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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>泛林集團(tuán)的選擇性刻蝕設(shè)備組合正在推進(jìn)芯片行業(yè)下一個(gè)重要的技術(shù)拐點(diǎn)

泛林集團(tuán)的選擇性刻蝕設(shè)備組合正在推進(jìn)芯片行業(yè)下一個(gè)重要的技術(shù)拐點(diǎn)

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PCB選擇性焊接工藝難點(diǎn)解析

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2018-09-14 11:28:22

PCB板選擇性焊接工藝

。另外選擇性焊接僅適用于插裝元件的焊接。選擇性焊接是種全新的方法,徹底了解選擇性焊接工藝和設(shè)備是成功焊接所必需的?! ?b class="flag-6" style="color: red">選擇性焊接的流程  典型的選擇性焊接的工藝流程包括:助焊劑噴涂,PCB預(yù)熱、浸焊
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深度解析PCB選擇性焊接工藝難點(diǎn)

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集團(tuán)推進(jìn)芯片行業(yè)進(jìn)入下一個(gè)重要技術(shù)拐點(diǎn)

過去的十年里,對于體積更小、密度更高、性能更強(qiáng)大的芯片的需求直在推動半導(dǎo)體制造商從平面結(jié)構(gòu)向越來越復(fù)雜的三維(3D)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型。原因很簡單,垂直堆疊可以實(shí)現(xiàn)更高的密度。
2022-03-03 09:10:15388

關(guān)于刻蝕重要參數(shù)報(bào)告

刻蝕速率是指在刻蝕過程中去除硅片表面材料的速度通常用?/min表示, 刻蝕窗口的深度稱為臺階高度。 為了高的產(chǎn)量, 希望有高的刻蝕速率。 在采用單片工藝的設(shè)備中, 這是個(gè)重要的參數(shù)。 刻蝕速率由工藝和設(shè)備變量決定, 如被刻蝕材料類型、 蝕機(jī)的結(jié)構(gòu)配置、 使用的刻蝕氣體和工藝參數(shù)設(shè)置。
2022-03-15 13:41:594092

加速實(shí)現(xiàn)3D:集團(tuán)推出開創(chuàng)選擇性刻蝕解決方案

微縮(即縮小芯片中的微小器件,如晶體管和存儲單元)從來都不是容易的事情,但要想讓下一代先進(jìn)邏輯和存儲器件成為現(xiàn)實(shí),就需要在原子級的尺度上創(chuàng)造新的結(jié)構(gòu)。
2022-03-21 16:10:571390

集團(tuán)推開創(chuàng)選擇性刻蝕解決方案 加速實(shí)現(xiàn)3D

通過與客戶、技術(shù)專家和產(chǎn)品團(tuán)隊(duì)的合作,他們已經(jīng)在選擇性刻蝕創(chuàng)新方面實(shí)現(xiàn)突破,這將使世界領(lǐng)先的芯片制造商得以提供下一代3D邏輯和存儲設(shè)備。
2022-03-22 09:26:072740

集團(tuán)推三款開創(chuàng)選擇性刻蝕產(chǎn)品 此前宣布季度股息1.5美元每股

推出三款開創(chuàng)選擇性刻蝕產(chǎn)品:Argos?、Prevos?和Selis?。這些突破產(chǎn)品旨在補(bǔ)充和擴(kuò)展集團(tuán)行業(yè)領(lǐng)先的刻蝕解決方案組合,使芯片制造商能夠以超高的選擇性和埃米級的精度刻蝕和修改薄膜,以實(shí)現(xiàn)最先進(jìn)的集成電路(IC)性能
2022-03-22 14:35:593474

TMAH溶液對硅得選擇性刻蝕研究

我們?nèi)A林科納研究了TMAH溶液中摩擦誘導(dǎo)選擇性蝕刻的性能受蝕刻溫度、刻蝕時(shí)間和刮刻載荷的影響,通過對比試驗(yàn),評價(jià)了硅摩擦誘導(dǎo)的選擇性蝕刻的機(jī)理,各種表面圖案的制造被證明與控制尖端痕跡劃傷。 蝕刻時(shí)間
2022-05-20 16:37:453558

集團(tuán)闡述實(shí)現(xiàn)凈零排放的路徑和進(jìn)展

半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者發(fā)布年度《環(huán)境、社會和公司治理報(bào)告》,并且公布旨在增強(qiáng)社會影響力的新計(jì)劃?? 北京時(shí)間2022年7月6日——日前,半導(dǎo)體行業(yè)中率先主動設(shè)定凈零排放目標(biāo)的公司之集團(tuán)
2022-07-08 15:12:271115

集團(tuán)各路同“芯”,共促產(chǎn)業(yè)發(fā)展

在11月1日的開幕主題演講上,集團(tuán)總裁兼首席執(zhí)行官Tim Archer受邀致開幕辭,分享他對全球半導(dǎo)體行業(yè)的洞察:半導(dǎo)體是我們實(shí)現(xiàn)更智能、更快速、更互聯(lián)的數(shù)字世界的基礎(chǔ),整個(gè)行業(yè)的合作將使我們賦能彼此,成就更多創(chuàng)新的解決方案,給科技和社會帶來指數(shù)級的深遠(yuǎn)影響。
2022-10-28 14:35:441522

集團(tuán)的減排目標(biāo)被科學(xué)碳目標(biāo)倡議組織批準(zhǔn)

得科學(xué)碳目標(biāo)倡議組織 (Science Based Targets Initiative, SBTi) 的批準(zhǔn)。該組織由全球環(huán)境信息研究中心、聯(lián)合國全球契約、世界資源研究所和世界自然基金會聯(lián)合組成,集團(tuán)是第家獲得這一重要批準(zhǔn)的美國半導(dǎo)體設(shè)備制造商。此外,SEMI 同期也宣布,集團(tuán)還與其他芯片
2022-11-07 17:31:381049

集團(tuán)收購SEMSYSCO以推進(jìn)芯片封裝

對SEMSYSCO的收購擴(kuò)大了集團(tuán)的封裝產(chǎn)品系列。新的產(chǎn)品組合擁有創(chuàng)新的、針對小芯片間或小芯片和基板間異構(gòu)集成的清洗和電鍍能力,包括支持扇出型面板級封裝這樣的顛覆工藝。
2022-11-18 10:21:311648

集團(tuán)收購 SEMSYSCO 以推進(jìn)芯片封裝

來源:集團(tuán) 集團(tuán)擴(kuò)大異構(gòu)半導(dǎo)體解決方案產(chǎn)品組合,用于下一代基板和面板級先進(jìn)封裝工藝 北京時(shí)間2022年11月18日——集團(tuán) (Nasdaq:LRCX) 近日宣布已從Gruenwald
2022-11-21 16:43:021593

下一個(gè)物聯(lián)網(wǎng)設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)無縫互操作

指導(dǎo)視頻:在下一個(gè)物聯(lián)網(wǎng)設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)無縫互操作
2022-12-26 10:16:171367

集團(tuán)選擇性刻蝕方法:Argos、Prevos和Selis

微縮(即縮小芯片中的微小器件,如晶體管和存儲單元)從來都不是容易的事情,但要想讓下一代先進(jìn)邏輯和存儲器件成為現(xiàn)實(shí),就需要在原子級的尺度上創(chuàng)造新的結(jié)構(gòu)。當(dāng)處理這么小的維度時(shí),可以變化的空間微乎其微。
2023-01-31 09:47:361162

集團(tuán)入選Ethisphere 2023 年“全球最具商業(yè)道德企業(yè)”

商業(yè)道德企業(yè)”。 集團(tuán)是唯一一家晶圓制造設(shè)備供應(yīng)商,也是今年全球榜單中兩家入選半導(dǎo)體類別的公司之 。Ethisphere是全球定義并推進(jìn)商業(yè)道德實(shí)踐標(biāo)準(zhǔn)的領(lǐng)導(dǎo)者,該榜單旨在表彰通過流的道德、合
2023-03-21 11:26:371044

半導(dǎo)體行業(yè)刻蝕工藝介紹

壓力主要控制刻蝕均勻刻蝕輪廓,同時(shí)也能影響刻蝕速率和選擇性。改變壓力會改變電子和離子的平均自由程(MFP),進(jìn)而影響等離子體和刻蝕速率的均勻。
2023-04-17 10:36:434532

集團(tuán)虛擬工藝比賽 | 人類工程師 vs. 人工智能

》,該文章由集團(tuán)九名研究人員合著。 此前曾擔(dān)任集團(tuán)首席技術(shù)官的Rick Gottscho博士表示:“我們的研究是突破的,使集團(tuán)脫穎而出、成為在工藝工程中應(yīng)用數(shù)據(jù)科學(xué)的領(lǐng)導(dǎo)者。” 刊登在Nature雜志的這篇文章對比了人類工程師與機(jī)器
2023-05-31 19:59:29699

半導(dǎo)體前端工藝:刻蝕——有選擇性刻蝕材料,以創(chuàng)建所需圖形

在半導(dǎo)體制程工藝中,有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝,如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉,“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料,從而創(chuàng)建所需的微細(xì)圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備,在其他類似工藝中也很常見。
2023-06-15 17:51:573242

集團(tuán)推出全球首個(gè)晶圓邊緣沉積解決方案以提高芯片良率

技術(shù)提高了良率,并使芯片制造商能夠?qū)嵤┬碌那把毓に噥砩a(chǎn)下一芯片。Coronus DX是Coronus產(chǎn)品系列的最新成員,擴(kuò)大了集團(tuán)在晶圓邊緣技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2023-06-29 10:08:271399

集團(tuán)推出全球首個(gè)晶圓邊緣沉積解決方案以提高芯片良率

經(jīng)常發(fā)生的缺陷和損壞。這強(qiáng)大的保護(hù)技術(shù)提高了良率,并使芯片制造商能夠?qū)嵤┬碌那把毓に噥砩a(chǎn)下一芯片。Coronus DX 是Coronus? 產(chǎn)品系列的最新成員,擴(kuò)大了集團(tuán)在晶圓邊緣技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2023-07-05 00:39:291079

集團(tuán)發(fā)布 2022 年 ESG 報(bào)告,展示在實(shí)現(xiàn)“零凈排放”方面取得的進(jìn)展

的進(jìn)展。 集團(tuán)總裁兼首席執(zhí)行官Tim Archer表示:“半導(dǎo)體在塑造未來的過程中繼續(xù)發(fā)揮著至關(guān)重要的作用,但更大的機(jī)遇也意味著更大的責(zé)任。在我們?yōu)?b class="flag-6" style="color: red">下一代技術(shù)突破繼續(xù)創(chuàng)新的同時(shí),必須考慮我們行業(yè)和地球的長期可持續(xù)發(fā)展?!?集團(tuán)的全球 ESG 計(jì)劃嚴(yán)格、透明,并與同類最佳實(shí)踐保持致。第
2023-07-31 11:54:44504

發(fā)布 2022 年 ESG 報(bào)告,展示在實(shí)現(xiàn)“零凈排放”方面取得的進(jìn)展

的進(jìn)展。 集團(tuán)總裁兼首席執(zhí)行官Tim Archer表示:“半導(dǎo)體在塑造未來的過程中繼續(xù)發(fā)揮著至關(guān)重要的作用,但更大的機(jī)遇也意味著更大的責(zé)任。在我們?yōu)?b class="flag-6" style="color: red">下一代技術(shù)突破繼續(xù)創(chuàng)新的同時(shí),必須考慮我們行業(yè)和地球的長期可持續(xù)發(fā)展?!?集團(tuán)的全球 ESG 計(jì)劃嚴(yán)格、透明,并與同類最佳實(shí)踐保
2023-07-31 14:58:43922

回應(yīng)美國AI芯片出口管制新規(guī):預(yù)計(jì)不會產(chǎn)生實(shí)質(zhì)影響

集團(tuán)因?yàn)槿ツ臧l(fā)表的美國最近的出口限制規(guī)定,遭受了約20億美元的銷售損失。集團(tuán)認(rèn)為,公司在中國的事業(yè)在第二季度和未來將繼續(xù)保持強(qiáng)勁勢頭。首席財(cái)務(wù)官Doug Bettinger表示:“雖然不知道中國市場明年會上升、下滑還是橫步走,但不會消失?!?/div>
2023-10-19 10:55:191150

集團(tuán)如何助力觸覺技術(shù)的實(shí)現(xiàn)

試著想象場沉浸式的虛擬體驗(yàn):在探索數(shù)字世界的時(shí)候,你的觸覺似乎與感受到的景象和聲音樣真實(shí)。盡管切只存在于網(wǎng)絡(luò)空間中,但你可以感受到用手接球、或者在虛擬鍵盤上敲字的感覺。這種感覺需要觸覺技術(shù)的支持,而正在用創(chuàng)新助力這一技術(shù)的實(shí)現(xiàn)。
2023-11-15 16:40:25832

半導(dǎo)體前端工藝(第四篇):刻蝕——有選擇性刻蝕材料,以創(chuàng)建所需圖形

半導(dǎo)體前端工藝(第四篇):刻蝕——有選擇性刻蝕材料,以創(chuàng)建所需圖形
2023-11-27 16:54:261646

晶體管的下一個(gè)25年

晶體管的下一個(gè)25年
2023-11-27 17:08:001673

集團(tuán)獨(dú)家向三星等原廠供應(yīng)HBM用TSV設(shè)備

三星電子和sk海力士用于tsv蝕刻的設(shè)備都是Syndion。synthion是典型的深硅蝕刻設(shè)備,深度蝕刻到晶片內(nèi)部,用于tsv和溝槽等的高度和寬度比的形成。集團(tuán) sabre 3d將用于用銅填充蝕刻的晶圓孔來制作線路的tsv線路。
2023-11-30 10:15:571742

韓國科學(xué)技術(shù)院開發(fā)Micro LED選擇性轉(zhuǎn)移印刷技術(shù)

12月19日消息,近日韓國科學(xué)技術(shù)院(KAIST)Keon Jae Lee教授領(lǐng)導(dǎo)的研究團(tuán)隊(duì)在《自然》(Nature)雜志上發(fā)表了篇題為“應(yīng)用微真空力技術(shù)進(jìn)行通用選擇性轉(zhuǎn)移印刷”的文章,研究團(tuán)隊(duì)展示了通過選擇性調(diào)節(jié)微真空力方法,實(shí)現(xiàn)巨量轉(zhuǎn)移微型無機(jī)半導(dǎo)體芯片。
2023-12-26 13:31:231259

刻蝕終點(diǎn)探測進(jìn)行原位測量

使用SEMulator3D?工藝步驟進(jìn)行刻蝕終點(diǎn)探測 作者:集團(tuán) Semiverse Solutions 部門軟件應(yīng)用工程師 Pradeep Nanja 介紹 半導(dǎo)體行業(yè)直專注于使用先進(jìn)的刻蝕
2024-01-19 16:02:421233

集團(tuán)韓國公司業(yè)務(wù)總裁變更,面臨日電競爭與與P的合作挑戰(zhàn)

韓國分公司新掌門人Park Joon-hong此前能在集團(tuán)擔(dān)任多個(gè)關(guān)鍵職位,如蝕刻首席技術(shù)官及客戶關(guān)系主管。他有能力領(lǐng)導(dǎo)集團(tuán)在韓的所有部門,包括韓國制造公司和技術(shù)公司,后者擁有集團(tuán)在韓乃至全球范圍內(nèi)的研究活動。
2024-02-20 14:42:111647

集團(tuán)積極實(shí)施供應(yīng)鏈多元化戰(zhàn)略,越南將扮演關(guān)鍵角色

據(jù)報(bào)道,2023年中國市場對集團(tuán)的貢獻(xiàn)降至26%,而2022年這比例為31%。集團(tuán)對此表示,美國限制中國客戶進(jìn)口對其收入產(chǎn)生了負(fù)面影響,且未來或存在更大風(fēng)險(xiǎn)。
2024-03-22 15:55:281244

集團(tuán)與印度簽署備忘錄,提供虛擬化軟件、芯片制造及代工服務(wù)培訓(xùn)

該協(xié)議內(nèi)容主要涉及集團(tuán)與印度半導(dǎo)體團(tuán)隊(duì)以及印度科學(xué)研究院的三方合作。集團(tuán)將為Semiverse解決方案的推廣提供支持,印度半導(dǎo)體團(tuán)隊(duì)則負(fù)責(zé)基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)和運(yùn)營經(jīng)費(fèi)支付。
2024-04-16 16:53:031475

集團(tuán)推出第三代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù)Lam Cyro 3.0

半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)軍企業(yè)集團(tuán)(Lam Research)近日震撼發(fā)布其專為3D NAND Flash存儲器制造設(shè)計(jì)的第三代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù)——Lam Cryo 3.0。據(jù)集團(tuán)全球產(chǎn)品部高級副總裁
2024-08-02 15:53:101805

集團(tuán)推出第三代低溫電介質(zhì)蝕刻技術(shù)Lam Cryo 3.0,助力3D NAND邁向千層新紀(jì)元

在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天,美國領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)備制造商集團(tuán)(Lam Research)再次引領(lǐng)行業(yè)創(chuàng)新,正式推出其經(jīng)過嚴(yán)格生產(chǎn)驗(yàn)證的第三代低溫電介質(zhì)蝕刻技術(shù)——Lam Cryo 3.0。這
2024-08-05 09:31:391848

過電流保護(hù)的選擇性是靠什么來實(shí)現(xiàn)的

過電流保護(hù)的選擇性是指在電力系統(tǒng)中,當(dāng)發(fā)生短路或過載時(shí),保護(hù)裝置能夠按照預(yù)定的順序和時(shí)間,優(yōu)先切斷故障部分,而不影響其他正常運(yùn)行的部分。選擇性是電力系統(tǒng)保護(hù)設(shè)計(jì)的重要原則之,它能夠確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性
2024-09-26 14:38:282064

聯(lián)想集團(tuán)公布下一階段Smarter AI for all愿景

全球數(shù)字經(jīng)濟(jì)領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)聯(lián)想集團(tuán)在Tech World上公布了下一階段Smarter AI for all愿景,并展示了全面的人工智能解決方案、服務(wù)和設(shè)備組合,為全球千行百業(yè)和千家萬戶帶來了轉(zhuǎn)型和切實(shí)的投資回報(bào),同時(shí),聯(lián)想集團(tuán)還宣布了系列關(guān)鍵技術(shù)
2024-10-17 09:13:171445

晶圓表面溫度對干法刻蝕的影響

本文介紹晶圓表面溫度對干法刻蝕的影響 表面溫度對干法刻蝕的影響主要包括:聚合物沉積,選擇性,光刻膠流動、產(chǎn)物揮發(fā)性與刻蝕速率,表面形貌等。 ? 聚合物沉積?:工藝過程中產(chǎn)生的聚合物會在表面沉積
2024-12-03 10:48:311982

芯片制造過程中的兩種刻蝕方法

液體將不要的材料去除。 1?干法刻蝕 干法刻蝕方式: ①濺射與離子束銑蝕 ②等離子刻蝕(Plasma Etching) ③高壓等離子刻蝕 ④高密度等離子體(HDP)刻蝕 ⑤反應(yīng)離子刻蝕(RIE) 與化學(xué)蝕刻樣,具有高度選擇性,僅蝕刻具有目標(biāo)成分的材料;具有高
2024-12-06 11:13:583353

選擇性沉積技術(shù)介紹

選擇性沉積技術(shù)可以分為按需沉積與按需材料工藝兩種形式。 隨著芯片制造技術(shù)的不斷進(jìn)步,制造更小、更快且能效更高的芯片具很大的挑戰(zhàn),尤其是全環(huán)繞柵極(Gate-All-Around, GAA)晶體管和更
2024-12-07 09:45:011576

SiGe與Si選擇性刻蝕技術(shù)

, GAAFET)作為種有望替代FinFET的下一代晶體管架構(gòu),因其能夠在更小尺寸下提供更好的靜電控制和更高的性能而備受關(guān)注。在制造n型GAAFET的過程中,個(gè)關(guān)鍵步驟是在內(nèi)隔層沉積之前對Si-SiGe堆疊納米片進(jìn)行高選擇性的SiGe:Si蝕刻,以產(chǎn)生硅納米片并釋放溝道。 本文將探討這
2024-12-17 09:53:332013

如何提高濕法刻蝕選擇

提高濕法刻蝕選擇比,是半導(dǎo)體制造過程中優(yōu)化工藝、提升產(chǎn)品性能的關(guān)鍵步驟。選擇比指的是在刻蝕過程中,目標(biāo)材料與非目標(biāo)材料的刻蝕速率之比。個(gè)高的選擇比意味著可以更精確地控制刻蝕過程,減少對非目標(biāo)材料
2024-12-25 10:22:011714

集團(tuán)擬向印度投資12億美元

美國芯片設(shè)備制造商Lam Research(集團(tuán))近日宣布,計(jì)劃在未來幾年內(nèi)向印度南部卡納塔克邦投資超過1000億盧比(約12億美元)。此舉標(biāo)志著印度加強(qiáng)半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)計(jì)劃的又一重要進(jìn)展。
2025-02-13 15:57:07738

什么是高選擇性蝕刻

華林科納半導(dǎo)體高選擇性蝕刻是指在半導(dǎo)體制造等精密加工中,通過化學(xué)或物理手段實(shí)現(xiàn)目標(biāo)材料與非目標(biāo)材料刻蝕速率的顯著差異,從而精準(zhǔn)去除指定材料并保護(hù)其他結(jié)構(gòu)的工藝技術(shù)?。其核心在于通過工藝優(yōu)化控制
2025-03-12 17:02:49809

集團(tuán)連續(xù)第三年被Ethisphere評為“全球最具商業(yè)道德企業(yè)”之

2025 年的表彰對公司在道德、合規(guī)和治理方面的最佳表現(xiàn)給予認(rèn)可 北京時(shí)間 2025 年 3 月 18 日—— 集團(tuán)近日宣布,公司已獲得由定義和推進(jìn)商業(yè)道德實(shí)踐標(biāo)準(zhǔn)的全球領(lǐng)導(dǎo)者
2025-03-18 13:55:45405

芯片刻蝕原理是什么

的基本原理 刻蝕的本質(zhì)是選擇性去除材料,即只去除不需要的部分,保留需要的部分。根據(jù)刻蝕方式的不同,可以分為以下兩類: (1)濕法刻蝕(Wet Etching) 原理:利用化學(xué)液體(如酸、堿或溶劑)與材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng),溶解目標(biāo)材料。
2025-05-06 10:35:311978

選擇性波峰焊焊接溫度全解析:工藝控制與優(yōu)化指南

在電子制造行業(yè), 選擇性波峰焊(Selective Wave Soldering,簡稱 SWS) ?已經(jīng)成為解決局部焊接需求的重要工藝。它能夠在同塊 PCB 上,對不同區(qū)域?qū)崿F(xiàn)差異化焊接,避免整板
2025-09-17 15:10:551011

晶圓濕法刻蝕技術(shù)有哪些優(yōu)點(diǎn)

晶圓濕法刻蝕技術(shù)作為半導(dǎo)體制造中的重要工藝手段,具有以下顯著優(yōu)點(diǎn):高選擇性與精準(zhǔn)保護(hù)通過選用特定的化學(xué)試劑和控制反應(yīng)條件,濕法刻蝕能夠?qū)崿F(xiàn)對目標(biāo)材料的高效去除,同時(shí)極大限度地減少對非目標(biāo)區(qū)域(如掩膜
2025-10-27 11:20:38369

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