美國SemiSouth Laboratories公司發(fā)布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產(chǎn)品,均為常開型功率元件。耐壓為650V的產(chǎn)品名稱為“SJDA065R055”,導(dǎo)通電阻為55mΩ,漏電流在室溫時(shí)(25℃)為30A,在
2012-05-21 10:31:01
2900 輔助電源是電機(jī)驅(qū)動、光伏逆變器和 UPS 系統(tǒng)等工業(yè)應(yīng)用的重要組成部分。高壓直流總線轉(zhuǎn)換為 5 V 至 48 V 直流電源,為控制電路、傳感電路、冷卻風(fēng)扇、SELV 電路等供電。在這些應(yīng)用中,電源
2022-08-03 09:11:51
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遠(yuǎn)山半導(dǎo)體在連續(xù)推出幾款高壓GaN器件后,最終將他們最新款產(chǎn)品的額定電壓推向1700V,相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器件常見的電流崩塌問題,他們采用特有的極化超級結(jié)
2025-01-14 09:42:28
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在高耐壓范圍中,SiC MOSFET與Si-MOSFET相比,具有“開關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗小”、“可支持大功率”、“耐溫度變化”等優(yōu)勢。基于這些優(yōu)勢,當(dāng)SiC-MOSFET用于AC/DC轉(zhuǎn)換器和DC
2019-04-24 12:46:44
2725 1700V MOSFET裸片、分立器件和功率模塊器件等碳化硅產(chǎn)品陣容擴(kuò)大了設(shè)計(jì)人員對效率和功率密度的選擇范圍
2021-07-28 14:47:03
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PI看到了電動車的這個(gè)發(fā)展趨勢,因此在近期推出了全新的InnoSwitch3-AQ產(chǎn)品,該產(chǎn)品采用碳化硅(SiC)初級開關(guān)MOSFET的汽車級開關(guān)電源IC,將耐壓值提高到了1700V。
2022-02-18 09:33:22
6765 豐富了公司的產(chǎn)品系列,彰顯了芯塔電子在國內(nèi)SiC領(lǐng)域的競爭力。目前,該產(chǎn)品已經(jīng)給國內(nèi)軍工、新能源汽車、光伏儲能、充電樁等領(lǐng)域頭部企業(yè)進(jìn)行了銷售。 芯塔電子新一代SiC MOSFET晶圓及器件 ? ?芯塔電子新一代SiC MOSFET基于XM2.0自主技術(shù)平臺。技術(shù)團(tuán)隊(duì)歷經(jīng)數(shù)月的辛
2022-08-29 15:08:57
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潮,令800V平臺、SiC電驅(qū)開始打進(jìn)20萬內(nèi)的市場,SiC也進(jìn)一步能夠加速在市場上普及。 ? 最近兩家國內(nèi)廠商又有多款SiC MOSFET產(chǎn)品通過了車規(guī)級認(rèn)證,這將繼續(xù)推動SiC功率器件量產(chǎn)上車。 ? 瞻芯電子 ? 瞻芯電子3月8日宣布,由公司開發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)
2024-03-13 01:17:00
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,此前的業(yè)界首創(chuàng)產(chǎn)品是Power Integrations于2023年推出的900V和1250V器件。1700V InnoMux-2 IC可在反激設(shè)計(jì)中輕松支持1
2024-11-05 10:56:55
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? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/莫婷婷)從硅產(chǎn)品、碳化硅產(chǎn)品,再到氮化鎵的功率變換開關(guān)產(chǎn)品,PI都走在行業(yè)前列。近期,PI推出InnoMux?-2系列單級、獨(dú)立調(diào)整多路輸出離線式電源IC——1700V氮化
2024-11-18 08:57:00
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CRD-060DD12P,用于單端反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)的演示板,采用市售的1700V碳化硅(SiC)MOSFET,取代傳統(tǒng)的雙開關(guān)反激式轉(zhuǎn)換器,用于三相應(yīng)用的高壓輸入輔助電源。演示板不是專為產(chǎn)品而設(shè)計(jì)的,僅用作評估Cree開關(guān)設(shè)備性能的工具
2019-04-30 07:42:31
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅(qū)動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
。如果是相同設(shè)計(jì),則與芯片尺寸成反比,芯片越小柵極電阻越高。同等能力下,SiC-MOSFET的芯片尺寸比Si元器件的小,因此柵極電容小,但內(nèi)部柵極電阻增大。例如,1200V 80mΩ產(chǎn)品(S2301為裸芯片
2018-11-30 11:34:24
、SJ-MOSFET的10分之1,就可以實(shí)現(xiàn)相同的導(dǎo)通電阻?! 〔粌H能夠以小封裝實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻,而且能夠使門極電荷量Qg、結(jié)電容也變小?! J-MOSFET只有900V的產(chǎn)品,但是SiC卻能夠以很低
2023-02-07 16:40:49
的導(dǎo)通電阻。不僅能夠以小封裝實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻,而且能夠使門極電荷量Qg、結(jié)電容也變小。SJ-MOSFET只有900V的產(chǎn)品,但是SiC卻能夠以很低的導(dǎo)通電阻輕松實(shí)現(xiàn)1700V以上的耐壓。因此,沒有必要再
2019-04-09 04:58:00
問題。(※在SBD和MOSFET的第一象限工作中不會發(fā)生這類問題)ROHM通過開發(fā)不會擴(kuò)大堆垛層錯的獨(dú)特工藝,成功地確保了體二極管通電的可靠性。在1200V 80Ω的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品中,實(shí)施了
2018-11-30 11:30:41
作的。全橋式逆變器部分使用了3種晶體管(Si IGBT、第二代SiC-MOSFET、上一章介紹的第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET),組成相同尺寸的移相DCDC轉(zhuǎn)換器,就是用來比較各產(chǎn)品效率的演示機(jī)
2018-11-27 16:38:39
的穩(wěn)健性、可靠性、高頻應(yīng)用中的瞬時(shí)振蕩以及故障處理等問題。這就需要工程師深入了解SiC MOSFET的工作特征及其對系統(tǒng)設(shè)計(jì)的影響。如圖1所示,與同類型的Si MOSFET相比,900V的SiC
2019-07-09 04:20:19
可以很快期待Littelfuse和英飛凌的產(chǎn)品?! D5:各供應(yīng)商的SiC MOSFET開發(fā)活動現(xiàn)狀?! 《嘈酒β誓K也是SiC世界中客戶和供應(yīng)商之間的熱門話題。圖6也摘自Yole的D
2023-02-27 13:48:12
產(chǎn)品系列包括以下SiC MOSFET:1200V 80/120 /160mΩ和1700V750mΩ,均采用TO247-3L封裝。其他器件很快將在同一封裝中投入生產(chǎn),加上類似器件將采用TO247-4L
2019-07-30 15:15:17
在內(nèi)的各種應(yīng)用中的采用。當(dāng)前的SiC-SBD產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分為耐壓為650V與1200V、額定電流為5A~40A的產(chǎn)品,具體因封裝而異。其概要如下表所示。另外,ROHM正在開發(fā)650V產(chǎn)品可支持達(dá)100A
2018-12-04 10:09:17
的導(dǎo)通電阻。不僅能夠以小封裝實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻,而且能夠使門極電荷量Qg、結(jié)電容也變小。SJ-MOSFET只有900V的產(chǎn)品,但是SiC卻能夠以很低的導(dǎo)通電阻輕松實(shí)現(xiàn)1700V以上的耐壓。因此,沒有必要再
2019-05-07 06:21:55
實(shí)現(xiàn)高電流、高開關(guān)頻率和高效率 將于6月5日至7日在PCIM歐洲電力電子展的6號展廳318展臺 展示采用全新低電感封裝的五個(gè)標(biāo)準(zhǔn)模塊的完整產(chǎn)品線 致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供
2018-10-23 16:22:24
是48*0.35 = 16.8V,負(fù)載我們設(shè)為0.9Ω的阻值,通過下圖來看實(shí)際的輸入和輸出情況:圖4 輸入和輸出通過電子負(fù)載示數(shù),輸出電流達(dá)到了17A。下面使用示波器測試SIC-MOSFET管子的相關(guān)
2020-06-10 11:04:53
要充分認(rèn)識 SiC MOSFET 的功能,一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進(jìn)行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍,具有更高的電流密度,能夠以 10 倍的更快速度在導(dǎo)通和關(guān)斷
2017-12-18 13:58:36
1700V耐壓的產(chǎn)品。Si-PND通過在n-層積蓄少數(shù)載流子空穴而使電阻值下降,因此可同時(shí)實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過Si-SBD的高耐壓與低電阻,但關(guān)斷速度較慢。盡管FRD是Si-PND中提高了速度的產(chǎn)品,但其trr
2018-11-29 14:33:47
業(yè)內(nèi)先進(jìn)的 AC/DC轉(zhuǎn)換器IC ,采用 一體化封裝 ,已將1700V耐壓的SiC MOSFET*和針對其驅(qū)動而優(yōu)化的控制電路內(nèi)置于 小型表貼封裝 (TO263-7L)中。主要適用于需要處理大功率
2022-07-27 11:00:52
:?全SiC功率模塊由ROHM自主生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD組成。?與Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。?全SiC功率模塊正在不斷進(jìn)化,最新產(chǎn)品搭載了最新的第三代SiC-MOSFET。
2018-11-27 16:38:04
二極管方面已經(jīng)做出了許多努力。這些新一代二極管的主要開發(fā)采用體晶圓、薄晶圓技術(shù)、n+背表面接觸、激光退火和多質(zhì)子注入,均用于二極管制造[1-5]。本文介紹了具有不同額定電流的1700V軟恢復(fù)二極管。具有尾
2023-02-27 09:32:57
ROHM一直專注于功率元器件的開發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”,是實(shí)現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備
2018-12-04 10:11:25
ROHM一直專注于功率元器件的開發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”,是實(shí)現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備
2018-12-05 10:01:25
` 本帖最后由 電子發(fā)燒友doodle 于 2017-3-2 14:14 編輯
2月的最后一天,小米發(fā)布了旗下第一代松果處理器:澎湃S1。該款處理器是由小米和聯(lián)芯共同設(shè)計(jì)完成的,性能配置就不
2017-03-02 14:11:54
的產(chǎn)品線涉及基礎(chǔ)核心技術(shù)產(chǎn)品、碳化硅成型產(chǎn)品以及多套行業(yè)解決方案。公司基礎(chǔ)核心產(chǎn)品以碳化硅肖特基二極管為代表,其中650V/3A~100A,1200V/2A~50A和1700V/3300V等系列的碳化硅
2018-03-12 14:55:36
的行列中,推出相關(guān)產(chǎn)品。
國內(nèi)規(guī)模比較大的有華潤微、派恩杰、楊杰科技等都有SiCMOSFET產(chǎn)品,而更多的初創(chuàng)企業(yè)也在進(jìn)入車規(guī)SiCMOSFET賽道。比如芯塔電子自主研發(fā)的1200V/80m
2024-01-19 14:55:55
的行列中,推出相關(guān)產(chǎn)品。
國內(nèi)規(guī)模比較大的有華潤微、派恩杰、楊杰科技等都有SiCMOSFET產(chǎn)品,而更多的初創(chuàng)企業(yè)也在進(jìn)入車規(guī)SiCMOSFET賽道。比如芯塔電子自主研發(fā)的1200V/80m
2024-01-19 14:53:16
采用雙溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET,與正在量產(chǎn)中的第2代平面型(DMOS結(jié)構(gòu))SiC-MOSFET相比,導(dǎo)通電阻降低約50%,輸入電容降低約35%。實(shí)際的SiC-MOSFET產(chǎn)品下面是可供
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入,但還處于開發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
CRD-060DD17P-2,采用市售1700V碳化硅(SiC)MOSFET的單端反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)演示板。該設(shè)計(jì)采用1700V SiC MOSFET,采用新型7LD2PAK表面貼裝封裝,占板面
2019-04-29 09:25:59
1700V?SiC MOSFET+AC/DC轉(zhuǎn)換器 評估板BD7682FJ-EVK-401為三相AC400~690V輸入 24V/1A輸出,搭載了ROHM適用于大功率工業(yè)設(shè)備的1700V高耐壓SiC
2020-02-20 11:50:40
使用的N-ch 1700V 3.7A的SiC-MOSFET:SCT2H12NZ(右)的導(dǎo)通電阻與VGS特性比較圖。從比較圖中可以看出,上述IC的柵極驅(qū)動電壓在每種MOSFET將要飽和前變?yōu)閂GS。由于該比較不是
2018-11-27 16:54:24
(IPS-RA)4. 航空級智能功率開關(guān)(IPS-AA)納/ 微電網(wǎng)與航空電子5.用于奈米/微電網(wǎng)V2G/V2H的高效雙向SiC功率轉(zhuǎn)換器6.航空電子逆變器。航空電子7. LiPo介面8.引擎控制器- 逆變器該
2019-06-27 04:20:26
損耗。最新的模塊中采用第3代SiC-MOSFET,損耗更低。采用第3代SiC-MOSFET,損耗更低組成全SiC功率模塊的SiC-MOSFET在不斷更新?lián)Q代,現(xiàn)已推出新一代產(chǎn)品的定位–采用溝槽結(jié)構(gòu)的第3代產(chǎn)品
2018-12-04 10:11:50
驅(qū)動1700V IGBT的幾種高性能IC 選型設(shè)計(jì):通過對幾種常用的1700V IGBT 驅(qū)動專用集成電路進(jìn)行詳細(xì)的分析,對M579 系列和CONCEPT 公司的2SD 系列進(jìn)行深入的討論,給出了電氣特性參數(shù)和內(nèi)部
2009-06-19 20:29:52
40 華潤微電子有限公司旗下的華潤上華科技有限公司(后簡稱“華潤上華”)宣布已開發(fā)完成600V和1700V Planar NPT IGBT(平面非穿通型絕緣柵雙極晶體管)以及600V Trench PT IGBT(溝槽穿通型絕緣
2012-05-29 08:47:48
2638 羅姆日前發(fā)布了耐壓為1200V的第二代SiC制MOSFET產(chǎn)品(圖1)。特點(diǎn)是與該公司第一代產(chǎn)品相比提高了可靠性、降低了單位面積的導(dǎo)通電阻,以及備有將SiC制肖特基勢壘二極管(SBD)和SiC制
2012-06-18 09:58:53
1938 近日,中科院微電子研究所微波器件與集成電路研究室(四室)碳化硅電力電子器件研究團(tuán)隊(duì)在SiC MOSFET器件研制方面取得重要進(jìn)展,成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET
2017-11-08 15:14:36
37 近日,中科院微電子研究所微波器件與集成電路研究室(四室)碳化硅電力電子器件研究團(tuán)隊(duì)在SiC MOSFET器件研制方面取得重要進(jìn)展,成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET器件。
2018-04-20 11:33:00
2379 Littelfuse公司近期推出了首款1700V SiC 器件,使其在碳化硅(SiC)MOSFET上的產(chǎn)品更加豐富。
2018-09-26 11:32:17
4502 今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000,擴(kuò)充了其碳化硅MOSFET器件組合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET產(chǎn)品
2018-10-23 11:34:37
6278 支持電動和混合動力汽車、數(shù)據(jù)中心和輔助電源等高頻、高效電源控制應(yīng)用 Littelfuse公司,今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000,擴(kuò)充了其碳化硅MOSFET器件組合。
2018-11-03 11:02:41
5483 ROHM面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測試儀等評估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器,開發(fā)出實(shí)現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。
2019-04-24 13:06:52
3238 昨天聚芯微電子發(fā)布了國內(nèi)首顆自主研發(fā)、背照式、高分辨率、用于3D成像的飛行時(shí)間(ToF)傳感器芯片。
2020-03-11 14:40:24
5550 近日,安徽云塔電子科技有限公司(以下簡稱“云塔科技”)聯(lián)合中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院,發(fā)布了其自主研制的5G毫米波濾波器。
2020-04-10 16:49:28
3067 參考板"REF_62W_FLY_1700V_SiC"是為支持客戶采用SIC MOSFET設(shè)計(jì)輔助電源而開發(fā)的。該參考板旨在支持客戶為三相系統(tǒng)設(shè)計(jì)輔助電源,工作電壓范圍在200VDC至1000VDC
2021-09-07 14:11:03
3834 
在開關(guān)頻率、散熱、耐壓、功率密度方面優(yōu)勢更為凸顯。 下文主要對國產(chǎn)SiC MOSFET進(jìn)行介紹并與國外相近參數(shù)的主流產(chǎn)品相對比。 國產(chǎn)1700V SiC MOSFET 派恩杰2018年開始專注于第三代半導(dǎo)體SiC、GaN的功率器件的研究。公司成立半年后就研制出了首款650V GaN功率器件,在基于
2021-09-16 11:05:37
5747 ?東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊:額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”;額定電壓為1700V、額定漏極
2022-02-01 20:22:02
5818 Power Integrations今日發(fā)布兩款新器件,為InnoSwitch3-AQ產(chǎn)品系列新添兩款符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)、額定電壓1700V的IC。這些新器件是業(yè)界首款采用碳化硅(SiC)初級
2022-02-16 14:10:12
2674 近期,華潤微重磅發(fā)布自主研發(fā)量產(chǎn)的SiC MOSFET產(chǎn)品,這是華潤微繼去年SiC二極管產(chǎn)品上市后的又一大作,進(jìn)一步豐富了公司的SiC產(chǎn)品系列,是公司在寬禁帶領(lǐng)域的又一里程碑。
2022-03-28 16:20:08
2590 (SiC)初級開關(guān) MOSFET。這些新設(shè)備可產(chǎn)生高達(dá) 70 瓦的輸出功率,用于 600 和 800 伏電池和燃料電池電動乘用車,以及電動巴士、卡車和一系列工業(yè)電源應(yīng)用。InnoSwitch3-AQ
2022-07-29 08:07:27
2204 
相比于硅基高壓器件,碳化硅開關(guān)器件擁有更小的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗。電力電子系統(tǒng)需要輔助電源部分用來驅(qū)動功率器件,為控制系統(tǒng)及散熱系統(tǒng)等提供電源。額定電壓1700V的SiC MOSFET為高壓輔助電源提供了設(shè)計(jì)更簡單,成本更低的解決方案。
2022-08-01 14:18:58
4654 BM2SC12xFP2-LBZ是業(yè)內(nèi)先進(jìn)*的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC,采用一體化封裝,已將1700V耐壓的SiC MOSFET和針對其驅(qū)動而優(yōu)化的控制電路內(nèi)置于小型表貼封裝(TO263-7L)中。主要
2022-08-14 10:00:24
2094 
Infineon,最新1700V的SiC MOSFET產(chǎn)品。62W輔助電源參考設(shè)計(jì)
2022-08-28 11:17:06
9 高壓功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對持續(xù)創(chuàng)新的需求。基于硅的解決方案在效率和可靠性方面通常無法兼得,也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰(zhàn)性的要求。不過,隨著高壓碳化硅(SiC)MOSFET的推出,設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在有機(jī)會在提高性能的同時(shí),應(yīng)對所有其他挑戰(zhàn)。
2022-12-28 17:50:15
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安森美宣布將其碳化硅(SiC)系列命名為“EliteSiC”。在本周美國拉斯維加斯消費(fèi)電子展覽會(CES)上,安森美將展示EliteSiC 系列的3款新成員:一款1700 V EliteSiC
2023-01-04 13:46:19
1213 重點(diǎn)必看內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉(zhuǎn)換器IC:BM2SC12xFP2-LBZ-規(guī)格篇-使采用了SiC MOSFET的高效AC/DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)更容易支持自動安裝的小型解決方案&...
2023-02-08 13:43:19
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“BM2SCQ12xT-LBZ”是面向大功率通用逆變器、AC伺服、工業(yè)用空調(diào)及街燈等工業(yè)設(shè)備開發(fā)的內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC。
2023-02-09 10:19:23
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ROHM面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測試儀等評估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器,開發(fā)出實(shí)現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。
2023-02-09 10:19:24
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ROHM一直專注于功率元器件的開發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”,是實(shí)現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。
2023-02-13 09:30:05
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前幾天,三一集團(tuán)的SiC重卡打破了吉尼斯紀(jì)錄(.點(diǎn)這里.),很多人好奇這款車的1700V SiC MOSFET供應(yīng)商是誰,今天答案正式揭曉!
2023-06-14 18:19:55
2105 ModelName:ASC5N1700MT3Package:TO-247-3LVoltage:1700VRon:1000mohmTemperatureRange:-40~150°CStatus
2022-03-04 10:51:05
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瞻芯電子正式量產(chǎn)了一款TO263-7封裝的1200V 160mΩ 碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV1Q12160D7Z),該產(chǎn)品通過了嚴(yán)格的車規(guī)級可靠性測試認(rèn)證(AEC-Q101)。
2023-06-27 11:29:48
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對于SiC功率MOSFET技術(shù),報(bào)告指出,650-1700V SiC MOSFET技術(shù)快速迭代,單芯片電流可達(dá)200A。提升電流密度同時(shí),解決好特有可靠性問題是提高技術(shù)成熟度關(guān)鍵。
2023-08-08 11:05:57
1675 瞻芯電子依托自建的碳化硅(SiC)晶圓產(chǎn)線,開發(fā)了第二代碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品,其中IV2Q12040T4Z?(1200V 40mΩ?SiC MOSFET)于近日獲得了AEC-Q101車規(guī)
2023-08-21 09:42:12
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ARK(方舟微)研發(fā)銷售的MOS產(chǎn)品主要以N溝道-耗盡型MOSFET為主(包括具有自主知識產(chǎn)權(quán)的高閾值電壓(UltraVt?)耗盡型MOSFET系列產(chǎn)品),以及N溝道-增強(qiáng)型MOSFET和P溝道-增強(qiáng)型MOSFET。產(chǎn)品耐壓等級覆蓋0~1700V區(qū)間。
2023-11-07 14:47:57
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11月27日,瞻芯電子開發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規(guī)級可靠性認(rèn)證(AEC-Q101), 導(dǎo)通電阻標(biāo)稱1Ω,
2023-11-30 09:39:18
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近日,芯塔電子自主研發(fā)的1200V/80mΩTO-263-7封裝?SiC MOSFET器件成功獲得第三方權(quán)威檢測機(jī)構(gòu)(廣電計(jì)量)全套AEC-Q101車規(guī)級可靠性認(rèn)證。包括之前通過測試認(rèn)證的650V
2023-12-06 14:04:49
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瑤芯微此次參評的專注于“車規(guī)級低比導(dǎo)通電阻SiC MOSFET”,專家們一致贊賞該產(chǎn)品具有卓越的研究成果,堪稱行業(yè)翹楚。憑借諸多優(yōu)點(diǎn),經(jīng)過嚴(yán)謹(jǐn)評鑒,評委會授予瑤芯微的SiC MOSFET技術(shù)極高評價(jià),同時(shí)認(rèn)定其擁有自主創(chuàng)新產(chǎn)權(quán),展現(xiàn)了強(qiáng)勁的技術(shù)實(shí)力。
2023-12-25 10:56:54
1872 目前瞻芯電子已發(fā)布量產(chǎn)過百款碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品,包括碳化硅(SiC) MOSFET,SBD和SiC模塊產(chǎn)品,電壓平臺涵蓋650V-1700V,而且規(guī)格齊全、封裝多樣。2023年瞻芯電子
2023-12-25 18:42:34
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近日,廣東致能科技團(tuán)隊(duì)與西安電子科技大學(xué)廣州研究院/廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心郝躍院士、張進(jìn)成教授團(tuán)隊(duì)等等合作攻關(guān),通過采用廣東致能科技有限公司的薄緩沖層AlGaN / GaN外延片,基于廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心中試平臺,成功在6英寸藍(lán)寶石襯底上實(shí)現(xiàn)了1700V GaN HEMTs器件。
2024-01-25 10:17:24
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英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產(chǎn)品采用了先進(jìn)的TO-247PLUS-4-HCC封裝,規(guī)格為12-100mΩ,旨在滿足高壓應(yīng)用的需求。
2024-02-01 10:51:00
1646 上海瞻芯電子科技有限公司(簡稱“瞻芯電子”)近期取得了一項(xiàng)重要的技術(shù)突破。該公司推出的兩款第二代SiC MOSFET產(chǎn)品,分別為650V 40mΩ規(guī)格的IV2Q06040D7Z和650V 60m
2024-03-07 09:43:18
1605 3月8日,瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過了嚴(yán)格的車規(guī)級可靠性認(rèn)證(AEC-Q101 Qualified)。
2024-03-11 09:24:38
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近日,瞻芯電子宣布其研發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品成功通過了嚴(yán)格的AEC-Q101車規(guī)級可靠性認(rèn)證,這一里程碑式的成就標(biāo)志著瞻芯電子在功率電子領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新與技術(shù)突破。
2024-03-12 11:04:24
1748 瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品,這些產(chǎn)品不僅通過了嚴(yán)格的車規(guī)級可靠性認(rèn)證(AEC-Q101 Qualified),還具備業(yè)界領(lǐng)先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出,標(biāo)志著瞻芯電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13
1664 納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品,該產(chǎn)品RDSon為60mΩ,具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式,可提供車規(guī)與工規(guī)兩種
2024-04-17 13:37:49
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納芯微近日重磅推出了其首款1200V SiC MOSFET系列產(chǎn)品NPC060N120A,其RDSon值低至60mΩ,展現(xiàn)了出色的導(dǎo)電性能。這款產(chǎn)品提供了通孔式TO-247-4L和表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式,滿足車規(guī)與工規(guī)不同等級的需求。
2024-05-06 15:20:52
1273 近日,上海瞻芯電子科技股份有限公司(簡稱“瞻芯電子”)基于第三代工藝平臺開發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品(IV3Q12013T4Z)通過了車規(guī)級可靠性(AEC-Q101)測試
2024-06-24 09:13:20
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Ω SiC MOSFET產(chǎn)品(IV3Q12013T4Z)成功通過了車規(guī)級可靠性(AEC-Q101)測試認(rèn)證,這一里程碑式的成果標(biāo)志著瞻芯電子在SiC MOSFET領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力達(dá)到了新的高度。
2024-06-24 10:05:43
1444 來源:瞻芯電子 近日,自2020年正式發(fā)布第一代碳化硅(SiC) MOSFET產(chǎn)品以來,瞻芯電子累計(jì)交付SiC MOSFET產(chǎn)品1000萬顆以上,其中包含近400萬顆車規(guī)級產(chǎn)品應(yīng)用在新能源汽車市場
2024-09-27 10:43:23
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為了滿足高密度的功率變換的需求,瞻芯電子推出2款新型TC3Pak(Topside Cooling D3Pak)頂部散熱型、表面貼封裝1200V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品,具有低損耗、散熱性強(qiáng)等特點(diǎn),讓系統(tǒng)設(shè)計(jì)更緊湊、更高效,組裝時(shí)能自動化生產(chǎn)。
2024-11-27 14:58:20
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近日,全球知名碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商SemiQ正式發(fā)布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品,專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計(jì)。
2025-01-22 11:03:22
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近日,全球碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的知名制造商SemiQ,正式推出了一款專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計(jì)的1700V SiC MOSFET系列新品。此次發(fā)布的QSiC? 1700V高速平面
2025-01-23 15:46:58
1002 微電子集團(tuán)股份有限公司憑借自主研發(fā)的1200V 660A SiC塑封半橋模塊(MPFFB660M12L3),獲得大會專家評委會的高度認(rèn)可,榮膺 “2025 汽車電子?金芯獎 —— 新銳產(chǎn)品獎”。
2025-05-19 15:24:05
1186 隨著新能源、工業(yè)電源及電動汽車等領(lǐng)域的快速發(fā)展,輔助電源對高效率、高功率密度及高溫穩(wěn)定性的需求日益迫切。傳統(tǒng)的硅基器件已逐漸難以滿足嚴(yán)苛的性能要求,而碳化硅(SiC)MOSFET憑借其優(yōu)異的開關(guān)速度
2025-06-09 17:21:23
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近期,中國領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應(yīng)商——瞻芯電子開發(fā)的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET產(chǎn)品,憑借優(yōu)秀的性能與品質(zhì)贏得多家重要客戶訂單,已量產(chǎn)交付近200萬顆,為應(yīng)用系統(tǒng)提供高效、可靠的解決方案。
2025-07-16 14:08:23
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兩款國產(chǎn)1700V SiC MOSFET在逆變器/變流器輔助電源設(shè)計(jì)中廣受歡迎
2025-07-23 18:10:06
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近日,派恩杰半導(dǎo)體正式發(fā)布基于第四代平面柵工藝的SiC MOSFET系列產(chǎn)品。該系列在750V電壓平臺下,5mm × 5mm芯片尺寸產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻RDS(on)最低可達(dá)7mΩ,達(dá)到國際領(lǐng)先水平。相比
2025-08-05 15:19:01
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傾佳電力電子設(shè)備高壓輔助電源拓?fù)?、器件選型與1700V SiC MOSFET技術(shù)分析報(bào)告 I. 緒論:高壓電力電子系統(tǒng)對輔助電源的嚴(yán)苛要求 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體
2025-10-14 15:06:06
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傾佳電子面向電力電子功率變換系統(tǒng)的高可靠性1700V碳化硅MOSFET反激式輔助電源設(shè)計(jì) 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源
2025-11-03 11:26:47
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傾佳電子研究報(bào)告:B2M600170R與B2M600170H 1700V碳化硅MOSFET在電力電子輔助電源中的應(yīng)用與替代分析 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源
2025-11-21 21:29:06
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