電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）碳化硅產(chǎn)業(yè)當(dāng)前主流的晶圓尺寸是6英寸，并正在大規(guī)模往8英寸發(fā)展，在最上游的晶體、襯底，業(yè)界已經(jīng)具備大量產(chǎn)能，8英寸的碳化硅晶圓產(chǎn)線也開(kāi)始逐漸落地，進(jìn)入試產(chǎn)階段。 ? 讓
2024-11-21 00:01:00
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每個(gè)橋臂需要4個(gè)MOSFET以及各自的驅(qū)動(dòng)，增加了系統(tǒng)復(fù)雜度，再比如每個(gè)橋臂需要各自的鉗位二極管，增加了系統(tǒng)成本?！ ”疚闹?，將介紹我們8KW LLC變換器的設(shè)計(jì)方案。使用Cree的1200V 碳化硅
2018-10-17 16:55:50
PN結(jié)器件優(yōu)越的指標(biāo)是正向?qū)妷旱?，具有低的?dǎo)通損耗?！ 〉栊ぬ鼗O管也有兩個(gè)缺點(diǎn)，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大?！ 《?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅半導(dǎo)體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
應(yīng)用，處理此類應(yīng)用的唯一方法是使用IGBT器件。
碳化硅或簡(jiǎn)稱SiC已被證明是一種材料，可以用來(lái)構(gòu)建類似MOSFET的組件，使電路具有比以往IGBT更高的效率。如今，SiC受
到了很多關(guān)注，不僅因?yàn)樗?/div>
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專門的實(shí)驗(yàn)室測(cè)量，并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來(lái)證實(shí)和比較測(cè)量值，對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
2019-08-02 08:44:07
上?！ 〔贿^(guò)，隨著碳化硅價(jià)格的下降、性能和可靠性的提高，其性能得到改善，可靠性得到了證明，在列表中的地位調(diào)高了，現(xiàn)在已被視為現(xiàn)有舊技術(shù)器件的替代品和新設(shè)計(jì)的起點(diǎn)?！ ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅的采用取決于應(yīng)用，所以
2023-02-27 14:28:47
反向恢復(fù)電流，其關(guān)斷過(guò)程很快，開(kāi)關(guān)損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度較高，可以制作出超過(guò)1000V的反向擊穿電壓。在3kV以上的整流器應(yīng)用領(lǐng)域，由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
200V，但是碳化硅肖特基二極管能擁有較短恢復(fù)時(shí)間實(shí)踐，同時(shí)在正向電壓也減少，耐壓也大大超過(guò)200V，典型的電壓有650V、1200V等，另外在反向恢復(fù)造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢(shì)。在
2020-06-28 17:30:27
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 （ZnO） 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來(lái)聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04
超過(guò)40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2019年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45
大量采用持續(xù)穩(wěn)定的線路板；在引擎室中，由于高溫環(huán)境和LED 燈源的散熱要求，現(xiàn)有的以樹(shù)脂、金屬為基材的電路板不符合使用要求，需要散熱性能更好碳化硅電路板，例如斯利通碳化硅基板；在高頻傳輸與無(wú)線雷達(dá)偵測(cè)
2020-12-16 11:31:13
。 碳化硅近幾年的快速發(fā)展 近幾年來(lái)，低碳生活也是隨之而來(lái)，隨著太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，作為光伏產(chǎn)業(yè)用的材料，碳化硅的銷售市場(chǎng)也是十分火爆，許多磨料磨具業(yè)內(nèi)人開(kāi)始關(guān)注起碳化硅這個(gè)行業(yè)了。目前碳化硅制備技術(shù)非常
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過(guò)，自1893 年以來(lái)，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
商用?！ ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅肖特基二極管從2001年開(kāi)始商用，至今已有20年商用積累，并在部分高中端電源市場(chǎng)批量應(yīng)用，逐步向通用市場(chǎng)滲透，具備廣闊的市場(chǎng)前景。 碳化硅材料在禁帶寬度和臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)等關(guān)鍵特性上具有
2023-02-28 16:55:45
導(dǎo)通電壓比對(duì)，碳化硅肖特基二極管的導(dǎo)通壓降為1.5V，硅快速恢復(fù)二極管的導(dǎo)通壓降為1.7V， 碳化硅材料性能好于硅材料。 3、碳化硅肖特基二極管的恢復(fù)特性 硅快速恢復(fù)二極管存在反向漏電流較大
2023-02-28 16:34:16
二十世紀(jì)五十年代后半期，才被納入到固體器件的研究中來(lái)。二十世紀(jì)九十年代，碳化硅技術(shù)才真正意義上得到了迅速發(fā)展。SiC材料與目前應(yīng)該廣泛的Si材料相比，較高的熱導(dǎo)率決定了其高電流密度的特性，較高的禁帶寬
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
應(yīng)用的企圖心。到2020年時(shí)，氮化鎵組件將進(jìn)軍600～900伏特市場(chǎng)，與碳化硅組件的競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系升溫。問(wèn)題：1.碳化硅(Sic)、氮化鎵(GaN)、都是一種新型的材料。那COOLMOS又是啥？（這幾年也很熱門）2.
2021-09-23 15:02:11
電機(jī)驅(qū)動(dòng)。碳化硅器件和碳化硅模組可用于太陽(yáng)能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、電焊機(jī)、電力機(jī)車、遠(yuǎn)距離輸電、服務(wù)器、家電、電動(dòng)汽車、充電樁等用途。創(chuàng)能動(dòng)力于2015年在國(guó)內(nèi)開(kāi)發(fā)出6英寸SiC制造技術(shù)，2017年推出基于6
2023-02-22 15:27:51
復(fù)雜的設(shè)計(jì)，功率模塊的集成能力使其成為首選。但是哪些封裝適用于快速開(kāi)關(guān)碳化硅器件？ 當(dāng)傳統(tǒng)硅器件在功率損耗和開(kāi)關(guān)頻率方面達(dá)到極限時(shí)，碳化硅可能是合適的半導(dǎo)體選擇。高達(dá) 30 至 40kHz，最新一代
2023-02-20 16:29:54
一步提升電源效率。針對(duì)上述情況，解決方案有以下兩種。 方案一：將IGBT單管上反并聯(lián)的快速恢復(fù)二極管換成基本半導(dǎo)體的“零反向恢復(fù)”的碳化硅肖特基二極管（碳化硅 SBD），這種組合起來(lái)封裝的器件，稱之為
2023-02-28 16:48:24
員要求的更低的寄生參數(shù)滿足開(kāi)關(guān)電源（SMPS）的設(shè)計(jì)要求。650V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管器件在推出之后，可以補(bǔ)充之前只有1200V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)器件設(shè)計(jì)需求，碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管（SiC MOSFET）由于能夠?qū)崿F(xiàn)硅
2023-03-14 14:05:02
碳化硅器件快速開(kāi)關(guān)過(guò)程中造成嚴(yán)重電壓過(guò)沖，也導(dǎo)致?lián)p耗增加及電磁干擾等問(wèn)題。而雜散電感的大小與開(kāi)關(guān)換流回路的面積相關(guān)。其中，金屬鍵合連接方式、元件引腳和多個(gè)芯片的平面布局是造成傳統(tǒng)封裝換流回路面積較大的關(guān)鍵
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問(wèn)題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問(wèn)題，如果你有類似的困惑，歡迎前來(lái)探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢(shì)它有高導(dǎo)熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問(wèn)題及時(shí)交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
范圍-5V~-15V，客戶根據(jù)需求選擇合適值，常用值有-8V、-10V、-15V； · 優(yōu)先穩(wěn)定正電壓，保證開(kāi)通穩(wěn)定?！ ?）碳化硅MOSFET：不同廠家碳化硅MOSFET對(duì)開(kāi)關(guān)電壓要求不盡相同
2023-02-27 16:03:36
面向電動(dòng)汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動(dòng)汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長(zhǎng)續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
LED襯底目前主要是藍(lán)寶石、碳化硅、硅襯底三種。大多數(shù)都采用藍(lán)寶石襯底技術(shù)。碳化硅是科銳的專利，只有科銳一家使用，成本等核心數(shù)據(jù)不得而知。硅襯底成本低，但目前技術(shù)還不完善?！ 腖ED成本上來(lái)看，用
2012-03-15 10:20:43
）和發(fā)射極可關(guān)斷晶閘管（ETO）等。1、SiC 肖特基二極管肖特基二極管最顯著的特點(diǎn)是反向恢復(fù)時(shí)間短，但是就傳統(tǒng)的肖特基二極管它的耐壓一般不超過(guò)200V，但是碳化硅肖特基二極管能擁有較短恢復(fù)時(shí)間實(shí)踐
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒(méi)有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過(guò)程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
國(guó)投創(chuàng)業(yè)官方消息顯示，第三代半導(dǎo)體碳化硅單晶襯底企業(yè)河北同光晶體有限公司（簡(jiǎn)稱“同光晶體”）完成A輪融資，投資方包括：國(guó)投創(chuàng)業(yè)等。本輪融資助力同光晶體實(shí)現(xiàn)淶源基地6英寸碳化硅襯底項(xiàng)目快速擴(kuò)產(chǎn)和現(xiàn)有產(chǎn)品優(yōu)化提升。
2020-12-03 11:05:153796 隨著下游新能源汽車、充電樁、光伏、5G基站等領(lǐng)域的爆發(fā)，引爆了對(duì)第三代半導(dǎo)體——碳化硅材料襯底、外延與器件方面的巨大市場(chǎng)需求，國(guó)內(nèi)眾多企業(yè)紛紛通過(guò)加強(qiáng)技術(shù)研發(fā)與資本投入布局碳化硅產(chǎn)業(yè)，今天我們首先
2021-07-29 11:01:185164 前言 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測(cè)是碳化硅價(jià)值鏈中最為關(guān)鍵的四個(gè)環(huán)節(jié)，襯底成本占到
2021-08-16 10:46:406521 新能源汽車800V時(shí)代的超強(qiáng)風(fēng)口到來(lái) 碳化硅器件市場(chǎng)需求上量“雙碳”成為各個(gè)國(guó)家的主要發(fā)展戰(zhàn)略，新能源汽車的節(jié)能減排成為落實(shí)“雙碳”的主要抓手之一，因此，“雙碳”戰(zhàn)略的實(shí)施有力推進(jìn)新能源汽車的加速發(fā)展。
2022-09-02 09:48:382181 意法半導(dǎo)體將于意大利興建一座整合式碳化硅（Silicon Carbide；SiC）襯底制造廠，以支持意法半導(dǎo)體客戶對(duì)汽車及工業(yè)碳化硅組件與日俱增的需求，協(xié)助其向電氣化邁進(jìn)并達(dá)到更高效率。新廠預(yù)計(jì)2023年開(kāi)始投產(chǎn)，以實(shí)現(xiàn)碳化硅襯底的供應(yīng)在對(duì)內(nèi)采購(gòu)及行業(yè)供貨間達(dá)到平衡。
2022-10-08 17:04:032489 意法半導(dǎo)體將于意大利興建一座整合式碳化硅(Silicon Carbide;SiC)襯底制造廠，以支持意法半導(dǎo)體客戶對(duì)汽車及工業(yè)碳化硅組件與日俱增的需求，協(xié)助其向電氣化邁進(jìn)并達(dá)到更高效率。新廠預(yù)計(jì)2023年開(kāi)始投產(chǎn)，以實(shí)現(xiàn)碳化硅襯底的供應(yīng)在對(duì)內(nèi)采購(gòu)及行業(yè)供貨間達(dá)到平衡。
2022-10-09 09:10:551480 作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的襯底材料，碳化硅單晶具有優(yōu)異的熱、電性能，在高溫、高頻、大功率、抗輻射集成電子器件領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。碳化硅襯底加工精度直接影響器件性能，因此外延應(yīng)用對(duì)碳化硅晶片表面質(zhì)量的要求
2022-10-11 16:01:045801 雙方同意對(duì)Soitec技術(shù)進(jìn)行產(chǎn)前驗(yàn)證， 以面向未來(lái)的8寸碳化硅襯底制造 提供關(guān)鍵半導(dǎo)體賦能技術(shù)，支持汽車電動(dòng)化和工業(yè)系統(tǒng)能效提升等轉(zhuǎn)型目標(biāo) 意法半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱ST)和世界先驅(qū)的創(chuàng)新半導(dǎo)體材料設(shè)計(jì)制造
2022-12-08 12:22:481145 前言：碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測(cè)是碳化硅價(jià)值鏈中最為關(guān)鍵的四個(gè)環(huán)節(jié)，襯底成本占到
2023-01-05 11:23:192135 摘 要: 碳化硅單晶具有極高的硬度和脆性，傳統(tǒng)加工方式已經(jīng)不能有效地獲得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。針對(duì)碳化硅單晶襯底加工技術(shù)，本文綜述了碳化硅單晶切片、薄化與拋光工藝段的研究現(xiàn)狀，分析對(duì)比了切片、薄化、拋光加工工藝機(jī)理，指出了加工過(guò)程中的關(guān)鍵影響因素和未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。
2023-01-11 11:05:552737 碳化硅在半導(dǎo)體芯片中的主要形式為襯底。半導(dǎo)體芯片分為集成電路和分立器件，但不論是集成電路還是分立器件，其基本結(jié)構(gòu)都可劃分為“襯底-外延-器件”結(jié)構(gòu)。碳化硅在半導(dǎo)體中存在的主要形式是作為襯底材料。
2023-02-19 10:18:482002 進(jìn)過(guò)晶圓切磨拋就變成碳化硅二極管和碳化硅MOSFET的晶片的碳化硅襯底；再經(jīng)過(guò)外延生長(zhǎng)就變成碳化硅外延片，也就是雛形的芯片。碳化硅外延片經(jīng)過(guò)光刻、刻蝕、離子注入、CVD、PVD背面減薄、退火變成碳化硅晶
2023-02-21 10:04:113177 
新開(kāi)發(fā)的800V SiC功率模塊，可提升5%的續(xù)航里程，并改善聲學(xué)表現(xiàn)。同時(shí)，得益于法雷奧與碳化硅半導(dǎo)體供應(yīng)商的精誠(chéng)合作，800V高功率逆變器的重量減少了約40%。800V 逆變器系列產(chǎn)品同時(shí)適用于乘用車和商用車。量產(chǎn)時(shí)間為2025年。
2023-03-01 11:17:561735 全球碳化硅產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)明顯的行業(yè)上下游收購(gòu)兼并、大廠積極布局的特征。襯底作為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中的核心環(huán)節(jié)，已成為兵家必爭(zhēng)之地。
2023-03-23 10:30:042505 碳化硅襯底 產(chǎn)業(yè)鏈核心材料，制備難度大碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)主要包括原料合成、碳化硅晶體生長(zhǎng)、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環(huán)節(jié)。
2023-05-09 09:36:486511 
碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要分為襯底、外延、器件和應(yīng)用四大環(huán)節(jié)，襯底與外延占據(jù) 70%的碳 化硅器件成本。根據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，碳化硅器件的成本構(gòu)成中，襯底、外延、前段、 研發(fā)費(fèi)用和其他分別占比為 47%，23%，19%，6%，5%，襯底+外延合計(jì)約 70%
2023-06-26 11:30:561557 
電動(dòng)汽車（EV）電池系統(tǒng)從400V到800V的轉(zhuǎn)變使碳化硅（SiC）半導(dǎo)體在牽引逆變器、車載充電器（OBC）和DC/DC轉(zhuǎn)換器中脫穎而出。
2023-07-25 09:50:15976 2023年9月，科友半導(dǎo)體自產(chǎn)首批8英寸碳化硅襯底成功下線。
2023-10-18 09:17:461174 在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中，碳化硅襯底制造是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)壁壘最高、價(jià)值量最大的環(huán)節(jié)，是未來(lái)碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)的核心環(huán)節(jié)。
碳化硅襯底的生產(chǎn)流程包括長(zhǎng)晶、切片、研磨和拋光四個(gè)環(huán)節(jié)。
2023-10-27 09:35:573651 碳化硅襯底，新能源與5G的基石
2023-01-13 09:07:40
3 智新半導(dǎo)體有限公司是東風(fēng)公司與中國(guó)中車2019年在武漢成立的，智新半導(dǎo)體碳化硅模塊項(xiàng)目基于東風(fēng)集團(tuán)“馬赫動(dòng)力”新一代800V高壓平臺(tái)，項(xiàng)目于2021年進(jìn)行前期先行開(kāi)發(fā)，2022年12月正式立項(xiàng)為量產(chǎn)項(xiàng)目。
2023-11-03 16:48:16946 
天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、三安光電等公司紛紛增加碳化硅晶圓/襯底的產(chǎn)能。目前，這些中國(guó)企業(yè)的總產(chǎn)能約為每月6萬(wàn)片。隨著各公司產(chǎn)能的逐步釋放，預(yù)計(jì)到2024年，每月產(chǎn)能將達(dá)到12萬(wàn)片，年產(chǎn)能將達(dá)到150萬(wàn)片。
2023-11-20 10:59:332671 天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、三安光電等公司均斥資提高碳化硅晶圓/襯底產(chǎn)能，目前這些中國(guó)企業(yè)每月的總產(chǎn)能約為6萬(wàn)片。隨著各公司產(chǎn)能釋放，預(yù)計(jì)2024年月產(chǎn)能將達(dá)到12萬(wàn)片，年產(chǎn)能150萬(wàn)。
2023-11-24 15:59:233723 
當(dāng)前，大尺寸襯底成為碳化硅襯底制備技術(shù)的重要發(fā)展方向。
2023-12-24 14:18:081964 
小米自研小米800V碳化硅高壓平臺(tái)：871V
2023-12-28 14:19:111284 
共讀好書 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要由襯底、外延、器件、應(yīng)用等環(huán)節(jié)組成。碳化硅晶片作為半導(dǎo)體襯底材料，根據(jù)電阻率不同可分為導(dǎo)電型、半絕緣型。導(dǎo)電型襯底可用于生長(zhǎng)碳化硅外延片，制成耐高溫、耐高壓的碳化硅二極管
2024-01-17 17:55:171411 
中國(guó)在碳化硅襯底領(lǐng)域的布局顯示出了其對(duì)半導(dǎo)體材料自主供應(yīng)鏈建設(shè)的重視。隨著全球?qū)Ω咝?、高耐用性電子器件需求的增加?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅襯底由于其在高溫、高電壓和高頻率應(yīng)用中的優(yōu)異性能而變得越來(lái)越重要。
2024-02-27 10:28:512937 
春節(jié)過(guò)后，800V碳化硅汽車?yán)^續(xù)火爆，新增了15款車型（回顧點(diǎn)這里），同時(shí)也迎來(lái)了一波降價(jià)潮——先有極氪007降至20萬(wàn)級(jí)（回顧點(diǎn)這里），昨天小鵬汽車G6全系降至18萬(wàn)級(jí)；照目前趨勢(shì)，后續(xù)或有更多的碳化硅車型跟上降價(jià)大潮，市場(chǎng)需求也會(huì)隨之上升。
2024-03-05 11:25:433394 
作為技術(shù)應(yīng)用最成熟的襯底材料，碳化硅襯底在市場(chǎng)上“一片難求”。碳化硅功率器件在新能源汽車中的滲透率正在快速擴(kuò)大，能顯著提升續(xù)航能力與充電效率，并降低整車成本。
2024-04-11 09:28:06901 從2023年起，中國(guó)碳化硅襯底行業(yè)迎來(lái)了前所未有的發(fā)展高潮。隨著新玩家的不斷加入和多個(gè)項(xiàng)目的全國(guó)落地，行業(yè)產(chǎn)能迅速擴(kuò)張，達(dá)到了新的高度。根據(jù)最新行業(yè)數(shù)據(jù)，國(guó)內(nèi)碳化硅襯底的折合6英寸銷量已突破百萬(wàn)大關(guān)
2024-06-03 14:18:171096 
一、碳化硅襯底修邊處理的作用與挑戰(zhàn)
修邊處理是碳化硅襯底加工中的一個(gè)關(guān)鍵步驟，主要用于去除襯底邊緣的毛刺、裂紋和不規(guī)則部分，以提高襯底的尺寸精度和邊緣質(zhì)量。然而，修邊過(guò)程中由于機(jī)械應(yīng)力、熱應(yīng)力以及
2024-12-23 16:56:37487 
一、碳化硅襯底TTV控制的重要性
碳化硅襯底的TTV是指襯底表面各點(diǎn)厚度最高點(diǎn)與最低點(diǎn)之間的差值。TTV的大小直接影響后續(xù)研磨、拋光工序的效率和成本，以及最終產(chǎn)品的質(zhì)量和性能。因此，在碳化硅襯底
2024-12-26 09:51:54465 一、濕法腐蝕在碳化硅襯底加工中的作用與挑戰(zhàn)
濕法腐蝕是碳化硅襯底加工中不可或缺的一步，主要用于去除表面損傷層、調(diào)整表面形貌、提高表面光潔度等。然而，濕法腐蝕過(guò)程中，由于腐蝕液的選擇、腐蝕時(shí)間的控制
2024-12-27 09:54:50469 在半導(dǎo)體領(lǐng)域，隨著碳化硅（SiC）材料因其卓越的電學(xué)性能、高熱導(dǎo)率等優(yōu)勢(shì)逐漸嶄露頭角，成為新一代功率器件、射頻器件等制造的熱門襯底選擇，對(duì)碳化硅襯底質(zhì)量的精準(zhǔn)把控愈發(fā)關(guān)鍵。其中，碳化硅襯底的 BOW
2025-01-13 14:36:13394 在當(dāng)今蓬勃發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，碳化硅（SiC）襯底作為關(guān)鍵基礎(chǔ)材料，正引領(lǐng)著高性能芯片制造邁向新的臺(tái)階。對(duì)于碳化硅襯底而言，其 BOW（彎曲度）和 WARP（翹曲度）參數(shù)猶如精密天平上的砝碼，細(xì)微
2025-01-14 10:23:10400 碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其出色的物理和化學(xué)特性，如高硬度、高熔點(diǎn)、高熱導(dǎo)率和化學(xué)穩(wěn)定性，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中得到了廣泛的應(yīng)用。SiC襯底是制造高性能SiC器件的關(guān)鍵材料，其生產(chǎn)過(guò)程復(fù)雜
2025-02-03 14:21:001981 一、引言
隨著碳化硅在半導(dǎo)體等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，對(duì)其襯底質(zhì)量的檢測(cè)愈發(fā)關(guān)鍵。BOW（翹曲度）和 WARP（彎曲度）是衡量碳化硅襯底質(zhì)量的重要參數(shù)，準(zhǔn)確測(cè)量這些參數(shù)對(duì)于保證器件性能至關(guān)重要。而不同的吸附
2025-01-23 10:30:54286 多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢(shì)和多樣的沉積技術(shù)而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化學(xué)與機(jī)械性能以及廣泛的應(yīng)用前景而受到關(guān)注。
2025-02-05 13:49:121953 
近日，環(huán)球晶董事長(zhǎng)徐秀蘭表示，主流6英寸碳化硅（SiC）襯底的價(jià)格已經(jīng)穩(wěn)定，但市場(chǎng)反彈仍不確定。中國(guó)臺(tái)灣制造商正專注于開(kāi)發(fā)8英寸SiC襯底，盡管2025年對(duì)SiC的市場(chǎng)預(yù)期仍較為保守，但2026年
2025-02-19 11:35:49946 ）的壟斷與衰落 技術(shù)壟斷期：Wolfspeed（原CREE）曾長(zhǎng)期主導(dǎo)全球碳化硅襯底市場(chǎng)，其物理氣相傳輸法（PVT）生長(zhǎng)技術(shù)及6英寸襯底工藝占據(jù)絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。2018年特斯拉采用碳化硅后，Wolfspeed市值一度飆升，但此后因技術(shù)迭代緩慢、成本高企及中國(guó)企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)，市值暴
2025-03-05 07:27:051295 
引言
在碳化硅襯底加工過(guò)程中，切割進(jìn)給量是影響其厚度均勻性的關(guān)鍵工藝參數(shù)。深入探究二者的量化關(guān)系，并進(jìn)行工藝優(yōu)化，對(duì)提升碳化硅襯底質(zhì)量、滿足半導(dǎo)體器件制造需求具有重要意義。
量化關(guān)系分析
切割機(jī)
2025-06-12 10:03:28537 
超薄碳化硅襯底（
2025-07-02 09:49:10483 01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料，經(jīng)過(guò)晶體生長(zhǎng)、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過(guò)程后形成的單片材料。按照電學(xué)性能
2025-07-15 15:00:19961 
摘要
本文針對(duì)碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中各向異性帶來(lái)的干擾問(wèn)題展開(kāi)研究，深入分析干擾產(chǎn)生的機(jī)理，提出多種解決策略，旨在提高碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量的準(zhǔn)確性與可靠性，為碳化硅半導(dǎo)體制造工藝提供
2025-08-08 11:38:30659 摘要
本文針對(duì)激光干涉法在碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中存在的精度問(wèn)題，深入分析影響測(cè)量精度的因素，從設(shè)備優(yōu)化、環(huán)境控制、數(shù)據(jù)處理等多個(gè)維度提出精度提升策略，旨在為提高碳化硅襯底 TTV 測(cè)量準(zhǔn)確性
2025-08-12 13:20:16778 摘要
本文針對(duì)碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中出現(xiàn)的數(shù)據(jù)異常問(wèn)題，系統(tǒng)分析異常類型與成因，構(gòu)建科學(xué)高效的快速診斷流程，并提出針對(duì)性處理方法，旨在提升數(shù)據(jù)異常處理效率，保障碳化硅襯底 TTV 測(cè)量準(zhǔn)確性
2025-08-14 13:29:381027 本文通過(guò)對(duì)比國(guó)產(chǎn)與進(jìn)口碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x在性能、價(jià)格、維護(hù)成本等方面的差異，深入分析兩者的性價(jià)比，旨在為半導(dǎo)體制造企業(yè)及科研機(jī)構(gòu)選購(gòu)測(cè)量設(shè)備提供科學(xué)依據(jù)，助力優(yōu)化資源配置。
引言
在
2025-08-15 11:55:31707 摘要
本文聚焦碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量過(guò)程，深入探究表面粗糙度對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響機(jī)制，通過(guò)理論分析與實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，揭示表面粗糙度與測(cè)量誤差的關(guān)聯(lián)，為優(yōu)化碳化硅襯底 TTV 測(cè)量方法、提升測(cè)量準(zhǔn)確性提供
2025-08-18 14:33:59454 摘要
本文圍繞探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x，系統(tǒng)闡述其操作規(guī)范與實(shí)用技巧，通過(guò)規(guī)范測(cè)量流程、分享操作要點(diǎn)，旨在提高測(cè)量準(zhǔn)確性與效率，為半導(dǎo)體制造過(guò)程中碳化硅襯底 TTV 測(cè)量提供標(biāo)準(zhǔn)化操作
2025-08-20 12:01:02552 本文圍繞探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x，系統(tǒng)闡述其操作規(guī)范與實(shí)用技巧，通過(guò)規(guī)范測(cè)量流程、分享操作要點(diǎn)，旨在提高測(cè)量準(zhǔn)確性與效率，為半導(dǎo)體制造過(guò)程中碳化硅襯底 TTV 測(cè)量提供標(biāo)準(zhǔn)化操作指導(dǎo)
2025-08-23 16:22:401083 摘要
本文針對(duì)碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中存在的邊緣效應(yīng)問(wèn)題，深入分析其產(chǎn)生原因，從樣品處理、測(cè)量技術(shù)改進(jìn)及數(shù)據(jù)處理等多維度研究抑制方法，旨在提高 TTV 測(cè)量準(zhǔn)確性，為碳化硅半導(dǎo)體制造提供可靠
2025-08-26 16:52:101093 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在過(guò)去的2023年里，國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了可能是發(fā)展速度最快的一年。首先是碳化硅襯底取得突破，8英寸進(jìn)展神速，同時(shí)三安和天岳先進(jìn)、天科合達(dá)等獲得海外芯片巨頭的認(rèn)可，簽下
2024-01-08 08:25:345166 
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