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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>Nexperia推出新款600 V單管IGBT，可在電源應用中實現(xiàn)出色效率

      Nexperia推出新款600 V單管IGBT，可在電源應用中實現(xiàn)出色效率

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      2016-11-02 17:19:432436

      德國馬勒推出新款48V電池 在安全和成本方面更具優(yōu)勢

      據(jù)外媒報道，德國馬勒（MAHLE）全資工程服務部門馬勒Powertrain推出了新款48V電池，可用于輕度混合電動汽車，將存儲和釋放的回收能量實現(xiàn)最大化，從而顯著提高輕混車型的效率，節(jié)省12％至15
      2019-11-14 15:00:112982

      如何設計600V FS結構的IGBT

      商業(yè)化正處于起步階段，F(xiàn)S技術更是遠遠落后于發(fā)達國家。本論文提出一種600V平面柵FS-IGBT器件的設計與制造方法，并通過
      2019-12-19 17:59:0025

      優(yōu)特電源推出新款600W緊湊型恒流LED驅動電源 效率高達95％

      優(yōu)特電源推出新產(chǎn)品600W緊湊型恒流LED驅動電源，效率高達95％。該產(chǎn)品采用了最新的解決方案，尺寸僅為237x125x43mm，和市面上競品480W一樣大小，廣泛應用于球場燈，工礦燈，植物燈和高桿燈照明。
      2020-03-13 13:59:541796

      IGBT單管TRENCHSTOP IGBT7產(chǎn)品概述

      TRENCHSTOP IGBT7現(xiàn)在提供TO-247封裝，電流等級為20-75A。 TRENCHSTOP IGBT7帶來更高的擊穿電壓（650V）、一流的性價比和效率，實現(xiàn)簡單的即插即用解決方案
      2020-10-22 09:33:304118

      傳蘋果最早4月推出新款iPad Pro

      曝蘋果最早4月推出新款iPad Pro的消息引發(fā)了業(yè)界關注，之所以這款iPad Pro備受關注，很大一部分原因在于這將是蘋果旗下首款待在mini led屏幕的產(chǎn)品。知名分析師郭明錤給出最新判斷，曝蘋果最早4月推出新款iPad Pro，看好mini LED在蘋果產(chǎn)品線中的重要度。
      2021-03-19 08:59:227297

      650V混合SiC單管的開關特性

      英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
      2022-08-01 10:11:291160

      Vishay推出四款新型TO-244封裝第5代FRED Pt 600V Ultrafast整流器

      Vishay 推出四款新型 TO-244 封裝第 5 代 FRED Pt 600V Ultrafast 整流器。 Vishay Semiconductors 整流器新款 240A、300A、480A 和 600A 具有出色導通和開關損耗特性，能有效提高中頻功率轉換器以及軟硬開關或諧振電路的效率。
      2022-08-25 17:33:112026

      IGBT單管參數(shù)解析-上

      IGBT是大家常用的開關功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊，對手冊中的一些關鍵參數(shù)和圖表進行解釋說明，用戶可以了解各參數(shù)的背景信息，以便合理地使用IGBT。
      2023-02-07 15:36:5912542

      IGBT單管參數(shù)解析-下

      IGBT是大家常用的開關功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊，對手冊中的一些關鍵參數(shù)和圖表進行解釋說明，用戶可以了解各參數(shù)的背景信息，以便合理地使用IGBT。
      2023-02-07 15:39:2812543

      igbt單管和igbt模塊的區(qū)別 igbt工作原理和作用

      IGBT單管的封裝形式比較簡單，只有一個IGBT晶體管，一個反向恢復二極管和一個可選的溫度傳感器，而IGBT模塊的封裝形式比較復雜
      2023-02-19 16:39:5014701

      逆變H橋IGBT單管驅動+保護

      大家都知道，IGBT單管相當?shù)拇嗳酰瑯与娏魅萘康?b class="flag-6" style="color: red">IGBT單管，比同樣電流容量的MOSFET脆弱多了，也就是說，在逆變H橋 里頭，MOSFET上去沒有問題，但是IGBT上去，可能開機帶載就炸了
      2023-02-22 15:09:122

      FGH60N60SMD 60A600V IGBT單管在工業(yè)逆變應用中的解決方案

      場截止IGBT單管 60A600VFGH60N60SMD 采用新型場截止 IGBT技術，為太陽能逆變器、UPS、焊接機、電信、ESS 和 PFC 等低導通和開關損耗至關重要的應用。
      2023-02-24 09:58:530

      Nexperia(安世半導體)針對要求嚴苛的電源轉換應用推出先進的650 V碳化硅二極管

      基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出 650 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管，主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應用。10 A、650 V
      2023-04-20 15:55:362348

      Nexperia | USB4 ESD 二極管件實現(xiàn)了保護和性能的出色平衡

      Nexperia | USB4 ESD 二極管件實現(xiàn)了保護和性能的出色平衡
      2023-05-24 12:17:54899

      安世半導體推出新款600 V單管IGBT

      基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia (安世半導體)今日宣布，將憑借600 V器件系列進軍絕緣柵雙極晶體管(IGBT)市場，而30A NGW30T60M3DF將打響進軍市場的第一炮
      2023-07-05 16:34:292114

      Nexperia憑借600 V器件進入IGBT市場

      除了這些新材料外，絕緣柵雙極晶體管(IGBT)這一較老的技術在電力電子領域仍占有重要地位。本周，Nexperia首次進入IGBT市場，推出了一系列新的600 V設備。本文將介紹IGBT、trench-gate設備和Nexperia的新產(chǎn)品系列。
      2023-07-18 15:35:531322

      Nexperia （安世半導體）推出新款600 V單管IGBT，可在電源應用中實現(xiàn)出色效率

      IGBT是一項相對成熟的技術。盡管如此，這些器件的市場預計將隨著太陽能面板和電動汽車(EV)充電器的日益普及而有所增長。Nexperia 的600 V IGBT采用穩(wěn)健、經(jīng)濟高效的載流子儲存溝槽柵場
      2023-08-14 09:34:51966

      600 V單管IGBT，可在電源應用中實現(xiàn)出色效率

      基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia (安世半導體)今日宣布，將憑借600 V器件系列進軍絕緣柵雙極晶體管(IGBT)市場，而30A NGW30T60M3DF將打響進軍市場的第一炮
      2023-08-14 16:00:49965

      igbt單管和雙管的區(qū)別

      小、開關速度快、耐高壓等優(yōu)點，廣泛應用于交流調制、交流變頻等電力電子設備中。在IGBT被廣泛應用的同時，許多工程師也對其進行了深入研究，一般認為IGBT單管和雙管在性能上有所不同，接下來我們將詳細講解IGBT單管和雙管的區(qū)別。 1.定義： 單管IGBT指的是僅具有一個MOS管和一個BPT（雙極晶體管）的I
      2023-08-25 15:11:226357

      采用TO-247Plus-4L封裝的1200V-140A IGBT單管

      JSAB正式推出采用TO-247Plus-4L封裝的1200V-140A IGBT單管，產(chǎn)品型號為 JHY140N120HA。產(chǎn)品外觀和內部電路拓撲如下圖所示。
      2023-08-25 15:40:573361

      新款600 V單管IGBT，可在電源應用中實現(xiàn)出色效率

      基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia (安世半導體)今日宣布，將憑借600 V器件系列進軍絕緣柵雙極晶體管(IGBT)市場，而30A NGW30T60M3DF將打響進軍市場的第一炮
      2023-09-19 02:43:54960

      SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN)(T)20A600V單管igbt規(guī)格書參數(shù)

      供應SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN)(T) 20A600V單管igbt，提供SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN)(T)關鍵參數(shù) ，可應用于光伏，變頻器，UPS,SMPS以及PFC等領域，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請。>>
      2023-04-03 15:29:481

      ups逆變器igbt單管SGT60N60FD1P7 600v 60a規(guī)格書參數(shù)

      供應ups逆變器igbt單管SGT60N60FD1P7 ，提供SGT60N60FD1P7 600v 60a規(guī)格書參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
      2023-04-04 10:39:345

      igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么？

      大功率應用中，如電動汽車、工業(yè)電機驅動、UPS等。在理解IGBT芯片、IGBT單管、IGBT模塊和IGBT器件之前，我們先來了解一下IGBT的基本工作原理和應用特點。 1. IGBT的工作原理
      2023-11-10 14:26:284750

      如何用無橋圖騰柱功率因數(shù)校正控制器實現(xiàn)出色的AC-DC功率轉換效率

      如何用無橋圖騰柱功率因數(shù)校正控制器實現(xiàn)出色的AC-DC功率轉換效率
      2023-12-06 15:52:181151

      英飛凌IGBT單管命名規(guī)則

      英飛凌IGBT單管命名規(guī)則
      2023-11-23 09:09:352305

      高速風筒單管igbt模塊方案設計

      一、引言 高速風筒是一種廣泛應用于家庭和商業(yè)領域的小型電器設備，用于快速干燥和造型吹風。在高速風筒的電路設計中，IGBT（絕緣柵雙極晶體管）模塊扮演著重要的角色。該文章將詳細介紹高速風筒單管IGBT
      2023-12-01 14:34:471284

      安世半導體宣布推出新款GaN FET器件

      基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出新款 GaN FET 器件，該器件采用新一代高壓 GaN HEMT 技術和專有銅夾片 CCPAK 表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應用的設計人員提供更多選擇。
      2023-12-13 10:38:171650

      IGBT單管和模塊的對比和分析

      最近很多朋友和我聊到IGBT單管和模塊的區(qū)別，優(yōu)缺點對比等。本人從事電力電子產(chǎn)品研發(fā)十幾年有余，對單管和模塊都有一定的應用，開發(fā)過的產(chǎn)品包括工頻塔式機UPS、500KW光伏逆變器、模塊化UPS、充電
      2024-01-09 09:04:352780

      介紹一款用于光伏儲能充電樁的50A 650V TO-247封裝IGBT單管

      本次推出的產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管；
      2024-03-15 14:26:0746430

      中微半導體推出新款車規(guī)級SoC BAT32A6700

      近日，中微半導體（深圳）股份有限公司進一步擴展了其產(chǎn)品線，宣布推出新款車規(guī)級SoC芯片BAT32A6700。這款新型SoC芯片集成了MCU（微控制器）、LDO（低壓差線性穩(wěn)壓器）、LIN收發(fā)器以及CAN控制器，展現(xiàn)出了其全面的功能性和高度的集成度。
      2024-05-06 15:35:531192

      Nexperia發(fā)布新款1200V碳化硅MOSFET

      Nexperia（安世半導體）近日宣布，公司推出了業(yè)界領先的1200V碳化硅（SiC）MOSFET，標志著其在高功率半導體領域的又一重要突破。
      2024-05-23 11:34:581695

      陸芯科技推出650V60A GEN3 IGBT單管

      陸芯科技正式推出650V60A GEN3的IGBT單管，產(chǎn)品型號為YGW60N65FMA1，產(chǎn)品采用LUXIN FS-Trench GEN3平臺TO247-3L封裝
      2024-07-14 11:29:231713

      igbt在高頻電源的作用有哪些

      IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種功率半導體器件，廣泛應用于高頻電源領域。在高頻電源中，IGBT具有許多重要作用，以下是對這些作用的分析： 高效率：IGBT具有較高的導通電阻和較低的開關損耗，因此在
      2024-08-07 17:08:401826

      IGBT芯片/單管/模塊/器件的區(qū)別

      在電力電子技術的快速中，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）技術以其高效、可靠的性能，成為眾多領域的核心組件。從微小的IGBT芯片到復雜的IGBT器件，每一個組成部分都承載著推動電力電子技術進步的使命。下面，我們將逐一深入解析IGBT芯片、IGBT單管、IGBT模塊以及IGBT器件的特性和應用。
      2024-10-15 15:23:452471

      陸芯科技推出1200V40A GEN3 IGBT單管

      陸芯科技正式推出1200V40A GEN3的IGBT單管，產(chǎn)品型號為YGK40N120TMA1。
      2025-03-11 16:17:25901

      Nexperia推出新款汽車級SiC MOSFET，具備卓越效率與熱穩(wěn)定性

      近日，Nexperia宣布推出一系列高效且堅固的汽車級碳化硅(金屬氧化物半導體場效應晶體管，SiCMOSFET)，這些新產(chǎn)品在RDS(on)額定值方面分別為30、40和60mΩ。這些產(chǎn)品在性能指標
      2025-05-08 11:09:50620

      ADUM4135單電源/雙電源高電壓隔離IGBT柵極驅動器技術手冊

      。 ADuM4135提供米勒箝位，可在柵極電壓低于2 V（典型值）時實現(xiàn)穩(wěn)健的IGBT單軌電源關斷。使用或不使用米勒箝位電路，都可以采用單極或雙極次級電源供電。
      2025-06-04 09:52:241083

      Nexperia推出兩款1200V SiC肖特基二極管

      基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導體）近日宣布，在其持續(xù)壯大的功率電子器件產(chǎn)品組合中新增兩款1200 V、20 A碳化硅(SiC)肖特基二極管。PSC20120J
      2025-07-11 17:06:07912

      飛虹IGBT單管FHA75T65V1DL在逆變器中的應用

      不同的逆變器對于IGBT單管使用的關注點會有所區(qū)別，常見使用的關注點會有高轉換效率（EURO≥97%）、高可靠性/短路耐受、低EMI/高開關頻率(20kHz+) 、雙向能量流動支持等。因此在選擇可以代換NCE75ED65VT型號IGBT單管時，工程師也是要考慮上述的需求點。
      2025-07-24 14:16:302063

      飛虹IGBT單管FHA75T65V1DL在戶外儲能電源的應用

      戶外儲能電源中的DC-AC逆變模塊（放電）、AC-DC整流模塊（充電）都會使用到IGBT單管。而從設計的專業(yè)角度可了解到，不同戶外儲能電源對于代換SGT75T65SDM1P7型號IGBT單管使用的關注點都會有所區(qū)別。
      2025-07-30 15:33:152131

      飛虹IGBT單管FHA75T65V1DL在電焊機中的應用

      相信很多電子工程師都會有設計疑問，比如電焊機電路中的IGBT單管該如何選擇才會擁有更高性價比的型號參數(shù)呢？尤其是要考慮如何能代換JT075N065WED型號IGBT單管的產(chǎn)品。
      2025-08-04 17:30:582072

      揚杰科技推出新一代To-247PLUS封裝1200V IGBT單管

      揚杰科技近日推出了新一代 To-247PLUS 封裝1200V IGBT單管，產(chǎn)品采用新一代微溝槽工藝平臺，極大的優(yōu)化了器件的導通損耗，產(chǎn)品參數(shù)一致性好，可靠性優(yōu)良，適用于伺服、變頻器等各類中低頻應用領域。
      2025-09-18 18:01:392486

      Nexperia推出符合AEC-Q101標準的新款100V MOSFET

      Nexperia(安世半導體)近日宣布推出符合AEC-Q101標準的新款100 V MOSFET，采用緊湊型CCPAK1212(12 x 12毫米)銅夾封裝。此款器件具有超低導通損耗，導通電
      2025-09-18 18:19:141110

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