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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>芯塔電子發(fā)布自主研發(fā)1700V/5Ω SiC MOSFET產(chǎn)品

芯塔電子發(fā)布自主研發(fā)1700V/5Ω SiC MOSFET產(chǎn)品

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2018-11-03 11:02:415483

高可靠性1700VSiC功率模塊

ROHM面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測試儀等評估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器,開發(fā)出實(shí)現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。
2019-04-24 13:06:523238

國內(nèi)首顆自主研發(fā),聚電子發(fā)布ToF傳感器芯片

昨天聚電子發(fā)布了國內(nèi)首顆自主研發(fā)、背照式、高分辨率、用于3D成像的飛行時(shí)間(ToF)傳感器芯片。
2020-03-11 14:40:245550

科技自主研制的5G毫米波濾波器發(fā)布

近日,安徽云電子科技有限公司(以下簡稱“云科技”)聯(lián)合中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院,發(fā)布了其自主研制的5G毫米波濾波器。
2020-04-10 16:49:283067

采用1700V SIC MOSFET反激式電源參考設(shè)計(jì)板介紹

參考板"REF_62W_FLY_1700V_SiC"是為支持客戶采用SIC MOSFET設(shè)計(jì)輔助電源而開發(fā)的。該參考板旨在支持客戶為三相系統(tǒng)設(shè)計(jì)輔助電源,工作電壓范圍在200VDC至1000VDC
2021-09-07 14:11:033834

深入解讀?國產(chǎn)高壓SiC MOSFET及競品分析

在開關(guān)頻率、散熱、耐壓、功率密度方面優(yōu)勢更為凸顯。 下文主要對國產(chǎn)SiC MOSFET進(jìn)行介紹并與國外相近參數(shù)的主流產(chǎn)品相對比。 國產(chǎn)1700V SiC MOSFET 派恩杰2018年開始專注于第三代半導(dǎo)體SiC、GaN的功率器件的研究。公司成立半年后就研制出了首款650V GaN功率器件,在基于
2021-09-16 11:05:375747

東芝新推出的1200V1700V碳化硅MOSFET模塊

?東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊:額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”;額定電壓為1700V、額定漏極
2022-02-01 20:22:025818

PI推出業(yè)界首款采用SiC MOSFET的汽車級開關(guān)電源IC

Power Integrations今日發(fā)布兩款新器件,為InnoSwitch3-AQ產(chǎn)品系列新添兩款符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)、額定電壓1700V的IC。這些新器件是業(yè)界首款采用碳化硅(SiC)初級
2022-02-16 14:10:122674

華潤微發(fā)布SiC MOSFET新品 NVIDIA推科學(xué)數(shù)字孿生平臺

近期,華潤微重磅發(fā)布自主研發(fā)量產(chǎn)的SiC MOSFET產(chǎn)品,這是華潤微繼去年SiC二極管產(chǎn)品上市后的又一大作,進(jìn)一步豐富了公司的SiC產(chǎn)品系列,是公司在寬禁帶領(lǐng)域的又一里程碑。
2022-03-28 16:20:082590

具有1700V SiC MOSFET的汽車級高壓開關(guān)?

SiC)初級開關(guān) MOSFET。這些新設(shè)備可產(chǎn)生高達(dá) 70 瓦的輸出功率,用于 600 和 800 伏電池和燃料電池電動乘用車,以及電動巴士、卡車和一系列工業(yè)電源應(yīng)用。InnoSwitch3-AQ
2022-07-29 08:07:272204

瑞能最新推出1700V SiC MOSFET提升效率和輸出功率的目的

相比于硅基高壓器件,碳化硅開關(guān)器件擁有更小的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗。電力電子系統(tǒng)需要輔助電源部分用來驅(qū)動功率器件,為控制系統(tǒng)及散熱系統(tǒng)等提供電源。額定電壓1700VSiC MOSFET為高壓輔助電源提供了設(shè)計(jì)更簡單,成本更低的解決方案。
2022-08-01 14:18:584654

SiC MOSFET的高效AC/DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)

BM2SC12xFP2-LBZ是業(yè)內(nèi)先進(jìn)*的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC,采用一體化封裝,已將1700V耐壓的SiC MOSFET和針對其驅(qū)動而優(yōu)化的控制電路內(nèi)置于小型表貼封裝(TO263-7L)中。主要
2022-08-14 10:00:242094

IFX 1700V SiC 62W輔源設(shè)計(jì)資料

Infineon,最新1700VSiC MOSFET產(chǎn)品。62W輔助電源參考設(shè)計(jì)
2022-08-28 11:17:069

通過轉(zhuǎn)向1700V SiC MOSFET,無需考慮功率轉(zhuǎn)換中的權(quán)衡問題

高壓功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對持續(xù)創(chuàng)新的需求。基于硅的解決方案在效率和可靠性方面通常無法兼得,也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰(zhàn)性的要求。不過,隨著高壓碳化硅(SiCMOSFET的推出,設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在有機(jī)會在提高性能的同時(shí),應(yīng)對所有其他挑戰(zhàn)。
2022-12-28 17:50:151155

Ameya360:安森美推出1700V EliteSiC MOSFET,提供高功率工業(yè)應(yīng)用

安森美宣布將其碳化硅(SiC)系列命名為“EliteSiC”。在本周美國拉斯維加斯消費(fèi)電子展覽會(CES)上,安森美將展示EliteSiC 系列的3款新成員:一款1700 V EliteSiC
2023-01-04 13:46:191213

內(nèi)置SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC:BM2SC12xFP2-LBZ的主要規(guī)格和功能

重點(diǎn)必看內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉(zhuǎn)換器IC:BM2SC12xFP2-LBZ-規(guī)格篇-使采用了SiC MOSFET的高效AC/DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)更容易支持自動安裝的小型解決方案&...
2023-02-08 13:43:191305

內(nèi)置1700V SiC MOS的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC BM2SCQ12xT-LBZ介紹

“BM2SCQ12xT-LBZ”是面向大功率通用逆變器、AC伺服、工業(yè)用空調(diào)及街燈等工業(yè)設(shè)備開發(fā)的內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC。
2023-02-09 10:19:231760

高可靠性1700VSiC功率模塊BSM250D17P2E004介紹

ROHM面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測試儀等評估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器,開發(fā)出實(shí)現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。
2023-02-09 10:19:241336

SiC用AC/DC轉(zhuǎn)換器控制IC組合,效率顯著提高

ROHM一直專注于功率元器件的開發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”,是實(shí)現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。
2023-02-13 09:30:051223

1700V!這一國產(chǎn)SiC MOS率先上車

前幾天,三一集團(tuán)的SiC重卡打破了吉尼斯紀(jì)錄(.點(diǎn)這里.),很多人好奇這款車的1700V SiC MOSFET供應(yīng)商是誰,今天答案正式揭曉!
2023-06-14 18:19:552105

碳化硅1700v sic mosfet供應(yīng)商

ModelName:ASC5N1700MT3Package:TO-247-3LVoltage:1700VRon:1000mohmTemperatureRange:-40~150°CStatus
2022-03-04 10:51:051603

電子TO263-7封裝SiC MOSFET量產(chǎn),助力高密高效功率變換

電子正式量產(chǎn)了一款TO263-7封裝的1200V 160mΩ 碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV1Q12160D7Z),該產(chǎn)品通過了嚴(yán)格的車規(guī)級可靠性測試認(rèn)證(AEC-Q101)。
2023-06-27 11:29:487870

SiC MOSFET器件技術(shù)現(xiàn)狀分析

對于SiC功率MOSFET技術(shù),報(bào)告指出,650-1700V SiC MOSFET技術(shù)快速迭代,單芯片電流可達(dá)200A。提升電流密度同時(shí),解決好特有可靠性問題是提高技術(shù)成熟度關(guān)鍵。
2023-08-08 11:05:571675

電子正式開發(fā)第二代碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品

電子依托自建的碳化硅(SiC)晶圓產(chǎn)線,開發(fā)了第二代碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品,其中IV2Q12040T4Z?(1200V 40mΩ?SiC MOSFET)于近日獲得了AEC-Q101車規(guī)
2023-08-21 09:42:122839

ARK(方舟微)的MOSFET產(chǎn)品簡介和常見問題解答

ARK(方舟微)研發(fā)銷售的MOS產(chǎn)品主要以N溝道-耗盡型MOSFET為主(包括具有自主知識產(chǎn)權(quán)的高閾值電壓(UltraVt?)耗盡型MOSFET系列產(chǎn)品),以及N溝道-增強(qiáng)型MOSFET和P溝道-增強(qiáng)型MOSFET。產(chǎn)品耐壓等級覆蓋0~1700V區(qū)間。
2023-11-07 14:47:571806

電子推出1700V SiC MOSFET助力高效輔助電源

11月27日,瞻電子開發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規(guī)級可靠性認(rèn)證(AEC-Q101), 導(dǎo)通電阻標(biāo)稱1Ω,
2023-11-30 09:39:183074

電子SiC MOSFET通過車規(guī)級認(rèn)證, 成功進(jìn)入新能源汽車供應(yīng)鏈!

近日,電子自主研發(fā)的1200V/80mΩTO-263-7封裝?SiC MOSFET器件成功獲得第三方權(quán)威檢測機(jī)構(gòu)(廣電計(jì)量)全套AEC-Q101車規(guī)級可靠性認(rèn)證。包括之前通過測試認(rèn)證的650V
2023-12-06 14:04:491019

微榮獲“國際先進(jìn)”好評的高可靠SiC MOSFET產(chǎn)品

微此次參評的專注于“車規(guī)級低比導(dǎo)通電阻SiC MOSFET”,專家們一致贊賞該產(chǎn)品具有卓越的研究成果,堪稱行業(yè)翹楚。憑借諸多優(yōu)點(diǎn),經(jīng)過嚴(yán)謹(jǐn)評鑒,評委會授予瑤微的SiC MOSFET技術(shù)極高評價(jià),同時(shí)認(rèn)定其擁有自主創(chuàng)新產(chǎn)權(quán),展現(xiàn)了強(qiáng)勁的技術(shù)實(shí)力。
2023-12-25 10:56:541872

電子榮獲2項(xiàng)電源行業(yè)配套品牌獎

目前瞻電子發(fā)布量產(chǎn)過百款碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品,包括碳化硅(SiC) MOSFET,SBD和SiC模塊產(chǎn)品,電壓平臺涵蓋650V-1700V,而且規(guī)格齊全、封裝多樣。2023年瞻電子
2023-12-25 18:42:341302

首個(gè)在6英寸藍(lán)寶石襯底上的1700V GaN HEMTs器件發(fā)布

近日,廣東致能科技團(tuán)隊(duì)與西安電子科技大學(xué)廣州研究院/廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心郝躍院士、張進(jìn)成教授團(tuán)隊(duì)等等合作攻關(guān),通過采用廣東致能科技有限公司的薄緩沖層AlGaN / GaN外延片,基于廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心中試平臺,成功在6英寸藍(lán)寶石襯底上實(shí)現(xiàn)了1700V GaN HEMTs器件。
2024-01-25 10:17:242253

英飛凌發(fā)布新款CoolSiC 2000V SiC MOSFET

英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產(chǎn)品采用了先進(jìn)的TO-247PLUS-4-HCC封裝,規(guī)格為12-100mΩ,旨在滿足高壓應(yīng)用的需求。
2024-02-01 10:51:001646

電子兩款SiC MOSFET產(chǎn)品通過車規(guī)級可靠性認(rèn)證

上海瞻電子科技有限公司(簡稱“瞻電子”)近期取得了一項(xiàng)重要的技術(shù)突破。該公司推出的兩款第二代SiC MOSFET產(chǎn)品,分別為650V 40mΩ規(guī)格的IV2Q06040D7Z和650V 60m
2024-03-07 09:43:181605

電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET通過了車規(guī)級可靠性認(rèn)證

3月8日,瞻電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過了嚴(yán)格的車規(guī)級可靠性認(rèn)證(AEC-Q101 Qualified)。
2024-03-11 09:24:381469

電子第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過車規(guī)級可靠性認(rèn)證

近日,瞻電子宣布其研發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品成功通過了嚴(yán)格的AEC-Q101車規(guī)級可靠性認(rèn)證,這一里程碑式的成就標(biāo)志著瞻電子在功率電子領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新與技術(shù)突破。
2024-03-12 11:04:241748

電子推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品

電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品,這些產(chǎn)品不僅通過了嚴(yán)格的車規(guī)級可靠性認(rèn)證(AEC-Q101 Qualified),還具備業(yè)界領(lǐng)先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出,標(biāo)志著瞻電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:131664

發(fā)布首款1200V SiC MOSFET

微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品,該產(chǎn)品RDSon為60mΩ,具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式,可提供車規(guī)與工規(guī)兩種
2024-04-17 13:37:49873

發(fā)布首款1200V SiC MOSFET

微近日重磅推出了其首款1200V SiC MOSFET系列產(chǎn)品NPC060N120A,其RDSon值低至60mΩ,展現(xiàn)了出色的導(dǎo)電性能。這款產(chǎn)品提供了通孔式TO-247-4L和表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式,滿足車規(guī)與工規(guī)不同等級的需求。
2024-05-06 15:20:521273

電子第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET通過車規(guī)級可靠性測試認(rèn)證

近日,上海瞻電子科技股份有限公司(簡稱“瞻電子”)基于第三代工藝平臺開發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品(IV3Q12013T4Z)通過了車規(guī)級可靠性(AEC-Q101)測試
2024-06-24 09:13:201944

電子SiC MOSFET技術(shù)新突破,車規(guī)級產(chǎn)品正式量產(chǎn)

Ω SiC MOSFET產(chǎn)品(IV3Q12013T4Z)成功通過了車規(guī)級可靠性(AEC-Q101)測試認(rèn)證,這一里程碑式的成果標(biāo)志著瞻電子SiC MOSFET領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力達(dá)到了新的高度。
2024-06-24 10:05:431444

電子交付碳化硅(SiC)MOSFET逾千萬顆 產(chǎn)品長期可靠性得到驗(yàn)證

來源:瞻電子 近日,自2020年正式發(fā)布第一代碳化硅(SiC) MOSFET產(chǎn)品以來,瞻電子累計(jì)交付SiC MOSFET產(chǎn)品1000萬顆以上,其中包含近400萬顆車規(guī)級產(chǎn)品應(yīng)用在新能源汽車市場
2024-09-27 10:43:23908

電子推出采用TC3Pak封裝的1200V SiC MOSFET

為了滿足高密度的功率變換的需求,瞻電子推出2款新型TC3Pak(Topside Cooling D3Pak)頂部散熱型、表面貼封裝1200V碳化硅(SiCMOSFET產(chǎn)品,具有低損耗、散熱性強(qiáng)等特點(diǎn),讓系統(tǒng)設(shè)計(jì)更緊湊、更高效,組裝時(shí)能自動化生產(chǎn)。
2024-11-27 14:58:201444

SemiQ推出1700 V SiC MOSFET系列,助力中壓大功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域

近日,全球知名碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商SemiQ正式發(fā)布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品,專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計(jì)。
2025-01-22 11:03:221225

SemiQ發(fā)布1700V SiC MOSFET新品

近日,全球碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的知名制造商SemiQ,正式推出了一款專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計(jì)的1700V SiC MOSFET系列新品。此次發(fā)布的QSiC? 1700V高速平面
2025-01-23 15:46:581002

長征SiC功率模塊榮獲2025金獎新銳產(chǎn)品

電子集團(tuán)股份有限公司憑借自主研發(fā)的1200V 660A SiC塑封半橋模塊(MPFFB660M12L3),獲得大會專家評委會的高度認(rèn)可,榮膺 “2025 汽車電子?金獎 —— 新銳產(chǎn)品獎”。
2025-05-19 15:24:051186

國產(chǎn)1700V SiC MOSFET在電力電子輔助電源中的全面進(jìn)口替代方案

隨著新能源、工業(yè)電源及電動汽車等領(lǐng)域的快速發(fā)展,輔助電源對高效率、高功率密度及高溫穩(wěn)定性的需求日益迫切。傳統(tǒng)的硅基器件已逐漸難以滿足嚴(yán)苛的性能要求,而碳化硅(SiC)MOSFET憑借其優(yōu)異的開關(guān)速度
2025-06-09 17:21:23507

電子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量產(chǎn)交付應(yīng)用

近期,中國領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應(yīng)商——瞻電子開發(fā)的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET產(chǎn)品,憑借優(yōu)秀的性能與品質(zhì)贏得多家重要客戶訂單,已量產(chǎn)交付近200萬顆,為應(yīng)用系統(tǒng)提供高效、可靠的解決方案。
2025-07-16 14:08:231048

兩款國產(chǎn)1700V SiC MOSFET在逆變器/變流器輔助電源設(shè)計(jì)中廣受歡迎

兩款國產(chǎn)1700V SiC MOSFET在逆變器/變流器輔助電源設(shè)計(jì)中廣受歡迎
2025-07-23 18:10:061031

派恩杰發(fā)布第四代SiC MOSFET系列產(chǎn)品

近日,派恩杰半導(dǎo)體正式發(fā)布基于第四代平面柵工藝的SiC MOSFET系列產(chǎn)品。該系列在750V電壓平臺下,5mm × 5mm芯片尺寸產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻RDS(on)最低可達(dá)7mΩ,達(dá)到國際領(lǐng)先水平。相比
2025-08-05 15:19:011211

傾佳電力電子設(shè)備高壓輔助電源拓?fù)?、器件選型與1700V SiC MOSFET技術(shù)分析報(bào)告

傾佳電力電子設(shè)備高壓輔助電源拓?fù)?、器件選型與1700V SiC MOSFET技術(shù)分析報(bào)告 I. 緒論:高壓電力電子系統(tǒng)對輔助電源的嚴(yán)苛要求 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體
2025-10-14 15:06:06457

傾佳電子面向電力電子功率變換系統(tǒng)的高可靠性1700V碳化硅MOSFET反激式輔助電源設(shè)計(jì)

傾佳電子面向電力電子功率變換系統(tǒng)的高可靠性1700V碳化硅MOSFET反激式輔助電源設(shè)計(jì) 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源
2025-11-03 11:26:47447

傾佳電子研究報(bào)告:B2M600170R與B2M600170H 1700V碳化硅MOSFET在電力電子輔助電源中的應(yīng)用

傾佳電子研究報(bào)告:B2M600170R與B2M600170H 1700V碳化硅MOSFET在電力電子輔助電源中的應(yīng)用與替代分析 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源
2025-11-21 21:29:06867

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