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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>納微半導(dǎo)體出席小米技術(shù)demoday,共同展望氮化鎵應(yīng)用未來

納微半導(dǎo)體出席小米技術(shù)demoday,共同展望氮化鎵應(yīng)用未來

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半導(dǎo)體 (Navitas) 在重要亞洲電子會議上 展示氮化(GaN) 功率IC

(Navitas) 半導(dǎo)體宣布,將在11月3號到6號在上海舉辦的中國電源學(xué)會學(xué)術(shù)年會(CPSSC) 上展示最新的氮化(GaN)功率IC及其應(yīng)用。
2017-10-30 11:54:4814245

半導(dǎo)體發(fā)布全球首份氮化可持續(xù)發(fā)展報告

今年2月,半導(dǎo)體發(fā)布了寬禁帶行業(yè)首份可持續(xù)發(fā)展報告。報告指出,每顆出貨的清潔、綠色氮化功率芯片可節(jié)省 4 kg CO2排放,GaN有望節(jié)省高達(dá) 2.6 億噸/年的二氧化碳排放量,相當(dāng)于 650
2022-06-15 18:19:511086

半導(dǎo)體雙向氮化開關(guān)深度解析

前不久,半導(dǎo)體剛剛發(fā)布全球首款量產(chǎn)級的650V雙向GaNFast氮化功率芯片。
2025-06-03 09:57:502386

氮化功率芯片助力 Dell Latitude 系列筆記本電腦實現(xiàn)快充

氮化 (GaN) 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體(納斯達(dá)克代碼:NVTS)宣布,戴爾已采用 GaNFast 氮化功率芯片為其 Latitude 9000 系列高端筆記本電腦實現(xiàn)快充。
2021-12-30 15:06:091790

半導(dǎo)體新一代氮化功率芯片全力支持vivo旗下iQOO子品牌iQOO 9 Pro手機120W氮化充電器成功上市

2022年1月18日,半導(dǎo)體正式宣布,其新一代增加GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化功率芯片已用于vivo公司旗下iQOO子品牌iQOO 9 Pro手機所標(biāo)配的120W超快閃充迷你充電器中。
2022-01-19 09:29:023763

半導(dǎo)體助力Redmi K50冠軍版電競手機發(fā)布,搭配120W氮化神仙秒充,梅賽德斯F1手機震撼上市

半導(dǎo)體今天正式宣布,旗下新一代增加GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化功率芯片,已用于Redmi攜手梅賽德斯 AMG 馬石油 F1 車隊共同發(fā)布的K50冠軍版電競手機所標(biāo)配120W氮化充電器中。
2022-03-14 13:40:021867

半導(dǎo)體宣布成功發(fā)貨超過四千萬顆,氮化功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者加速發(fā)展

氮化功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼: NVTS)正式宣布其發(fā)貨數(shù)量已超過四千萬顆,終端市場故障率為零。
2022-03-28 09:27:481184

半導(dǎo)體發(fā)布全新GaNSense? Control合封氮化芯片,引領(lǐng)氮化邁入集成新高度

芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 — 半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)發(fā)布全新GaNSense? Control合封氮化功率芯片,帶來前所未有的高集成度和性能表現(xiàn)。 氮化是相比傳統(tǒng)高壓 (HV) 硅 (Si) 功率半導(dǎo)體有著重大升級的下一代半導(dǎo)體技術(shù),同時還減少了提供相同
2023-03-28 13:54:321257

集成之巔,易用至極!發(fā)布全新GaNSlim?氮化功率芯片

— 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及GaNFast?氮化功率芯片和GeneSiC?碳化硅功率器件行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)今日發(fā)布 全新一代高度集成的氮化功率芯片產(chǎn)品——GaNSlim? ,其憑借 最高級別的集成度和散熱性能 ,可為 手機
2024-10-17 16:31:091304

氮化: 歷史與未來

(86) ,因此在正常體溫下,它會在人的手中融化。 又過了65年,氮化首次被人工合成。直到20世紀(jì)60年代,制造氮化單晶薄膜的技術(shù)才得以出現(xiàn)。作為一種化合物,氮化的熔點超過1600℃,比硅高
2023-06-15 15:50:54

氮化技術(shù)半導(dǎo)體行業(yè)中處于什么位置?

從將PC適配器的尺寸減半,到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換,德州儀器為您的設(shè)計提供了氮化解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V,提供從低功率適配器到超過2 kW設(shè)計的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40

氮化GaN 來到我們身邊竟如此的快

;這也說明市場對于充電器功率的市場需求及用戶使用的范圍;隨著小米65W的充電器的發(fā)布,快速的走進(jìn)氮化快充充電器時代。目前市面上已經(jīng)量產(chǎn)商用的氮化方案主要來自PI和半導(dǎo)體兩家供應(yīng)商。其中PI
2020-03-18 22:34:23

氮化充電器

是什么氮化(GaN)是氮和化合物,具體半導(dǎo)體特性,早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族,硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料,具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點,應(yīng)用在充電器方面,主要是集成氮化MOS管,可適配小型變壓器和高功率器件,充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58

氮化充電器和普通充電器有啥區(qū)別?

的代替材料就更加迫切。 氮化(GaN)被稱為第三代半導(dǎo)體材料。相比硅,它的性能成倍提升,而且比硅更適合做大功率器件、體積更小、功率密度更大。氮化芯片頻率遠(yuǎn)高于硅,有效降低內(nèi)部變壓器等原件體積,同時優(yōu)秀
2025-01-15 16:41:14

氮化功率半導(dǎo)體技術(shù)解析

氮化功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26

氮化發(fā)展評估

`從研發(fā)到商業(yè)化應(yīng)用,氮化的發(fā)展是當(dāng)下的顛覆性技術(shù)創(chuàng)新,其影響波及了現(xiàn)今整個微波和射頻行業(yè)。氮化對眾多射頻應(yīng)用的系統(tǒng)性能、尺寸及重量產(chǎn)生了明確而深刻的影響,并實現(xiàn)了利用傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)無法實現(xiàn)
2017-08-15 17:47:34

氮化的卓越表現(xiàn):推動主流射頻應(yīng)用實現(xiàn)規(guī)?;?、供應(yīng)安全和快速應(yīng)對能力

和意法半導(dǎo)體今天聯(lián)合宣布將硅基氮化技術(shù)引入主流射頻市場和應(yīng)用領(lǐng)域的計劃,這標(biāo)志著氮化供應(yīng)鏈生態(tài)系統(tǒng)的重要轉(zhuǎn)折點,未來會將MACOM的射頻半導(dǎo)體技術(shù)實力與ST在硅晶圓制造方面的規(guī)?;统錾\營完美結(jié)合
2018-08-17 09:49:42

氮化芯片未來會取代硅芯片嗎?

氮化 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化(GaN)是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時,GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18

集成氮化電源解決方案和應(yīng)用

集成氮化電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07

GaN功率半導(dǎo)體(氮化)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢介紹

GaN功率半導(dǎo)體(氮化)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46

IFWS 2018:氮化功率電子器件技術(shù)分會在深圳召開

功率氮化電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢,并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容,在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動機
2018-11-05 09:51:35

MACOM和意法半導(dǎo)體將硅上氮化推入主流射頻市場和應(yīng)用

本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯 整合意法半導(dǎo)體的制造規(guī)模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化射頻功率技術(shù),瞄準(zhǔn)主流消費
2018-02-12 15:11:38

MACOM:硅基氮化器件成本優(yōu)勢

應(yīng)用。MACOM的氮化可用于替代磁控管的產(chǎn)品,這顆功率為300瓦的硅基氮化器件被用來作為微波爐里磁控管的替代。用氮化器件來替代磁控管帶來好處很多:半導(dǎo)體器件可靠性更高,氮化器件比磁控管驅(qū)動電壓
2017-09-04 15:02:41

MACOM:適用于5G的半導(dǎo)體材料硅基氮化(GaN)

的優(yōu)勢,近年來在功率器件市場大受歡迎。然而,其居高不下的成本使得氮化技術(shù)的應(yīng)用受到很多限制。 但是隨著硅基氮化技術(shù)的深入研究,我們逐漸發(fā)現(xiàn)了一條完全不同的道路,甚至可以說是顛覆性的半導(dǎo)體技術(shù)。這就
2017-07-18 16:38:20

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》氮化發(fā)展技術(shù)

書籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:氮化發(fā)展技術(shù)編號:JFSJ-21-041作者:炬豐科技網(wǎng)址:http://www.wetsemi.com/index.html 摘要:在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20

為什么氮化(GaN)很重要?

的設(shè)計和集成度,已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體,其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計,如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心,都升級為使用氮化功率芯片器件,那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44

什么是氮化功率芯片?

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),成為落地量產(chǎn)設(shè)計的催化劑 氮化芯片是提高整個系統(tǒng)性能的關(guān)鍵,是創(chuàng)造出接近“理想開關(guān)”的電路構(gòu)件,即一個能將最小能量的數(shù)字信號,轉(zhuǎn)化為無損功率傳輸?shù)碾娐窐?gòu)件。 半導(dǎo)體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56

什么是氮化(GaN)?

氮化南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場多年,無論是吊打碳化硅,還是PK砷化。氮化憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì),確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03

什么是氮化(GaN)?

氮化,由(原子序數(shù) 31)和氮(原子序數(shù) 7)結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量,氮化的禁帶寬度為 3.4eV,是硅
2023-06-15 15:41:16

什么阻礙氮化器件的發(fā)展

=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化技術(shù)是5G的絕配,基站功放使用氮化。氮化(GaN)、砷化(GaAs)和磷化銦(InP)是射頻應(yīng)用中常用的半導(dǎo)體材料。[color
2019-07-08 04:20:32

從清華大學(xué)到未來科技,張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅守!

從清華大學(xué)到未來科技,張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅守!近年來,珠海市未來科技有限公司(以下簡稱“未來”)在第三代半導(dǎo)體行業(yè)異軍突起,憑借領(lǐng)先的氮化(GaN)技術(shù)儲備和不斷推出的新產(chǎn)品
2025-05-19 10:16:02

如何實現(xiàn)小米氮化充電器

如何實現(xiàn)小米氮化充電器是一個c to c 的一個充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口,但這個口不可以充電,它是用來轉(zhuǎn)VGA,HDMI,DP之類了,可以外接顯示器,拓展塢之類的。要用氮化
2021-09-14 06:06:21

有關(guān)氮化半導(dǎo)體的常見錯誤觀念

氮化(GaN)是一種全新的使能技術(shù),可實現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應(yīng)用中取得硅器件無法實現(xiàn)的性能。那么,為什么關(guān)于氮化半導(dǎo)體仍然有如此多的誤解?事實又是怎樣的呢? 關(guān)于氮化技術(shù)
2023-06-25 14:17:47

硅基氮化與LDMOS相比有什么優(yōu)勢?

射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來,橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今,這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變,硅基氮化(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34

第三代半導(dǎo)體材料氮化/GaN 未來發(fā)展及技術(shù)應(yīng)用

GaN將在高功率、高頻率射頻市場及5G 基站PA的有力候選技術(shù)。未來預(yù)估5-10年內(nèi)GaN 新型材料將快速崛起并占有多半得半導(dǎo)體市場需求。。。以下內(nèi)容均摘自網(wǎng)絡(luò)媒體,如果不妥,請聯(lián)系站內(nèi)信進(jìn)行刪除
2019-04-13 22:28:48

誰發(fā)明了氮化功率芯片?

雖然低電壓氮化功率芯片的學(xué)術(shù)研究,始于 2009 年左右的香港科技大學(xué),但強大的高壓氮化功率芯片平臺的量產(chǎn),則是由成立于 2014 年的半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08

高壓氮化未來是怎么樣的

TI,我們不斷工作,在憧憬著未來美好生活的同時,我們也努力盡早實現(xiàn)這些未來技術(shù)。感覺不到散熱GaN是將鎵元素和氮元素這兩個元素組合在一起而創(chuàng)造出來的一款超快速的半導(dǎo)體材料。在很多年間,硅材料一直在
2018-08-30 15:05:50

半導(dǎo)體未來超級英雄:氮化和碳化硅的奇幻之旅

半導(dǎo)體氮化
北京中科同志科技股份有限公司發(fā)布于 2023-08-29 09:37:38

氮化(GaN)襯底晶片實現(xiàn)國產(chǎn) 蘇州維的2英寸氮化名列第一

氮化單晶材料生長難度非常大,蘇州維的2英寸氮化名列第一。真正的實現(xiàn)了“中國造”的氮化襯底晶片。氮化半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)發(fā)展非常快,同樣也是氮化半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展不可或缺的要素。
2018-01-30 13:48:018710

全球領(lǐng)先!半導(dǎo)體氮化芯片出貨量超1300萬顆

半導(dǎo)體今日正式宣布,其出貨量創(chuàng)下最新紀(jì)錄,已向市場成功交付超過1300萬顆氮化(GaN)功率IC實現(xiàn)產(chǎn)品零故障。
2021-01-27 16:43:142250

氮化功率芯片的開創(chuàng)者打造充電新方式

? 半導(dǎo)體(Navitas Semiconductor)是全球氮化功率芯片的開創(chuàng)者,成立于2014年,總部位于愛爾蘭,在深圳、杭州、上海都擁有銷售和研發(fā)中心。半導(dǎo)體擁有一支強大且不斷壯大
2021-03-10 14:33:013980

半導(dǎo)體閃亮登場慕尼黑上海電子展,氮化最新工業(yè)級應(yīng)用產(chǎn)品首次公開亮相

DUBLIN, IRELAND —(PRWeb) 半導(dǎo)體宣布,在為期三天的2021年慕尼黑上海電子展上,成功完成一系列GaNFast? 大功率氮化工業(yè)應(yīng)用首秀。
2021-04-27 14:11:531302

福布斯專訪半導(dǎo)體:談氮化在電動汽車領(lǐng)域的廣闊應(yīng)用

半導(dǎo)體向福布斯詳細(xì)介紹了 GaNFast 氮化功率芯片的相關(guān)信息,并且介紹了氮化功率芯片在電動汽車以及電動交通工具等方面的應(yīng)用。
2021-08-24 09:39:212059

福克斯電視臺專訪半導(dǎo)體CEO:氮化技術(shù)走向世界

截至 2021 年 5 月,超過 2000 萬片 GaNFast?? 氮化功率芯片已經(jīng)成功出貨。
2021-08-24 09:42:301764

小米三度攜手,小米 65W 1A1C氮化充電器發(fā)布!

小米 65W 1A1C 氮化充電器,采用了半導(dǎo)體 NV6115 GaNFast 氮化功率芯片。該芯片采用 5×6mm 的 QFN 封裝,并且采用高頻軟開關(guān)拓?fù)洌?b class="flag-6" style="color: red">氮化開關(guān)管、獨立驅(qū)動器以及邏輯控制電路。
2021-08-24 09:48:102573

《巴倫周刊》專訪半導(dǎo)體CEO:氮化功率芯片行業(yè)將開啟光明未來

半導(dǎo)體正在與特殊目的收購公司Live Oak Acquisition Corp. II進(jìn)行合并上市流程。
2021-08-26 09:45:581332

半導(dǎo)體CTO登場SEMICON Taiwan 2021大會,介紹氮化技術(shù)

 氮化(GaN)是下一代半導(dǎo)體技術(shù),它的器件開關(guān)速度比傳統(tǒng)硅器件快20倍。
2021-09-08 12:22:201779

奧運冠軍代言全新小米手機 Civi,半導(dǎo)體小米四度合作!

半導(dǎo)體今日宣布,小米正式發(fā)布新款智能手機小米 Civi,配備采用 GaNFast 氮化功率芯片的 55W 氮化充電器。
2021-10-08 11:45:092410

半導(dǎo)體正式登陸納斯達(dá)克,以股票代碼NVTS上市交易

氮化功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體(“”)的股票,正式開始在納斯達(dá)克全球市場交易,股票代碼為“NVTS”。
2021-10-21 14:30:312630

CNBC專訪半導(dǎo)體:全球首家針對電動汽車的氮化功率芯片設(shè)計中心展望及新聞稿

美西時間2月4日,半導(dǎo)體再次接受CNBC專訪。CEO Gene Sheridan在采訪中表示,電動汽車是下一個目標(biāo)市場。
2022-02-08 09:37:561531

半導(dǎo)體助力 realme 發(fā)布全球最快智能手機充電技術(shù)

全球首款160W氮化充電器亮相MWC 2022,半導(dǎo)體GaNFast??技術(shù)進(jìn)入realme GT Neo 3智能手機供應(yīng)鏈。
2022-03-01 16:34:371331

半導(dǎo)體宣布全球首個氮化功率芯片20年質(zhì)保承諾

氮化作為下一代半導(dǎo)體技術(shù),其運行速度比傳統(tǒng)硅功率芯片快 20 倍。半導(dǎo)體以其專有的GaNFast?氮化功率集成芯片技術(shù),集成了氮化功率場效應(yīng)管(GaN Power[FET])、驅(qū)動、控制和保護模塊在單個SMT表面貼裝工藝封裝中。
2022-03-29 13:45:132198

半導(dǎo)體GaNFast氮化功率芯片加速進(jìn)入快充市場

氮化 (GaN) 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)近日宣布,其采用GaNSense 技術(shù)的智能GaNFast功率芯片已升級以提高效率和功率密度,將加速進(jìn)入更多類型的快充市場。
2022-05-05 10:32:562299

半導(dǎo)體發(fā)布第三代氮化平臺NV6169功率芯片

美國加利福尼亞州埃爾塞貢多,2022 年 5 月10日:氮化 (GaN) 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體(納斯達(dá)克代碼:NVTS)正式發(fā)布 NV6169,這是一款采用 GaNSense?技術(shù)的650/800 V 大功率GaNFast?芯片,可滿足高功率應(yīng)用。
2022-05-11 11:24:312749

半導(dǎo)體通過全球首家CarbonNeutral?公司認(rèn)證

氮化功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體宣布,正式成為全球首家獲得頂尖碳中和及氣候融資顧問機構(gòu)Natural Capital Partners頒發(fā)的CarbonNeutral?公司認(rèn)證的半導(dǎo)體公司。
2022-06-06 14:48:112763

半導(dǎo)體助力小米旗下Redmi系列首款筆記本電腦標(biāo)配100W氮化充電器發(fā)布

下一代氮化功率芯片 助力RedmiBook Pro實現(xiàn)輕巧快充 ? 加利福尼亞州埃爾塞貢多2022年6月29日訊 — 氮化 (GaN) 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體(納斯達(dá)克代碼:NVTS)宣布
2022-07-01 14:39:402312

半導(dǎo)體CEO強勢助陣Anker GaNPrime?全球發(fā)布會,GaNSense?技術(shù)助力Anker重新定義氮化

Anker,重新定義氮化! ? “半導(dǎo)體氮化功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者,自 2017 年以來一直與安克緊密合作。作為半導(dǎo)體的首批投資者,安克見證了從成立初期到 2021 年在納斯達(dá)克的成功上市。 安克GaNPrime? 全氮化快充家族的產(chǎn)品中,采用了新一代增加GaNSense??技術(shù)
2022-07-29 16:17:441027

好馬配好鞍——未來氮化隔離驅(qū)動器比翼雙飛,助力氮化先進(jìn)應(yīng)用

未來已來,氮化的社會經(jīng)濟價值加速到來。 ? 本文介紹了未來氮化方面的技術(shù)合作方案。 未來提供的緊湊級聯(lián)型氮化器件與隔離驅(qū)動器配合,隔離驅(qū)動器保證了異常工作情況下對氮化器件
2022-11-30 14:52:251382

氮化與其他半導(dǎo)體的比較(FOM) 氮化晶體管的應(yīng)用

了解氮化 -寬帶隙半導(dǎo)體:為什么? -氮化與其他半導(dǎo)體的比較(FOM) -如何獲得高片電荷和高遷移率?
2023-01-15 14:54:252391

氮化半導(dǎo)體技術(shù)制造

氮化(GaN)主要是指一種由人工合成的半導(dǎo)體材料,是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表, 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)初步形成,相關(guān)器件快速發(fā)展。第三代半導(dǎo)體氮化產(chǎn)業(yè)范圍涵蓋氮化單晶襯底、半導(dǎo)體器件芯片設(shè)計、制造、封測以及芯片等主要應(yīng)用場景。
2023-02-07 09:36:562408

氮化半導(dǎo)體器件驅(qū)動設(shè)計

氮化(GaN)功率半導(dǎo)體技術(shù)和模塊式設(shè)計的進(jìn)步,使得微波頻率的高功率連續(xù)波(CW)和脈沖放大器成為可能。
2023-02-08 17:41:29999

氮化是什么半導(dǎo)體材料 氮化充電器的優(yōu)缺點

氮化屬于第三代半導(dǎo)體材料,相對硅而言,氮化間隙更寬,導(dǎo)電性更好,將普通充電器替換為氮化充電器,充電的效率更高。
2023-02-14 17:35:509674

半導(dǎo)體“黑科技”:氮化

來源:《半導(dǎo)體芯科技》雜志12/1月刊 近年來,芯片材料、設(shè)備以及制程工藝等技術(shù)不斷突破,在高壓、高溫、高頻應(yīng)用場景中第三代半導(dǎo)體材質(zhì)優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)。其中,氮化憑借著在消費產(chǎn)品快充電源領(lǐng)域的如
2023-02-17 18:13:204099

雙碳時代的芯片可以在氮化上造

半導(dǎo)體如何在氮化上造芯片? 作者丨 周雅 剛剛過去的10月底,半導(dǎo)體(Navitas Semiconductor)成功在納斯達(dá)克上市,上市當(dāng)天企業(yè)價值10億美元。1個月后,半導(dǎo)體再進(jìn)
2023-02-21 14:57:110

半導(dǎo)體推出智能GaNFast氮化功率芯片

領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體(Navitas Semiconductor)(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)宣 布推出新一代采用GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化功率芯片。GaNSense技術(shù)集成了關(guān)鍵、實時、智能的傳感和保護電路, 進(jìn)一步提高了半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)先的可靠性和穩(wěn)健性,同時增加了
2023-02-22 13:48:053

新一代GaNSense? Control合封芯片詳解:更高效穩(wěn)定、成本更優(yōu)的氮化功率芯片

在電源領(lǐng)域掀起了翻天覆地的變革。 為簡化電路設(shè)計,加強器件可靠性,降低系統(tǒng)成本,半導(dǎo)體基于成功的GaNFast?氮化功率芯片及先進(jìn)的GaNSense?技術(shù),推出新一代GaNSense? Control合封氮化功率芯片,進(jìn)一步加速氮化市場普及
2023-03-28 13:58:021876

發(fā)貨量超75,000,000顆!半導(dǎo)體創(chuàng)氮化功率器件出貨“芯”高峰

全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 — 半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)宣布 已出貨超7500萬顆高壓氮化功率器件。 氮化是是較高壓傳統(tǒng)硅功率半導(dǎo)體有著重大升級的下一代半導(dǎo)體技術(shù),它減少了提供高壓性
2023-03-28 14:19:531041

半導(dǎo)體發(fā)布高頻、高壓的氮化+低壓硅系統(tǒng)控制器方案

氮化是相比傳統(tǒng)高壓 (HV) 硅 (Si) 功率半導(dǎo)體有著重大升級的下一代半導(dǎo)體技術(shù),同時還減少了提供相同性能所需的能源和物理空間。
2023-04-25 15:01:47925

半導(dǎo)體氮化和碳化硅齊頭并進(jìn),抓住繼充電器之后的下一波熱點應(yīng)用

早前,半導(dǎo)體率先憑借氮化功率芯片產(chǎn)品,踩準(zhǔn)氮化在充電器和電源適配器應(yīng)用爆發(fā)的節(jié)奏,成為氮化領(lǐng)域的頭部企業(yè)。同時,也不斷開發(fā)氮化和碳化硅產(chǎn)品線,拓展新興應(yīng)用市場。在2023慕尼黑上海
2023-08-01 16:36:192934

第四代氮化器件樹立大功率行業(yè)應(yīng)用內(nèi)新標(biāo)桿

半導(dǎo)體第四代高度集成氮化平臺在效率、密度及可靠性要求嚴(yán)苛的大功率行業(yè)應(yīng)用內(nèi)樹立新標(biāo)桿
2023-09-07 14:30:151913

什么是氮化半導(dǎo)體器件?氮化半導(dǎo)體器件特點是什么?

氮化是一種無機物質(zhì),化學(xué)式為GaN,是氮和的化合物,是一種具有直接帶隙的半導(dǎo)體。自1990年起常用于發(fā)光二極管。這種化合物的結(jié)構(gòu)與纖鋅礦相似,硬度非常高。氮化具有3.4電子伏特的寬能隙,可用
2023-09-13 16:41:453085

氮化半導(dǎo)體和碳化硅半導(dǎo)體的區(qū)別

氮化半導(dǎo)體和碳化硅半導(dǎo)體是兩種主要的寬禁帶半導(dǎo)體材料,在諸多方面都有明顯的區(qū)別。本文將詳盡、詳實、細(xì)致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學(xué)性能以及應(yīng)用領(lǐng)域等方面的差異。 一、物理特性: 氮化
2023-12-27 14:54:184060

氮化半導(dǎo)體芯片和芯片區(qū)別

氮化半導(dǎo)體芯片(GaN芯片)和傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體芯片在組成材料、性能特點、應(yīng)用領(lǐng)域等方面存在著明顯的區(qū)別。本文將從這幾個方面進(jìn)行詳細(xì)介紹。 首先,氮化半導(dǎo)體芯片和傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體芯片的組成
2023-12-27 14:58:242956

氮化半導(dǎo)體屬于金屬材料嗎

氮化半導(dǎo)體并不屬于金屬材料,它屬于半導(dǎo)體材料。為了滿足你的要求,我將詳細(xì)介紹氮化半導(dǎo)體的性質(zhì)、制備方法、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來發(fā)展方向等方面的內(nèi)容。 氮化半導(dǎo)體的性質(zhì) 氮化(GaN)是一種寬禁帶
2024-01-10 09:27:324485

十載征程,引領(lǐng)功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展

在功率半導(dǎo)體行業(yè),半導(dǎo)體以其對氮化和碳化硅功率芯片的深入研究和創(chuàng)新,贏得了行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的地位。值此成立十周年之際,半導(dǎo)體回顧了其一路走來的輝煌歷程,并對未來展望了無限期待。
2024-02-21 10:50:321467

半導(dǎo)體下一代GaNFast?氮化技術(shù)為三星打造超快“加速充電”

加利福尼亞州托倫斯2024年2月21日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)宣布其GaNFast?氮化功率芯片為三星全新發(fā)布的“AI機皇”—— Galaxy S24智能手機打造25W超快“加速充電”。
2024-02-22 11:42:041476

半導(dǎo)體發(fā)布最新AI數(shù)據(jù)中心電源技術(shù)路線圖

氮化和碳化硅技術(shù)并進(jìn),下一代AI數(shù)據(jù)中心電源功率突破飛升 加利福尼亞州托倫斯2024年3月11日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體
2024-03-13 13:48:331419

半導(dǎo)體發(fā)布最新AI數(shù)據(jù)中心電源技術(shù)路線圖

半導(dǎo)體,作為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者,以及氮化和碳化硅功率芯片的行業(yè)領(lǐng)頭羊,近日公布了其針對AI人工智能數(shù)據(jù)中心的最新電源技術(shù)路線圖。此舉旨在滿足未來12至18個月內(nèi),AI系統(tǒng)功率需求可能呈現(xiàn)高達(dá)3倍的指數(shù)級增長。
2024-03-16 09:39:551722

半導(dǎo)體即將亮相亞洲充電展

半導(dǎo)體,作為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者,以及氮化和碳化硅功率芯片技術(shù)的引領(lǐng)者,近日宣布將亮相于2024年3月20日至22日在深圳福田會展中心舉辦的亞洲充電展。屆時,半導(dǎo)體將設(shè)立一個獨特而富有未來感的“芯球”展臺,充分展示其最新氮化和碳化硅技術(shù),引領(lǐng)觀眾領(lǐng)略全電氣化的未來世界。
2024-03-16 09:40:581411

氮化技術(shù)助力Virtual Forest打造太陽能灌溉泵

氮化技術(shù)助力Virtual Forest打造太陽能灌溉泵,不僅有效確保糧食安全,同時讓印度農(nóng)民無需再使用遠(yuǎn)距離電纜或昂貴且有污染的柴油發(fā)電機。
2024-04-22 14:07:26954

半導(dǎo)體將亮相PCIM 2024,展示氮化與碳化硅技術(shù)

在電力電子領(lǐng)域,半導(dǎo)體憑借其卓越的GaNFast?氮化和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體技術(shù),已成為行業(yè)內(nèi)的佼佼者。近日,該公司受邀參加6月11日至13日在德國紐倫堡舉行的PCIM 2024電力電子展,并在“芯球”展臺上展示其最新技術(shù)成果。
2024-05-30 14:43:081171

半導(dǎo)體下一代GaNFast氮化功率芯片助力聯(lián)想打造全新氮化快充

加利福尼亞州托倫斯2024年6月20日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)近日宣布其GaNFast氮化功率芯片獲
2024-06-21 14:45:442670

聯(lián)想新品充電器搭載半導(dǎo)體GaNFast氮化功率芯片,革新快充體驗

在科技日新月異的今天,充電技術(shù)正不斷取得新的突破。近日,半導(dǎo)體宣布其先進(jìn)的GaNFast氮化功率芯片被聯(lián)想兩款全新充電器所采用,為消費者帶來了前所未有的快充體驗。這兩款充電器分別是小新105W
2024-06-22 14:13:491787

氮化(GaN)的最新技術(shù)進(jìn)展

本文要點氮化是一種晶體半導(dǎo)體,能夠承受更高的電壓。氮化器件的開關(guān)速度更快、熱導(dǎo)率更高、導(dǎo)通電阻更低且擊穿強度更高。氮化技術(shù)可實現(xiàn)高功率密度和更小的磁性。氮化(GaN)和碳化硅(SiC)是兩種
2024-07-06 08:13:181988

半導(dǎo)體發(fā)布GaNSli氮化功率芯片

近日,半導(dǎo)體推出了全新一代高度集成的氮化功率芯片——GaNSlim?。這款芯片憑借卓越的集成度和出色的散熱性能,在手機和筆記本電腦充電器、電視電源以及固態(tài)照明電源等多個領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大潛力。
2024-10-17 16:02:311134

十年,氮化GaNSlim上新,持續(xù)引領(lǐng)集成之勢

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)十年前半導(dǎo)體作為氮化行業(yè)的先鋒,成功地將氮化功率器件帶入消費電子市場,幫助客戶打造了許多氮化充電器的爆款產(chǎn)品,也推動了“氮化”的認(rèn)知普及,當(dāng)然也成就了
2024-10-23 09:43:592386

半導(dǎo)體邀您相約CES 2025

近日, 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 將參加于2025年1月7日-10日在拉
2024-12-09 11:50:311435

半導(dǎo)體氮化和碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈

近日,GaNFast氮化功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)今日宣布其氮化和碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈,為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。
2025-02-07 13:35:081235

半導(dǎo)體將于下月發(fā)布全新功率轉(zhuǎn)換技術(shù)

GaNFast氮化功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)今日宣布于下月發(fā)布全新的功率轉(zhuǎn)換技術(shù),將觸發(fā)多個行業(yè)領(lǐng)域的顛覆性變革。該創(chuàng)新涵蓋半導(dǎo)體與系統(tǒng)級解決方案,預(yù)計將顯著提升能效與功率密度,加速氮化和碳化硅技術(shù)對傳統(tǒng)硅基器件的替代進(jìn)程。
2025-02-21 16:41:10867

半導(dǎo)體APEC 2025亮點搶先看

近日,唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 宣布將參加APEC 2025,展示氮化和碳化硅技術(shù)在AI數(shù)據(jù)中心、電動汽車和移動設(shè)備領(lǐng)域的應(yīng)用新突破。
2025-02-25 10:16:381785

半導(dǎo)體發(fā)布雙向GaNFast氮化功率芯片

唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼: NVTS)今日重磅發(fā)布全球首款量產(chǎn)級650V雙向GaNFast氮化
2025-03-13 15:49:392996

半導(dǎo)體GaNSafe?氮化功率芯片正式通過車規(guī)認(rèn)證

日訊——半導(dǎo)體宣布其高功率旗艦GaNSafe氮化功率芯片已通過 AEC-Q100 和 AEC-Q101 兩項車規(guī)認(rèn)證,這標(biāo)志著氮化技術(shù)在電動汽車市場的應(yīng)用正式邁入了全新階段。 ? 半導(dǎo)體的高功率旗艦——第四代GaNSafe產(chǎn)品家族, 集成了控制、驅(qū)動、感測以及關(guān)鍵的保護功能
2025-04-17 15:09:264300

半導(dǎo)體邀您相約PCIM Europe 2025

半導(dǎo)體宣布將在5月6-8日參加于德國紐倫堡舉辦的PCIM 2025,全面展示氮化和碳化硅技術(shù)在AI數(shù)據(jù)中心、電動汽車、電機馬達(dá)和工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用新進(jìn)展。
2025-04-27 09:31:571008

半導(dǎo)體攜手力積電,啟動8英寸氮化晶圓量產(chǎn)計劃

關(guān)系 ,正式啟動并持續(xù)推進(jìn)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的 8英寸硅基氮化技術(shù)生產(chǎn)。 半導(dǎo)體預(yù)計將使用位于臺灣苗栗竹南科學(xué)園區(qū)的力積電8B廠的
2025-07-02 17:21:091548

全球氮化巨頭半導(dǎo)體更換CEO

半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)今日宣布一項重要人事任命:董事會已決定聘任Chris Allexandre為公司總裁兼首席執(zhí)行官,自2025年9月1日起正式履職。同時,Chris
2025-08-29 15:22:423924

半導(dǎo)體與格芯達(dá)成戰(zhàn)略合作

格芯(GlobalFoundries,納斯達(dá)克代碼:GFS)與半導(dǎo)體(Navitas Semiconductor,納斯達(dá)克代碼:NVTS)今日正式宣布建立長期戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,共同推進(jìn)美國
2025-11-27 14:30:202044

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