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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>功率器件>Nexperia推出650V的功率器件GAN063-650WSA

Nexperia推出650V的功率器件GAN063-650WSA

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2023-08-16 23:36:512182

INN650D150A增強(qiáng)功率晶體管GaN

650V硅上GaN增強(qiáng)模式功率晶體管,英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸,增強(qiáng)型晶體管-正常關(guān)閉電源開關(guān)
2023-08-07 17:22:174139

安世推出支持低壓和高壓應(yīng)用的E-mode GAN FET GAN FET

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應(yīng)用的 E-mode(增強(qiáng)型)功率 GaN FET
2023-08-10 13:55:541513

SP9683高頻準(zhǔn)諧振、集成650V氮化鎵功率器件,30W高性能ACDC芯片

SP9683高頻準(zhǔn)諧振、集成650V氮化鎵功率器件,30W高性能ACDC芯片
2023-10-21 15:43:273418

瑞能650V IGBT的結(jié)構(gòu)解析

IGBT 作為一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)節(jié)能、電動(dòng)汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。IGBT 具有節(jié)能、安裝方便、維護(hù)方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn),是能量轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)暮诵难b置。瑞能的650V IGBT產(chǎn)品在電性能和可靠性等方面具備諸多優(yōu)勢,在行業(yè)內(nèi)也處于領(lǐng)先地位。
2023-12-26 13:31:351604

介紹一款用于光伏儲能充電樁的50A 650V TO-247封裝IGBT單管

本次推出的產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管;
2024-03-15 14:26:0746430

具有集成驅(qū)動(dòng)器的 650V 120m? GaN FET LMG3612數(shù)據(jù)表

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2024-03-21 10:20:580

具有集成驅(qū)動(dòng)器的650V 270m? GaN FETLMG3616數(shù)據(jù)表

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2024-03-21 10:19:400

具有集成驅(qū)動(dòng)器和電流檢測功能的650V 270m? GaN FET LMG3626數(shù)據(jù)表

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2024-03-21 10:40:130

650V 50m?具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的GaN FET LMG3522R050數(shù)據(jù)表

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2024-03-22 10:41:300

650V 50m? 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的GaN FET LMG3526R050數(shù)據(jù)表

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2024-03-22 10:40:050

具有集成驅(qū)動(dòng)器和電流檢測功能的650V 170m? GaN FET LMG3624數(shù)據(jù)表

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2024-03-25 09:50:390

650V 30m?具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的GaN FET LMG3526R030數(shù)據(jù)表

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2024-03-25 11:31:110

用于有源鉗位反激式轉(zhuǎn)換器的集成650V GaN 半橋LMG2610數(shù)據(jù)表

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2024-03-25 14:46:400

具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的LMG3522R030-Q1 650V 30m? GaN FET數(shù)據(jù)表

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2024-03-28 10:40:570

具有集成驅(qū)動(dòng)器和電流檢測功能的650V 120m? GaN FET LMG3622數(shù)據(jù)表

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2024-03-29 09:18:530

MPRA1C65-S61 650V 碳化硅功率模塊詳解

帶有散熱片的S6小型封裝,具有體積小、結(jié)構(gòu)緊湊、功能強(qiáng)大、用戶使用簡單靈活的特點(diǎn),是焊接切割設(shè)備,開關(guān)電源充電設(shè)備等領(lǐng)域的理想功率模塊??焖賲⒖紨?shù)據(jù):650V/10
2024-05-27 11:16:471408

德州儀器推出先進(jìn)650V三相GaN IPM

德州儀器 (TI) 推出了適用于 250W 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的先進(jìn) 650V 三相 GaN IPM。這款全新的 GaN IPM 解決了工程師在設(shè)計(jì)大型家用電器及加熱、通風(fēng)和空調(diào) (HVAC) 系統(tǒng)
2024-06-18 14:24:101634

德州儀器發(fā)布高性能650V GaN IPM,革新電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

德州儀器(TI)近日推出了一款具有劃時(shí)代意義的650V三相氮化鎵(GaN)集成電源模塊(IPM)——DRV7308,專為250W電機(jī)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用量身打造。這款全新的GaN IPM憑借其卓越的性能,為大型家用電器及加熱、通風(fēng)和空調(diào)(HVAC)系統(tǒng)的工程師們帶來了前所未有的便利。
2024-06-18 16:06:011457

Nexperia推出兩款650V超快速恢復(fù)整流二極管

2024年7月10日,半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)Nexperia隆重推出了兩款專為高壓環(huán)境設(shè)計(jì)的650V超快速恢復(fù)整流二極管,這些產(chǎn)品采用了獨(dú)特的D2 PAK真雙引腳(R2P)封裝技術(shù),旨在廣泛應(yīng)用于工業(yè)及消費(fèi)領(lǐng)域,如充電適配器、光伏(PV)系統(tǒng)、逆變器、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器以及開關(guān)模式電源(SMPS)等。
2024-07-11 15:02:0111753

Nexperia推出650V兩種超快速恢復(fù)整流二極管

Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日推出了采用D2PAK真雙引腳 (R2P) 封裝的650V兩種超快速恢復(fù)整流二極管,可用于各種工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用,包括充電適配器、光伏 (PV)、逆變器、服務(wù)器和開關(guān)模式
2024-07-11 16:10:111291

Nexperia發(fā)布650V超快速恢復(fù)整流二極管

在半導(dǎo)體技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新浪潮中,Nexperia再次站在了行業(yè)的前沿,隆重推出了兩款專為高壓環(huán)境精心設(shè)計(jì)的650V超快速恢復(fù)整流二極管。這兩款產(chǎn)品不僅代表了Nexperia在高壓半導(dǎo)體元件領(lǐng)域的深厚積累,也預(yù)示著工業(yè)及消費(fèi)領(lǐng)域?qū)⒂瓉砀咝А⒏煽康碾娏D(zhuǎn)換解決方案。
2024-07-12 15:20:431381

新品 | 650V高速半橋柵極驅(qū)動(dòng)器2ED2388S06F

新品650V高速半橋柵極驅(qū)動(dòng)器2ED2388S06F650V高速半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,具有典型的0.29A源電流和0.7A灌電流,采用DSO-8封裝,用于驅(qū)動(dòng)功率MOSFET和IGBT。產(chǎn)品型號
2024-07-27 08:14:36869

Navitas推出新一代650V SiC MOSFET,采用高效TOLL封裝

Navitas半導(dǎo)體公司日前宣布擴(kuò)展其第三代“快速”系列(G3F)650V碳化硅(SiC)MOSFET,新增一款耐用且高效的表面貼裝TOLL(無引腳晶體管外形)封裝。這種新型封裝專門針對高功率
2024-08-05 11:25:201265

汽車650V GaN功率級頂部冷卻QFN 12x12封裝的熱設(shè)計(jì)和性能

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2024-09-24 11:27:100

森國科推出650V/60A IGBT

森國科近期推出650V/60A IGBT(型號:KG060N065LD-R),憑借其業(yè)界領(lǐng)先的低傳導(dǎo)損耗和高速開關(guān)性能,在電力電子領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注。
2024-10-17 15:41:59898

森國科650V/6A IGBT的性能特點(diǎn)

森國科推出650V/6A IGBT(型號:KG006N065SD-B)在風(fēng)扇、泵和吸塵器等家電領(lǐng)域的應(yīng)用上做到了高效電機(jī)驅(qū)動(dòng)和精準(zhǔn)控制。
2024-11-13 16:36:131162

為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件?

650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780

ROHM攜手ATX量產(chǎn)650V耐壓GaN HEMT

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM近日宣布,其采用TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)“GNP2070TD-Z”已成功投入量產(chǎn)。這一里程碑式的進(jìn)展
2025-02-18 10:03:531194

TI LMG3624 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流檢測功能的 650V 170mΩ GaN FET

LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝中集成 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器,簡化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。
2025-02-20 16:35:36831

TI LMG3624 具有集成式驅(qū)動(dòng)器和電流檢測仿真功能的 650V 170m? GaN FET技術(shù)文檔

LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝中集成 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器,簡化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。
2025-02-20 16:54:57883

LMG3614 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 650V 170mΩ GaN FET概述

LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG3614通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中,簡化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。
2025-02-21 14:37:23729

GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊

GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT,實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM 。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品,利用該系列產(chǎn)品低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)的特性,有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品尺寸
2025-03-07 15:46:54909

GNP1150TCA-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊

GNP1150TCA-Z是一款650V GaN HEMT,實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品,利用該系列產(chǎn)品低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)的特性,有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品尺寸
2025-03-07 16:45:55748

東芝推出新型650V第3代SiC MOSFET

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布,推出四款最新650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V
2025-05-22 14:51:22901

Texas Instruments LMG3614 650V 170m? GaN功率FET數(shù)據(jù)手冊

Texas Instruments LMG3614 650V 170m? GaN功率FET設(shè)計(jì)用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3614在8mm x 5.3mm QFN封裝中集成了GaN FET和柵極驅(qū)動(dòng)器,從而減少了元器件數(shù)量并簡化了設(shè)計(jì)??删幊痰膶?dǎo)通轉(zhuǎn)換率提供EMI和振鈴控制。
2025-07-04 15:50:44658

新品 | 650V CoolMOS? 8超結(jié) (SJ) MOSFET

新品650VCoolMOS8超結(jié)(SJ)MOSFET英飛凌推出全新650VCoolMOS8引領(lǐng)全球高壓超結(jié)SJMOSFET技術(shù),為行業(yè)技術(shù)和性價(jià)比樹立了全球標(biāo)準(zhǔn)。該系列為高功率應(yīng)用提供了額外的50V
2025-07-04 17:09:031016

Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級數(shù)據(jù)手冊

Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624將氮化鎵場效應(yīng)晶體管 (GaN FET) 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成在
2025-07-25 14:56:463992

LMG3616 650V GaN功率FET技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments LMG3616 650V GaN功率FET提供270m Ω 的電阻以及集成式驅(qū)動(dòng)器和保護(hù),適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。 通過將GaN FET和柵極驅(qū)動(dòng)器集成在
2025-08-13 14:56:51759

LMG3612 650V GaN功率FET技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments LMG3612單通道GaN FET提供650V漏源電壓和120mΩ漏源電阻,以及專為開關(guān)模式電源應(yīng)用設(shè)計(jì)的集成驅(qū)動(dòng)器。該 IC 將 GaN FET、柵極驅(qū)動(dòng)器
2025-08-13 15:13:49777

英飛凌CoolGaN BDS 650V G5雙向開關(guān)產(chǎn)品介紹

CoolGaN BDS 650V G5雙向開關(guān)。這款基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的單片雙向開關(guān),憑借其卓越的性能和創(chuàng)新的設(shè)計(jì),正在成為高效電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的明星產(chǎn)品。
2025-08-28 13:52:113435

東芝推出三款最新650V SiC MOSFET

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出三款650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產(chǎn)品配備其最新[1
2025-09-01 16:33:492082

龍騰半導(dǎo)體推出四款650V F系列IGBT新品

隨著便攜儲能、新能源及工業(yè)電源應(yīng)用對高效率、高功率密度需求的不斷提升,IGBT作為電力電子系統(tǒng)的核心開關(guān)器件,其性能已成為決定整機(jī)效能與可靠性的關(guān)鍵因素。為應(yīng)對市場對高性能功率器件的迫切需求,龍騰半導(dǎo)體正式推出四款650V F系列IGBT新品,致力于為高頻、高效應(yīng)用提供更優(yōu)異的解決方案。
2025-10-24 14:03:301877

合科泰650V高壓MOS管HKTD7N65的特性和應(yīng)用

在工業(yè)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及照明系統(tǒng)等高壓應(yīng)用場景中,功率MOS管的可靠性、能效與成本控制直接決定了終端產(chǎn)品的市場競爭力。合科泰電子推出的高壓MOS管 HKTD7N65,憑借650V耐壓、7A電流與低至1.08Ω的導(dǎo)通電阻,為工程師提供了一款兼具高性能與高可靠性的國產(chǎn)功率器件新選擇。
2025-11-07 17:46:101414

快充國產(chǎn)替代新突破!爭妍微650V GaN HEMT賦能300W USB-C PD,替代英諾賽科INN650D02

在消費(fèi)電子快充領(lǐng)域,300W USB-C PD快充因適配筆記本、便攜式儲能等高頻需求,成為市場增長核心賽道。而650V GaN HEMT作為快充方案的核心器件,長期被英諾賽科INN650D02等進(jìn)口型號主導(dǎo),存在成本高、供貨周期不穩(wěn)定、技術(shù)支持滯后等痛點(diǎn)。
2025-12-23 14:50:05886

探索TP65H050G4YS 650V SuperGaN? FET的卓越性能與設(shè)計(jì)要點(diǎn)

探索TP65H050G4YS 650V SuperGaN? FET的卓越性能與設(shè)計(jì)要點(diǎn) 在電子設(shè)備不斷追求高效、小型化的今天,功率半導(dǎo)體器件的性能起著至關(guān)重要的作用。今天我們就來詳細(xì)探討一下
2025-12-29 10:05:1576

探索TP65H070G4RS 650V SuperGaN? GaN FET:高效能與可靠性的完美結(jié)合

探索TP65H070G4RS 650V SuperGaN? GaN FET:高效能與可靠性的完美結(jié)合 引言 在當(dāng)今電子技術(shù)飛速發(fā)展的時(shí)代,功率半導(dǎo)體器件的性能和可靠性對于各種電子設(shè)備的運(yùn)行
2025-12-29 10:05:2292

TP65H070G4PS 650V SuperGaN? GaN FET:高效開關(guān)的理想之選

了解一下 Transphorm 公司推出的 TP65H070G4PS 650V SuperGaN? GaN FET,看看它能為我們的電路設(shè)計(jì)帶來哪些驚喜。 文件下載: Renesas Electronics
2025-12-29 14:45:1077

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