅(qū)動(dòng)出現(xiàn)了震蕩，導(dǎo)致管子立馬又開(kāi)了，然后電流激增，直接就炸管了，這是什么問(wèn)題啊，圖上是波形和驅(qū)動(dòng)電路，求指導(dǎo)
2025-03-06 16:45:31
https://mp.weixin.qq.com/s/hR16FxSCcmrGDgItNhLDPw上述視頻包含以下三方面內(nèi)容：— IGBT并聯(lián)均流的影響因素— 六并聯(lián)測(cè)試雙脈沖測(cè)試步驟— 六并聯(lián)短路測(cè)試講師PPT見(jiàn)附件。
2020-06-28 11:21:33
性能影響較大，在調(diào)整該值時(shí)，除了理論計(jì)算外，工程師會(huì)結(jié)合雙脈沖試驗(yàn)的測(cè)試數(shù)據(jù)來(lái)驗(yàn)證并調(diào)整，以達(dá)到較好的開(kāi)關(guān)效果?！ ∽钚〉腞gon（開(kāi)通電阻）由開(kāi)通的di/dt限制；最小的Rgoff（關(guān)斷電阻）由關(guān)斷
2021-02-23 16:33:11
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T-NPC三電平電路的換流方式與雙脈沖測(cè)試方法
由于技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用的需要，T型三電平應(yīng)用越來(lái)越廣，我們開(kāi)發(fā)了IGBT7 1200V 62mm共發(fā)射極模塊，最大規(guī)格電流為800A
2024-05-08 23:11:59
IGBT在matlab仿真中柵極怎么連接？為什么我畫(huà)的IGBT的柵極和電源、PWM連接不上？
2018-11-15 13:26:27
pspice中怎么得到雙脈沖測(cè)試信號(hào)？可否通過(guò)軟件自帶的信號(hào)源得到？
2015-05-27 23:02:05
`一、實(shí)驗(yàn)儀器及硬件1、羅氏線圈電流探頭：2、多通道示波器及高壓差分探頭：3、手工繞制的空心電感：二、雙脈沖測(cè)試實(shí)驗(yàn)臺(tái)但是對(duì)于開(kāi)發(fā)電力電子裝置的工程師，無(wú)須專門(mén)搭建測(cè)試平臺(tái)，直接使用正在開(kāi)發(fā)中
2021-05-17 09:49:24
——測(cè)試平臺(tái)搭建泰克推出了IGBT Town功率器件支持單脈沖，雙脈沖及多脈沖測(cè)試方案，集成強(qiáng)大的發(fā)生裝置，數(shù)據(jù)測(cè)試裝置及軟件。用戶可以自定義測(cè)試條件，測(cè)試項(xiàng)目包含：Toff, td(off), tf
2020-02-14 11:16:06
本帖最后由 熊宇豪 于 2022-2-16 16:45 編輯
`在學(xué)習(xí)評(píng)估板的user guide之后，了解其基本功能和組成電路組成，首先對(duì)SiC管做雙脈沖測(cè)試考察其開(kāi)關(guān)特性。對(duì)于雙脈沖測(cè)試
2020-06-18 17:57:15
描述PMP10654 參考設(shè)計(jì)是適用于單個(gè) IGBT 驅(qū)動(dòng)器偏置的雙路隔離式輸出 Fly-Buck 電源模塊。兩個(gè)電壓軌適合向電動(dòng)汽車/混合動(dòng)力汽車和工業(yè)應(yīng)用的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器
2018-12-21 15:06:17
進(jìn)行到260A左右時(shí)，測(cè)試儀發(fā)現(xiàn)IGBT過(guò)流了，如果在進(jìn)行測(cè)試，恐怕?lián)p壞IGBT，自動(dòng)彈出過(guò)流報(bào)警信號(hào)，同時(shí)自動(dòng)停止測(cè)試脈沖，整個(gè)測(cè)試過(guò)程結(jié)束。 點(diǎn)擊確定，對(duì)話框關(guān)閉。第四步：數(shù)據(jù)處理；通過(guò)鼠標(biāo)
2015-03-11 13:51:32
大功率MOSFET、IGBT怎么雙脈沖測(cè)試，調(diào)門(mén)極電阻，急!急!急!急!急!急!
2021-02-24 17:38:39
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點(diǎn)？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
的開(kāi)關(guān)過(guò)程，進(jìn)而測(cè)量和分析器件的開(kāi)關(guān)特性，優(yōu)化器件的驅(qū)動(dòng)和應(yīng)用設(shè)計(jì)，并用于故障診斷和仿真模型的驗(yàn)證?！ ?b class="flag-6" style="color: red">雙脈沖測(cè)試中示波器與探頭的選擇 以MOSFET的半橋柵極驅(qū)動(dòng)電路為例，我們需要測(cè)試下管的Vds
2024-06-12 17:00:55
本帖最后由 張飛電子學(xué)院郭嘉 于 2021-2-25 14:58 編輯
雙脈沖測(cè)試方法的意義（1） 對(duì)比不同的IGBT 的參數(shù) ， 例如同 一 品牌的不同系列的產(chǎn)品的參數(shù)，或者是不同品牌
2021-02-25 10:43:27
著電能轉(zhuǎn)換和功率控制的任務(wù)。為了保證電機(jī)控制器的性能和可靠性，需要對(duì)這些功率器件進(jìn)行嚴(yán)格的測(cè)試，其中就包括雙脈沖測(cè)試。
案例簡(jiǎn)介 雙脈沖測(cè)試可以幫助工程師評(píng)估電機(jī)控制器中功率器件的開(kāi)關(guān)速度
2025-01-09 16:58:30
信號(hào)3、泰克示波器MSO5運(yùn)行IGBT town 軟件進(jìn)行設(shè)定和自動(dòng)測(cè)試三、測(cè)試說(shuō)明：采用雙脈沖法,用信號(hào)發(fā)生器設(shè)置脈寬為1uS,周期為2.5uS,脈沖次數(shù)為2次,示波器采用單次觸發(fā)。采用MSO58功率
2021-05-20 11:17:57
不是研究半導(dǎo)體的，很多參數(shù)也不知道！下面從內(nèi)部機(jī)理層面再來(lái)描述一下IGBT的關(guān)斷過(guò)程：首先看一下IGBT關(guān)斷之前內(nèi)部載流子的分布情況，圖5對(duì)應(yīng)圖4 中t0時(shí)刻以前，即通態(tài)下IGBT內(nèi)部載流子的分布情況
2023-02-13 16:11:34
外電路在電磁脈沖對(duì)雙極型晶體管作用過(guò)程中的影響:借助自主開(kāi)發(fā)的2維半導(dǎo)體器件-電路聯(lián)合仿真器，研究了電磁脈沖從發(fā)射極注入雙極型晶體管時(shí)，外電路的影響
2009-10-29 14:24:00
33 摘要:詳細(xì)地分析了IGBT驅(qū)動(dòng)脈沖變壓器的工作過(guò)程討論了影響驅(qū)動(dòng)信號(hào)形狀的因素指出驅(qū)動(dòng)電壓信號(hào)應(yīng)具有較緩的前沿、后沿陡度及合適的頂降并在此基礎(chǔ)上對(duì)脈沖變壓器的主要
2010-06-02 09:51:44199 全橋型IGBT脈沖激光電源
摘要：文章介紹高壓氙燈設(shè)計(jì)的IGBT脈沖式激光電源，詳細(xì)闡述了工作原理、設(shè)計(jì)方法和仿真過(guò)程，并給出實(shí)驗(yàn)波形。其主電路
2009-07-27 08:41:101382 
基于課題建設(shè)的需要，需對(duì)某型雷達(dá)脈沖調(diào)制器進(jìn)行固態(tài)化改造，為達(dá)到經(jīng)濟(jì)省時(shí)的目的，采用了設(shè)計(jì)與仿真的方法。應(yīng)用新型功率開(kāi)關(guān)器件IGBT替代電真空器件，設(shè)計(jì)了單片機(jī)控制的固
2011-05-05 15:56:3272 文章介紹高壓氙燈設(shè)計(jì)的 IGBT 脈沖式激光電源，詳細(xì)闡述了工作原理、設(shè)計(jì)方法和仿真過(guò)程，并給出實(shí)驗(yàn)波形。其主電路采用全橋 PWM 工作方式，該電源具有很高的可靠性和良好的動(dòng)態(tài)
2011-12-19 13:42:14101 提出了一種基于IGBT的高壓脈沖電源，系統(tǒng)由能源系統(tǒng)和脈沖產(chǎn)生回路構(gòu)成，由單片機(jī)來(lái)控制IGBT的觸發(fā)，其設(shè)計(jì)輸出為方波，電壓幅值在50 100 kV可調(diào)，脈沖寬度在l～10 s可調(diào)，頻率在1～
2011-12-19 14:04:33125 雙饋風(fēng)電機(jī)組LVRT測(cè)試技術(shù)仿真_張黎明
2017-01-02 15:44:461 特性，嚴(yán)重制約了其推廣應(yīng)用。從壓接式IGBT的封裝結(jié)構(gòu)和電氣特性出發(fā)，基于雙脈沖測(cè)試原理，設(shè)計(jì)并搭建壓接式IGBT模塊的動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)特性測(cè)試平臺(tái)。采用Ansoft Q3D軟件對(duì)測(cè)試平臺(tái)的雜散參數(shù)進(jìn)行仿真，分析雜散參數(shù)的分布特征、影響與提取方法，
2017-12-26 14:16:013 本文利用SystemView 軟件， 完成一個(gè)完整的PCM 語(yǔ)音通信系統(tǒng)。詳細(xì)地描述了SystemView通信系統(tǒng)仿真的過(guò)程和仿真的結(jié)果分析。本文的仿真過(guò)程可以很容易的推廣到其他的通信系統(tǒng)仿真，從而加深了對(duì)各種通信過(guò)程的原理認(rèn)識(shí)。
2019-01-15 15:44:0022 IGBT的雙脈沖測(cè)試(Double Pulse Test)-Micro_Grid，歡迎加入技術(shù)交流QQ群：電力電子技術(shù)與新能源 905724684，關(guān)注微信公眾號(hào)：電力電子技術(shù)與新能源（Micro_Grid）
2019-06-29 09:40:5357600 
1.對(duì)比不同的IGBT的參數(shù)，例如同一品牌的不同系列的產(chǎn)品的參數(shù)，或者是不同品牌的IGBT的性能。
2020-01-08 08:00:0048 來(lái)源：羅姆半導(dǎo)體社區(qū)? 前言 我們說(shuō)，IGBT的雙脈沖實(shí)驗(yàn)和短路實(shí)驗(yàn)一般都會(huì)在一個(gè)階段進(jìn)行，但是有的時(shí)候短路測(cè)試會(huì)被忽略，原因有些時(shí)候會(huì)直接對(duì)裝置直接實(shí)施短路測(cè)試，但是此時(shí)實(shí)際上并不是徹底和充分
2022-11-15 16:51:077995 通過(guò)雙脈沖測(cè)試評(píng)估 MOSFET 的反向恢復(fù)特性我們開(kāi)設(shè)了 Si 功率元器件的新篇章——“評(píng)估篇”。在“通過(guò)雙脈沖測(cè)試評(píng)估 MOSFET 的反向恢復(fù)特性”中，我們將通過(guò)雙脈沖測(cè)試來(lái)評(píng)估 MOSFET 體二極管的反向恢復(fù)特性，并確認(rèn) MOSFET 損耗情況。
2020-12-28 06:00:0024 激光傳感器在研發(fā)與生產(chǎn)測(cè)試中，需要對(duì)激光傳感器進(jìn)行脈沖仿真測(cè)試，在測(cè)試過(guò)程中需要一個(gè)高速脈沖電源，序列功能可以根據(jù)客戶要求，設(shè)定正脈沖電壓工作為3ms，整個(gè)周期為30ms。
2021-01-14 18:01:432684 前面已經(jīng)講述了VHDL語(yǔ)法和建模，VHDL程序作為硬件的描述語(yǔ)言，可以實(shí)現(xiàn)仿真測(cè)試，包括RTL門(mén)級(jí)仿真和布線布局后仿真。通過(guò)仿真，可以很容易驗(yàn)證VHDL程序以及其描述硬件的正確性。本章將講述如何建立VHDL程序的仿真模型和平臺(tái)，以及ⅤHDL語(yǔ)言的具體仿真過(guò)程
2021-01-20 17:03:5414 在IGBT開(kāi)關(guān)過(guò)程中通常用開(kāi)通延遲td（on）、關(guān)斷延遲td（off）、上升時(shí)間tr和下降時(shí)間tf來(lái)進(jìn)行描述。
2021-05-06 10:06:019694 
基于Systemview的脈沖編碼調(diào)制系統(tǒng)仿真(測(cè)試測(cè)量?jī)x器設(shè)備)-該文檔為基于Systemview的脈沖編碼調(diào)制系統(tǒng)仿真講解文檔，是一份不錯(cuò)的參考資料，感興趣的可以下載看看，，，，，，，，，，，，，，，，，
2021-09-30 12:14:1016 對(duì)雙脈沖測(cè)試的原理、參數(shù)解析、注意事項(xiàng)、測(cè)試意義等進(jìn)行詳細(xì)介紹分析
2022-05-05 16:34:0936 一般，我們是通過(guò)閱讀器件廠商提供的datasheet來(lái)了解一個(gè)器件的參數(shù)特性，但是datasheet中所描述的參數(shù)是在特定的外部參數(shù)條件測(cè)試得來(lái)的，因此這些參數(shù)不能都可以直接拿來(lái)使用的。因此可以通過(guò)雙脈沖測(cè)試，通過(guò)給定兩個(gè)脈沖來(lái)測(cè)試IGBT的開(kāi)關(guān)特性，進(jìn)而對(duì)器件性能進(jìn)行更準(zhǔn)確的評(píng)估。
2022-06-17 17:33:0135778 雙脈沖是分析功率開(kāi)關(guān)器件動(dòng)態(tài)特性的基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)方法，貫穿器件的研發(fā)，應(yīng)用和驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的設(shè)計(jì)。合理采用雙脈沖測(cè)試平臺(tái)，你可以在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中從容的調(diào)試驅(qū)動(dòng)電路，優(yōu)化動(dòng)態(tài)過(guò)程，驗(yàn)證短路保護(hù)。
雙脈沖測(cè)試基礎(chǔ)系列文章包括基本原理和應(yīng)用，對(duì)電壓電流探頭要求和影響測(cè)試結(jié)果的因素等。
2022-08-01 09:08:1114800 
雙脈沖測(cè)試(Double Pulse Test)是分析功率開(kāi)關(guān)器件動(dòng)態(tài)特性的常用測(cè)試，通過(guò)雙脈沖測(cè)試可以便捷的評(píng)估功率器件的性能，獲得穩(wěn)態(tài)和動(dòng)態(tài)過(guò)程中的主要參數(shù)，更好的評(píng)估器件性能，優(yōu)化驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)等等。
2022-11-04 14:06:275433 我們開(kāi)設(shè)了Si功率元器件的新篇章——“評(píng)估篇”。在“通過(guò)雙脈沖測(cè)試評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性”中，我們將通過(guò)雙脈沖測(cè)試來(lái)評(píng)估MOSFET體二極管的反向恢復(fù)特性，并確認(rèn)MOSFET損耗情況。
2023-02-10 09:41:084173 
一、雙脈沖測(cè)試。 雙脈沖測(cè)試硬件的基本框圖如上圖所示。 高壓源通過(guò)疊層母排與電容池連接，并給電容池充電。 低壓源給驅(qū)動(dòng)板供電，信號(hào)發(fā)生器給驅(qū)動(dòng)板發(fā)雙脈沖。 若發(fā)雙脈沖到IGBT模塊下管，則上管截止
2023-02-22 15:16:184 （一）IGBT雙脈沖測(cè)試的意義 對(duì)比不同IGBT的參數(shù)及性能； 獲取IGBT開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程的參數(shù)； 評(píng)估驅(qū)動(dòng)電阻是否合適； 開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程是否有不合適的震蕩； 評(píng)估二極管的反向恢復(fù)行為和安全裕量
2023-02-22 15:07:1519 開(kāi)通特性測(cè)試采用雙脈沖測(cè)試法。由計(jì)算機(jī)設(shè)定并控制輸出漏極電壓VDD值到被測(cè)器件的測(cè)試要求值（一般為被測(cè)器件額定電壓的1/2），設(shè)定±VGS到測(cè)試要求值，計(jì)算機(jī)控制接通開(kāi)關(guān)S1,并控制輸出被
測(cè)雙
2023-02-22 14:43:331 用的，只能當(dāng)做參考使用。
描述IGBT主要參數(shù)包括：ton，toff，Eon，Eoff，Isc，Irr，二極管的di/dt等。
要觀測(cè)這些參數(shù)，最有效的方法就是‘雙脈沖測(cè)試法’。
2023-02-22 14:25:005 ??在LTspice中沒(méi)有雙脈沖波形發(fā)生器，要做一個(gè)雙脈沖的波形只能用電壓源來(lái)進(jìn)行特殊設(shè)置，不是很方便，為此我寫(xiě)了一個(gè)雙脈沖波形發(fā)生器，有需要的可以下載。 雙脈沖波形發(fā)生器。 如下，該元器件可以
2023-02-23 15:47:208 該信號(hào)發(fā)生器主要用于IGBT單脈沖、雙脈沖、短路測(cè)試發(fā)波控制，使用單USB口連接，集成供電、發(fā)波控制、程序升級(jí)于一體，
上位機(jī)串口發(fā)波控制，可靈活控制發(fā)送1~200uS波形，最小精度1uS，同時(shí)提供+5V和+15V兩種電平方便匹配不同驅(qū)動(dòng)板，上位機(jī)
控制方便易上手配置簡(jiǎn)單。
2023-02-23 15:30:085 IGBT雙脈沖測(cè)試matlab仿真模型，電機(jī)控制器驅(qū)動(dòng)測(cè)試驗(yàn)證，學(xué)習(xí)驗(yàn)證igbt開(kāi)關(guān)特性.附贈(zèng)大廠資深工程師總結(jié)的雙脈沖測(cè)試驗(yàn)證資料，全部是實(shí)際項(xiàng)目總結(jié)。 鏈接：提取碼：fbif ? ? ?
2023-02-24 10:40:5731 1.對(duì)比不同的IGBT的參數(shù)，例如同一品牌的不同系列的產(chǎn)品的參數(shù)，或者是不同品牌的IGBT的性能。
2.獲取IGBT在開(kāi)關(guān)過(guò)程的主要參數(shù)，以評(píng)估Rgon及Rgoff的數(shù)值是否合適，評(píng)估是否需要配
2023-02-24 09:41:423 什么是窄脈沖現(xiàn)象IGBT作為一種功率開(kāi)關(guān)，從門(mén)級(jí)信號(hào)到器件開(kāi)關(guān)過(guò)程需要一定反應(yīng)時(shí)間，就像生活中開(kāi)關(guān)門(mén)太快容易擠壓手一樣，過(guò)短的開(kāi)通脈沖可能會(huì)引起過(guò)高的電壓尖峰或者高頻震蕩問(wèn)題。這種現(xiàn)象隨著IGBT被
2022-05-26 09:52:273761 
雙脈沖測(cè)試是一種用于測(cè)量電子設(shè)備的重要方法，其通過(guò)發(fā)送兩個(gè)相互獨(dú)立且短暫的脈沖信號(hào)來(lái)分析設(shè)備的性能和可靠性。在進(jìn)行雙脈沖測(cè)試時(shí)，我們需要注意一些重要事項(xiàng)，以確保測(cè)試的準(zhǔn)確性和可重復(fù)性。 首先，進(jìn)行雙
2023-07-03 11:45:271807 
雙脈沖測(cè)試是表征功率半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)特性的重要手段，適用于各類功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。
2023-07-12 15:55:151336 
進(jìn)行雙脈沖測(cè)試的主要目的是獲得功率半導(dǎo)體的開(kāi)關(guān)特性，可以說(shuō)它伴隨著功率器件從研發(fā)制造到應(yīng)用的整個(gè)生命周期。
2023-07-12 16:09:105853 
根據(jù)用戶在寬禁帶、雙脈沖測(cè)試遇到的種種問(wèn)題，安泰配置齊全的儀器、軟件、探頭和服務(wù)，加快有關(guān) SiC 和 GaN 功率器件與系統(tǒng)的驗(yàn)證。 通過(guò)以下方式幫助您提高系統(tǒng)性能： 符合 JEDEC 和 IEC
2023-07-07 18:08:361262 
了性能各異的IGBT產(chǎn)品。為了優(yōu)化和驗(yàn)證組件性能以及對(duì)不同IGBT的性能驗(yàn)證，我們引入了雙脈沖測(cè)試方法，借此工具我們可以實(shí)現(xiàn)以下具體功能:
2023-09-15 10:09:322891 
，不同的IGBT技術(shù)也造就了不同性能的IGBT產(chǎn)品。為了優(yōu)化和驗(yàn)證元器件的性能，驗(yàn)證不同IGBT的性能，我們引入了雙脈沖測(cè)試方法。通過(guò)這個(gè)工具，我們可以實(shí)現(xiàn)以下具體功能： 詳細(xì)了解IGBT參數(shù)，如Eon、Eoff、Tdon、Tdoff、Tr、Tf、貼片開(kāi)關(guān)特性等。本次測(cè)試的意義在于
2023-10-13 10:34:334422 
點(diǎn)擊上方 “泰克科技” 關(guān)注我們！ ■?? 雙脈沖測(cè)試? 雙脈沖測(cè)試中一個(gè)重要目標(biāo)是，準(zhǔn)確測(cè)量能量損耗。在示波器中進(jìn)行準(zhǔn)確的功率、能量測(cè)試，關(guān)鍵的一步是在電壓探頭和電流探頭之間進(jìn)行校準(zhǔn)，消除時(shí)序偏差
2023-11-02 12:15:011316 
開(kāi)關(guān)器件，常用于控制高電壓和高電流的電力電子設(shè)備中。IGBT短路測(cè)試是在IGBT生產(chǎn)和維修過(guò)程中常用的一項(xiàng)關(guān)鍵測(cè)試，旨在檢測(cè)IGBT是否存在電路短路故障。 IGBT短路測(cè)試平臺(tái)是一種用于進(jìn)行IGBT
2023-11-09 09:18:293948 對(duì)比不同IGBT的參數(shù)及性能；
獲取IGBT開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程的參數(shù)；
評(píng)估驅(qū)動(dòng)電阻是否合適；
開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程是否有不合適的震蕩；
2023-11-10 09:12:328494 
驅(qū)動(dòng)器源極引腳的效果：雙脈沖測(cè)試比較
2023-12-05 16:20:07896 
、電氣工程等領(lǐng)域，對(duì)于新材料的研發(fā)和應(yīng)用具有重要意義。 一、雙脈沖測(cè)試原理的基本概念 脈沖電壓：脈沖電壓是指在一定時(shí)間范圍內(nèi)，電壓由零迅速上升到最大值，然后緩慢下降到零的過(guò)程。脈沖電壓的形狀可以是方波、矩形波或三
2023-12-30 11:47:005602 
雙脈沖測(cè)試(DPT)是一種被廣泛接受的評(píng)估功率器件動(dòng)態(tài)特性的方法。以IGBT在兩電平橋式電路中應(yīng)用為例，如下圖，通過(guò)調(diào)節(jié)直流母線電壓和第一個(gè)脈沖持續(xù)時(shí)間，可以在第一個(gè)脈沖結(jié)束和第二個(gè)脈沖開(kāi)始時(shí)捕捉到
2024-01-18 08:13:437633 雙脈沖測(cè)試的基本原理是什么？雙脈沖測(cè)試可以獲得器件哪些真實(shí)參數(shù)？ 雙脈沖測(cè)試是一種常用的測(cè)試方法，用于測(cè)量和評(píng)估各種器件的性能和特性。它基于一種簡(jiǎn)單而有效的原理，通過(guò)發(fā)送兩個(gè)脈沖信號(hào)并分析其響應(yīng)來(lái)
2024-02-18 09:29:233717 ），并測(cè)量其響應(yīng)來(lái)工作。 雙脈沖測(cè)試是一種專門(mén)用于評(píng)估功率開(kāi)關(guān)元件，如MOSFET和IGBT的開(kāi)關(guān)特性及與之并聯(lián)的體二極管或快速恢復(fù)二極管（FRD）的反向恢復(fù)特性的測(cè)試方法。這種測(cè)試特別適用于分析在導(dǎo)通過(guò)程中由于反向恢復(fù)現(xiàn)象而產(chǎn)生損耗的電路。 通過(guò)施加兩連
2024-02-23 15:56:2710453 
上一篇我們分析了《I-NPC三電平電路的雙脈沖與短路測(cè)試方法》，對(duì)于T-NPC拓?fù)鋪?lái)說(shuō)也是類似的，我們接著來(lái)看。1T-NPC三電平電路的換流方式與雙脈沖測(cè)試方法由于技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用的需要，T型三電平
2024-02-26 08:13:164233 對(duì)于經(jīng)驗(yàn)豐富的專業(yè)人士來(lái)說(shuō)，不言而喻的事情有時(shí)可能會(huì)給經(jīng)驗(yàn)不足的人帶來(lái)誤解。作為測(cè)試設(shè)備制造商，我們意識(shí)到用戶對(duì)雙脈沖測(cè)試有不同的看法。
2024-03-11 14:39:002371 
雙脈沖測(cè)試是電力變壓器和互感器的一種常見(jiàn)測(cè)試方法，其主要目的是評(píng)估設(shè)備的性能和準(zhǔn)確性，確保其符合設(shè)計(jì)要求和運(yùn)行標(biāo)準(zhǔn)。
2024-03-11 16:01:555996 
雙脈沖測(cè)試系統(tǒng)：該系統(tǒng)用于產(chǎn)生所需的雙脈沖信號(hào)，以模擬實(shí)際工作中的開(kāi)關(guān)動(dòng)作。它能夠精確地控制脈沖的寬度、幅度和頻率，以滿足測(cè)試需求。
2024-03-11 16:09:215204 
雙脈沖測(cè)試是一個(gè)用于測(cè)試高壓設(shè)備的重要方法，而高壓差分探頭在雙脈沖測(cè)試中扮演著重要的角色。它能夠測(cè)量高壓系統(tǒng)中的電位差，并幫助人們?cè)\斷系統(tǒng)中的問(wèn)題。不過(guò)，在高壓差分探頭的使用過(guò)程中，也會(huì)遇到一些問(wèn)題
2024-03-19 09:55:061170 
IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）的開(kāi)關(guān)過(guò)程是其作為電力電子器件核心功能的重要組成部分，直接決定了電力變換系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定性和可靠性。以下是對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)過(guò)程的詳細(xì)分析，包括開(kāi)啟過(guò)程和關(guān)斷過(guò)程，以及影響這些過(guò)程的關(guān)鍵因素。
2024-07-26 17:31:363148 絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）作為電力電子領(lǐng)域中至關(guān)重要的元件，其關(guān)斷過(guò)程的分析對(duì)于理解其性能和應(yīng)用至關(guān)重要。IGBT結(jié)合了雙極型晶體管（BJT）和場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的優(yōu)勢(shì)，具有導(dǎo)通特性好
2024-07-26 18:03:566876 
寬禁帶半導(dǎo)體作為第三代半導(dǎo)體功率器件，在電源處理器中充當(dāng)了越來(lái)越重要的角色。其具有能量密度高、工作頻率高、操作溫度高等先天優(yōu)勢(shì)，成為各種電源或電源模塊的首選。而其中功率半導(dǎo)體上下管雙脈沖測(cè)試，成為動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試的最經(jīng)典評(píng)估項(xiàng)目。
2024-08-06 17:30:502038 
圍繞 SiC 和 GaN MOSFET 構(gòu)建的新型電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)需要精心設(shè)計(jì)和測(cè)試以優(yōu)化性能。 雙脈沖測(cè)試 (DPT) 可有效測(cè)量開(kāi)啟、關(guān)閉和反向恢復(fù)期間的一系列重要參數(shù)。設(shè)置和執(zhí)行這些測(cè)量可以手動(dòng)
2024-09-30 08:57:34951 
）及全控型（IGBT、MOSFET 為主）。其中IGBT（絕緣柵雙極晶體管）被廣泛應(yīng)用于中、高電壓及大電流場(chǎng)合的功率半導(dǎo)體器件。它綜合了 MOSFET和雙極晶體管的優(yōu)點(diǎn)，具有導(dǎo)通壓降低、開(kāi)關(guān)速度快、電流和電壓定額高等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于變頻
2024-11-24 15:02:121698 
IGBT雙脈沖實(shí)驗(yàn) 1.1 IGBT雙脈沖實(shí)驗(yàn)?zāi)康?1、通過(guò)實(shí)驗(yàn)獲取IGBT驅(qū)動(dòng)板及IGBT模塊的主要?jiǎng)討B(tài)參數(shù)，如延時(shí)、上升、下降時(shí)間、開(kāi)關(guān)損耗等； 2、通過(guò)實(shí)驗(yàn)獲得功率組件設(shè)計(jì)中濾波電容、吸收電容
2025-01-27 18:10:002623 
是否過(guò)關(guān)，雙脈沖測(cè)試（Double Pulse Test）成為了一項(xiàng)重要的測(cè)試手段。本文將詳細(xì)介紹IGBT雙脈沖測(cè)試的原理、意義、實(shí)驗(yàn)設(shè)備、測(cè)試步驟以及數(shù)據(jù)分析，以期為相關(guān)技術(shù)人員提供參考。
2025-02-02 13:59:003196 IGBT雙脈沖測(cè)試方法的意義和原理 IGBT雙脈沖測(cè)試方法的意義： 1.對(duì)比不同的IGBT的參數(shù)； 2.評(píng)估IGBT驅(qū)動(dòng)板的功能和性能； 3.獲取IGBT在開(kāi)通、關(guān)斷過(guò)程的主要參數(shù)，以評(píng)估Rgon
2025-01-28 15:44:008855 
關(guān)鍵詞：雙脈沖測(cè)試，上管測(cè)試，下管測(cè)試，電源完整性測(cè)試套件寬禁帶半導(dǎo)體作為第三代半導(dǎo)體功率器件的代表，正在電源處理領(lǐng)域發(fā)揮著日益重要的作用。這類材料憑借其高能量密度、高工作頻率以及耐高溫等天然優(yōu)勢(shì)
2025-04-11 15:00:14797 
1. 產(chǎn)品概述 產(chǎn)品簡(jiǎn)介 本同軸分流器SC-CS10是一種用于射頻/微波信號(hào)功率分配的無(wú)源器件，常用于功率器件(IGBT、MOSFET等)動(dòng)態(tài)雙脈沖測(cè)試，可將輸入信號(hào)按特定比例分流至多個(gè)輸出端口
2025-04-30 12:00:12762 
IGBT產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)較多，一般會(huì)包含如下幾種類型參數(shù)：靜態(tài)參數(shù)，動(dòng)態(tài)參數(shù)，熱參數(shù)。動(dòng)態(tài)測(cè)試，主要是用于測(cè)試IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)，目前，主要采用雙脈沖測(cè)試方案。其測(cè)試主要方法是，加載脈沖電壓，用獲取IGBT在開(kāi)啟，或者關(guān)閉瞬間的電壓，電流變化情況，并計(jì)算出相應(yīng)的參數(shù)
2025-06-26 16:26:161332 
至關(guān)重要。特別是在雙脈沖測(cè)試中，光隔離探頭不僅確保了測(cè)試的安全性，還提高了測(cè)試測(cè)量的準(zhǔn)確性和可靠性。本文將深入探討光隔離探頭在雙脈沖測(cè)試中不可或缺的原因。 雙脈沖測(cè)試的作用 雙脈沖測(cè)試（DPT）是一種用于評(píng)估電力電子器件如IGBT（絕緣柵
2025-11-14 16:46:063489 
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