半導體器件有許多封裝形式，按封裝的外形、尺寸、結(jié)構(gòu)分類可分為引腳插入型、表面貼裝型和高級封裝三類。從DIP、SOP、QFP、PGA、BGA到CSP再到SIP，技術(shù)指標一代比一代先進?？傮w說來，半導體封裝經(jīng)歷了三次重大革新：第一次是在20世紀80年代從引腳插入式封裝到表面貼片封裝，它極大地提高了印刷電路板上的組裝密度；第二次是在20世紀90年代球型矩陣封裝的出現(xiàn)，滿足了市場對高引腳的需求，改善了半導體器件的性能；芯片級封裝、系統(tǒng)封裝等是現(xiàn)在第三次革新的產(chǎn)物，其目的就是將封裝面積減到最小。

半導體產(chǎn)品在由二維向三維發(fā)展，從技術(shù)發(fā)展方向半導體產(chǎn)品出現(xiàn)了系統(tǒng)級封裝（SiP）等新的封裝方式，從技術(shù)實現(xiàn)方法出現(xiàn)了倒裝（FlipChip），凸塊（Bumping），晶圓級封裝（Waferlevelpackage），2.5D封裝（interposer，RDL等），3D封裝（TSV）等先進封裝技術(shù)。

傳統(tǒng)封裝vs先進封裝

傳統(tǒng)封裝概念從最初的三極管直插時期后開始產(chǎn)生。傳統(tǒng)封裝過程如下：將晶圓切割為晶粒（Die）后，使晶粒貼合到相應(yīng)的基板架的小島（LeadframePad）上，再利用導線將晶片的接合焊盤與基板的引腳相連（WireBond），實現(xiàn)電氣連接，最后用外殼加以保護（Mold，或Encapsulation）。典型封裝方式有DIP、SOP、TSOP、QFP等。

先進封裝主要是指倒裝（FlipChip），凸塊（Bumping），晶圓級封裝（Waferlevelpackage），2.5D封裝（interposer，RDL等），3D封裝（TSV）等封裝技術(shù)。

先進封裝在誕生之初只有WLP，2.5D封裝和3D封裝幾種選擇，近年來，先進封裝的發(fā)展呈爆炸式向各個方向發(fā)展，而每個開發(fā)相關(guān)技術(shù)的公司都將自己的技術(shù)獨立命名注冊商標，如臺積電的InFO、CoWoS，日月光的FoCoS，Amkor的SLIM、SWIFT等。盡管很多先進封裝技術(shù)只有微小的區(qū)別，大量的新名詞和商標被注冊，導致行業(yè)中出現(xiàn)大量的不同種類的先進封裝，而其誕生通常是由客制化產(chǎn)品的驅(qū)動。 ? ?

先進封裝優(yōu)勢 先進封裝提高加工效率，提高設(shè)計效率，減少設(shè)計成本。

先進封裝主要包括倒裝類（FlipChip,Bumping），晶圓級封裝（WLCSP，F(xiàn)OWLP，PLP），2.5D封裝（Interposer）和3D封裝（TSV）等。以晶圓級封裝為例，產(chǎn)品生產(chǎn)以圓片形式批量生產(chǎn)，可以利用現(xiàn)有的晶圓制備設(shè)備，封裝設(shè)計可以與芯片設(shè)計一次進行。這將縮短設(shè)計和生產(chǎn)周期，降低成本。

先進封裝提高封裝效率，降低產(chǎn)品成本。

隨著后摩爾定律時代的到來，傳統(tǒng)封裝已經(jīng)不再能滿足需求。傳統(tǒng)封裝的封裝效率（裸芯面積/基板面積）較低，存在很大改良的空間。芯片制程受限的情況下，改進封裝便是另一條出路。舉例來說，QFP封裝效率最高為30%，那么70%的面積將被浪費。DIP、BGA浪費的面積會更多。

先進封裝以更高效率、更低成本、更好性能為驅(qū)動。

先進封裝技術(shù)于上世紀90年代出現(xiàn)，通過以點帶線的方式實現(xiàn)電氣互聯(lián)，實現(xiàn)更高密度的集成，大大減小了對面積的浪費。SiP技術(shù)及PoP技術(shù)奠定了先進封裝時代的開局，2D集成技術(shù)，如WaferLevelPackaging（WLP，晶圓級封裝），F(xiàn)lip-Chip（倒晶），以及3D封裝技術(shù)，ThroughSiliconVia（硅通孔，TSV）等技術(shù)的出現(xiàn)進一步縮小芯片間的連接距離，提高元器件的反應(yīng)速度，未來將繼續(xù)推進著先進封裝發(fā)展的腳步。 ? ?

先進封裝技術(shù) Flip-Chip & Bumping

FlipChip指的是芯片倒裝，以往的封裝技術(shù)都是將芯片的有源區(qū)面朝上，背對基板和貼后鍵合。而FlipChip則將芯片有源區(qū)面對著基板，通過芯片上呈陣列排列的焊料凸點（Bumping）實現(xiàn)芯片與襯底的互聯(lián)。硅片直接以倒扣方式安裝到PCB從硅片向四周引出I/O，互聯(lián)長度大大縮短，減小了RC（Resistance-Capacitance）延遲，有效的提高了電性能。

FlipChip的優(yōu)勢主要在于以下幾點：小尺寸，功能增強（增加I/O數(shù)量），性能增強（互聯(lián)短），提高了可靠性（倒裝芯片可減少2/3的互聯(lián)引腳數(shù)），提高了散熱能力（芯片背面可以有效進行冷卻）。

▼倒裝芯片晶體貼裝技術(shù)

?Bumping是一種新型的芯片與基板間電氣互聯(lián)的方式。

可以通過小的球形導電材料實現(xiàn)，這種導電球體被稱為Bump，制作導電球這一工序被稱為Bumping。當粘有Bump的晶粒被倒臵(Flip-Chip)并與基板對齊時，晶粒便很容易的實現(xiàn)了與基板Pad(觸墊)的連接。相比傳統(tǒng)的引線連接，F(xiàn)lip-Chip有著諸多的優(yōu)勢，比如更小的封裝尺寸與更快的器件速度。 ?

▼焊球端子和柱式端子

?FlipChip的關(guān)鍵一步是Bumping，可以通過在晶圓上制作外延材料來實現(xiàn)。

當芯片制作工序完成后，制造UBM（Underbumpmetallization）觸墊將被用于實現(xiàn)芯片和電路的連接，Bump也會被淀積與觸點之上。焊錫球（Solderball）是最常見的Bumping材料，但是根據(jù)不同的需求，金、銀、銅、鈷也是不錯的選擇。

對于高密度的互聯(lián)及細間距的應(yīng)用，銅柱是一種新型的材料。焊錫球在連接的時候會擴散變形，而銅柱會很好的保持其原始形態(tài)，這也是銅柱能用于更密集封裝的原因。

??FlipChip產(chǎn)品對應(yīng)不同bumping類型增長速度不一。根據(jù)Yole預(yù)測，采用倒裝芯片技術(shù)的集成電路出貨量將保持穩(wěn)定增長，預(yù)計產(chǎn)能將以9.8%的復合年增長率擴張，從2014年的約合1600萬片12寸晶圓增長到2020年的2800萬片。終端應(yīng)用主要為計算類芯片，如臺式機和筆記本電腦的CPU、GPU和芯片組應(yīng)用等。

?其中鍍金晶圓凸點（Au-platedwaferbumping）將穩(wěn)定增長，由于IC顯示驅(qū)動器（4K2K超高清電視和高清晰度、大屏幕平板電腦和智能手機）的市場驅(qū)動。預(yù)計產(chǎn)能將以4%的復合年增長率擴大，從2014年的430萬片增長到2020年的540萬片。

?金釘頭凸點（Austudbumping）產(chǎn)能將略有下滑，從2014年的30.4萬片降到2020年的29.3萬片，主要原因是射頻器件從倒裝芯片轉(zhuǎn)移至晶圓級芯片尺寸封裝（WLCSP）。但是，新興應(yīng)用的需求將增加，如CMOS圖像傳感器模組、高亮度LED等。

?中道封裝技術(shù)需求增長，將帶來行業(yè)上下游的跨界競爭。針對3DIC和2.5D中介層平臺的“中端工藝（middleend-process）”基礎(chǔ)設(shè)施的出現(xiàn)將使Fab和IDM受益，并在較小程度上分給OSAT。2.5D中介層平臺的發(fā)展將會產(chǎn)生價值的轉(zhuǎn)移，從襯底供應(yīng)商轉(zhuǎn)向前端代工廠。 ?

2.5D封裝：RDL&中介層

?RDL(Redistributionlayer，再分布層)：在晶圓水平上，觸點再分布可以很高效的進行。再分布層用于使連線路徑重新規(guī)劃，落到我們希望的區(qū)域，也可以獲得更高的觸點密度。再分布的過程，實際上是在原本的晶圓上又加了一層或幾層。

首先淀積的是一層電介質(zhì)用于隔離，接著我們會使原本的觸點裸露，再淀積新的金屬層來實現(xiàn)重新布局布線。UBM在這里會被用到，作用是支撐焊錫球或者其他材料的接觸球。

?中介層(Interposer)：指的是焊錫球和晶粒之間導電層。它的作用是擴大連接面，使一個連接改線到我們想要的地方。與再分布層作用類似。

▼中間層（Interposer）示意

3D封裝：TSV，PoP和MEMS

?TSV（Through-siliconvia，硅通孔）：Bump和RDL會占用芯片接合到基板上的平面面積，TSV可以將芯片堆疊起來使三維空間被利用起來。更重要的是，堆疊技術(shù)改善了多芯片連接時的電學性質(zhì)。引線鍵合可以被用于堆疊技術(shù)，但TSV吸引力更大。

TSV實現(xiàn)了貫穿整個芯片厚度的電氣連接，更開辟了芯片上下表面之間的最短通路。芯片之間連接的長度變短也意味著更低的功耗和更大的帶寬。TSV技術(shù)最早在CMOS圖像傳感器中被應(yīng)用，未來在FPGA、存儲器、傳感器等領(lǐng)域都將被應(yīng)用。根據(jù)Yole預(yù)測，2016~2021年，應(yīng)用TSV技術(shù)的晶圓數(shù)量將以10%的年復合增長率增長。3D存儲芯片封裝也會在將來大量的用到TSV。

▼3DIC和TSV技術(shù)演進路徑

▼TSV技術(shù)示意圖

?PoP(PackageonPackage，堆疊封裝）：PoP是一種將分離的邏輯和存儲BGA(Ballgridarray，球狀引腳柵格陣列）包在垂直方向上結(jié)合起來的封裝技術(shù)。在這種結(jié)構(gòu)中，兩層以上的封裝單元自下而上堆疊在一起，中間留有介質(zhì)層來傳輸信號。

PoP技術(shù)增大了器件的集成密度，底層的封裝單元直接與PCB板接觸。傳統(tǒng)的PoP是基于基板的堆疊，隨著存儲器對高帶寬的需求，球間間隔要求更小，未來將會與FOWLP技術(shù)相結(jié)合，做基于芯片的堆疊。

?MEMS封裝：微機電系統(tǒng)在近些年應(yīng)用越來越廣泛，隨著傳感器、物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的大規(guī)模落地，MEMS封裝也備受關(guān)注。MEMS的封裝不同與集成電路封裝，分為芯片級、模組級、卡級、板級、門級等多元垂直分級封裝，設(shè)計時也需考慮不同模組間的相互影響。

目前MEMS封裝市場規(guī)模在27億美元左右，2016~2020年間將會維持16.7%的年復合增長率高速增長。其中RFMEMS封裝市場是主要驅(qū)動，2016~2020年間，年復合增長率高達35.1%。

▼MEMS封裝技術(shù)示意圖



在整個MEMS生態(tài)系統(tǒng)中，MEMS封裝發(fā)展迅速，晶圓級和3D集成越來越重要。主要的趨勢是為低溫晶圓鍵合等單芯片集成開發(fā)出與CMOS兼容的MEMS制造工藝。另一個新趨勢是裸片疊層應(yīng)用于低成本無鉛半導體封裝，這種技術(shù)可為量產(chǎn)帶來更低的成本和更小的引腳封裝。但是，MEMS器件的CMOS和3D集成給建模、測試和可靠性帶來挑戰(zhàn)。

FIWLP&FOWLP，PLP首先要提及Wafer-levelpackaging(WLP，晶圓級封裝)的概念。在傳統(tǒng)封裝概念中，晶圓是先被切割成小的晶粒，之后再進行連接和塑封。而晶圓級封裝工序恰好相反，晶圓級封裝將晶粒在被切割前封裝完成，保護層將會被附著在晶圓的正面或是背面，電路連接在切割前已經(jīng)完成。

??FIWLP：Fan-inWafer-levelpackaging，又稱WLCSP（Wafer-levelChipScalePackage），扇入式晶圓級封裝，也就是傳統(tǒng)的晶圓級封裝，切割晶粒在最后進行，適用于低引腳數(shù)的集成電路。隨著集成電路信號輸出的引腳數(shù)目的增加，焊錫球的尺寸也就變得越來越嚴格，PCB對集成電路封裝后尺寸以及信號輸出接腳位臵的調(diào)整需求得不到滿足，因此衍生出了扇出型晶圓級封裝。扇入晶圓級封裝的特征是封裝尺寸與晶粒同大小。 ?

?FOWLP:Fan-outWafer-levelpackaging，扇出式晶圓級封裝，開始就將晶粒切割，再重布在一塊新的人工模塑晶圓上。它的優(yōu)勢在于減小了封裝的厚度，增大了扇出（更多的I/O接口），獲得了更優(yōu)異的電學性質(zhì)及更好的耐熱表現(xiàn)。

FIWLP與FOWLP用途不同，均為今后的主流封裝手段。FIWLP在模擬和混合信號芯片中用途最廣，其次是無線互聯(lián)，CMOS圖像傳感器也采用FIWLP技術(shù)封裝。FOWLP將主要用于移動設(shè)備的處理器芯片中。根據(jù)Yole的預(yù)測，2018年以前FOWLP的主要驅(qū)動為蘋果智能手機的處理器芯片，2018年以后的FOWLP的主要驅(qū)動除了其他安卓手機處理器的增長，主要是高密度FOWLP在其他處理芯片的應(yīng)用，如AI、機器學習、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。

▼FIWLP與FOWLP技術(shù)示意圖



?PLP：全稱Panel-levelpackaging，平板級封裝，封裝方法與FOWLP類似，只不過將晶粒重組于更大的矩形面板上，而不是圓形的晶圓。更大的面積意味著節(jié)約更多的成本，更高的封裝效率。而且切割的晶粒為方形，晶圓封裝會導致邊角面積的浪費，矩形面板恰恰解決了浪費問題。但也對光刻及對準提出了更高的要求。 ? ?






審核編輯：劉清