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電子發(fā)燒友網>制造/封裝>今日看點丨小米“無按鍵”旗艦手機被曝 2025 年亮相;SK海力士成功開發(fā)出全球首款第六代10納米級DDR5 DRAM

今日看點丨小米“無按鍵”旗艦手機被曝 2025 年亮相;SK海力士成功開發(fā)出全球首款第六代10納米級DDR5 DRAM

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壓制,消費電子市場更是暴雷不斷,SK 海力士的大部分利潤來自于銷售內存芯片。對于虧損SK海力士稱第四季度虧損主要原因是電腦和智能手機的需求低迷導致存儲芯片需求減少;疊加芯片價格大幅下滑導致。 內存芯片行業(yè)面臨著嚴重供需失衡,而鑒
2023-02-01 16:52:123954

SK海力士發(fā)布全球321層NAND!

SK海力士宣布將首次展示全球321層NAND閃存,成為業(yè)界首家開發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品,并介紹了開發(fā)進展情況。
2023-08-10 16:01:471992

SK海力士開發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E

sk海力士表示:“以唯一批量生產hbm3的經驗為基礎,成功開發(fā)出了世界最高性能的擴展版hbm3e。“將以業(yè)界最大規(guī)模的hbm供應經驗和量產成熟度為基礎,從明年上半年開始批量生產hbm3e,鞏固在針對ai的存儲器市場上的獨一二的地位?!?/div>
2023-08-21 09:21:491808

Meta、英偉達相繼拜訪SK海力士,要求額外供應DDR5/HBM

meta是SK海力士的主要顧客之一,正在購買為構建和擴張數(shù)據(jù)中心的企業(yè)用ssd (ssd)和服務器dram。據(jù)悉,對ai服務器投入大量資金的meta還要求sk海力士追加提供高性能、高效率的ddr5服務器dram。
2023-08-30 10:03:331393

三星電子和SK海力士計劃四季度全面提高DDR5產量

 SK海力士同樣也在籌備提高DDR5產品比重。其已在今年5開發(fā)出10nm5(1b)DDR5,供應給英特爾。韓國投資證券分析師預計,由于DDR5需求高漲,拉動產品平均銷售單價,SK海力士DRAM業(yè)務有望加快轉虧為盈,公司整體業(yè)績也有望提前擺脫虧損。
2023-10-24 14:50:16899

SK海力士全球最高速LPDDR5T移動DRAM與高通完成性能驗證

完成與高通最新移動處理器的兼容性驗證,正式開始向客戶提供產品 "將通過加強與高通的合作,實現(xiàn)智能手機發(fā)展為AI時代的核心應用。" 韓國首爾202310月25日?/美通社/ -- SK海力士25日
2023-10-25 18:17:541829

SK海力士三季度虧損97億元,SK海力士確認反對西數(shù)與鎧俠合并

SK海力士稱,由于高性能半導體存儲器產品的市場需求增加,公司業(yè)績開始持續(xù)改善。尤其是面向人工智能的存儲器產品,如HBM3、高容量DDR5 DRAM和高性能移動DRAM等,銷售表現(xiàn)良好。因此與上一季度相比,營業(yè)收入增長了24%,營業(yè)虧損減少了38%。
2023-10-31 17:02:281269

SK海力士全面推進全球最高速率LPDDR5T DRAM商用化

據(jù)sk海力士透露,LPDDR5T是迄今為止最能大幅提高智能手機性能的存儲產品中速度最快的產品。公司方面強調說,將繼續(xù)擴大產品適用范圍,引領移動dram領域的升級。
2023-11-13 10:32:311819

瀾起科技榮獲SK海力士“最佳供應商獎”

SK海力士提供優(yōu)質的產品和服務。從DDR4世跨越到DDR5,瀾起科技與SK海力士合作的產品涵蓋DDR4、DDR5內存接口芯片及DDR5內存模組配套芯片。 隨著人工智能、機器學習等異構計算飛速發(fā)展,CXL作為一種全新的高速互連協(xié)議迅速崛起,吸引業(yè)界各大廠商爭
2023-12-04 09:02:372065

SK海力士:挑戰(zhàn)美國限制,推進中國半導體技術升級

無錫工廠是SK海力士的核心生產基地,其產量約占公司DRAM總產量的40%。目前,無錫工廠正在生產兩較舊的10納米DRAM
2024-01-16 10:45:25865

SK海力士持續(xù)投資無錫的原因

無錫工廠是SK海力士的核心生產基地,其產量約占公司DRAM總產量的40%。目前,無錫工廠正在生產兩較舊的10nm制程DRAM
2024-01-31 11:23:051539

AI需求激增,三星與SK海力士計劃增產高價值DRAM

趨勢,半導體巨頭三星電子和SK海力士正考慮增加工廠的半導體晶圓投入量,以加速向更先進的10納米第四(1a)和第五(1b)版本的過渡。
2024-03-06 10:49:491263

剛剛!SK海力士出局!

在基礎晶圓上通過硅通孔(TSV)連接多層DRAM,首批HBM3E產品均采用8層堆疊,容量為24GB。SK海力士和三星分別在去年8月和10月向英偉達發(fā)送了樣品。此前有消息稱,英偉達已經向SK海力士支付了約合5.4億至7.7億美元的預付款,供應下一HBM3E。 SK海力士和三星都在推進12層
2024-03-27 09:12:081225

SK海力士與臺積電共同研發(fā)HBM4,預計2026投產

自 HBM3E(第五 HBM 產品)起,SK海力士的 HBM 產品基礎裸片均采用自家工藝生產;然而,從 HMB4(第六代 HBM 產品)開始,該公司將轉用臺積電的先進邏輯工藝。
2024-04-19 10:32:071374

SK海力士考慮新建DRAM工廠

SK海力士,作為全球領先的內存芯片制造商,正在積極考慮建設一家新的DRAM工廠。這一決策源于其現(xiàn)有的龍仁芯片集群投產計劃的推遲,以及對今年內存芯片需求大幅增長的預測。
2024-05-06 10:52:02982

SK海力士提前完成HBM4內存量產計劃至2025

SK海力士宣布,計劃于2025下半年推出首采用12層DRAM堆疊的HBM4產品,而16層堆疊版本的推出將會稍后。根據(jù)該公司上月與臺積電簽署的HBM基礎裸片合作協(xié)議,原本預計HBM4內存要等到2026才會問世。
2024-05-06 15:10:211338

SK海力士推出新一移動端NAND閃存解決方案ZUFS 4.0

今日,SK海力士公司宣布了一項革命性的技術突破,他們成功發(fā)出了面向端側(On-Device)AI應用的全新移動端NAND閃存解決方案——“ZUFS(Zoned UFS)4.0”。這款產品的推出,標志著SK海力士在閃存技術領域的又一次飛躍。
2024-05-09 11:00:301175

漲價20%!三星、 SK 海力士將停止供貨這類芯片

業(yè)界傳出,全球前二大DRAM供貨商三星、SK海力士全力沖刺高帶寬內存(HBM)與主流DDR5規(guī)格內存,下半年起將停止供應DDR3利基型DRAM,引起市場搶貨潮,導致近期DDR3價格飆漲,最高漲幅達二成,且下半年報價還會再上揚。
2024-05-14 10:31:58877

SK海力士HBM4E內存2025下半年采用32Gb DRAM裸片量產

值得注意的是,目前全球三大內存制造商都還未開始量產1c nm(第六代10+nm)制程DRAM內存顆粒。早前報道,三星電子與SK海力士預計今年內實現(xiàn)1c nm DRAM的量產,而美光則需等到明年。新一顆粒有望在密度和能效方面取得顯著進步。
2024-05-14 14:56:271657

三星和SK海力士下半年停產DDR3內存

近日,三星和SK海力士宣布,將于下半年停止生產并供應DDR3內存,轉向利潤更高的DDR5內存和HBM系列高帶寬內存。此舉標志著內存行業(yè)的一次重要轉型。
2024-05-17 10:12:211563

SK海力士引入創(chuàng)新MOR技術于DRAM生產

SK海力士在半導體領域再次邁出創(chuàng)新步伐,計劃在其第6(1c工藝,約10nm)DRAM的生產中,首次采用Inpria的下一金屬氧化物光刻膠(MOR)。這一突破性的應用標志著MOR技術正式進入DRAM量產工藝。
2024-05-30 11:02:581506

TLB成功開發(fā)出CXL內存模塊PCB,并向三星和SK海力士提供首批樣品

近日,韓國上市PCB制造商TLB (KOSDAQ:356860)成功開發(fā)出CXL內存模塊PCB,并已獨家向三星電子和SK海力士提供了6以上的首批樣品。
2024-05-30 11:30:342156

SK海力士加大1b DRAM產能以滿足市場需求

全球半導體產業(yè)風起云涌的當下,SK海力士再次展現(xiàn)出其前瞻性和決斷力。據(jù)行業(yè)內部消息透露,該公司正積極擴大其第51b DRAM的生產規(guī)模,以應對當前市場對HBM(高帶寬內存)及DDR5 DRAM不斷增長的需求。
2024-06-17 16:30:501183

SK海力士擴產1b DRAM,引領存儲行業(yè)新熱潮

在6月17日傳來的最新消息中,全球知名的半導體制造商SK海力士正積極布局,大力擴展其第51b DRAM的生產規(guī)模。這一舉措旨在應對日益增長的高帶寬內存(HBM)和DDR5 DRAM的市場需求,進一步鞏固其在存儲領域的領先地位。
2024-06-17 16:50:021580

SK海力士5層堆疊3D DRAM制造良率已達56.1%

全球半導體技術的激烈競爭中,SK海力士再次展示了其卓越的研發(fā)實力與創(chuàng)新能力。近日,在美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上,SK海力士宣布了其在3D DRAM技術領域的最新研究成果,其中5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%,這一突破性的進展引起了業(yè)界的廣泛關注。
2024-06-27 10:50:221473

SK海力士DDR5芯片價格或將大幅上漲

近日,據(jù)外媒報道,SK海力士已宣布將其DDR5 DRAM芯片價格上調15%至20%,這一舉動在業(yè)界引起了廣泛關注。供應鏈內部人士透露,此次漲價的主要原因在于HBM3/3E產能的大幅擴張,對DDR5的生產資源造成了明顯擠占。
2024-08-14 15:40:461516

SK海力士轉向4F2 DRAM以降低成本

SK海力士近日宣布了一項重要計劃,即開發(fā)采用4F2結構(垂直柵)的DRAM。這一決策緊跟其競爭對手三星的步伐,標志著SK海力士DRAM制造領域的新探索。SK海力士研究員表示,隨著極紫外(EUV
2024-08-14 17:06:431670

DDR5內存面臨漲價潮,存儲巨頭轉向HBM生產

近日,存儲芯片市場傳來重大消息,SK海力士正式通知市場,其DDR5內存產品將漲價15%至20%,這一舉動無疑給市場投下了一枚震撼彈。此次漲價的根源在于,SK海力士、美光、三星等存儲芯片巨頭紛紛調整
2024-08-15 10:19:212754

DRAM大廠第三季DDR5價格大幅上調

近日,DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)市場傳來重磅消息,由于服務器需求持續(xù)強勁及產能排擠效應顯著,多家大廠決定在第三季度對DDR5內存價格進行新一輪調整。據(jù)供應鏈最新消息,三星電子與SK海力士這兩大DRAM巨頭已正式發(fā)出通知,宣布DDR5內存的單季價格將實現(xiàn)15%以上的顯著上漲。
2024-08-21 15:40:011224

SK海力士開發(fā)出第六代10納米級DDR5 DRAM

SK海力士宣布了一項重大技術突破,成功開發(fā)出全球采用第六代10納米級(1c)工藝的16Gb DDR5 DRAM。這一里程碑式的成就標志著SK海力士在半導體存儲技術領域的領先地位。
2024-08-29 16:39:151255

SK海力士CXL方案成功融入Linux系統(tǒng)

 韓國首爾,20249月23日訊 —— SK海力士今日宣布了一項重大技術突破,其自主研發(fā)的異構存儲器軟件開發(fā)套件(Heterogeneous Memory S/W Development Kit
2024-09-23 14:23:441328

SK海力士推出48GB 16層HBM3E產品

近日在一次科技展覽上,SK海力士驚艷亮相,展出了全球48GB 16層HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)產品。這一突破性產品不僅展示了SK海力士在高端存儲技術領域
2024-11-05 15:01:201231

SK海力士調整生產策略,聚焦高端存儲技術

限的產能轉向更高端的產品線,如人工智能用存儲器及先進DRAM產品。 SK海力士的這一決策可能與其重點發(fā)展高端存儲技術研發(fā)和生產有關。近日,該公司對外展示了全球48GB 16層HBM3E產品,該產品在容量和層數(shù)上均達到了業(yè)界最高水平。這一成果不僅彰顯了SK海力士
2024-11-07 11:37:181276

SK海力士展出全球16層HBM3E芯片

在近日舉行的SK AI峰會上,韓國存儲巨頭SK海力士全球展示了其創(chuàng)新成果——全球48GB 16層HBM3E產品。這一產品的推出,標志著SK海力士在高端存儲技術領域的又一次重大突破。
2024-11-13 14:35:051189

SK海力士完成2025度組織及人事大調整

SK海力士公司近日正式宣布,其2025度的組織調整及人事任命工作已圓滿結束。此次調整,SK海力士引入了以C(首席級別)為核心的管理體系,旨在通過明確各核心部門的責任和權限,推動公司決策流程的加速
2024-12-06 13:46:342224

SK海力士HBM技術的發(fā)展歷史

SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領域領導地位方面,HBM1無疑發(fā)揮了決定性作用。無論是率先開發(fā)出全球最高性能的HBM,還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領先地位,這些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一個團隊”協(xié)作精神(One Team Spirit)。
2025-06-18 15:31:021667

瑞薩電子推出第六代DDR5 RCD,傳輸速率達9600MT/s

電子發(fā)燒友網綜合報道 日前,瑞薩電子宣布推出業(yè)界首面向DDR5寄存雙列直插式內存模塊(RDIMM)的第六代(Gen6)寄存時鐘驅動器(RCD),這款全新RCD率先實現(xiàn)了9600兆傳輸/秒(MT/s
2025-11-19 15:59:055454

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