美國SemiSouth Laboratories公司發(fā)布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產(chǎn)品,均為常開型功率元件。耐壓為650V的產(chǎn)品名稱為“SJDA065R055”,導(dǎo)通電阻為55mΩ,漏電流在室溫時(shí)(25℃)為30A,在
2012-05-21 10:31:01
2900 瑞薩電新發(fā)表13款具備高效能之第7代絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)系列新產(chǎn)品。新款I(lǐng)GBT包括650V的RJH/RJP65S系列與1250V的RJP1CS系列。新款I(lǐng)GBT是將系統(tǒng)中的直流電轉(zhuǎn)換為交流電的功率半導(dǎo)體裝
2012-07-31 11:34:28
2027 為滿足電動(dòng)汽車市場的需求,英飛凌推出了全新的650V CoolMOS? SJ功率 MOSFET CFD7A系列。這一產(chǎn)品經(jīng)過專門優(yōu)化,可以滿足電動(dòng)汽車應(yīng)用 (如車載充電器、HV-LV DC-DC 轉(zhuǎn)換器和輔助電源)的要求。
2020-05-31 09:15:36
1998 LMG3624 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG3624通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中,簡化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。
2025-02-24 09:18:47
923 
LMG3612 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3612 通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中,簡化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。
2025-02-24 10:21:01
1090 
LMG3616 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3616 通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中,簡化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。
2025-02-24 10:43:28
987 
隨著新產(chǎn)品的發(fā)布,英飛凌完善了其600V/650V細(xì)分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合
2020-02-26 08:26:00
1692 Teledyne e2v HiRel為其基于GaN Systems技術(shù)的650伏行業(yè)領(lǐng)先高功率產(chǎn)品系列新增兩款耐用型GaN功率HEMT(高電子遷移率晶體管)。 這兩款全新大功率HEMT
2021-01-09 11:14:21
3627 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。
2021-04-27 09:35:37
1842 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管,取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:42
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首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應(yīng)用的E-mode(增強(qiáng)型)功率GaN FET。Nexperia在其級聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型E-mode器件,從GaN FET到其他
2023-05-10 09:24:51
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BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
40 A 650V IGBT,它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3(亦稱D2PAK)封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設(shè)備對功率
2018-10-23 16:21:49
逆變器等中高功率領(lǐng)域,可顯著的減少電路的損耗,提高電路的工作頻率?! £P(guān)斷波形圖(650V/10A產(chǎn)品) 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
0前言家用逆變焊機(jī)因其體較小,操作方便,市場接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點(diǎn),一般采用600V/650V規(guī)格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
;TSD5N60MTruesemi 其它相關(guān)產(chǎn)品請 點(diǎn)擊此處 了解特性:3.0A,650V,最大RDS(on)= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷(典型值為16nC)快速切換經(jīng)過100%雪崩測試改進(jìn)的dv/dt功能主要參數(shù):應(yīng)用:高效開關(guān)模式電源,基于半橋拓?fù)涞挠性?b class="flag-6" style="color: red">功率因數(shù)校正`
2020-04-30 15:13:55
。 BM1Pxxx支持隔離和非隔離器件,可以更簡單地設(shè)計(jì)各種類型的低功耗電氣轉(zhuǎn)換器。 BM1Pxxx內(nèi)置高壓啟動(dòng)電路,可承受650V電壓,有助于降低功耗
2020-08-14 06:52:48
BM2P033 PWM AC / DC變換器的典型應(yīng)用電路。用于AC / DC的PWM型(BM2PXX3)為包含電源插座的所有產(chǎn)品提供了最佳系統(tǒng)。 BM2PXX3支持隔離和非隔離器件,可以更簡單地設(shè)計(jì)各種類型的低功耗電氣轉(zhuǎn)換器。 BM2PXX3內(nèi)置高壓啟動(dòng)電路,可承受650V電壓,有助于實(shí)現(xiàn)低功耗
2020-06-05 09:15:07
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
用于AC/DC變換器應(yīng)用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
600V IGBT3,全新芯片具備更出色的關(guān)斷軟度和更高的阻斷電壓功能。此外,該器件的短路能力大幅增強(qiáng)。而600V IGBT3主要適用于低功率應(yīng)用或雜散電感很低的高功率應(yīng)用。650V IGBT4的設(shè)計(jì)與技術(shù)
2018-12-07 10:16:11
的安全裕量。 圖1 CoolMOS高壓功率MOSFET及其內(nèi)部體二極管的橫截面示意圖2. 反向恢復(fù)行為新一代CoolMOS? 650V CFD的反向恢復(fù)特性如圖2所示。與標(biāo)準(zhǔn)器件相比,新一代
2018-12-03 13:43:55
英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級結(jié)(SJ)器件的優(yōu)勢(如低導(dǎo)通電阻和低容性開關(guān)損耗)與輕松控制的開關(guān)行為、及
2010-07-05 08:48:26
2309 英飛凌目前正推出另一項(xiàng)重要的創(chuàng)新型高壓CoolMOS MOSFET。這種全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。
2011-02-16 09:11:17
2280 英飛凌科技股份有限公司擴(kuò)展其車用功率半導(dǎo)體系列產(chǎn)品,推出全新 650V CoolMOS CFDA。這是業(yè)界首創(chuàng)整合高速本體二極體技術(shù)的超接面 MOSFET 解決方案,符合最高的汽車認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn) AEC-Q101。
2012-04-05 09:31:02
1772 2014年10月21日,北京——全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出多款堅(jiān)固可靠的650V IRGP47xx器件,藉以擴(kuò)充絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列。
2014-10-21 15:27:42
2388 G2S06505C 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 兼容C3D03065E C3D04065E
650V/5A碳化硅肖特基功率二極管
產(chǎn)品特性
?
正溫度系數(shù),易于并聯(lián)使用
?不受溫度影響的開關(guān)特性
?
最高工作溫度175℃?零反向恢復(fù)電流? 零正向恢復(fù)電壓
2016-06-17 15:42:45
4 意法半導(dǎo)體推出新款M系列650V IGBT,為電源設(shè)計(jì)人員提供一個(gè)更快捷經(jīng)濟(jì)的能效解決方案,新款M系列650V IGBT,為電源設(shè)計(jì)人員提供一個(gè)更快捷經(jīng)濟(jì)的能效解決方案,適用于暖通空調(diào)系統(tǒng)(HVAC
2016-11-02 17:19:43
2436 ROHM第三代碳化硅MOSFET特點(diǎn)(相比第二代)ROHM第三代設(shè)計(jì)應(yīng)用于650V和1200V產(chǎn)品之中,包括分立或模組封裝。本報(bào)告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET,并利用光學(xué)顯微鏡和掃描電鏡研究復(fù)雜的碳化硅溝槽結(jié)構(gòu)。
2018-08-20 17:26:29
10826 GAN063-650WSA的特點(diǎn)是低導(dǎo)通電阻(最大RDS(on) 僅為 60 m)以及快速的開關(guān)切換;效率非常高。 Nexperia氮化鎵器件的目標(biāo)是高性能要求的應(yīng)用市場,包括電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心、電信設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化和高端電源。
2019-11-29 09:00:18
3948 英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET,標(biāo)志著公司進(jìn)一步增強(qiáng)了在低壓SiC領(lǐng)域的布局,650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:50
5544 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(東芝)宣布,在其TOLL(TO-無引線)封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級結(jié)功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:23
1813 
前言背景: 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管,取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管
2021-03-26 16:40:20
3459 
TP650H070L系列650V,72m? 氮化鎵(GaN)FET是常關(guān)器件。它們結(jié)合了最先進(jìn)的技術(shù)高壓GaN HEMT和低壓硅MOSFET提供卓越可靠性和性能的技術(shù)。
2022-03-31 15:03:35
10 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管,取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29
1160 
Nexperia(安世半導(dǎo)體)持續(xù)加大投資,擴(kuò)大產(chǎn)能,以滿足市場對于 CFP 封裝產(chǎn)品不斷增長的需求。為滿足高電壓功率應(yīng)用的廣大需求,Nexperia(安世半導(dǎo)體)計(jì)劃進(jìn)一步擴(kuò)大 650 V 表面貼裝的快恢復(fù)整流管(高達(dá)30 A)
2022-11-22 14:57:25
1359 ROHM最近新推出650V耐壓IGBT“RGTV系列(短路耐受能力保持型)”和“RGW系列(高速開關(guān)型)”共21種機(jī)型,該系列產(chǎn)品同時(shí)實(shí)現(xiàn)了業(yè)界頂級的低傳導(dǎo)損耗和高速開關(guān)特性,并大大減少了開關(guān)時(shí)的過沖。
2023-02-09 10:19:25
1901 
采用 CCPAK1212 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NBA
2023-02-16 20:47:21
2 采用 CCPAK1212i 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NTBA
2023-02-16 20:47:32
3 采用 CCPAK1212i 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NTB
2023-02-16 20:47:45
0 采用 CCPAK1212 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NBB
2023-02-16 20:48:02
0 采用 TO-247 封裝的 650 V、35 mΩ 氮化鎵 (GaN) FET-GAN041-650WSB
2023-02-17 18:46:49
6 650 V、50 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN063-650WSA
2023-02-17 19:47:24
5 白皮書:GaN FET 技術(shù)和 AEC-Q101 認(rèn)證所需的穩(wěn)健性 – 中文(650 V GaN FET 技術(shù)可提供出色效率,以及 AEC-Q101 認(rèn)證所需的耐久性)-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 19:53:03
3 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride:氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn),這
2023-05-18 16:34:23
1263 Nexperia | 用于汽車和工業(yè)的650V超快恢復(fù)整流管
2023-05-24 12:16:57
1193 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride:氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn),這兩款產(chǎn)品非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)。
2023-05-24 15:19:34
1314 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應(yīng)用的E-mode(增強(qiáng)型)功率GaN FET。Nexperia在其級聯(lián)型氮化
2023-05-30 09:03:15
1221 潤新微電子(Runxin Microelectronics)榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管(FET),該產(chǎn)品具備卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。 產(chǎn)品特點(diǎn): 易于使用:650V GaN
2023-06-12 16:38:34
2033 ROHMSemiconductor GNP1 EcoGaN?650V E模式氮化鎵(GaN)FET采用低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)來提高電源轉(zhuǎn)換效率和減小尺寸。該款高度可靠的GNP1 FET具有內(nèi)置ESD
2023-06-19 15:09:18
1078 
圳市森國科科技股份有限公司日前發(fā)布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065(650V/4A)、KS06065(650V/6A)
2023-07-12 17:06:27
2048 
650V硅上GaN增強(qiáng)型功率品體管,采用5mm雙扁平無引線封裝(DFN)X6毫米大小。增強(qiáng)型晶體管-正常關(guān)閉電源開關(guān),符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)應(yīng)用。
2023-08-16 23:36:51
2182 
650V硅上GaN增強(qiáng)模式功率晶體管,英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸,增強(qiáng)型晶體管-正常關(guān)閉電源開關(guān)
2023-08-07 17:22:17
4139 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應(yīng)用的 E-mode(增強(qiáng)型)功率 GaN FET
2023-08-10 13:55:54
1513 SP9683高頻準(zhǔn)諧振、集成650V氮化鎵功率器件,30W高性能ACDC芯片
2023-10-21 15:43:27
3418 
IGBT 作為一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)節(jié)能、電動(dòng)汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。IGBT 具有節(jié)能、安裝方便、維護(hù)方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn),是能量轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)暮诵难b置。瑞能的650V IGBT產(chǎn)品在電性能和可靠性等方面具備諸多優(yōu)勢,在行業(yè)內(nèi)也處于領(lǐng)先地位。
2023-12-26 13:31:35
1604 
本次推出的產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管;
2024-03-15 14:26:07
46430 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動(dòng)器的 650V 120m? GaN FET LMG3612數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 10:20:58
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動(dòng)器的650V 270m? GaN FETLMG3616數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 10:19:40
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動(dòng)器和電流檢測功能的650V 270m? GaN FET LMG3626數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 10:40:13
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 50m?具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的GaN FET LMG3522R050數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-22 10:41:30
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 50m? 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的GaN FET LMG3526R050數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-22 10:40:05
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動(dòng)器和電流檢測功能的650V 170m? GaN FET LMG3624數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-25 09:50:39
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 30m?具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的GaN FET LMG3526R030數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-25 11:31:11
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于有源鉗位反激式轉(zhuǎn)換器的集成650V GaN 半橋LMG2610數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-25 14:46:40
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的LMG3522R030-Q1 650V 30m? GaN FET數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-28 10:40:57
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動(dòng)器和電流檢測功能的650V 120m? GaN FET LMG3622數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-29 09:18:53
0 帶有散熱片的S6小型封裝,具有體積小、結(jié)構(gòu)緊湊、功能強(qiáng)大、用戶使用簡單靈活的特點(diǎn),是焊接切割設(shè)備,開關(guān)電源充電設(shè)備等領(lǐng)域的理想功率模塊??焖賲⒖紨?shù)據(jù):650V/10
2024-05-27 11:16:47
1408 
德州儀器 (TI) 推出了適用于 250W 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的先進(jìn) 650V 三相 GaN IPM。這款全新的 GaN IPM 解決了工程師在設(shè)計(jì)大型家用電器及加熱、通風(fēng)和空調(diào) (HVAC) 系統(tǒng)
2024-06-18 14:24:10
1634 德州儀器(TI)近日推出了一款具有劃時(shí)代意義的650V三相氮化鎵(GaN)集成電源模塊(IPM)——DRV7308,專為250W電機(jī)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用量身打造。這款全新的GaN IPM憑借其卓越的性能,為大型家用電器及加熱、通風(fēng)和空調(diào)(HVAC)系統(tǒng)的工程師們帶來了前所未有的便利。
2024-06-18 16:06:01
1457 2024年7月10日,半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)Nexperia隆重推出了兩款專為高壓環(huán)境設(shè)計(jì)的650V超快速恢復(fù)整流二極管,這些產(chǎn)品采用了獨(dú)特的D2 PAK真雙引腳(R2P)封裝技術(shù),旨在廣泛應(yīng)用于工業(yè)及消費(fèi)領(lǐng)域,如充電適配器、光伏(PV)系統(tǒng)、逆變器、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器以及開關(guān)模式電源(SMPS)等。
2024-07-11 15:02:01
11753 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日推出了采用D2PAK真雙引腳 (R2P) 封裝的650V兩種超快速恢復(fù)整流二極管,可用于各種工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用,包括充電適配器、光伏 (PV)、逆變器、服務(wù)器和開關(guān)模式
2024-07-11 16:10:11
1291 在半導(dǎo)體技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新浪潮中,Nexperia再次站在了行業(yè)的前沿,隆重推出了兩款專為高壓環(huán)境精心設(shè)計(jì)的650V超快速恢復(fù)整流二極管。這兩款產(chǎn)品不僅代表了Nexperia在高壓半導(dǎo)體元件領(lǐng)域的深厚積累,也預(yù)示著工業(yè)及消費(fèi)領(lǐng)域?qū)⒂瓉砀咝А⒏煽康碾娏D(zhuǎn)換解決方案。
2024-07-12 15:20:43
1381 新品650V高速半橋柵極驅(qū)動(dòng)器2ED2388S06F650V高速半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,具有典型的0.29A源電流和0.7A灌電流,采用DSO-8封裝,用于驅(qū)動(dòng)功率MOSFET和IGBT。產(chǎn)品型號
2024-07-27 08:14:36
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Navitas半導(dǎo)體公司日前宣布擴(kuò)展其第三代“快速”系列(G3F)650V碳化硅(SiC)MOSFET,新增一款耐用且高效的表面貼裝TOLL(無引腳晶體管外形)封裝。這種新型封裝專門針對高功率
2024-08-05 11:25:20
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《汽車650V GaN功率級頂部冷卻QFN 12x12封裝的熱設(shè)計(jì)和性能.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-24 11:27:10
0 森國科近期推出的650V/60A IGBT(型號:KG060N065LD-R),憑借其業(yè)界領(lǐng)先的低傳導(dǎo)損耗和高速開關(guān)性能,在電力電子領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注。
2024-10-17 15:41:59
898 森國科推出的650V/6A IGBT(型號:KG006N065SD-B)在風(fēng)扇、泵和吸塵器等家電領(lǐng)域的應(yīng)用上做到了高效電機(jī)驅(qū)動(dòng)和精準(zhǔn)控制。
2024-11-13 16:36:13
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650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:43
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全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM近日宣布,其采用TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)“GNP2070TD-Z”已成功投入量產(chǎn)。這一里程碑式的進(jìn)展
2025-02-18 10:03:53
1194 LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝中集成 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器,簡化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。
2025-02-20 16:35:36
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LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝中集成 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器,簡化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。
2025-02-20 16:54:57
883 LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG3614通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中,簡化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。
2025-02-21 14:37:23
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GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT,實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM 。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品,利用該系列產(chǎn)品低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)的特性,有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品尺寸
2025-03-07 15:46:54
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GNP1150TCA-Z是一款650V GaN HEMT,實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品,利用該系列產(chǎn)品低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)的特性,有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品尺寸
2025-03-07 16:45:55
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東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布,推出四款最新650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V
2025-05-22 14:51:22
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Texas Instruments LMG3614 650V 170m? GaN功率FET設(shè)計(jì)用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3614在8mm x 5.3mm QFN封裝中集成了GaN FET和柵極驅(qū)動(dòng)器,從而減少了元器件數(shù)量并簡化了設(shè)計(jì)??删幊痰膶?dǎo)通轉(zhuǎn)換率提供EMI和振鈴控制。
2025-07-04 15:50:44
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新品650VCoolMOS8超結(jié)(SJ)MOSFET英飛凌推出全新650VCoolMOS8引領(lǐng)全球高壓超結(jié)SJMOSFET技術(shù),為行業(yè)技術(shù)和性價(jià)比樹立了全球標(biāo)準(zhǔn)。該系列為高功率應(yīng)用提供了額外的50V
2025-07-04 17:09:03
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Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624將氮化鎵場效應(yīng)晶體管 (GaN FET) 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成在
2025-07-25 14:56:46
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Texas Instruments LMG3616 650V GaN功率FET提供270m Ω 的電阻以及集成式驅(qū)動(dòng)器和保護(hù),適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。 通過將GaN FET和柵極驅(qū)動(dòng)器集成在
2025-08-13 14:56:51
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Texas Instruments LMG3612單通道GaN FET提供650V漏源電壓和120mΩ漏源電阻,以及專為開關(guān)模式電源應(yīng)用設(shè)計(jì)的集成驅(qū)動(dòng)器。該 IC 將 GaN FET、柵極驅(qū)動(dòng)器
2025-08-13 15:13:49
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CoolGaN BDS 650V G5雙向開關(guān)。這款基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的單片雙向開關(guān),憑借其卓越的性能和創(chuàng)新的設(shè)計(jì),正在成為高效電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的明星產(chǎn)品。
2025-08-28 13:52:11
3435 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出三款650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產(chǎn)品配備其最新[1
2025-09-01 16:33:49
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隨著便攜儲能、新能源及工業(yè)電源應(yīng)用對高效率、高功率密度需求的不斷提升,IGBT作為電力電子系統(tǒng)的核心開關(guān)器件,其性能已成為決定整機(jī)效能與可靠性的關(guān)鍵因素。為應(yīng)對市場對高性能功率器件的迫切需求,龍騰半導(dǎo)體正式推出四款650V F系列IGBT新品,致力于為高頻、高效應(yīng)用提供更優(yōu)異的解決方案。
2025-10-24 14:03:30
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在工業(yè)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及照明系統(tǒng)等高壓應(yīng)用場景中,功率MOS管的可靠性、能效與成本控制直接決定了終端產(chǎn)品的市場競爭力。合科泰電子推出的高壓MOS管 HKTD7N65,憑借650V耐壓、7A電流與低至1.08Ω的導(dǎo)通電阻,為工程師提供了一款兼具高性能與高可靠性的國產(chǎn)功率器件新選擇。
2025-11-07 17:46:10
1414 在消費(fèi)電子快充領(lǐng)域,300W USB-C PD快充因適配筆記本、便攜式儲能等高頻需求,成為市場增長核心賽道。而650V GaN HEMT作為快充方案的核心器件,長期被英諾賽科INN650D02等進(jìn)口型號主導(dǎo),存在成本高、供貨周期不穩(wěn)定、技術(shù)支持滯后等痛點(diǎn)。
2025-12-23 14:50:05
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探索TP65H050G4YS 650V SuperGaN? FET的卓越性能與設(shè)計(jì)要點(diǎn) 在電子設(shè)備不斷追求高效、小型化的今天,功率半導(dǎo)體器件的性能起著至關(guān)重要的作用。今天我們就來詳細(xì)探討一下
2025-12-29 10:05:15
76 探索TP65H070G4RS 650V SuperGaN? GaN FET:高效能與可靠性的完美結(jié)合 引言 在當(dāng)今電子技術(shù)飛速發(fā)展的時(shí)代,功率半導(dǎo)體器件的性能和可靠性對于各種電子設(shè)備的運(yùn)行
2025-12-29 10:05:22
92 了解一下 Transphorm 公司推出的 TP65H070G4PS 650V SuperGaN? GaN FET,看看它能為我們的電路設(shè)計(jì)帶來哪些驚喜。 文件下載: Renesas Electronics
2025-12-29 14:45:10
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