16日，三星電子宣布在基于EUV的高級(jí)節(jié)點(diǎn)方面取得了重大進(jìn)展，包括7nm批量生產(chǎn)和6nm客戶流片，以及成功完成5nm FinFET工藝的開發(fā)。 三星電子宣布其5納米（nm）FinFET工藝技術(shù)的開發(fā)
2019-04-18 15:48:47
7184 韓國(guó)《中央日?qǐng)?bào)》發(fā)布消息稱，三星電子已成功研發(fā)出5納米(nm)半導(dǎo)體工藝，并于4月中正式量產(chǎn)首個(gè)利用極紫外光刻(EUV)的7納米芯片。對(duì)于新一代半導(dǎo)體的精密工藝問題，三星電子與各企業(yè)間的技術(shù)較量也
2019-05-22 10:25:425349 業(yè)內(nèi)將每一代工藝節(jié)點(diǎn)都以標(biāo)注英文字母的方式起名，此次SK海力士量產(chǎn)的1a納米級(jí)工藝是繼1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）之后的第四代工藝節(jié)點(diǎn)。公司預(yù)計(jì)從下半年開始向智能手機(jī)廠商供應(yīng)適用1a納米級(jí)技術(shù)的移動(dòng)端DRAM。 ? 工藝的極度細(xì)微化趨勢(shì)使半導(dǎo)體廠商陸續(xù)導(dǎo)入E
2021-07-12 10:57:065591 Altera公司與臺(tái)積公司今日共同宣布在55納米嵌入式閃存 （EmbFlash） 工藝技術(shù)上展開合作，Altera公司將采用臺(tái)積公司的55納米前沿嵌入式閃存工藝技術(shù)生產(chǎn)可程序器件，廣泛支持汽車及工業(yè)等各類市場(chǎng)的多種低功耗、大批量應(yīng)用。
2013-04-16 09:05:091246 在國(guó)際電子電路研討會(huì)大會(huì)（ISSCC）上，三星展示了采用10納米FinFET工藝技術(shù)制造的300mm晶圓，這表明三星10納米FinFET工藝技術(shù)最終基本定型。
2015-05-28 10:25:272067 · 新思科技Custom Design Platform為三星7LPP工藝技術(shù)提供經(jīng)認(rèn)證的工具、PDK、仿真模型、運(yùn)行集（runsets）以及定制參考流程。
· 新思科技Custom
2018-07-18 11:46:358000 技術(shù)節(jié)點(diǎn)的每次進(jìn)步都要求對(duì)制造工藝變化進(jìn)行更嚴(yán)格的控制。最先進(jìn)的工藝現(xiàn)在可以達(dá)到僅7 nm的fin寬度，比30個(gè)硅原子稍大一點(diǎn)。半導(dǎo)體制造已經(jīng)跨越了從納米級(jí)到原子級(jí)工藝的門檻。
2020-06-02 18:04:463006 
5月7日消息?由于質(zhì)疑競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的技術(shù)進(jìn)展，三星決定公開自家DRAM產(chǎn)品的電路線寬，以顯示三星在該領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先地位。據(jù)韓媒報(bào)導(dǎo)，三星準(zhǔn)備打破DRAM業(yè)界傳統(tǒng)，將公布自家DRAM產(chǎn)品電路
2021-05-07 10:25:352126 1. 臺(tái)積電首次提及 1.4nm 工藝技術(shù)，2nm 工藝按計(jì)劃 2025 年量產(chǎn) ? 臺(tái)積電在近日舉辦的 IEEE 國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）的小組研討會(huì)上透露，其 1.4nm 級(jí)工藝制程研發(fā)已經(jīng)
2023-12-14 11:16:001711 次公開了 SF1.4（1.4nm 級(jí)別）工藝，原預(yù)計(jì) 2027 年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。按照三星當(dāng)時(shí)的說法，SF1.4 將納米片的數(shù)量從 3 個(gè)增加到 4 個(gè)，有望顯著改善芯片在性能和功耗方面的表現(xiàn)。? ? 三星
2025-03-22 00:02:002463 次公開了?SF1.4（1.4nm?級(jí)別）工藝，原預(yù)計(jì)?2027?年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。按照三星當(dāng)時(shí)的說法，SF1.4?將納米片的數(shù)量從?3?個(gè)增加到?4?個(gè)，有望顯著改善芯片在性能和功耗方面的表現(xiàn)。? ? 三星
2025-03-23 11:17:401827 導(dǎo)入了該項(xiàng)技術(shù)。電路線寬為10納米級(jí)（一納米為十億分之一米）。據(jù)稱，與平面型NAND閃存相比，3D型NAND閃存不僅寫入速度更高，耗電量也大幅減小?！ ?b class="flag-6" style="color: red">三星此前已在韓國(guó)和美國(guó)德克薩斯州設(shè)立半導(dǎo)體工廠，這是
2014-05-14 15:27:09
Storage（OCS）”,容量也比原來格子狀排列時(shí)增大1.57倍。OSC是三星已在此前工藝中導(dǎo)入的技術(shù)。Air Spacer技術(shù)是最近經(jīng)常采用的通過在電極及布線周圍設(shè)置空隙來減小寄生電容的技術(shù)。三星表示通過該技術(shù)，與原來布線絕緣采用Si3N4時(shí)相比，可使Cb減小34％。
2015-12-14 13:45:01
三星宣布將開發(fā)手持式裝置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）讀取芯片，能讓使用者透過手機(jī)得知產(chǎn)品和服務(wù)信息，但三星并未透露產(chǎn)品何時(shí)上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
`聽說三星已搞定石墨烯電池，能量密度提升45%，充電快5倍比起OPPO的快充，你怎么看？（其實(shí)不得不服三星的技術(shù)）順便發(fā)個(gè)三星S9大合照！`
2017-11-29 16:33:10
納米傳感器和納米級(jí)物聯(lián)網(wǎng)將對(duì)醫(yī)學(xué)產(chǎn)生巨大影響讓開放式人工智能系統(tǒng)成為你的個(gè)人健康助理升級(jí)光遺傳技術(shù)照亮神經(jīng)學(xué)人體器官芯片技術(shù)為醫(yī)藥研究帶來了新的機(jī)遇器官芯片的工作原理
2021-02-01 06:43:21
納米位移計(jì)真的可以測(cè)到納米級(jí)別的物體的位移？
2015-07-23 10:36:36
納米科技的迅猛發(fā)展將我們的視野拓展到了微觀世界，而測(cè)量納米級(jí)尺寸的物體和現(xiàn)象則成為了時(shí)下熱門的研究領(lǐng)域。納米級(jí)測(cè)量?jī)x器作為一種重要的工具，扮演著重要的角色。那么，如何才能準(zhǔn)確測(cè)量納米級(jí)物體呢？在
2023-10-11 14:37:46
關(guān)于納米級(jí)電接觸電阻測(cè)量的新技術(shù)看完你就懂了
2021-04-09 06:43:22
技術(shù)開發(fā)成功，同時(shí)透露會(huì)朝第二代的 FinFET 技術(shù)開發(fā)。若***一舉朝 7 納米前進(jìn)，將會(huì)成為全球第四家 7 納米技術(shù)供應(yīng)商，與英特爾、臺(tái)積電、三星分庭抗禮。同時(shí)，華為海思的麒麟980也搶先發(fā)布，首款
2018-09-05 14:38:53
本文重點(diǎn)是介紹HDMI1.4基礎(chǔ)技術(shù)及測(cè)試需求。
2021-06-04 06:21:51
三星GALAXY S3是三星旗下的重磅產(chǎn)品，也是今年三星的主打機(jī)型。機(jī)身厚度只有8.6毫米，重量約133克。同時(shí)，作為第二款上市的四核旗艦，不僅配備了1.4GHz主頻的三星Exynos 4412四核
2012-12-05 14:19:07
日公布，5納米工藝技術(shù)制造8、三星 Exynos 2100：2020年12月12日公布，5納米工藝技術(shù)制造9、蘋果 A13 Bionic：2019年9月10日公布，7納米工藝技術(shù)制造10、高通 驍龍 865 Plus：2020年7月8日公布，7納米工藝技術(shù)制造
2021-12-25 08:00:00
量產(chǎn)中利用意法半導(dǎo)體的FD-SOI技術(shù)。也是在這一年，三星成功生產(chǎn)了8Mb eMRAM，并利用28nmFDS，在2019年成功量產(chǎn)首款商用eMRAM。 據(jù)三星介紹，利用其28nmFDS工藝技術(shù)制作
2023-03-21 15:03:00
納米級(jí)電氣的特性是什么？
2021-05-12 06:22:56
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-20 08:01:20
華為三星蘋果高通的差異買IP做集成不宜包裝為掌握核心科技
2021-01-28 07:21:57
回收三星ic 收購(gòu)三星ic《 字庫(kù)回收，實(shí)力回收三星原裝字庫(kù)，收購(gòu)三星字庫(kù)價(jià)格高！同時(shí)還回收拆機(jī)字庫(kù)，優(yōu)勢(shì)收購(gòu)原裝字庫(kù)》●●帝歐 【趙先生 ***微信同步 QQ：1714434248】收購(gòu)三星字庫(kù)
2021-08-20 19:11:25
女性的最愛 三星粉色GALAXY Note上市手機(jī)之家資訊中心4月9日消息，三星向來有推出粉色經(jīng)典機(jī)型的習(xí)慣，如今這一顏色也用在了GALAXY Note上了，該機(jī)將于近期在香港上市，售價(jià)為5998
2012-04-13 18:49:11
你好，我創(chuàng)建了我的“BLE應(yīng)用程序”，比如“FunMe”示例。我有很大的問題，因?yàn)槲业膽?yīng)用程序返回GATT錯(cuò)誤0x85與三星S5，而三星S4工作良好。我該怎么解決呢？有特定的設(shè)置嗎？最好的問候阿爾貝托
2019-11-01 10:16:37
全球范圍內(nèi)成為可靠創(chuàng)新的技術(shù)伙伴，也促使三星更好得在中國(guó)以及全球市場(chǎng)推廣其AP方案。 ***友尚股份作為三星AP的代理商，目前已經(jīng)完成在三星AP V210與5250的平臺(tái)上對(duì)FIBOCOM H330
2012-12-21 19:36:06
全球范圍內(nèi)成為可靠創(chuàng)新的技術(shù)伙伴，也促使三星更好得在中國(guó)以及全球市場(chǎng)推廣其AP方案。 ***友尚股份作為三星AP的代理商，目前已經(jīng)完成在三星AP V210與5250的平臺(tái)上對(duì)FIBOCOM H330
2012-12-21 19:38:20
全球范圍內(nèi)成為可靠創(chuàng)新的技術(shù)伙伴，也促使三星更好得在中國(guó)以及全球市場(chǎng)推廣其AP方案。***友尚股份作為三星AP的代理商，目前已經(jīng)完成在三星AP V210與5250的平臺(tái)上對(duì)FIBOCOM H330
2012-12-21 19:31:12
全球范圍內(nèi)成為可靠創(chuàng)新的技術(shù)伙伴，也促使三星更好得在中國(guó)以及全球市場(chǎng)推廣其AP方案。***友尚股份作為三星AP的代理商，目前已經(jīng)完成在三星AP V210與5250的平臺(tái)上對(duì)FIBOCOM H330
2012-12-21 19:32:32
手機(jī)進(jìn)水了怎么辦？三星手機(jī)
2013-05-13 17:34:01
和14nm芯片。當(dāng)時(shí)臺(tái)積電和三星各占40%、60%左右的訂單。臺(tái)積電獨(dú)得訂單，恐怕與去年的“芯片門事件”有關(guān)。去年剛上市的iPhone6s采用A9芯片，就是由臺(tái)積電（16nm制程工藝）和三星（14nm
2016-07-21 17:07:54
DNW軟件只能用于三星的ARM芯片嗎？
2019-08-05 22:52:59
摘要：隨著集成電路制造技術(shù)進(jìn)入納米級(jí)，國(guó)際上高性能通用CPU 的發(fā)展正面臨技術(shù)轉(zhuǎn)型期。性能功耗比繼性能價(jià)格比之后正在成為計(jì)算機(jī)的主要設(shè)計(jì)指標(biāo)，主頻至上的計(jì)算機(jī)處理
2008-11-14 15:35:35
0 摘要：隨著處理器設(shè)計(jì)進(jìn)入納米級(jí)工藝，功耗不可避免地成為阻礙摩爾定律繼續(xù)快速前進(jìn)的主要因素之一。與此同時(shí)片上多核處理器（Chip Multiple Processors--CMP）已成為當(dāng)今處理器設(shè)計(jì)
2008-11-14 15:46:180 中圖儀器SuperViewW納米級(jí)微觀三維形貌3D白光干涉儀主要用于對(duì)各種精密器件及材料表面進(jìn)行亞納米級(jí)測(cè)量。它能以3D非接觸方式，測(cè)量分析樣品表面形貌的關(guān)鍵參數(shù)和尺寸，典型結(jié)果包括：表面形貌
2024-07-25 14:31:53
的分辨率，同時(shí)，其集成了超低噪聲信號(hào)采集、超精細(xì)運(yùn)動(dòng)控制、標(biāo)定算法等核心技術(shù)，使得儀器具備超高的測(cè)量精度和測(cè)量重復(fù)性。NS系列納米級(jí)臺(tái)階測(cè)厚儀能夠測(cè)量納米到330μ
2024-12-18 13:57:53
中圖儀器NS系列納米級(jí)臺(tái)階儀線性可變差動(dòng)電容傳感器（LVDC），具有亞埃級(jí)分辨率，13μm量程下可達(dá)0.01埃。高信噪比和低線性誤差，使得產(chǎn)品能掃描到幾納米至幾百微米臺(tái)階的形貌特征。 NS
2025-05-15 14:41:51
中芯國(guó)際將45納米工藝技術(shù)延伸至40納米以及55納米
上海2009年10月14日電 -- 中芯國(guó)際集成電路制造有限公司（“中芯國(guó)際”，紐約
2009-10-15 08:22:441035 三星電子推出40納米級(jí)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)芯片
據(jù)韓國(guó)《中央日?qǐng)?bào)》報(bào)道，世界著名存儲(chǔ)芯片企業(yè)三星電子在全球率先推出40納米級(jí)32GB DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記
2010-04-07 12:36:051148 新型納米級(jí)電接觸電阻測(cè)量技術(shù)
納米級(jí)電氣特性 研究納米級(jí)材料的電氣特性通常要綜合使用探測(cè)和顯微技術(shù)對(duì)感興趣的點(diǎn)進(jìn)行確定性測(cè)量。但是，必
2010-04-23 15:18:021796 
納米級(jí)電氣特性
研究納米級(jí)材料的電氣特性通常要綜合使用探測(cè)和顯微技術(shù)對(duì)感興趣的點(diǎn)進(jìn)行確定性測(cè)量。但是，必須考慮的一個(gè)額外因素是施加的探針壓力對(duì)測(cè)試結(jié)果
2010-07-23 11:20:161207 
隨著微電子技術(shù)的進(jìn)步，超大規(guī)模集成電路（VLSI）的特征尺寸已經(jīng)步入納米范圍。納米級(jí)工藝存在著很多不同于以往微米、亞微米工藝的特點(diǎn)，因此為制造和設(shè)計(jì)都帶來了很多難題，諸
2011-05-28 16:36:270 關(guān)于新一代LPDDR3移動(dòng)DRAM技術(shù),三星電子表示,這是繼去年12月在電子行業(yè)首次開發(fā)30納米級(jí)4Gb LPDDR2移動(dòng)DRAM之后，不到九個(gè)月又成功開發(fā)出使用30納米級(jí)工藝的4Gb LPDDR3移動(dòng)DRAM技術(shù)的新一代產(chǎn)
2011-09-30 09:30:132597 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，新一代蘋果和三星手機(jī)將采取全新的防水技術(shù)。新技術(shù)由HZO公司推出，應(yīng)用到電子設(shè)備內(nèi)部時(shí)，它可以形成一個(gè)納米級(jí)防水隔膜。
2012-01-18 09:02:54823 三星于2015年第一季度發(fā)布了半導(dǎo)體芯片行業(yè)首款采用14nmLPE （Low-Power Early） 工藝量產(chǎn)的Exynos 7 Octa處理器，成為FinFET邏輯制程上的行業(yè)引領(lǐng)者。
2016-01-15 17:12:471303 三星10納米工藝技術(shù)公告：全球領(lǐng)先的三星電子先進(jìn)的半導(dǎo)體元器件技術(shù)正式宣布，其第二代10納米(nm)FinFET工藝技術(shù)，10LPP(Low Power Plus)已經(jīng)合格并準(zhǔn)備就緒用于批量生產(chǎn)。
2017-05-03 01:00:11815 7納米工藝將成為明年的重點(diǎn)制程工藝，但受成本太高的原因，據(jù)悉明年僅三星蘋果兩家手機(jī)繼續(xù)采用7納米處理器。高通沒有采用臺(tái)積電最新的7納米工藝，會(huì)繼續(xù)延用三星電子的10納米工藝。
2017-12-14 08:59:366647 三星利用二代10納米工藝研發(fā)出了全球最小的DRAM芯片—8Gb DDR4芯片。其中第二代10納米級(jí)芯片相比第一代速度提升10%。
2017-12-20 15:40:331579 三星被人稱為世界最賺錢的公司之一，三星Q3凈利潤(rùn)高達(dá)98.7億美元。近日三星又公布了第二代10納米級(jí)8Gb DDR4 DRAM芯片的消息，更是讓人羨慕不已。
2017-12-22 15:31:331812 據(jù)韓聯(lián)社北京時(shí)間12月20日?qǐng)?bào)道，三星電子今天宣布，已開始量產(chǎn)第二代10納米級(jí)制程工藝DRAM內(nèi)存芯片。
2017-12-29 11:15:417019 三星電子準(zhǔn)備調(diào)整鑄造技術(shù)藍(lán)圖，2019年下半年開始量產(chǎn)6納米芯片。按照原來的計(jì)劃，三星本打算在2019年試產(chǎn)6納米芯片。在7納米技術(shù)上，三星落后于臺(tái)積電，現(xiàn)在它想在6納米技術(shù)上加速前進(jìn)。
2018-03-14 16:41:425956 TI能量收集方案：真正高效的納米級(jí)電源解決方案
2018-08-06 01:11:003694 2018-11-12 13:24 | 查看: 21 | 評(píng)論: 0 | 來自: 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 摘要 : 10納米級(jí)DRAM先進(jìn)制程競(jìng)爭(zhēng)逐漸升溫，三星電子在2017年率先宣布量產(chǎn)第二代10納米(1y
2018-11-12 18:04:02533 關(guān)鍵詞：30納米級(jí) , RDIMM , 三星電子 日前，三星電子在電子行業(yè)首次推出了采用30納米級(jí)企業(yè)服務(wù)器1.25V 16GB(千兆) DDR3(Double Data Rate 3) RDIMM
2019-01-04 00:09:02669 的圖形處理器。因此開始與三星商談，期望借由三星內(nèi)含EUV 技術(shù)的7 納米工藝來協(xié)助打造產(chǎn)品，并且能順利在2020 年正式推出。而一旦雙方簽訂合約，則將是三星在晶圓代工領(lǐng)域，繼之前拿下IBM Power系列處理器訂單之后，又一項(xiàng)突破。
2019-02-24 11:33:184173 4月16日，三星官網(wǎng)發(fā)布新聞稿，宣布已經(jīng)完成5納米FinFET工藝技術(shù)開發(fā)，現(xiàn)已準(zhǔn)備好向客戶提供樣品。
2019-04-16 17:27:233799 低功耗，簡(jiǎn)稱“LPE”)工藝。人工智能(AI)增強(qiáng)型云就緒Fusion Design Platform提供前所未有的全流程設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)質(zhì)量和設(shè)計(jì)收斂速度，實(shí)現(xiàn)三星5LPE工藝技術(shù)提供的超高性能和低功耗，加速新一波半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的開發(fā)，包括高性能計(jì)算(HPC)、汽車、5G和人工智能細(xì)分市場(chǎng)。
2019-06-12 13:48:354326 英特爾預(yù)計(jì)其制造工藝節(jié)點(diǎn)技術(shù)將保持2年一飛躍的節(jié)奏，從2019年的10納米工藝開始，到2021年轉(zhuǎn)向7納米EUV（極紫外光刻），然后在2023年采用5納米，2025年3納米，2027年2納米，最終到2029年的1.4納米。
2019-12-11 10:31:203933 這是三星電子和百度的首次半導(dǎo)體代工合作。百度昆侖AI芯片結(jié)合百度自主研發(fā)的神經(jīng)處理器架構(gòu)XPU和三星14納米制造工藝，采用I-Cube封裝解決方案，可廣泛用于云計(jì)算和邊緣計(jì)算。
2019-12-19 14:11:233625 三星電子副會(huì)長(zhǎng)李在镕近日參觀正在開發(fā)“全球第一個(gè)3納米級(jí)半導(dǎo)體工藝”的韓國(guó)京畿道華城半導(dǎo)體工廠，并聽取了關(guān)于3納米工藝技術(shù)的報(bào)告，他還與三星電子半導(dǎo)體部門社長(zhǎng)團(tuán)討論了新一代半導(dǎo)體戰(zhàn)略。
2020-01-06 10:42:585045 三星于去年4月向全球客戶提供7納米產(chǎn)品，自開始大規(guī)模生產(chǎn)7納米產(chǎn)品以來，三星僅在八個(gè)月內(nèi)就推出了6納米產(chǎn)品。三星的微加工工藝技術(shù)升級(jí)周期正在縮短，特別是向6納米EUV工藝的過渡有望縮小與全球第一大晶圓代工廠臺(tái)積電（TSMC）的差距。
2020-01-06 11:40:033622 9月16日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，三星電子旗下的面板制造商三星顯示器公司（Samsung Display）宣布推出全球最彎的OLED折疊屏，其曲率達(dá)到了1.4R，是目前商用折疊屏中曲率最小的一款。
2020-09-16 17:01:16949 2022 年量產(chǎn) 3 納米芯片。該高管透露，三星電子已在與主要合作方開發(fā)初步設(shè)計(jì)工具。 三星電子向其下一代芯片業(yè)務(wù)投入 1160 億美元，其中包括為外部客戶制造芯片。 三星電子領(lǐng)導(dǎo)人李在镕此前曾透露，該公司計(jì)劃采用正在開發(fā)的最新 3 納米全柵極 （gate-all-around，簡(jiǎn)稱 GAA）工藝技術(shù)來
2020-11-19 11:39:071911 目前從全球范圍來說，也就只有臺(tái)積電和三星這兩家能做到5納米工藝以下了。6月29日晚間，據(jù)外媒報(bào)道，三星宣布其基于柵極環(huán)繞型 （Gate-all-around，GAA） 晶體管架構(gòu)的3nm工藝技術(shù)已經(jīng)
2021-07-02 11:21:543387 Korea 2021 大會(huì)上宣布了 MLCC 電容研發(fā)的新進(jìn)展。 三星近日正在研發(fā)納米結(jié)構(gòu)，使得這種電容變得更薄。該公司正尋求使用納米級(jí)別的粉末制造介電材質(zhì)，還在研究一種將原材料粉末霧化的方法。 具體
2021-09-11 17:50:422049 三星最新的生產(chǎn)工藝技術(shù)是他們的4nm節(jié)點(diǎn)。該節(jié)點(diǎn)去年年底提高了產(chǎn)量。這是他們最后一個(gè)基于FinFET的前沿工藝技術(shù)，盡管不是他們計(jì)劃中的最后一個(gè)。
2022-09-09 14:27:18954 ASIC設(shè)計(jì)服務(wù)暨IP研發(fā)銷售廠商智原科技（Faraday Technology Corporation，TWSE：3035）今日宣布其支持三星14納米LPP工藝的IP硅智財(cái)已在三星SAFE IP平臺(tái)上架，提供三星晶圓廠客戶采用。
2022-10-14 17:39:021955 （nm）級(jí)工藝技術(shù)打造的16Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評(píng)估。? “ ?三星電子高級(jí)副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人Jooyoung?Lee表示： 三星12nm級(jí)
2022-12-21 11:08:291205 款采用12納米（nm）級(jí)工藝技術(shù)打造的16 Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評(píng)估。 三星電子首款12納米級(jí)DDR5 DRAM 三星電子高級(jí)副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人
2022-12-21 21:19:541342 
三星最新公布的制程工藝技術(shù)路線圖顯示，該公司計(jì)劃在2025年開始量產(chǎn)2納米級(jí)SF2工藝，以滿足客戶對(duì)高性能處理器的需求。此前，三星已于今年公布，其3納米工藝已滿足大規(guī)模生產(chǎn)的標(biāo)準(zhǔn)。
2023-06-29 16:26:332318 三星在2023年年度三星代工論壇 (SFF) 上公布了更新的制造技術(shù)路線圖。該公司有望分別于 2025年和 2027年在其 2納米和 1.4納米級(jí)節(jié)點(diǎn)上生產(chǎn)芯片。
2023-06-29 17:47:121448 
大約一年前，三星正式開始采用其 SF3E（3nm 級(jí)、早期全柵）工藝技術(shù)大批量生產(chǎn)芯片，但沒有無晶圓廠芯片設(shè)計(jì)商證實(shí)其產(chǎn)品使用了該節(jié)點(diǎn)。
2023-07-19 17:13:331817 日前有信息稱，三星將采用 12納米 (nm) 級(jí)工藝技術(shù)，生產(chǎn)ERP開發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM，而這樣就可以在相同封裝尺寸下，容量是16Gb內(nèi)存模組的兩倍。
2023-09-04 10:53:461175 三星電子在此次會(huì)議上表示：“從2023年5月開始批量生產(chǎn)了12納米級(jí)dram，目前正在開發(fā)的11納米級(jí)dram將提供業(yè)界最高密度。”另外，三星正在準(zhǔn)備10納米dram的新的3d構(gòu)架，并計(jì)劃為一個(gè)芯片提供100gb （gigabit）以上的容量。
2023-10-23 09:54:241720 新芯片將由三星sf4p（第三代4納米）工藝制作，g3將由第二代sf4工藝制作。另外，xenos 2400處理器也將使用sf4p，預(yù)計(jì)將用于galaxy s24和galaxy s24 +的部分機(jī)器。
2023-10-31 14:25:361349 納米科技的迅猛發(fā)展將我們的視野拓展到了微觀世界，而測(cè)量納米級(jí)尺寸的物體和現(xiàn)象則成為了時(shí)下熱門的研究領(lǐng)域。納米級(jí)測(cè)量?jī)x器作為一種重要的工具，扮演著重要的角色。那么，如何才能準(zhǔn)確測(cè)量納米級(jí)物體呢？在
2023-10-12 09:12:161 首先看南韓三星電子，他們近期矢言要在2027年推出1.4納米芯片制造，超越臺(tái)積電和英特爾代工服務(wù)，也對(duì)按計(jì)劃在2025年生產(chǎn)2納米芯片充滿信心。知名電子媒體EDN報(bào)導(dǎo)，三星承諾量產(chǎn)1.4nm芯片大約需要4年時(shí)間，在此期間可能會(huì)發(fā)生很多事情。
2023-11-23 16:04:591170 增加每個(gè)晶體管的納米片數(shù)量可以增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)電流，從而提高性能。更多的納米片允許更多的電流流過晶體管，從而增強(qiáng)其開關(guān)能力和運(yùn)行速度。此外，更多的納米片可以更好地控制電流，這有助于減少漏電流，從而降低功耗。
2023-11-24 14:39:121377 
三星去年6 月底量產(chǎn)第一代3 納米GAA (SF3E) 制程，為三星首次采用全新GAA 架構(gòu)晶體管技術(shù)，而第二代3 納米制程3GAP(SF3) 將使用第二代MBCFET 架構(gòu)，從第一代3 納米SF3E基礎(chǔ)上再最佳化，預(yù)期2024 年進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2023-12-04 15:55:371251 12 月 14 日消息，臺(tái)積電在近日舉辦的 IEEE 國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）的小組研討會(huì)上透露，其 1.4nm 級(jí)工藝制程研發(fā)已經(jīng)全面展開。同時(shí)，臺(tái)積電重申，2nm 級(jí)制程將按計(jì)劃于 2025
2023-12-18 15:13:181172 據(jù)報(bào)道，韓國(guó)三星代工廠已經(jīng)開始試制其第二代 3 納米級(jí)別工藝技術(shù)的芯片，稱為 SF3。這一發(fā)展標(biāo)志著半導(dǎo)體行業(yè)的一個(gè)重要里程碑，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">三星與臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)下一代先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的量產(chǎn)主導(dǎo)權(quán)。韓國(guó)知名權(quán)威
2024-01-22 16:10:141629 
據(jù)報(bào)道，三星預(yù)計(jì)在未來6個(gè)月時(shí)間內(nèi)，讓SF3的工藝良率提高到60%以上。三星SF3工藝會(huì)率先應(yīng)用到可穿戴設(shè)備處理器上，三星Galaxy Watch 7系列有望搭載SF3工藝芯片。
2024-01-29 15:52:001249 三星繼續(xù)推進(jìn)工藝技術(shù)的進(jìn)步，近年來首次量產(chǎn)了基于2022年GAA技術(shù)的3nm MBCFET ? 。GAA技術(shù)不僅能夠大幅減小設(shè)備尺寸，降低供電電壓，增強(qiáng)功率效率，同時(shí)也能增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)電流，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)更高的性能表現(xiàn)。
2024-02-22 09:36:011291 ，臺(tái)積電和三星已經(jīng)推出3納米制程芯片，而英特爾則剛剛實(shí)現(xiàn)了5納米制程。然而，這一決定表明英特爾有意在制程技術(shù)領(lǐng)域迎頭趕上，計(jì)劃在未來幾年內(nèi)推出更為先進(jìn)的1.4納米芯片。這一制程技術(shù)的推進(jìn)將是英特爾為實(shí)現(xiàn)2025年之前進(jìn)入2納米芯片生產(chǎn)
2024-02-23 11:23:04962 三星與高通的合作正在不斷深化。高通計(jì)劃采納三星代工工廠的尖端全柵極（GAA）工藝技術(shù)，以優(yōu)化和開發(fā)下一代ARM Cortex-X CPU。
2024-02-25 15:31:181650 近期，科技巨頭三星半導(dǎo)體做出了一個(gè)引人注目的決策：將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”。
2024-03-06 13:42:141890 ： 1. **新節(jié)點(diǎn)和技術(shù)進(jìn)展**：三星宣布了兩個(gè)新的尖端節(jié)點(diǎn)——SF2Z 和 SF4U。SF2Z 是一種2nm工藝，采用背面電源輸送網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）技術(shù)，這種技術(shù)將電源軌置于晶圓背面，以提高功率、性能
2024-06-17 15:33:001066 
在半導(dǎo)體技術(shù)的競(jìng)技場(chǎng)上，三星正全力沖刺，準(zhǔn)備在2027年推出一系列令人矚目的創(chuàng)新。近日，三星晶圓代工部門在三星代工論壇上公布了其未來幾年的技術(shù)路線圖，其中包括備受矚目的1.4nm制程工藝、芯片背面供電網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）技術(shù)和硅光子技術(shù)。
2024-06-21 09:30:47861 概倫電子(股票代碼：688206.SH)近日宣布其新一代大容量、高性能并行SPICE仿真器NanoSpice通過三星代工廠3/4nm工藝技術(shù)認(rèn)證，滿足雙方共同客戶對(duì)高精度、大容量和高性能的高端電路仿真需求。
2024-06-26 09:49:141378 晶體管技術(shù)、先進(jìn)存儲(chǔ)、顯示、傳感、MEMS、新型量子和納米級(jí)器件、光電子、能量采集器件、高速器件以及工藝技術(shù)和設(shè)備建模和仿真等領(lǐng)域。 2024 IEDM會(huì)議的焦點(diǎn)主要有三個(gè)：邏輯器件的先進(jìn)工藝技術(shù)包括TSMC N2節(jié)點(diǎn)、CFET技術(shù)突破、三星2D材料、英特爾硅溝道擴(kuò)
2025-02-14 09:18:502138 
在電子制造與半導(dǎo)體設(shè)備追求“微米級(jí)工藝、納米級(jí)控制”的賽道上，滾珠導(dǎo)軌憑借高剛性、低摩擦與高潔凈特性，成為精密運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)的核心載體。
2025-05-29 17:46:30533 
在全球半導(dǎo)體代工領(lǐng)域的激烈競(jìng)爭(zhēng)中，三星電子的戰(zhàn)略動(dòng)向一直備受矚目。近期，有消息傳出，三星代工業(yè)務(wù)在制程技術(shù)推進(jìn)方面做出重大調(diào)整，原本計(jì)劃于2027年量產(chǎn)的1.4nm制程工藝，將推遲至2029年。而在
2025-07-03 15:56:40691
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