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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>TSV與異構(gòu)集成技術(shù)的前沿進(jìn)展與趨勢(shì)展望

TSV與異構(gòu)集成技術(shù)的前沿進(jìn)展與趨勢(shì)展望

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The TSV358, TSV358A, TSV324, and TSV324A (dual and quad) devices are low voltage versions of the LM358 and LM324 commodity operational amplifiers.
2017-09-05 09:12:306

高功因數(shù)(1.15兆赫為45微米)cmos運(yùn)算放大器TSV521/TSV522/TSV524/TSV521A/TSV522A/TSV524A

The TSV52x and TSV52xA series of operational amplifiers offer low voltage operation and rail-torail
2017-09-05 09:52:585

軌到軌輸入/輸出29μ420 kHz的CMOS運(yùn)算放大器TSV620,TSV620A,TSV621,TSV621A

The TSV620, TSV620A, TSV621, and TSV621A are single operational amplifiers offering low voltage, low power operation
2017-09-05 11:01:536

深度解讀TSV 的工藝流程和關(guān)鍵技術(shù)

要實(shí)現(xiàn)三維集成,需要用到幾個(gè)關(guān)鍵技術(shù),如硅通孔(TSV),晶圓減薄處理,以及晶圓/芯片鍵合。TSV 互連具有縮短路徑和更薄的封裝尺寸等優(yōu)點(diǎn),被認(rèn)為是三維集成的核心技術(shù)。
2017-11-24 16:23:4866425

ADI:將異構(gòu)制造的話題作為產(chǎn)業(yè)未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)的一個(gè)重要觀察角度

ADI公司總裁兼首席執(zhí)行官Vincent Roche在對(duì)2018年的技術(shù)趨勢(shì)展望一文《這些創(chuàng)新將影響我們2018年的生活》中,首次發(fā)出將異構(gòu)制造的話題作為產(chǎn)業(yè)未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)的一個(gè)重要觀察角度
2018-01-18 11:29:275770

奶牛行業(yè)現(xiàn)狀以及NB-IoT牛聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)進(jìn)展、展望

NB-IoT牛聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)進(jìn)展展望。
2018-02-08 16:15:527363

什么是TSV封裝?TSV封裝有哪些應(yīng)用領(lǐng)域?

的填充,實(shí)現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互連。硅通孔技術(shù)可以通過(guò)垂直互連減小互聯(lián)長(zhǎng)度,減小信號(hào)延遲,降低電容/電感,實(shí)現(xiàn)芯片間的低功耗,高速通訊,增加寬帶和實(shí)現(xiàn)器件集成的小型化。基于TSV技術(shù)的3D封裝主要有以下幾個(gè)方面優(yōu)勢(shì):
2018-08-14 15:39:1092829

淺析機(jī)器學(xué)習(xí)的前沿技術(shù)技術(shù)趨勢(shì)

機(jī)器學(xué)習(xí)從業(yè)者在當(dāng)下需要掌握哪些前沿技術(shù)?展望未來(lái),又會(huì)有哪些技術(shù)趨勢(shì)值得期待?
2018-11-25 09:16:456334

探析工業(yè)智聯(lián)網(wǎng)的構(gòu)架、關(guān)鍵技術(shù)前沿趨勢(shì)

本文從工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)的典型應(yīng)用—車聯(lián)網(wǎng)談起,從工業(yè)網(wǎng)聯(lián)技術(shù)發(fā)展過(guò)程的視角分析了工業(yè)智聯(lián)網(wǎng)的構(gòu)架、關(guān)鍵技術(shù)前沿趨勢(shì),對(duì)智聯(lián)網(wǎng)視域下的未來(lái)智聯(lián)交通作出了展望。
2019-01-18 10:46:264112

2019年云計(jì)算六大前沿趨勢(shì)展望

隨著互聯(lián)網(wǎng)、計(jì)算和軟件開發(fā)的進(jìn)步,任何人都可以足不出戶享受到當(dāng)下最前沿的一些技術(shù)。
2019-01-21 16:11:333721

淺談工業(yè)智聯(lián)網(wǎng)的構(gòu)架、關(guān)鍵技術(shù)前沿趨勢(shì)

本文從工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)的典型應(yīng)用—車聯(lián)網(wǎng)談起,從工業(yè)網(wǎng)聯(lián)技術(shù)發(fā)展過(guò)程的視角分析了工業(yè)智聯(lián)網(wǎng)的構(gòu)架、關(guān)鍵技術(shù)前沿趨勢(shì),對(duì)智聯(lián)網(wǎng)視域下的未來(lái)智聯(lián)交通作出了展望
2019-01-24 13:53:186088

2.5D異構(gòu)和3D晶圓級(jí)堆疊正在重塑封裝產(chǎn)業(yè)

對(duì)于目前的高端市場(chǎng),市場(chǎng)上最流行的2.5D和3D集成技術(shù)為3D堆疊存儲(chǔ)TSV,以及異構(gòu)堆疊TSV中介層。Chip-on-Wafer-on-Substrate(CoWos)技術(shù)已經(jīng)廣泛用于高性能計(jì)算
2019-02-15 10:42:198043

TSV陣列建模流程詳細(xì)說(shuō)明

芯片和封裝基板的互連,以及芯片和芯片的互連。TSV技術(shù)通過(guò)銅、鎢、多晶硅等填充,實(shí)現(xiàn)垂直電氣互連。硅通孔技術(shù)可以通過(guò)垂直互連減小互聯(lián)長(zhǎng)度,降低信號(hào)延遲,降低寄生電容/電感,實(shí)現(xiàn)芯片間的低功耗、高速、寬帶通信和實(shí)現(xiàn)器件集成的小型化。
2022-05-31 15:24:393876

展望塑造人工智能的趨勢(shì)

展望塑造人工智能的趨勢(shì)
2023-01-05 09:43:43828

TSV關(guān)鍵工藝設(shè)備及特點(diǎn)

和關(guān)鍵技術(shù)基礎(chǔ)上 , 對(duì)其中深孔刻蝕、氣相沉積、通孔填充、 化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)等幾種關(guān)鍵工藝設(shè)備進(jìn)行了詳細(xì)介紹,對(duì)在確保滿足生產(chǎn)工藝要求的前提下不同設(shè)備的選型應(yīng)用及對(duì)設(shè)備安裝的廠 務(wù)需求提出了相關(guān)建議,同時(shí)對(duì) TSV 設(shè)備做出國(guó)產(chǎn)化展望
2023-02-17 10:23:532863

芯片三維互連技術(shù)及異質(zhì)集成研究進(jìn)展

等提供小尺寸、高性能的芯片。通過(guò)綜述 TSV、TGV、 RDL 技術(shù)及相應(yīng)的 2.5D、3D 異質(zhì)集成方案,闡述了當(dāng)前研究現(xiàn)狀,并探討存在的技術(shù)難點(diǎn)及未來(lái)發(fā) 展趨勢(shì)
2023-04-26 10:06:071725

有源陣列天線的特點(diǎn)、現(xiàn)狀、趨勢(shì)和瓶頸技術(shù)

、內(nèi)涵和若干前沿科學(xué)技術(shù)問(wèn)題 , 分析討論了天線陣列微系統(tǒng)所涉及的微納尺度下多物理場(chǎng)耦合模型、微波半導(dǎo)體集成電路、混合異構(gòu)集成、封裝及功能材料等關(guān)鍵技術(shù)及其解決途徑 , 并對(duì)天線陣列微系統(tǒng)在下一代微波成像雷達(dá)中的應(yīng)用進(jìn)行了展望
2023-05-29 11:19:543668

10.5.2 基于TSV的三維集成電路∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》

10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊(cè)????????代理產(chǎn)品線:器件主控:1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說(shuō)明2、
2022-04-20 15:13:46890

異構(gòu)計(jì)算面臨的挑戰(zhàn)和未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)

導(dǎo)讀超異構(gòu)異構(gòu)的本質(zhì)區(qū)別在哪里?這篇文章通過(guò)對(duì)異構(gòu)計(jì)算的歷史、發(fā)展、挑戰(zhàn)、以及優(yōu)化和演進(jìn)等方面的分析,來(lái)進(jìn)一步闡述從異構(gòu)走向異構(gòu)融合(即超異構(gòu))的必然發(fā)展趨勢(shì)。1、異構(gòu)計(jì)算的歷史發(fā)展1.1并行計(jì)算
2023-04-26 15:18:102953

混合鍵合將異構(gòu)集成提升到新的水平

芯片異構(gòu)集成的概念已經(jīng)在推動(dòng)封裝技術(shù)的創(chuàng)新。
2023-07-03 10:02:203692

2023智博會(huì),分享全球“科技”成果、探索前沿科技、展望未來(lái)趨勢(shì)

2023智博會(huì),分享全球“科技”成果、探索前沿科技、展望未來(lái)趨勢(shì)
2023-07-06 08:47:341205

什么是硅或TSV通路?使用TSV的應(yīng)用和優(yōu)勢(shì)

TSV不僅賦予了芯片縱向維度的集成能力,而且它具有最短的電傳輸路徑以及優(yōu)異的抗干擾性能。隨著摩爾定律慢慢走到盡頭,半導(dǎo)體器件的微型化也越來(lái)越依賴于集成TSV的先進(jìn)封裝。
2023-07-25 10:09:361496

量子計(jì)算關(guān)鍵技術(shù)研究進(jìn)展

量子計(jì)算具備可能超越經(jīng)典計(jì)算的潛在能力,近年來(lái)在技術(shù)研究、應(yīng)用探索及產(chǎn)業(yè)生態(tài)培育等方面取得諸多進(jìn)展,整體發(fā)展進(jìn)入快車道,已成為全球多國(guó)科研布局與投資熱點(diǎn)。重點(diǎn)梳理分析量子計(jì)算關(guān)鍵技術(shù)研究進(jìn)展、應(yīng)用探索開展態(tài)勢(shì)和產(chǎn)業(yè)生態(tài)培育等,并對(duì)未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行展望。
2023-08-08 11:32:312721

先進(jìn)封裝中硅通孔(TSV)銅互連電鍍研究進(jìn)展

先進(jìn)封裝中硅通孔(TSV)銅互連電鍍研究進(jìn)展
2023-09-06 11:16:422280

基于深度學(xué)習(xí)的語(yǔ)音合成技術(shù)進(jìn)展與未來(lái)趨勢(shì)

近年來(lái),深度學(xué)習(xí)技術(shù)在語(yǔ)音合成領(lǐng)域取得了顯著的進(jìn)展?;谏疃葘W(xué)習(xí)的語(yǔ)音合成技術(shù)能夠生成更加自然、真實(shí)的語(yǔ)音,提高了用戶體驗(yàn)。本文將介紹基于深度學(xué)習(xí)的語(yǔ)音合成技術(shù)進(jìn)展以及未來(lái)趨勢(shì)。 一、基于深度學(xué)習(xí)
2023-09-16 14:48:212111

混合鍵合推動(dòng)異構(gòu)集成發(fā)展

傳統(tǒng)的二維硅片微縮技術(shù)達(dá)到其成本極限,半導(dǎo)體行業(yè)正轉(zhuǎn)向異構(gòu)集成技術(shù)。異構(gòu)集成是指不同特征尺寸和材質(zhì)的多種組件或晶片的制造、組裝和封裝,使其集成于單個(gè)器件或封裝之中,以提高新一代半導(dǎo)體器件的性能。 ? 經(jīng)過(guò)集成式晶片到晶圓鍵
2023-10-30 16:07:321748

AI進(jìn)展及2021年技術(shù)趨勢(shì)報(bào)告.zip

AI進(jìn)展及2021年技術(shù)趨勢(shì)報(bào)告
2023-01-13 09:06:121

異構(gòu)集成時(shí)代半導(dǎo)體封裝技術(shù)的價(jià)值

異構(gòu)集成時(shí)代半導(dǎo)體封裝技術(shù)的價(jià)值
2023-11-28 16:14:141012

什么是異構(gòu)集成?什么是異構(gòu)計(jì)算?異構(gòu)集成異構(gòu)計(jì)算的關(guān)系?

異構(gòu)集成主要指將多個(gè)不同工藝節(jié)點(diǎn)單獨(dú)制造的芯片封裝到一個(gè)封裝內(nèi)部,以增強(qiáng)功能性和提高性能。
2023-11-27 10:22:5311855

情感語(yǔ)音識(shí)別:技術(shù)前沿與未來(lái)趨勢(shì)

一、引言 情感語(yǔ)音識(shí)別是當(dāng)前人工智能領(lǐng)域的前沿技術(shù),它通過(guò)分析人類語(yǔ)音中的情感信息,實(shí)現(xiàn)更加智能化和個(gè)性化的人機(jī)交互。本文將探討情感語(yǔ)音識(shí)別技術(shù)的最新進(jìn)展和未來(lái)趨勢(shì)。 二、情感語(yǔ)音識(shí)別的技術(shù)前沿
2023-11-28 18:35:241213

華芯邦科技開創(chuàng)異構(gòu)集成新紀(jì)元,Chiplet異構(gòu)集成技術(shù)衍生HIM異構(gòu)集成模塊賦能孔科微電子新賽道

華芯邦科技將chiplet技術(shù)應(yīng)用于HIM異構(gòu)集成模塊中伴隨著集成電路和微電子技術(shù)不斷升級(jí),行業(yè)也進(jìn)入了新的發(fā)展周期。HIM異構(gòu)集成模塊化-是華芯邦集團(tuán)旗下公司深圳市前??卓莆㈦娮佑邢薰綤OOM的主營(yíng)方向,將PCBA芯片化、異構(gòu)集成模塊化真正應(yīng)用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品行業(yè)。
2024-01-18 15:20:181416

日月光應(yīng)邀出席SEMICON China異構(gòu)集成(先進(jìn)封裝)國(guó)際會(huì)議

為期一周的SEMICON China 活動(dòng)于上周六在上海落下帷幕,整周活動(dòng)開展得如火如荼, 特別是上周二(3月19日)舉辦的異構(gòu)集成(先進(jìn)封裝)國(guó)際會(huì)議(HIIC)上,眾多業(yè)內(nèi)專家云集一堂,共同探討異構(gòu)集成/先進(jìn)封裝發(fā)展趨勢(shì)。
2024-03-27 14:46:12974

一文解鎖TSV制程工藝及技術(shù)

TSV(Through-Silicon Via)是一種先進(jìn)的三維集成電路封裝技術(shù)。它通過(guò)在芯片上穿孔并填充導(dǎo)電材料,實(shí)現(xiàn)芯片內(nèi)、芯片間以及芯片與封裝之間的垂直連接。
2024-04-11 16:36:369819

射頻微系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)展展望

、仿真與優(yōu)化和集成架構(gòu)設(shè)計(jì)等三個(gè)關(guān)鍵技術(shù)及其進(jìn)展情況,最后對(duì)射頻微系統(tǒng)今后的發(fā)展趨勢(shì)做出了展望。Chrent引言小型化是微波毫米波集成電路與系統(tǒng)發(fā)展的必然趨勢(shì),而
2024-07-11 08:28:424886

人工智能應(yīng)用中的異構(gòu)集成技術(shù)

引言 2022年ChatGPT的推出推動(dòng)了人工智能應(yīng)用的快速發(fā)展,促使高性能計(jì)算系統(tǒng)需求不斷增長(zhǎng)。隨著傳統(tǒng)晶體管縮放速度放緩,半導(dǎo)體行業(yè)已轉(zhuǎn)向通過(guò)異構(gòu)集成實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)級(jí)縮放。異構(gòu)集成技術(shù)可將不同類
2024-12-10 10:21:301723

先進(jìn)封裝中的TSV/硅通孔技術(shù)介紹

注入導(dǎo)電物質(zhì),將相同類別芯片或不同類別的芯片進(jìn)行互連,達(dá)到芯片級(jí)集成的先進(jìn)封裝技術(shù)。 TSV技術(shù)中的這個(gè)通道中主要是通過(guò)銅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充完成硅通孔的垂直電氣互連,減小信號(hào)延遲,降低電容、電感,實(shí)現(xiàn)芯片的低功耗、高速通信,增加帶寬和實(shí)現(xiàn)器件集成的小型化需求
2024-12-17 14:17:513345

先進(jìn)封裝技術(shù)-17硅橋技術(shù)(下)

Advanced Packaging) - 4 Chiplet 異構(gòu)集成(下) 先進(jìn)封裝技術(shù)(Semiconductor Advanced Packaging) - 5 TSV 異構(gòu)集成與等效熱仿真 先進(jìn)封裝技術(shù)
2024-12-24 10:59:433078

先進(jìn)封裝技術(shù)-19 HBM與3D封裝仿真

Advanced Packaging) - 4 Chiplet 異構(gòu)集成(下) 先進(jìn)封裝技術(shù)(Semiconductor Advanced Packaging) - 5 TSV 異構(gòu)集成與等效熱仿真 先進(jìn)封裝技術(shù)
2025-01-08 11:17:013032

TSV以及博世工藝介紹

在現(xiàn)代半導(dǎo)體封裝技術(shù)不斷邁向高性能、小型化與多功能異構(gòu)集成的背景下,硅通孔(TSV,Through-SiliconVia)工藝作為實(shí)現(xiàn)芯片垂直互連與三維集成(3DIC)的核心技術(shù),正日益成為先進(jìn)封裝
2025-04-17 08:21:292508

TGV和TSV技術(shù)的主要工藝步驟

TGV(Through Glass Via)和TSV(Through Silicon Via)是兩種用于實(shí)現(xiàn)不同層面之間電氣連接的技術(shù)。
2025-06-16 15:52:231606

基于TSV的減薄技術(shù)解析

在半導(dǎo)體三維集成(3D IC)技術(shù)中,硅通孔(TSV)是實(shí)現(xiàn)芯片垂直堆疊的核心,但受深寬比限制,傳統(tǒng)厚硅片(700-800μm)難以制造直徑更?。?-20μm)的TSV,導(dǎo)致芯片面積占比過(guò)高,且多層堆疊后總厚度可能達(dá)毫米級(jí),與智能手機(jī)等應(yīng)用對(duì)芯片厚度的嚴(yán)苛限制(通常<1mm)沖突。
2025-07-29 16:48:591367

TSV制造技術(shù)里的關(guān)鍵界面材料與工藝

TSV制造技術(shù)中,既包含TSV制造技術(shù)中通孔刻蝕與絕緣層的相關(guān)內(nèi)容。
2025-08-01 09:24:231781

【2025九峰山論壇】破局摩爾定律:異質(zhì)異構(gòu)集成如何撬動(dòng)新賽道?

、比利時(shí)、奧地利及中國(guó)等多國(guó)的行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)高管與技術(shù)精英共襄盛舉。會(huì)議期間,超200場(chǎng)主題演講密集釋放前沿洞察,其中異質(zhì)異構(gòu)集成技術(shù)平行論壇吸引了眾多目光,業(yè)內(nèi)權(quán)
2025-09-30 15:58:071407

惠山經(jīng)開區(qū)舉辦“機(jī)器人未來(lái)技術(shù)展望”專題講座 丁漢院士解析前沿趨勢(shì)

惠山經(jīng)開區(qū)舉辦“機(jī)器人未來(lái)技術(shù)展望”專題講座 丁漢院士解析前沿趨勢(shì) 惠山經(jīng)開區(qū)講座現(xiàn)場(chǎng) 2025年10月10日,惠山經(jīng)開區(qū)“機(jī)器人未來(lái)技術(shù)展望”專題院士講座隆重舉行。中國(guó)科學(xué)院院士、華中科技
2025-10-11 10:44:17272

TSV和TGV產(chǎn)品在切割上的不同難點(diǎn)

技術(shù)區(qū)別TSV硅通孔(ThroughSiliconVia),指連接硅晶圓兩面并與硅襯底和其他通孔絕緣的電互連結(jié)構(gòu)。硅中介層有TSV集成是最常見(jiàn)的一種2.5D集成技術(shù),芯片通常通過(guò)MicroBump
2025-10-11 16:39:24746

Chiplet與異構(gòu)集成的先進(jìn)基板技術(shù)

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處在傳統(tǒng)封裝邊界逐步消解的轉(zhuǎn)型節(jié)點(diǎn),新的集成范式正在涌現(xiàn)。理解從分立元件到復(fù)雜異構(gòu)集成的發(fā)展過(guò)程,需要審視半導(dǎo)體、封裝和載板基板之間的基本關(guān)系在過(guò)去十五年中的變化。
2025-11-04 11:29:281881

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