增加GaNSense?技術(shù)，全新GaNFast?氮化鎵功率芯片通過實時智能傳感和保護(hù)，為40億美元的手機(jī)充電器和消費(fèi)市場帶來最高效率和可靠性。

　　11月8日，北京--氮化鎵（GaN）功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor）（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）宣布推出新一代采用GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化鎵功率芯片。GaNSense技術(shù)集成了關(guān)鍵、實時、智能的傳感和保護(hù)電路，進(jìn)一步提高了納微半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)先的可靠性和穩(wěn)健性，同時增加了納微氮化鎵功率芯片技術(shù)的節(jié)能和快充優(yōu)勢。

　　氮化鎵（GaN）是下一代半導(dǎo)體材料，氮化鎵器件的開關(guān)速度比傳統(tǒng)的硅器件快20倍，在尺寸和重量減半的情況下，可實現(xiàn)高達(dá)3倍的功率和3倍的充電速度。納微半導(dǎo)體的GaNFast?氮化鎵功率芯片集成了氮化鎵器件和驅(qū)動以及保護(hù)和控制功能，提供簡單、小型、快速和高效的性能表現(xiàn)。

　　GaNSense技術(shù)集成了對系統(tǒng)參數(shù)的實時、準(zhǔn)確和快速感應(yīng)，包括電流和溫度的感知。這項技術(shù)實現(xiàn)了正在申請專利的無損耗電流感應(yīng)能力。與前幾代產(chǎn)品相比，GaNSense 技術(shù)可額外提高10%的節(jié)能效果，并能夠進(jìn)一步減少外部元件數(shù)量，縮小系統(tǒng)的尺寸。此外，如果氮化鎵功率芯片識別到有潛在的系統(tǒng)危險，該芯片將迅速過渡到逐個周期的關(guān)斷狀態(tài)，以保護(hù)器件和周圍系統(tǒng)。GaNSense技術(shù)還集成了智能待機(jī)降低功耗功能，在氮化鎵功率芯片處于空閑模式時，自動降低待機(jī)功耗，有助于進(jìn)一步降低功耗。這對越來越多積極追求環(huán)保的客戶來說尤為重要。

　　憑借業(yè)界最嚴(yán)格的電流測量精度和GaNFast響應(yīng)時間，GaNSense技術(shù)縮短50%的危險時間，危險的過電流峰值降低50%。GaNFast氮化鎵功率芯片單片集成提供了可靠的、無故障的操作，沒有 “振鈴”，從而提高了系統(tǒng)可靠性。

　　納微半導(dǎo)體聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席運(yùn)營官/首席技術(shù)官Dan Kinzer表示：“從檢測到保護(hù)只需30納秒，GaNSense技術(shù)比分立式的氮化鎵功率芯片的實現(xiàn)方案快 600%。納微半導(dǎo)體下一代采用GaNSense技術(shù)的GaNFast氮化鎵功率芯片產(chǎn)品，對潛在的系統(tǒng)故障模式提供了高度準(zhǔn)確和有效的防護(hù)。再加上對高達(dá)800V的瞬態(tài)電壓的免疫力以及嚴(yán)格的柵極波形控制和電壓調(diào)節(jié)，這些功能只有通過我們專有的工藝設(shè)計套件才能實現(xiàn)，重新定義了功率半導(dǎo)體中可靠性、堅固性和性能的新標(biāo)準(zhǔn)?！?/p>

　　采用 GaNSense 技術(shù)的新一代納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片有十個型號，他們都集成了氮化鎵功率器件、氮化鎵驅(qū)動、控制和保護(hù)的核心技術(shù)，所有產(chǎn)品的額定電壓為650V/800V，具有2kV ESD保護(hù)。新的GaNFast功率芯片的RDS（ON）范圍為120至450毫歐，采用5 x 6 mm或6 x 8 mm PQFN封裝，具有GaNSense保護(hù)電路和無損電流感應(yīng)。作為納微第三代氮化鎵功率芯片，針對現(xiàn)代電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化，包括高頻準(zhǔn)諧振反激式（HFQR）、有源鉗位反激式（ACF）和PFC升壓，這些都是移動和消費(fèi)市場內(nèi)流行的提供最快、最高效和最小的充電器和適配器的技術(shù)方法。

　　目標(biāo)市場包括智能手機(jī)和筆記本電腦的快充充電器，估計每年有20億美元的氮化鎵市場機(jī)會，以及每年20億美元的消費(fèi)市場機(jī)會，包括一體機(jī)、電視、家庭網(wǎng)絡(luò)和自動化設(shè)備。GaNSense技術(shù)已被用于部分一線消費(fèi)電子品牌的氮化鎵充電器上。

　　到目前為止，已經(jīng)有超過3000萬顆納微GaNFast氮化鎵功率芯片出貨，在現(xiàn)場測試實現(xiàn)了超過1160億個設(shè)備小時，并且沒有任何關(guān)于GaN現(xiàn)場故障的報告。與傳統(tǒng)的硅功率芯片相比，每顆出貨的GaNFast氮化鎵功率芯片可以減少碳足跡 4-10 倍，可節(jié)省4千克的二氧化碳排放。

　　采用GaNSense技術(shù)的新一代納微GaNFast功率芯片將在以下活動中公開展示。

　　111月8日： WiPDA 2021演講（線上），演講人：納微半導(dǎo)體首席運(yùn)營官/首席技術(shù)官和聯(lián)合創(chuàng)始人，Dan Kinzer

　　211月14日： 中國電源學(xué)會第二十四屆學(xué)術(shù)年會的納微半導(dǎo)體衛(wèi)星會議（上海，線下），演講人 納微半導(dǎo)體應(yīng)用工程總監(jiān)，黃秀成博士

　　311月18日： PSMA電力技術(shù)路線圖演講（線上），演講人：納微半導(dǎo)體首席運(yùn)營官/首席技術(shù)官和聯(lián)合創(chuàng)始人，Dan Kinzer

　　采用GaNSense技術(shù)的新一代GaNFast氮化鎵功率芯片已開始批量生產(chǎn)，并可立即供貨。新的GaNSense技術(shù)的全部技術(shù)細(xì)節(jié)，包括數(shù)據(jù)表、鑒定數(shù)據(jù)、應(yīng)用說明和樣品，可在簽署保密協(xié)議后提供給客戶合作伙伴。