飛兆半導體已擴展和改進了其采用Dual Cool封裝的產品組合，解決了DC-DC轉換應用中面臨提升功率密度的同時節(jié)省電路板空間和降低熱阻的挑戰(zhàn)。
2013-01-08 17:04:44
1436 通過立足于超結技術創(chuàng)新和20多年的豐富經驗，英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）進一步擴展其CoolMOSTM產品組合，推出全新PFD7系列，該系列不僅具備一流的性能
2020-02-14 18:50:133171 該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片，可實現(xiàn)極高的電流密度。其極低的開關損耗和傳導損耗可以最大限度地減少冷卻器件的尺寸。
2020-07-14 17:40:231952 URA/B_YMD-30WR3 系列是MORNSUN為滿足客戶對更高功率密度產品的需求，而最新推出的寬壓高功率密度產品。
2020-08-04 11:13:351889 半橋和共發(fā)射極模塊產品組合。模塊的最大電流規(guī)格高達 800 A ，擴展了英飛凌采用成熟的62 mm 封裝設計的產品組合。電流輸出能力的提高為系統(tǒng)設計人員在設計額定電流更高方案的時候，不僅提供最大
2023-08-07 11:12:56898 
。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產品陣容，此舉旨在提供功率半導體行業(yè)標桿解決方案，在更小的封裝尺寸內實現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產品廣
2023-09-06 14:18:432171 
? MOSFET 2000 V。這款產品不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求，也不會降低系統(tǒng)可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線
2024-03-14 11:07:581205 
晶體管，該系列進一步豐富了英飛凌氮化鎵（GaN）產品組合。該新產品系列的適用范圍廣泛，包括USB-C適配器和充電器、照明、電視、數(shù)據中心、電信整流器等消費和工業(yè)開關電源（SMPS）、可再生能源，以及
2024-11-20 18:27:291134 
? MOSFET 750 V G2。這款新型CoolSiC? MOSFET 750 V G2專為提升汽車及工業(yè)功率轉換應用的系統(tǒng)效率和功率密度而設計。它提供一系列精細化的產品組合，在25°C時R?DS(on)?值
2025-07-02 15:00:301604 
英飛凌 | CoolSiC?器件為臺達雙向逆變器提供助力英飛凌科技股份公司的CoolSiC?產品被總部位于臺灣的全球領先的電源管理及散熱解決方案提供商臺達電子選用，使得臺達電子向著利用綠色電力實現(xiàn)
2022-08-09 15:17:41
功率密度。得益于此，英飛凌率先將40 A 650V IGBT和40 A二極管組合到D2PAK封裝中。較之競爭對手的D2PAK封裝產品，這個新的產品家族的額定參數(shù)高于市場上的所有其他產品，其他組合封裝
2018-10-23 16:21:49
，對通信電源產品提出了高效率、高功率密度的客觀要求。同時新型高性能器件的不斷涌現(xiàn)與和軟開關技術的出現(xiàn)，客觀上也為通信電源的高效率，高功率密度設計提供了可能性。本文主要介紹了一臺1.8KW的高效率通信
2011-03-10 11:00:12
能量轉換元件如變壓器、儲能元件如電感及電容，達到高效率、高功率密度的要求。為求簡便，本文以下稱之電源轉換技術。電源轉換技術的發(fā)展著重在達到高功率密度及高轉換效率，即為所謂的「輕、薄、短、小」。電源轉換
2018-12-05 09:48:34
射頻功率放大器被廣泛應用于各種無線通信設備中。在通訊基站中，線性功放占其成本比例約占1／3。高效率，低成本的解決功放的線性化問題顯得非常重要。因此高效率高線性的功放一直是功放研究的熱門課題。
2019-09-17 08:08:11
解決方案更高的功率密度和更高的效率。無鉛RoHS封裝新增PowerTrench器件，豐富了FAI中等電壓范圍MOSFET產品陣容，作為齊全的PowerTrenchMOSFET產品系列的一部分，它能夠滿足
2012-04-28 10:21:32
描述PMP20978 參考設計是一種高效率、高功率密度和輕量化的諧振轉換器參考設計。此設計將 390V 輸入轉換為 48V/1kW 輸出。PMP20637 功率級具有超過 140W/in^3
2018-10-26 10:32:18
克服了上述問題，可實現(xiàn)高功率密度、高效率 (達 99%) 的解決方案。這款固定比例、高電壓、高功率開關電容器控制器內置 4 個 N 溝道 MOSFET 柵極驅動器，用于驅動外部功率 MOSFET，以
2018-10-31 11:26:48
LTM4657是采用相同引腳配置的高效率微型封裝降壓器μModule器件系列中的一款產品。與LTM4626和LTM4638相比，它的開關頻率更低, 因此LTM4657在8 A輸出電流范圍內提供更高
2020-10-30 07:58:28
Leadway GaN系列模塊以120W/in3的功率密度為核心，通過材料創(chuàng)新、電路優(yōu)化與封裝設計，實現(xiàn)了體積縮減40%、效率提升92%+的突破。其價值在于為工業(yè)自動化、機器人、電動汽車等空間受限
2025-10-22 09:09:58
朝著更高功率密度、更高能效的功率轉換器設計方向前進，需要采用SuperSO8、S3O8 或DirectFET/CanPAK等全新封裝代替有管腳的SMD封裝或適用于低壓MOSFET的過孔器件。由于存在封裝
2018-12-07 10:21:41
PCB加工如何實現(xiàn)高精度和高效率的鉆孔呢？有哪些方法和步驟呢？
2023-04-11 14:50:58
本文提出了一種超高效率、高功率密度的功率因數(shù)設計校正(PFC)和非對稱半橋(AHB)反激變換器140w PD3.1適配器應用程序。在升壓PFC設計中，采用了GaNSense功率ic，以實現(xiàn)更高的頻率
2023-06-16 08:06:45
什么是功率密度？功率密度的發(fā)展史如何實現(xiàn)高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
描述 PMP20978 參考設計是一種高效率、高功率密度和輕量化的諧振轉換器參考設計。此設計將 390V 輸入轉換為 48V/1kW 輸出。PMP20637 功率級具有超過 140W/in^3
2022-09-23 07:12:02
單相異步電機如何才能實現(xiàn)高效率的工作
2021-01-27 07:48:07
解決方案來簡化您的設計，提高功率密度和可靠性了。在GaN解決方案門戶上查看TI完整的GaN直流/直流轉換產品組合。 更多電源類博文更多充電類產品TI更多視頻培訓原文鏈接：https
2019-07-29 04:45:02
功率密度本設計實現(xiàn)35W/in3功率密度，滿載94.5%效率@ 90Vac，并通過CE和RE標準足夠的保證金。
2023-06-16 09:04:37
從“磚頭”手機到笨重的電視機，電源模塊曾經在電子電器產品中占據相當大的空間，而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術領域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應用的尺寸，但卻很難更進一步。在現(xiàn)有尺寸
2019-03-01 09:52:45
實現(xiàn)功率密度非常高的緊湊型電源設計的方法
2020-11-24 07:13:23
，高功率密度的電源模塊多采用國際流行的工業(yè)標準封裝，產品兼容性更廣。其次，產品的同等功率體積重量大大縮小，只有傳統(tǒng)產品的四分之一。第三，技術指標有重大改善，特別是效率提高到90%.第四，產品本身優(yōu)異的熱
2016-01-25 11:29:20
如何用PQFN封裝技術提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
）5mm×6mm FET這類更新的方形扁平無引線（QFN）封裝在硅片和源極管腳之間能提供更小的封裝電阻。單位面積的電阻較小意味著單位面積的傳導損耗較少，也意味著更高的電流能力和更高的功率密度。因此
2017-08-21 14:21:03
整個壽命周期成本時，逐步減少能量轉換過程中的小部分損失并不一定會帶來總體成本或環(huán)境效益的大幅提升。另一方面，將更多能量轉換設備集成到更小的封裝中，即提高“功率密度”，可以更有效地利用工廠或數(shù)據中心
2020-10-27 10:46:12
從“磚頭”手機到笨重的電視機，電源模塊曾經在電子電器產品中占據相當大的空間，而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術領域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應用的尺寸，但卻很難更進一步。在現(xiàn)有尺寸
2019-08-06 07:20:51
2023 年 3 月 2 日，中國北京訊 - 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，推出10款結合了瑞薩廣泛產品的全新“成功產品組合”——其中包括電動汽車（EV）充電、儀表盤
2023-03-02 14:29:51
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
采用短或厚的導線實現(xiàn)低電阻連接，才能充分發(fā)揮SuperSO8封裝的優(yōu)勢。 實現(xiàn)更高功率密度和效率的芯片和封裝技術只有將高性能的半導體技術與最先進的封裝技術結合起來，才能滿足對更高效率和更高功率密度的需求
2018-12-07 10:23:12
怎樣去設計一種高效率音頻功率放大器？如何對高效率音頻功率放大器進行測試驗證？
2021-06-02 06:11:23
，高效率的特性?！炜?b class="flag-6" style="color: red">實現(xiàn)5V~20V以內任意電壓的恒壓輸出，100mA~5A以內的任意電流恒流輸出以及300mW~60W恒功率輸出。§讓負載通過USB PD協(xié)議對適配器進行編程，按照最佳供電效率的方式，給
2017-04-12 18:43:19
近日，實現(xiàn)互聯(lián)世界的創(chuàng)新RF解決方案提供商Qorvo, Inc.宣布，擴展其面向Wi-Fi網關、機頂盒、路由器、企業(yè)級接入點的802.11ax產品組合。此次推出的集成模塊和高級濾波器的高效率產品組合可改善Wi-Fi覆蓋范圍，幫助實現(xiàn)外形更小巧的終端產品，并降低消費者、服務提供商和制造商的成本。
2019-09-04 06:00:03
，0.85V/25A PoL，PCB 面積為 40mm x 55mm在 0.85V/25A、500kHz 時 >82% 的高效率通過 PMBus 和 TI 的 Fusion GUI 進行自適應電壓
2022-09-27 06:47:49
集成來減小系統(tǒng)體積我還將演示如何與TI合作，使用先進的技術能力和產品來實現(xiàn)這四個方面，幫助您改進并達到功率密度值。首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據功率密度值比較解決方案時的細節(jié)
2022-11-07 06:45:10
（或更小尺寸）實現(xiàn)相同輸出功率量的約束，因此，對更高功率密度的需求已經成為一種趨勢。TI的產品組合包括帶高電流、快速升降時間和延時匹配的柵極驅動器。參見表1。 分類設備描述升/降時間延時匹配 高電流
2019-08-07 04:45:12
新年伊始，設計師們似乎在永遠不停地追求更高效率。在此系列的第一部分中，我討論了高電流柵極驅動器如何幫助系統(tǒng)實現(xiàn)更高的效率。高速柵極驅動器可以實現(xiàn)相同的效果。高速柵極驅動器可以通過降低FET的體二極管
2019-03-08 06:45:10
IR推出高效率氮化鎵功率器件
目前，硅功率器件主要通過封裝和改善結構來優(yōu)化性能提升效率，不過隨著工藝技術的發(fā)展這個改善的空間已經不大了
2010-05-10 17:50:571347 用改進的PQFN器件一對一替換標準SO-8 MOSFET可提升總體工作效率。電流處理能力也能夠得以增強，并實現(xiàn)更高的功率密度。在以并聯(lián)方式使用的傳統(tǒng)MOSFET應用中，采用增強型封裝(如PQFN和DirectFET)的最新一代器件可用單個組件代替一個并聯(lián)的組件對。
2011-03-09 09:13:026854 對于現(xiàn)代的數(shù)據與電信電源系統(tǒng)，更高的系統(tǒng)效率和功率密度已成為核心焦點，因為小型高效的電源系統(tǒng)意味著節(jié)省空間和電費賬單。
2011-07-14 09:15:133531 在電路板尺寸不斷縮小的新一代服務器和電信系統(tǒng)供電應用中，提高效率和功率密度是設計人員面臨的重大挑戰(zhàn)。為了應對挑戰(zhàn)，飛兆半導體研發(fā)了智能功率級（SPS）模塊系列——下一代超緊湊的集成了MOSFET
2013-11-14 16:57:012749 2016年5月10日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出革命性的碳化硅（SiC）MOSFET技術，使產品設計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。英飛凌的CoolSiC? MOSFET具備更大靈活性，可提高效率和頻率。
2016-05-10 18:14:091448 并聯(lián)二極管。全新TO-247PLUS 3腳和4腳封裝可滿足對更高功率密度和更高效率不斷增長的需求。需要高功率密度1200VIGBT的典型應用包括變頻器、光伏逆變器和不間斷電源（UPS）。其他應用包括電池充電和儲能系統(tǒng)。
2018-05-18 09:04:002436 工程師解決高效率電源及充電系統(tǒng)設計過程中遇到的各種實際問題。英飛凌高級系統(tǒng)應用工程師王進在本次會議做的關于：英飛凌高效率電源管理方案介紹的精彩演講。
2018-06-26 17:00:003700 
Vicor公司日前宣布推出兼容 VITA 62 電源的全新電源系統(tǒng)產品系列，專為 3U 開放式 VPX 系統(tǒng)精心設計，可在堅固的傳導散熱底座中實現(xiàn)高效率和高功率密度。
2019-04-03 16:44:483305 N.J.-ANADIGICS公司的Warren宣布推出新系列4 mm x 4 mm高效率低功率（HELP）寬帶CDMA（W-CDMA）功率放大器（PA）模塊。 AWT6270，AWT6271
2019-09-15 17:24:003755 威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉換拓撲中的功率密度和效率而設計。它們采用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝，可提供低于2mΩ級別中的最低輸出電容(Coss)。儒卓力在電子商務網站上供應這款MOSFET器件。
2020-02-20 10:27:383580 全新的90W PoE產品組合符合IEEE 802.3bt標準，該標準將標準PoE功率提高了一倍以上，擴展了無線接入點和IoT無線網關的功能。該產品組合所提供的更高功率能力有助于實現(xiàn)PoE供電的5G小基站和數(shù)字化樓宇。
2020-03-18 09:20:232733 什么樣的MOSFET才適合儲能系統(tǒng)？英飛凌全新推出了碳化硅MOSFET：650V CoolSiC MOSFET產品系列，幫助儲能系統(tǒng)輕松實現(xiàn)更高效、更高功率密度以及雙向充/放電的設計。
2020-08-21 14:01:251416 
英飛凌推出采用全新D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC MOSFET，導通電阻從30m?到350m?，可助力不同功率的工業(yè)電源、充電器及伺服驅動器（不同的電流額定值）實現(xiàn)最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:493799 英飛凌采用全新 D2PAK-7L 封裝的 1200V CoolSiC? MOSFET，導通電阻從 30m?到 350m?，可助力不同功率的工業(yè)電源、充電器及伺服驅動器（不同的電流額定值）實現(xiàn)最高效率
2021-03-01 12:16:023163 LTM4600-10A DC/DC uModule在緊湊的封裝中提供更高的功率密度
2021-05-10 12:28:17
5 高效率高功率密度電力電子技術及案例分析
2021-07-22 09:59:285 英飛凌科技股份公司將EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET模塊升級為新型氮化鋁（AIN） 陶瓷。
2021-08-06 15:25:301618 在QR反激式轉換器中采用GaN HEMT和平面變壓器，有助于提高開關頻率和功率密度。然而，為了在超薄充電器和適配器設計中實現(xiàn)更高功率密度，軟開關和變壓器漏感能量回收變得不可或缺。
2022-03-31 09:26:453361 
電力電子領域的各種應用。MOSFET 的基本特性之一是其能夠承受甚至非常高的工作電流、卓越的性能、穩(wěn)健性和可靠性。該LFPAK88 MOSFET 提供出色的性能和高可靠性。LFPAK88 封裝設計用于比 D2PAK 等舊金屬電纜封裝小尺寸和更高的功率密度，適用于當今空間受限的高功率汽車應用。
2022-08-09 08:02:114328 
華為全新推出產品組合方案，以高性能資源池為基礎，助力國泰君安成為證券行業(yè)分布式核心交易的標桿。
2022-08-25 11:17:402614 電子發(fā)燒友網站提供《具有高電壓GaN FET的高效率和高功率密度1kW諧振轉換器設計.zip》資料免費下載
2022-09-07 11:30:0510 本文將介紹實現(xiàn)更高電源功率密度的 3 種方法，工藝技術創(chuàng)新、電路設計技術優(yōu)化、熱優(yōu)化封裝研發(fā)
2022-12-22 11:59:591604 
英飛凌和Schweizer Electronic AG正在合作，將英飛凌的1200V CoolSiC?芯片嵌入印刷電路板(PCB)，以提高基于碳化硅的芯片效率。
2023-05-05 10:31:311477 
、儲能等新興領域提供更高效率、更安全、更綠色的電源管理方案和測試解決系統(tǒng)，攜手助力綠色中國夢 、雙碳目標的實現(xiàn)、大模型計算等。
2023-05-14 17:19:001947 基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布擴充 NextPower 80/100 V MOSFET 產品組合的封裝系列。此前該產品組合僅提供 LFPAK56E 封裝
2023-06-21 10:34:321564 、高可靠性和高質量的節(jié)能牽引應用。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）為了滿足上述需求，在其CoolSiC功率模塊產品組合中增加了兩款
2023-06-22 10:14:43865 
以設計有源天線系統(tǒng)、遠程無線電單元和其他系統(tǒng)，以符合最新的 5G 要求并滿足不斷增長的數(shù)據傳輸和存儲需求。同時，TI 的無橋 PFC 拓撲、GaN 電源產品和接口 IC，可以幫助您創(chuàng)建更加可靠、節(jié)能且經濟高效的商用通信電源整流器，并確保具備更高功率密度
2023-11-08 08:21:30826 
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標準封裝產品。其采用新推出的增強型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:011647 技術的產品系列，其新封裝形式一定程度上豐富了其市場價值主張。圖1顯示了目前可用的分立產品組合，重點如下：1.采用TO-247PLUS封裝可實現(xiàn)高功率密度，可用于商用車和農用車(CAV)
2023-12-11 17:31:131209 應用提供比之前高八倍以上的功率密度。 ? 中國上海（2024 年 3 月 6 日）– 德州儀器 (TI)（NASDAQ 代碼：TXN）今日推出兩個全新的功率轉換器件產品系列，可幫助工程師在更小的空間內實現(xiàn)更高的功率，從而以更低的成本提供超高的功率密度。德州儀器新款 100V 集成氮化鎵 (GaN) 功
2024-03-06 14:40:531008 
八倍以上的功率密度。 上海2024年3月6日?/美通社/ --?德州儀器 (TI)（NASDAQ 代碼：TXN）今日推出兩個全新的功率轉換器件產品系列，可幫助工程師在更小的空間內實現(xiàn)更高的功率，從而以更低的成本提供超高的功率密度。德州儀器新款 100V 集成氮化鎵 (GaN) 功率級采用熱增強
2024-03-07 16:03:041244 另外，CoolSiC MOSFET產品組合還成功實現(xiàn)了SiC MOSFET市場中的最低導通電阻值（Rdson），這大大提高了能效、功率密度，以及在電力系統(tǒng)中的可靠性，降低了零件使用數(shù)量。
2024-03-10 12:32:411774 英飛凌最近發(fā)布了全新的750VG1分立式CoolSiC?MOSFET，滿足工業(yè)和汽車領域對更高能效和功率密度的不斷增長需求。這款產品系列包含了專為圖騰柱PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋
2024-03-15 16:31:451256 
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiCMOSFET2000V。這款產品不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度
2024-03-20 08:13:051068 英飛凌科技股份公司，作為全球領先的半導體公司，近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列，這一創(chuàng)新產品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，為設計人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:291466 德州儀器 (TI) 推出六款新型電源模塊，旨在提升功率密度、提高效率并降低 EMI。這些電源模塊采用德州儀器專有的 MagPack 集成磁性封裝技術，與市場上同類產品相比，尺寸縮小了多達 23%，支持工業(yè)、企業(yè)和通信應用的設計人員實現(xiàn)更高的性能水平。
2024-07-31 17:25:351873 
英飛凌科技股份公司近日在藍牙技術領域邁出重要一步，隆重推出AIROC? CYW20829低功耗藍牙5.4微控制器（MCU）系列的八款創(chuàng)新產品，此舉顯著擴展了其藍牙產品組合，為工業(yè)、消費及汽車等多個領域的應用提供了更加靈活高效的解決方案。
2024-08-22 16:59:301282 程度地利用PCB主板和子卡，同時兼顧系統(tǒng)的散熱要求和空間限制。目前， 英飛凌正在通過采用 Thin-TOLL 8x8 和 TOLT 封裝的兩個全新產品系列，擴展其 CoolSiC MOSFET分立式
2024-09-07 10:02:072096 英飛凌科技股份公司（股票代碼：FSE： IFX，OTCQX： IFNNY）近期推出了其StrongIRFET? 2系列中的全新30V功率MOSFET產品組合，進一步豐富了該系列的產品線，旨在響應大眾
2024-09-30 16:15:581767 英飛凌近日宣布推出新型高壓分立器件系列CoolGaN650VG5晶體管，該系列進一步豐富了英飛凌氮化鎵（GaN）產品組合。該新產品系列的適用范圍廣泛，包括USB-C適配器和充電器、照明、電視
2024-11-28 01:00:46840 戴爾科技集團，憑借數(shù)十年的PC創(chuàng)新經驗，近日推出了全新設計的PC產品組合，旨在大幅提升終端用戶的創(chuàng)造力和生產力。 此次推出的產品組合，采用了簡化的設計理念，搭載了前沿的設備端AI技術。通過全新
2025-01-10 14:41:131034 新思科技近日宣布，推出基于全新AMD Versal Premium VP1902自適應系統(tǒng)級芯片（SoC）的HAPS原型驗證系統(tǒng)，全新升級其業(yè)界領先的硬件輔助驗證（HAV）產品組合。
2025-02-18 17:30:481088 Nexperia（安世半導體）融合其近20年來在高質量、高穩(wěn)健性SMD封裝方面的豐富生產經驗，推出全新CCPAK GaN FET產品組合。基于此久經考驗的封裝技術，CCPAK作為一種真正創(chuàng)新的封裝提供了業(yè)界領先的性能。
2025-02-19 13:45:011015 的應用開拓了更多可能性。 金剛石基板工藝是瑞豐光電此次創(chuàng)新的核心所在。該工藝利用金剛石的卓越熱導性能，有效提升了封裝產品的散熱效率，從而實現(xiàn)了更高功率密度的封裝。這一技術突破使得瑞豐光電的大功率封裝新品在性能上遠
2025-02-19 14:44:211078 公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴展其CoolSiC MOSFET 650 V單管產品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個全新產品系列。 CoolSiC MOSFET
2025-02-21 16:38:52758 
：IFNNY）又推出E型混合反激控制器系列。專為高性能應用設計的全新XDP混合反激數(shù)字控制器系列，采用先進的不對稱半橋（AHB）拓撲結構，將反激轉換器的簡易性和諧振轉換器的效率相結合，從而實現(xiàn)高功率密度設計。因此，該控制器系列適用于各類AC/DC應用，包括二級市場和原廠充電器、
2025-03-28 16:42:13762 
傾佳電子力薦：BASiC 62mm封裝半橋BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 —— 重新定義高功率密度與效率的邊界 關鍵詞：1200V/540A、2.5mΩ超低導通電阻、175℃高溫
2025-06-24 07:58:29462 
【2025年8月1日，德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日推出了采用頂部散熱（TSC）Q-DPAK封裝
2025-08-01 17:05:091507 加大的爬電距離和電氣間隙，使用.XT焊接芯片技術。芯片同時用于62mm封裝的半橋模塊和EasyPACK3B封裝的升壓模塊。這些產品的性能提高了系統(tǒng)功率密度，可靠性和效
2025-08-29 17:10:021599 及TO-247-3和TO-247-4封裝擴展其CoolSiC??400V G2 MOSFET產品組合。此外，英飛凌還推出了三款額定電壓為440V（連續(xù)）和455V（瞬態(tài)）的TOLL封裝新產品
2025-10-31 11:00:59297
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工商網監(jiān)
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