致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號：MSCC） 推出采用碳化硅（SiC）材料和技術(shù)的全新
2012-11-21 15:59:52
1379 美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術(shù)的全新1200 V肖特基二極管系列
2012-11-22 14:09:061450 美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號：MSCC） 推出用于IEEE 802.11ac （亦稱作第五代Wi-Fi）無線接入點和媒體設(shè)備的5 GHz功率放大器（PA） LX5509
2012-12-18 13:31:421325 Microsemi宣布提供新一代工業(yè)溫度碳化硅（silicon carbide，SiC）標(biāo)準(zhǔn)功率模塊，它們是用于要求高性能和高可靠性的大功率開關(guān)電源、馬達(dá)驅(qū)動器、不間斷電源、太陽能逆變器、石油勘探和其它大功率、高電壓工業(yè)應(yīng)用的理想選擇。
2013-01-25 11:50:121464 集LED照明解決方案、化合物半導(dǎo)體材料、功率器件和射頻于一體的全球著名制造商和行業(yè)領(lǐng)先者CREE公司于近日推出一款全碳化硅半橋功率模塊 CAS300M17BM2。業(yè)界首款全碳化硅1.7kV功率模塊
2015-10-14 09:52:222462 致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化的領(lǐng)先半導(dǎo)體技術(shù)方案供應(yīng)商美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號：MSCC） 發(fā)布專門用于高電流、低導(dǎo)通阻抗（RDSon） 碳化硅 （SiC） MOSFET功率模塊的極低電感封裝。
2018-05-30 15:10:126553 用于功率轉(zhuǎn)換器和逆變器的半橋配置中的硬切換是用于有效功率轉(zhuǎn)換的常用技術(shù)，特別是在較高功率水平下。隨著碳化硅（SiC）技術(shù)使開關(guān)速度提高，電源兩端短路導(dǎo)致直通電流的可能性增加。從開關(guān)節(jié)點到柵極的寄生
2020-12-13 10:25:002734 為滿足快速發(fā)展的電動汽車行業(yè)對高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進(jìn)行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設(shè)計與開發(fā)，提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來并聯(lián)更多的芯片。
2024-03-13 10:34:033982 
科銳推出新型SiC功率模塊產(chǎn)品系列，為電動汽車快速充電和太陽能市場提供業(yè)界領(lǐng)先的效率。
2021-01-14 15:23:001978 功率處理能力，一直是首選解決方案。然而，在大規(guī)模MIMO系統(tǒng)的設(shè)計中，它們需要高偏置電壓以施加反向偏置（用于提供隔離）和高電流以施加正向偏置（用于實現(xiàn)低插入損耗），這就變成了缺點。圖3示出了一款用于
2021-05-19 09:33:41
發(fā)展。 Microsemi公司1月15日宣布推出了新一代碳化硅（SiC）標(biāo)準(zhǔn)電源模塊，非常適用于大功率開關(guān)模式電源供應(yīng)器、馬達(dá)驅(qū)動器、不間斷電源、太陽能逆變器、石油勘探和其他高功率高電壓工業(yè)應(yīng)用。該
2018-11-28 10:59:07
家公司已經(jīng)建立了SiC技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外，幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關(guān);性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
。這些設(shè)計平臺目 前針對戰(zhàn)略客戶而推出，代表了驅(qū)動新一代SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器 的完整IC生態(tài)系統(tǒng)的最高水準(zhǔn)。設(shè)計平臺類型眾多，既有用于 高電壓、大電流SiC功率模塊的隔離式柵極驅(qū)動器板，也有完整
2018-10-30 11:48:08
功率轉(zhuǎn)換器。合作的第一個項目是為ADI隔離式柵極驅(qū)動器設(shè)計高壓、高電流評估板。高功率規(guī)格（如1200 V、100 A、250 kHz以上的開關(guān)頻率，可靠、魯棒的設(shè)計）使客戶可以全面評估用于驅(qū)動SiC
2019-07-16 23:57:01
的不是全SiC功率模塊特有的評估事項，而是單個SiC-MOSFET的構(gòu)成中也同樣需要探討的現(xiàn)象。在分立結(jié)構(gòu)的設(shè)計中，該信息也非常有用。“柵極誤導(dǎo)通”是指在高邊SiC-MOSFET＋低邊
2018-11-30 11:31:17
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-03-25 06:20:09
/電子設(shè)備實現(xiàn)包括消減待機(jī)功耗在內(nèi)的節(jié)能目標(biāo)。在這種背景下，削減功率轉(zhuǎn)換時產(chǎn)生的能耗是當(dāng)務(wù)之急。不用說，必須將超過Si極限的物質(zhì)應(yīng)用于功率元器件。例如，利用SiC功率元器件可以比IGBT的開關(guān)損耗降低85
2018-11-29 14:35:23
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-05-06 09:15:52
，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為合適
2019-07-23 04:20:21
。在其他設(shè)計中REF還可以用于給版上其他IC或器件進(jìn)行供電。LM5036的雙路PWM（5）輸出帶有2A的驅(qū)動能力，在評估板設(shè)計中直接驅(qū)動半橋的功率管而不需要額外的驅(qū)動電路。LM5036的雙路同步整流
2019-08-23 04:45:06
升級到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21
半橋焊機(jī)（IGBT /二極管）器件選擇指南評估板。各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，包括兩個SW正向，半橋和全橋，已用于低壓/大電流DC-ARC焊接機(jī)，以最大限度地提高系統(tǒng)效率并提高效率。在這些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，半橋最常用于小型，低于230A的焊接機(jī)
2020-04-13 09:52:57
用于半橋諧振變換器的FSFR1600功率開關(guān)（FPS）的典型應(yīng)用。 FSFR系列包括專為高效半橋諧振轉(zhuǎn)換器設(shè)計的高度集成的功率開關(guān)
2020-06-15 15:14:47
。 LeapersSemiconductor的HPD系列SiC功率模塊為xEV應(yīng)用提供性能。因此，設(shè)計工程師可以期望： 具有高功率密度，可減小系統(tǒng)尺寸; 提供更高的電源效率; 提高電池利用效率
2023-02-20 16:26:24
CAB450M12XM3工業(yè)級SiC半橋功率模塊CREE
CAB450M12XM3是Wolfspeed（原CREE）精心打造的一款工業(yè)級全碳化硅（SiC）半橋功率模塊，專為高功率密度、極端高溫環(huán)境
2025-03-17 09:59:21
EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed（原CREE科銳）生產(chǎn)的1200V、450A全碳化硅半橋功率模塊，致力于高功率、高效化技術(shù)應(yīng)用打造
2025-06-25 09:13:14
EVAL_3K3W_TP_PFC_SIC評估板的長X寬X高 為208mmX89mmX40mm，從圖中可以看出比一個計算器大不了太多。因為該評估板的最大額定輸出功率為3.3kw，所以它的功率密度是相當(dāng)高
2020-07-20 09:04:34
概述：GR6953是一款半橋控制與驅(qū)動功率集成電路。雙列直插8腳封裝。它是專門為電子鎮(zhèn)流器開發(fā)的半橋控制與驅(qū)動功率集成電路 (內(nèi)含功率場效晶體管）
2021-04-22 07:26:43
差異化的領(lǐng)先半導(dǎo)體技術(shù)方案供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號：MSCC ) 發(fā)布專門用于高電流、低導(dǎo)通阻抗(RDSon) 碳化硅 (SiC
2018-10-23 16:22:24
NCP1083QBCGEVB，高功率PoE-PD模塊評估板。 NCP1083是安森美半導(dǎo)體大功率HIPO以太網(wǎng)供電設(shè)備（PoE-PD）產(chǎn)品系列的成員，代表了一種強(qiáng)大，靈活且高度集成的解決方案，適用于
2020-05-20 09:49:36
NCP5181BAL36WEVB，NCP5181,36 W鎮(zhèn)流器評估板。 NCP5181是一款高壓功率MOSFET驅(qū)動器，提供兩路輸出，用于直接驅(qū)動2個N溝道功率MOSFET，這些功率MOSFET
2019-10-12 10:29:07
的功率模塊系列產(chǎn)品。該電源模塊系列包括驅(qū)動器模塊“SA310”（非常適用于高耐壓三相直流電機(jī)驅(qū)動）和半橋模塊“SA110”“SA111”（非常適用于眾多高電壓應(yīng)用）兩種產(chǎn)品。ROHM的1,200
2023-03-29 15:06:13
XM3半橋電源模塊系列是 Wolfspeed（原CREE）推出的高功率碳化硅（SiC）電源模塊平臺，專為電動汽車、工業(yè)電源和牽引驅(qū)動等高要求應(yīng)用設(shè)計。XM3半橋電源模塊系列采用第三代 SiC
2025-09-11 09:48:08
。碳化硅有優(yōu)點相當(dāng)突出。是半導(dǎo)體公司兵家必爭之地。應(yīng)用場景;評估板采用常見的半橋電路配置，并配有驅(qū)動電路、驅(qū)動電源、過電流保護(hù)電路及柵極信號保護(hù)電路等評估板的主要特點如下：? 可評估 TO-247-4L
2020-07-26 23:24:05
項目名稱：全SiC MMC實驗平臺設(shè)計——功率子模塊驅(qū)動選型試用計劃：申請理由本人在電力電子領(lǐng)域有三年多的學(xué)習(xí)和開發(fā)經(jīng)驗，曾設(shè)計過基于半橋級聯(lián)型拓?fù)涞膬δ芟到y(tǒng)，通過電力電子裝置實現(xiàn)電池單元的間接
2020-04-21 16:02:34
的1.2kV全SiC功率模塊的外觀，該模塊為兩單元半橋結(jié)構(gòu)，每個單元由SiC的MOSFET和SiC的SBD組成。在新的APS系統(tǒng)中會用到7只該功率模塊，其中4只用于H橋MOSFET整流器，另外3只用于三相
2017-05-10 11:32:57
元件來適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動力?！ 』?SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
。目前，ROHM正在量產(chǎn)的全SiC功率模塊是二合一型模塊，包括半橋型和升壓斬波型兩種。另外產(chǎn)品陣容中還有搭載NTC熱敏電阻的產(chǎn)品類型。以下整理了現(xiàn)有機(jī)型產(chǎn)品陣容和主要規(guī)格。1200 V耐壓80A～600A
2018-11-27 16:38:04
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對開關(guān)損耗進(jìn)行介紹，開關(guān)損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。全SiC功率模塊的開關(guān)損耗全SiC功率模塊與現(xiàn)有
2018-11-27 16:37:30
英飛凌科技股份公司于近日推出了一款車規(guī)級基于EDT2技術(shù)及EasyPACK? 2B半橋封裝的功率模塊，這款模塊具有更高的靈活性及可擴(kuò)展性。根據(jù)逆變器的具體條件，這款750V的模塊最大可以支撐50kW
2021-11-29 07:42:30
LM5036是一款高度集成化的半橋PWM控制器，集成了輔助偏置電源，為電信，數(shù)據(jù)通信，工業(yè)電源轉(zhuǎn)換器提供高功率密度解決方案。LM5036包含使用電壓模式控制實現(xiàn)半橋拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">功率轉(zhuǎn)換器所需的所有功能。 該
2022-11-10 06:28:59
得益于 SiC功率模塊的低開關(guān)損耗和由此產(chǎn)生的高開關(guān)頻率。此外，變壓器使用帶狀繞組來實現(xiàn)低漏感和強(qiáng)制風(fēng)冷。中頻變壓器及其尺寸如圖2所示。由此產(chǎn)生的漏感和磁化電感以及DAB參數(shù)如表1所示。漏感是一個關(guān)鍵參數(shù)
2023-02-20 15:32:06
損耗。最新的模塊中采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低。全SiC功率模塊的結(jié)構(gòu)現(xiàn)在正在量產(chǎn)的全SiC功率模塊有幾種類型，有可僅以1個模塊組成半橋電路的2in1型，也有可僅以1個模塊組成升壓電路的斬波型。有以
2018-12-04 10:14:32
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-03-12 03:43:18
的快速充電器等的功率因數(shù)校正電路（PFC電路）和整流橋電路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的開啟電壓與Si-FRD相同，小于1V。開啟電壓由肖特基勢壘的勢壘高度決定，通常如果將勢壘高度
2019-05-07 06:21:51
EVAL-CN0196-EB1Z，H橋驅(qū)動器評估板，采用隔離式半橋驅(qū)動器。 CN0196是由高功率開關(guān)MOSFET組成的H橋，其由低壓邏輯信號控制。該電路在邏輯信號和高功率電橋之間提供了方便的接口
2019-05-17 09:15:02
客戶的新一代功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計具備高性能、高可靠性和市場競爭力，ADI公司已決定開發(fā)各種硬件和軟件設(shè)計平臺，其既可用于評估IC，又可作為完整系統(tǒng)的構(gòu)建模塊。這些設(shè)計平臺目前針對戰(zhàn)略客戶而推出，代表了驅(qū)動
2018-10-22 17:01:41
TI與Lemnis Lighting聯(lián)合推出LED照明驅(qū)動器參考板
德州儀器 (TI) 聯(lián)合 Lemnis Lighting 宣布推出一款完整 LED 照明驅(qū)動器參考板，幫助解決成本、調(diào)光以及效
2010-04-14 16:56:25745 美高森美公司(Microsemi Corporation)日前發(fā)布用于開發(fā)下一代高電壓大功率系統(tǒng)的設(shè)計指南，這些系統(tǒng)以公司獨有的數(shù)字射頻(digital radio frequency, DRF)系列混合模塊為基礎(chǔ)
2011-07-06 09:11:50992 美高森美公司(Microsemi Corporation)日前發(fā)布全球首款單芯片、標(biāo)準(zhǔn)化同步以太網(wǎng)(SyncE)解決方案。
2012-02-02 09:27:41914 Redpine Signals, Inc，近日宣布推出業(yè)界首款適用于M2M市場的集成式、低功率Wi-Fi模塊。該模塊有很多針對Wi-Fi Direct和Enterprise security的全新功能。
2012-03-28 16:03:111111 ADI攜手柏恩斯（Bourns）公司近日推出業(yè)界首款通過認(rèn)證的RS-485評估板EVAL-CN0313-SDPZ，用于保護(hù)工業(yè)和儀器儀表設(shè)備不受EMC（電磁兼容性）損害。
2013-03-01 10:24:132473 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出IRSM808-105MH和IRSM807-105MH，以擴(kuò)充正在申請專利的高集成、超小型μIPM功率模塊。兩款新產(chǎn)品都針對馬達(dá)功率高達(dá)300W的高效家電和輕工業(yè)應(yīng)用做出優(yōu)化。
2013-11-04 17:53:481986 致力于提供大功率、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號：MSCC） 宣布推出全新Timberwolf?數(shù)字信號
2014-09-22 10:27:591384 日前，碳化硅（SiC）技術(shù)全球領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體廠商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感應(yīng)加熱效率達(dá)到99%的Vds最大值為1.2KV、典型值為5.0 m?半橋雙功率模塊CAS300M12BM2。該款產(chǎn)品目標(biāo)用途包括感應(yīng)加熱設(shè)備、電機(jī)驅(qū)動器、太陽能和風(fēng)能逆變器、UPS和開關(guān)電源以及牽引設(shè)備等。
2015-09-06 17:39:111816 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動器，可在半橋或全橋配置下輕易開關(guān)功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231789 羅姆在全球率先實現(xiàn)了搭載羅姆生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2018-05-17 09:33:1314691 6.5kV新型全SiC MOSFET功率模塊內(nèi)部采用半橋拓?fù)?，一般的?b class="flag-6" style="color: red">功率應(yīng)用可以采用并聯(lián)連接來提高輸出功率。高電壓功率模塊在高頻下運(yùn)行，需要考慮模塊自身的寄生電容、寄生電感和寄生阻抗等。3D電磁
2018-09-13 15:04:126799 近日，據(jù)國內(nèi)媒體報道，一款由獵豹移動與多點Dmall聯(lián)合推出的超市機(jī)器人，在北京物美聯(lián)想橋店內(nèi)上崗。
2018-12-04 09:59:01795 視頻簡介：DC-DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計人員正設(shè)法減少設(shè)計的尺寸/提高輸出功率。在本視頻中，我們將為您介紹行業(yè)首款100 V橋式功率級模塊FDMF8811，能以緊湊的、集成的MOSFET及驅(qū)動器功率級方案實現(xiàn)更高輸出功率的DC-DC轉(zhuǎn)換器，用于DC-DC開關(guān)應(yīng)用。
2019-03-04 06:19:007797 
帶Microsemi模塊的柵極驅(qū)動器板
2019-08-15 06:15:002726 本視頻展示了一個評估板上的ADI公司高功率隔離式柵極驅(qū)動器ADuM4135。ADuM4135驅(qū)動Microsemi SiC功率模塊。此評估板是ADI公司與Microsemi合作的一個范例。
2019-06-18 06:00:004966 隨著我國新能源汽車市場的不斷擴(kuò)大，充電樁市場發(fā)展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實現(xiàn)比Si基功率器件更高的開關(guān)頻繁，可以提供高功率密度、超小的體積，因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-06-18 17:24:502235 
CISSOID在論文中提出了一種新的柵極驅(qū)動板，其額定溫度為125°C（Ta），它還針對采用半橋式SiC MOSFET的62mm功率模塊進(jìn)行了優(yōu)化。
2019-08-05 17:07:555454 汽車、工業(yè)、太空和國防領(lǐng)域越來越需要能提升系統(tǒng)效率、穩(wěn)健性和功率密度的SiC功率產(chǎn)品。
2019-08-08 10:04:355415 各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID近日宣布，將繼續(xù)致力于應(yīng)對汽車和工業(yè)市場的挑戰(zhàn)，并推出用于電動汽車的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊（IPM）平臺。
2020-03-07 09:31:301412 據(jù)外媒報道，比利時Cissoid公司推出一款三相SiC智能功率模塊（IPM），可用于電動出行。
2020-04-22 15:54:254520 作為國內(nèi)首批自主研發(fā)并量產(chǎn)應(yīng)用SiC器件的公司，在SiC功率器件領(lǐng)域，比亞迪半導(dǎo)體于2020年取得重大技術(shù)突破，重磅推出首款1200V 840A/700A三相全橋SiC功率模塊，并已實現(xiàn)在新能源汽車高端車型電機(jī)驅(qū)動控制器中的規(guī)模化應(yīng)用。
2022-06-21 14:40:572382 繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。
2023-02-08 13:43:211334 
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:082522 
根據(jù)市場分析機(jī)構(gòu) Yole 預(yù)測，在未來 5 年內(nèi)，SiC 功率器件將很快占據(jù)整個功率器件市場的 30%，SiC 行業(yè)（從襯底到模塊，包括器件）的增長率非常高。在Yole看來，到 2027 年，該行
2023-02-20 17:05:162145 繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。之后計劃依次介紹其特點、性能、應(yīng)用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08920 
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對開關(guān)損耗進(jìn)行介紹，開關(guān)損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。
2023-02-24 11:51:281234 
系列產(chǎn)品。該電源模塊系列包括驅(qū)動器模塊“SA310”(非常適用于高耐壓三相直流電機(jī)驅(qū)動)和半橋模塊“SA110”“SA111”(非常適用于眾多高電壓應(yīng)用)兩種產(chǎn)品。
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2023-09-14 19:15:141231 改變功率模塊市場。通過用寬帶隙碳化硅（SiC）取代標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體中使用的硅，它們有可能將半導(dǎo)體功率模塊的適用性擴(kuò)展到更高功率、更高溫度的用例。 碳化硅不辜負(fù)其高期望，到2026年占據(jù)功率模塊市場25%的份額 ^1^ ，開發(fā)人員將不得不克服幾個挑戰(zhàn)。首先，他們
2023-10-23 16:49:362060 
近日，浙江晶能微電子有限公司與嘉興國家高新區(qū)成功簽約，共同打造一項總投資約人民幣10億元的SiC半橋模塊制造項目。該項目由晶能微電子攜手星驅(qū)技術(shù)團(tuán)隊共同出資設(shè)立，專注于車規(guī)SiC半橋模塊的研發(fā)與生產(chǎn)。
2024-02-18 17:21:572349 日前，Vishay 推出五款采用改良設(shè)計的 INT-A-PAK 封裝新型半橋 IGBT 功率模塊。新型器件由 VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N 和 VS-GT200TS065N 組成
2024-03-08 09:15:181737 
Vishay近期發(fā)布五款新型半橋IGBT功率模塊，其改良設(shè)計的INT-A-PAK封裝備受矚目。這五款器件，包括VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S等，均運(yùn)用Vishay領(lǐng)先
2024-03-08 11:45:511491 新品帶iMOTIONMADK的160V半橋SOI半橋驅(qū)動器驅(qū)動100VMOSFET評估套件用于電池供電應(yīng)用(BPA)的EVAL-2ED2748S01GM1評估套件包括一塊三相逆變器功率板，該功率板
2024-03-13 08:13:071575 
BMF240R12E2G3是基本半導(dǎo)體為更好滿足工業(yè)客戶對高效和高功率密度需求而開發(fā)的一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半橋模塊，
2024-04-11 09:22:271998 
SemiQ在其碳化硅(SiC)N溝道MOSFET產(chǎn)品組合中添加了一組全波H橋模塊。這些部件專為需要高電壓、高速和高功率部件的三重威脅應(yīng)用而設(shè)計。它們針對超低開關(guān)損耗進(jìn)行了優(yōu)化，從而提高了效率并降低
2024-05-13 11:04:541112 
據(jù)金融界網(wǎng)站近期消息：江西萬年芯微電子有限公司申請一項名為“緊湊型高功率半橋電路器件、PCB板及其制造方法”的專利。金融界消息稱，萬年芯該項專利摘要顯示本發(fā)明公開了一種緊湊型高功率半橋電路器件
2024-10-22 15:16:12894 
近日，英飛凌正式發(fā)布了采用OptiMOS? 6功率MOSFET的模塊化半橋功率板。這款功率板模塊采用了OptiMOS? 6功率MOSFET 135V，并配備了D2PAK 7引腳封裝，是LVD可擴(kuò)展功率演示板平臺的功率部分。
2024-10-23 17:27:101206 新品采用OptiMOS6功率MOSFET的模塊化半橋功率板該套件功率板模塊采用OptiMOS6功率MOSFET135V，D2PAK7引腳封裝，是LVD可擴(kuò)展功率演示板平臺的功率部分。它是一個帶功率
2024-10-24 08:03:521298 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《UCC25660x半橋LLC評估模塊.pdf》資料免費下載
2024-11-08 14:49:30
6 半橋功率模塊（IPM）憑借其高集成度、高可靠性、布板靈活、設(shè)計與使用便捷等諸多優(yōu)勢，被廣泛應(yīng)用于無刷電機(jī)驅(qū)動領(lǐng)域，其中在高速風(fēng)筒中的應(yīng)用尤為突出。
2025-03-07 17:37:452530 
近日，瞻芯電子推出1B封裝的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半橋功率模塊(IV1B12009HA2L)為光伏、儲能和充電樁等應(yīng)用場景，提供了高效、低成本的解決方案。該產(chǎn)品已通過工業(yè)級可靠性測試。
2025-03-11 15:22:521253 
近日，納維塔斯半導(dǎo)體公司在亞特蘭大舉行的APEC2025大會上，宣布推出全球首款雙向氮化鎵(GaN)功率集成電路(IC)，此舉被業(yè)界譽(yù)為在可再生能源和電動汽車等高功率應(yīng)用領(lǐng)域的“范式轉(zhuǎn)變”。納維塔斯
2025-03-19 11:15:001257 
近日，英飛凌、三菱和Navitas分別推出了多款新型功率模塊，旨在提升電動汽車及工業(yè)應(yīng)用的效率和可靠性。這些優(yōu)化的模塊不僅能夠降低能量損失，還能在極端環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行，標(biāo)志著電力電子技術(shù)的又一次進(jìn)步
2025-05-06 14:08:48716 
BASiC_62mm SiC MOSFET半橋模塊和驅(qū)動方案介紹
2025-09-01 15:23:110 Texas Instruments LMG3422EVM-041半橋子卡在半橋中配置兩個LMG3422R050 GaN FET。它具有鎖存過流保護(hù)功能和所有必要的輔助外設(shè)電路。該評估模塊設(shè)計用于
2025-09-11 09:39:37682 
評估模塊通過提供功率級、偏置功率和邏輯電路，可快速測量GaN器件開關(guān)。該評估模塊可提供高達(dá)8A輸出電流，具有適當(dāng)?shù)臒峁芾恚◤?qiáng)制風(fēng)冷、低頻工作等），確保不超過最高工作溫度。Texas Instruments LMG34XX-BB-EVM不適合用于瞬態(tài)測量，因為它是一款開環(huán)電路板。
2025-09-26 11:14:31549 
芯原股份近日宣布與谷歌聯(lián)合推出面向始終在線、超低能耗端側(cè)大語言模型應(yīng)用的Coral NPU IP。
2025-11-13 11:24:37448 
今日，南芯科技（證券代碼：688484）宣布推出 700V 高壓 GaN 半橋功率芯片 SC3610，可實現(xiàn)高精度電壓驅(qū)動、更優(yōu)的通道延時匹配和更好的 EMI 性能。SC3610 特別適用于高頻軟
2025-11-28 17:49:371531 雙脈沖測試技術(shù)解析報告：國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率模塊替代進(jìn)口IGBT模塊的驗證與性能評估 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源
2025-12-15 07:48:22466 
Technologies推出的EVAL_7116G_100V_SSO8通用半橋評估板。 文件下載： Infineon Technologies EVAL_7116G_100V_SSO8半橋評估板
2025-12-19 11:35:07320 評估套件，板上搭載了兩個GD3160單通道柵極驅(qū)動器件。該套件旨在為工程師提供一個便捷的平臺，用于評估和開發(fā)與IGBT或SiC模塊相關(guān)的半橋應(yīng)
2025-12-25 10:55:05246
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