1. 美光將在臺灣購買更多生產工廠以擴大HBM內存生產規(guī)模
?
美光(Micron)公司正在臺灣尋找新的生產設施。美光已同意從顯示器制造商友達光電(AUO)購買位于臺灣中部城市臺中的三家液晶顯示器工廠。美光希望支付 81 億新臺幣(約合 2.533 億美元)。最初,美光有意從群創(chuàng)光電購買位于臺南的另一家工廠,但遭到拒絕,因此美光轉向友達購買。
?
今年早些時候,臺積電斥資 170 億新臺幣(約合 5.316 億美元)從群創(chuàng)光電購買了一座類似的廠房,但群創(chuàng)光電今年似乎不愿再出售任何廠房。據(jù)悉,友達光電的三座工廠生產液晶彩色濾光片,其中兩座工廠已于本月早些時候停產。不過,出于某種原因,仍在運營的工廠似乎將由友達租用,該公司將繼續(xù)在該廠生產彩色濾光片。該廠面積較大,占地面積為 146033 平方米,較小的占地面積為 32500 平方米。
?
2. SK海力士成功開發(fā)出全球首款第六代10納米級DDR5 DRAM
?
SK海力士宣布,全球首次成功開發(fā)出采用第六代10納米級(1c)工藝的16Gb(Gigabit,千兆比特)DDR5 DRAM。由此,公司向世界展現(xiàn)了10納米出頭的超微細化存儲工藝技術。
?
SK海力士強調:“隨著10納米級DRAM技術的世代相傳,微細工藝的難度也隨之加大,但公司以通過業(yè)界最高性能得到認可的第五代(1b)技術力為基礎,提高了設計完成度,率先突破了技術極限。公司將在年內完成1c DDR5 DRAM的量產準備,從明年開始供應產品,引領半導體存儲器市場發(fā)展?!?br />
?
3. Meta 被曝造芯夢碎,未來 AR 眼鏡將用高通芯片
?
報道稱 Meta 公司已放棄為其 AR 眼鏡開發(fā)定制芯片計劃,轉而使用高通公司的技術。報道稱 Meta 公司于 2019 年啟動了定制芯片計劃,為內部代號為 Orion 的 AR 眼鏡開發(fā)定制芯片,以提高性能。
?
Meta 原本計劃定制芯片,將其用于 Orion AR 眼鏡、Apollo 項目的其它型號上。硬件部門的芯片團隊負責開發(fā)三種特定芯片,分別命名為 Armstrong、Avogadro 和 Acropolis,主要用于圖像識別等功能。
?
4. 蘋果 iPhone 17 系列被曝升級 12GB 內存,能夠更好地支持端側 AI 大模型
?
@手機晶片達人 表示,預算有限但希望體驗更多 AI 功能的 iPhone 用戶可以等明年的 iPhone 17 系列。他表示,iPhone 16 系列只有 8GB 內存,主要面向的云端 AI 場景,而明年的 iPhone 17 系列將升級 12GB 內存,可提供更多的端側 AI 支持。
?
簡單來說,AI 可以分為云端和本地兩種,云 AI 需要將數(shù)據(jù)匯集到云端進行處理,模型通用性更強;而本地化的 AI 能夠直接在終端設備上運行和處理 AI 算法,響應速度更快。蘋果在開發(fā)者大會上透露,蘋果 Apple Intelligence 采用的是端云結合的模式。
?
5. 代號“朱雀”,小米“無按鍵”旗艦手機被曝 2025 年亮相
?
據(jù)曝料稱小米將于 2025 年推出“無按鍵”智能手機,其內部代號為“朱雀”(Zhuque)。這款代號為“朱雀”的小米手機,最大的亮點是沒有任何物理按鈕,該項目目前處于早期開發(fā)階段,暫不清楚具體交互方式。
?
消息源認為小米正探索多元交互方式,包括手勢控制、壓感邊緣甚至語音指令。如果小米成功了,這將是智能手機設計的一次巨大飛躍。
?
6. 印度馬恒達集團計劃三年內投入超14億美元加快推出電動汽車
?
據(jù)印度企業(yè)集團馬恒達集團首席執(zhí)行官兼董事總經理阿尼什·沙阿 (Anish Shah) 透露,該集團計劃在三年內投入超過1200億盧比(14.3 億美元)來加快推出電動汽車。沙阿在最近一次采訪中表示: “我們預計未來3至4年內,我們的汽車中20%至30%將是電動汽車?!?br />
?
核心集團公司馬恒達汽車宣布,將在截至2026財年的三年內向汽車業(yè)務投資2700億盧比。其中,用于電動汽車的1200多億盧比將成為投資的一部分。沙阿表示,馬恒達將把其主打運動型多用途汽車推向電動化。沙阿領導著印度最大的企業(yè)集團之一,該集團的業(yè)務涵蓋汽車、農用設備、信息技術和金融。上個財年,SUV占馬恒達乘用車銷量的99%。
?
今日看點丨小米“無按鍵”旗艦手機被曝 2025 年亮相;SK海力士成功開發(fā)出全球首款第六代10納米級DDR5 DRAM
- DRAM(188571)
- 海力士(26924)
- 小米(151506)
- DDR5(25652)
相關推薦
熱點推薦
SK海力士2020年合并DRAM和NAND Flash業(yè)務
據(jù)韓媒報道,SK海力士將在2020年進行一系列的人事調動和業(yè)務重組,其中會將DRAM和NAND Flash兩大開發(fā)部門整合在一起,實現(xiàn)從開發(fā)、制造,以及業(yè)務的后期處理等統(tǒng)一的管理。 Jin
2019-12-07 00:53:00
4758
4758SK海力士:采用EUV技術的第四代10納米級DRAM已量產
近日,SK海力士在官網宣布,適用第四代10納米(1a)級工藝的 8Gigabit(Gb)LPDDR4 移動端DRAM(動態(tài)隨機存儲器)產品已于7月初開始量產。 自從10納米級DRAM產品開始,半導體
2021-07-12 10:57:06
5591
5591狠甩SK海力士、美光!三星 10納米DRAM 量產,記憶體脫離20納米世代
相較于 SK 海力士、美光在 2015 年年中 20 奈米才導入量產,加速 20 納米製程轉換,在 2016 年才要進入 18/16 納米製程競賽的同時,早已搶先導入 20 奈米的叁星,現(xiàn)在直接丟出 10 納米 8 Gb DDR4 DRAM 量產的震撼彈,意圖大幅甩開對手糾纏。
2016-04-07 08:58:03
1898
1898SK海力士準備在2020年發(fā)布DDR5內存條 頻率起步5200MHz
近日,SK 海力士負責人在接受采訪時表示,準備在2020年發(fā)布DDR5內存條,頻率起步5200MHz,另外DDR6內存也開始策劃了,將在5~6年內研發(fā)。
2019-01-29 09:09:05
2246
2246SK海力士年底前量產DDR5,支持的平臺卻要到2021年
近日消息,SK海力士正式宣布,將在年底前量產并提供業(yè)界頻率達到8400MHz的DDR5存儲器,單顆最大密度64Gb,并且會帶有ECC錯誤修正的功能,工作電壓僅1.1V。 根據(jù)SK海力士公布的資料顯示
2020-04-07 10:51:23
5823
5823海力士發(fā)布全球首款基于128層NAND閃存的消費級SSD
SK海力士發(fā)布了全球首款基于128層NAND閃存的消費級SSD——SK海力士Gold P31,提供500GB和1TB兩種存儲容量,產品已上架亞馬遜。
2020-08-19 13:59:42
3984
3984SK海力士正與博世洽談供應汽車內存
相比,用于汽車的DRAM具有更高的可靠性和更廣泛的激活溫度范圍。SK海力士開發(fā)的新DRAM遵循了2018年制定的第二版ISO26262標準。 ? ISO26262《道路車輛功能安全標準》于2011年11月制定。它涵蓋軟件規(guī)范,驗證和其他需求規(guī)范等的11個部分。該標準的第二版增加了半導體
2021-04-16 12:37:47
2906
2906新一代DDR5內存模組密集發(fā)布,支持DDR5 CPU隨后就到!
)。 ? ? 嘉合勁威2020年12月宣布率先全面布局DDR5內存模組生產;2021年2月嘉合勁威旗下阿斯加特率先推出了首款DDR5內存條;3月鎂光DDR5 DRAM內存顆?,F(xiàn)貨到廠,嘉合勁威積極備貨準備
2021-04-27 09:00:00
15368
15368三星和SK海力士都已實現(xiàn),EUV DRAM 的壓力來到美光這邊?
近日,SK海力士官網發(fā)布新聞消息稱,公司已于7月初開始量產適用第四代10nm(1a)級工藝的8Gb LPDDR4 移動端DRAM產品。值得注意的是,這是SK海力士首次采用EUV技術進行DRAM量產
2021-07-13 06:36:58
3394
3394
SK海力士開發(fā)業(yè)界第一款HBM3 DRAM
SK海力士(或“公司”,www.skhynix.com) 宣布業(yè)界首次成功開發(fā)現(xiàn)有最佳規(guī)格的HBM3 DRAM。
2021-10-20 10:07:47
2155
2155
SK海力士開發(fā)出下一代智能內存芯片技術PIM
SK海力士(或‘公司’)今日宣布,公司已開發(fā)出具備計算功能的下一代內存半導體技術“PIM(processing-in-memory,內存中處理)”1)。
2022-02-16 11:04:51
1957
1957
今日看點丨美國將四家中國公司加入SDN名單?。?b class="flag-6" style="color: red">SK海力士開發(fā)出世界首款12層堆疊HBM3 DRAM
為由,將4家中國公司加入SDN名單。 ? 2. SK 海力士開發(fā)出世界首款12 層堆疊HBM3 DRAM ,已向客戶提供樣品 ? SK海力士20日宣布,再次超越了現(xiàn)有最高性能DRAM(內存
2023-04-20 10:22:19
1910
1910
今日看點丨星紀魅族與極星設合資公司,共同推進Polestar OS研發(fā);英特爾將投資超330億美元在德國建兩座芯片
1.SK 海力士1a 節(jié)點14nm 級DDR5 產品良率達90% ? 韓媒報道,SK海力士一直主導著DDR5內存顆粒市場,目前1a工藝節(jié)點(14nm)DDR5 DRAM的良率已達90%,明顯領先于
2023-06-20 10:55:02
896
896
今日看點丨SK海力士砸900多億美元建半導體廠;消息稱聯(lián)發(fā)科天璣 9400 暫定 10 月發(fā)布
1. SK 海力士砸900 多億美元建半導體廠 政府相挺 ? 全球第二大存儲器芯片制造商SK海力士,預計于2046年前在其龍仁(Yongin)半導體聚落,投入逾120兆韓元(907億美元)建造全球
2024-03-22 10:47:38
1594
1594DDR4漲價20%,DDR5上調5%!
%。 ? 除了三星,SK海力士、美光此前也傳出漲價的消息。據(jù)供應鏈人士透露,海力士DRAM(消費級)顆粒(Memory Chip/Die)價格已上漲約12%。 ? 而美光率先于2025年第二季度對DRAM內存
2025-05-13 01:09:00
6844
6844全球10大DRAM廠商排名
的的奇夢達(Qimonda)。2006第二季全球10大DRAM廠商排名 以成長性而言,由于第二季全球新增產能集中于***地區(qū)廠商力晶與茂德,因此與力晶合作的日本爾必達,與茂德合作的韓國海力士,上述策略性
2008-05-26 14:43:30
首款基于Pixelworks的第六代移動視覺處理器i6發(fā)布
提供領先的創(chuàng)新視頻和顯示處理解決方案提供商——Pixelworks, Inc.(納斯達克股票代碼:PXLW)今日發(fā)布了其第六代移動視覺處理器---i6,這是首款基于Pixelworks大量移動顯示
2020-11-23 14:02:58
Introspect DDR5/LPDDR5總線協(xié)議分析儀
M5513是一款適用于下一代DDR5多路復用列雙列直插存儲器的全包式存儲器測試系統(tǒng)
存儲器模塊(MR-DIMM)。該測試系統(tǒng)以極快的速度運行,是長期運行的理想解決方案
DIMM開發(fā)和測試。它包含一個完整
2024-08-06 12:03:07
專業(yè)回收海力士HYNIX字庫 收購海力士字庫
`海力士HYNIX字庫 高價回收 ,長期回收海力士HYNIX字庫, 帝歐電子 高價+優(yōu)勢收購手機字庫??!【高價收購海力士HYNIX字庫,優(yōu)勢回收海力士HYNIX字庫,實力收購海力士HYNIX字庫
2021-04-27 16:10:09
什么是DDR?DDR內存的演進之路
內存本身性能的擴大,封裝技術也需要不斷發(fā)展。經證實,三星已經處于下一代DDR6內存的早期開發(fā)階段,將采用MSAP技術。目前,MSAP已經被三星的競爭對手(SK海力士和美光)用于DDR5中。據(jù)介紹
2022-10-26 16:37:40
年底入手全球首款AI手機華為Mate 10 Pro還是值得的
Pro在原本商務的定位上又多出了一些時尚的氣息,可以說是目前設計最為精美的手機。在配置方面,華為Mate 10 Pro最大的亮點莫過于兩個方面,一個是其采用的麒麟970處理器,這是全球首款移動AI芯片
2017-11-24 16:10:21
賈躍亭宣布破產重組完成;小米發(fā)布首款OLED電視;精選資料分享
今日看點?賈躍亭宣布破產重組完成:將補償樂視網股民,打工創(chuàng)業(yè)重啟人生? 快手推出最新游戲公會政策:主播+公會綜合分成比例升至62%? 小米發(fā)布首款OLED電視:定位高端旗艦,售價129...
2021-07-30 06:10:56
高價回收海力士內存,長期收購海力士內存
,鎂光,南亞,爾必達,華邦,三星samsung,海力士SK hynix,現(xiàn)代hyniy,飛索 Spansion芯片,展訊SPREADTRUM,愛特梅爾ATMEL,英特爾intel等系列芯片...長期專業(yè)回收手機指紋、指紋芯片、定制指紋模組!
2021-08-02 17:44:42
海力士開發(fā)出微型4GB DDR2服務器專用模塊
海力士開發(fā)出采用“晶圓級封裝(WLP, Wafer Level Package)”技術的4GB DDR2微型服務器專用模塊,在全球尚屬首例。
2011-08-28 11:15:13
1113
1113SK 海力士發(fā)布全球最高密度移動 8GB DRAM
SK 海力士周一發(fā)布全球最高密度、低耗能移動 DRAM,將應用于未來智能手機上。 海力士運用雙通道 16 Gigabit 雙通道芯片打造出低耗電 DDR4X 移動 DRAM,容量達 8GB。以 LPDDR4X 標準而言,SK 海力士新內存芯片密度是全球最高,功效則較現(xiàn)有 LPDDR4 提高兩成。
2017-01-10 11:55:12
941
941三星利用二代10納米工藝研發(fā)出8Gb DDR4芯片
三星利用二代10納米工藝研發(fā)出了全球最小的DRAM芯片—8Gb DDR4芯片。其中第二代10納米級芯片相比第一代速度提升10%。
2017-12-20 15:40:33
1579
1579康寧第六代“大猩猩玻璃”遭搶 OPPO拔得頭籌
8月2日,特殊玻璃領域的領頭羊康寧公司宣布,OPPO的最新旗艦產品將成為全球首款配備康寧第六代“大猩猩玻璃”(Gorilla Glass)的智能手機。業(yè)界普遍認為,這款智能手機會是OPPO R17系列。
2018-08-07 08:53:05
5507
550710納米DRAM制程競爭升溫,SK海力士、美光加速追趕三星
)制程DRAM,目前傳出進入第三代10納米(1z)制程開發(fā)。SK海力士(SK Hynix)和美光(Micron)也在不斷加速先進制程研發(fā)速度,追趕三星,預 ... 10納米級DRAM先進制程競爭
2018-11-12 18:04:02
533
533SK海力士研發(fā)完成基于1Ynm工藝的DDR4 DRAM芯片
11月12日消息,SK Hynix(SK海力士)宣布研發(fā)完成基于1Ynm工藝的8Gb(1GB)容量DDR4 DRAM芯片。
2018-11-13 09:50:35
8288
8288SK海力士發(fā)布標準DDR5 DRAM內存顆粒 并擁有最多32個Bank
SK海力士官方宣布,公司已經研發(fā)出單顆容量16Gb(2GB)的下一代DDR5 DRAM內存顆粒,且是首款滿足JEDEC標準規(guī)范的DDR5。
2018-11-17 11:47:49
5459
5459韓國公司生產的DRAM(內存)芯片已經占到全球市場的75%
今年11月15日,SK海力士發(fā)布第一個符合JEDEC規(guī)格的DDR5 DRAM,而三星則在7月份成功開發(fā)出10nm級別的LPDDR5 DRAM,在技術上進一步領先于世界同類企業(yè)。據(jù)業(yè)內人士介紹,SK
2018-11-23 17:27:11
8023
8023SK海力士主力產品DRAM的價格正急劇下跌
受到移動舍必需求鈍化、庫存屯積的影響,SK海力士主力產品DRAM的價格正急劇下跌,外界觀測指出,接連刷新營業(yè)利益紀錄的SK海力士,這次恐怕無法再締新猷。
2019-01-22 15:35:13
1058
1058小米產品總監(jiān)回應小米9為什么不用第六代屏幕指紋
2月19日消息,有網友在小米公司產品總監(jiān)王騰微博下評論:“人家隔壁都官員要出第六代屏幕指紋了,滕總不科普下小米9不用的原因嗎?”(iQOO新機將搭載第六代屏幕指紋,這可能是全球首款使用第六代屏幕指紋識別的智能手機)。
2019-02-20 09:14:36
6671
6671SK海力士著手DDR6的研發(fā) DRAM技術再一次實現(xiàn)突破
據(jù)外媒消息,第二大DRAM芯片廠商SK海力士已著手第六代DDR內存即DDR6的研發(fā),預期速率12Gb/s,也就是DDR6-12000。
2019-01-30 15:06:56
1098
1098三星宣布開發(fā)出業(yè)內首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內存芯片
3月21日,三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內存芯片,將服務于高端應用場景,這距離三星量產1y nm 8Gb DDR4內存芯片僅過去16個月。
2019-03-21 16:43:08
3840
3840SK海力士跨向1ynm內存時代 提高DRAM內存芯片產能
SK海力士近日宣布,將在提高第一代10nm級工藝(1xnm) DRAM內存芯片產能的同時,今年下半年開始銷售基于第二代10nm級工藝(1ynm)的內存芯片,并為下代內存做好準備。SK海力士首款
2019-05-14 10:40:00
3315
3315SK海力士宣布開發(fā)適用第三代1Z納米的16Gb DDR4 DRAM
10月21日,SK海力士宣布開發(fā)適用第三代1Z納米的16Gb(Gigabits)DDR4(Double Data Rate 4) DRAM。
2019-10-21 16:10:36
3786
3786SK海力士詳細介紹16Gb DDR5 新一代DRAM將重振內存市場
SK海力士所研發(fā)的行業(yè)內首個五代雙倍速率(DDR5) DRAM, 達到了電子工程設計發(fā)展聯(lián)合協(xié)會(Joint Ele ctron Device Engineering Council,簡稱JEDEC) 標準, 這項技術正在DRAM市場開拓一片新天地。
2019-10-29 16:16:37
4434
4434SK海力士推出新型DRAM 號稱創(chuàng)下業(yè)內單芯最大密度記錄
SK 海力士公司宣布,其已成功開發(fā)出 1Znm 16GB DDR4 動態(tài)隨機存儲器(DRAM),創(chuàng)下了業(yè)內單芯最大密度的紀錄。與上一代 1Y nm 產品相比,其產能提升約 27%,因其無需昂貴的極紫外(EUV)光刻加持,因此更具成本競爭優(yōu)勢。
2019-11-19 11:08:21
941
941SK海力士最新DDR5 EEC內存條,性能有巨大的提升
根據(jù)Tom's Hardware的報道,SK 海力士在CES 2020上展示了最新的DDR5 EEC內存條,速度達到了DDR5-4800 MHz。
2020-01-09 14:36:37
6005
6005SK海力士最新DDR5 EEC內存條展示,采用1znm內存制造工藝制造
根據(jù)消息報道,SK 海力士在CES 2020上展示了最新的DDR5 EEC內存條,速度達到了DDR5-4800 MHz。
2020-01-09 15:17:13
4790
4790SK海力士展示單條64GB DDR5內存 頻率最高可達6400MHz
CES 2020展會上,存儲大廠SK海力士拿出了不少有趣的產品,包括DDR5內存、LPDDR5內存、4D NAND SSD固態(tài)盤。
2020-01-13 10:07:23
5789
5789全球首款低功耗DDR5 DRAM芯片交付 將率先搭載于小米10智能手機
Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達克股票代碼:MU)今日宣布已交付全球首款量產的低功耗 DDR5 DRAM 芯片,并將率先搭載于即將上市的小米 10
2020-02-24 15:39:17
1117
1117大多DRAM廠商DDR5相應產品發(fā)售,DDR5能成為市場的主流嗎
目前,DRAM廠商三星電子、SK海力士、美光科技等廠商都已提出DDR5/LP DDR5的產品規(guī)劃并發(fā)布相應產品。美光科技更是于日前宣布交付全球首款量產化的LPDDR5,將搭載于即將上市的小米10智能手機之上。
2020-03-01 18:56:43
3479
3479SK海力士DDR5內存細節(jié)公布 內存頻率最高可達8400MHz且單條內存最大可到128GB
盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會尚未敲定DDR5內存標準的最終細節(jié),但作為聯(lián)合制定者的韓國SK海力士率先將自家產品細節(jié)公之于眾。
2020-04-03 10:17:21
5281
5281SK海力士DDR5內存可到128GB
盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會尚未敲定DDR5內存標準的最終細節(jié),但作為聯(lián)合制定者的韓國SK海力士率先將自家產品細節(jié)公之于眾。
2020-04-03 15:58:48
3511
3511SK海力士公布DDR5內存標準,單條內存最大可到128GB
盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會尚未敲定DDR5內存標準的最終細節(jié),但作為聯(lián)合制定者的韓國SK海力士率先將自家產品細節(jié)公之于眾。
2020-04-03 17:05:54
7321
7321SK海力士正式宣布年底前量產并提供業(yè)界頻率達到8400MHz的DDR5存儲器
韓國存儲器大廠SK海力士在2020年的CES上曾經展出過64GB的DDR5-4800存儲器,其頻寬和容量均比現(xiàn)在的DDR4高出不少,因此備受業(yè)界的期待。如今,SK海力士正式宣布,將在年底前量產并提
2020-04-07 14:34:27
1210
1210全球首款64GB DDR5 RAM:未來將成為個人電腦實際標準
SK Hynix 韓國芯片制造商SK Hynix日前發(fā)布了全球首款64GB DDR5 RAM模塊,這標志著與自2013年以來主導PC內存的DDR4 DIMMs相比又邁出了一大步。DDR5
2020-10-20 14:01:29
4609
4609新一代的DRAM將面臨哪些挑戰(zhàn)?
10月6日,全球首款DDR5 DRAM正式由SK海力士推出。這款次世代的存儲器將數(shù)據(jù)傳輸速率提升到4,800 ~ 5,600Mbps,比前一代DDR4增加了1.8倍。最大5,600Mbps的傳輸速率
2020-12-14 11:33:12
3267
3267制造商SK海力士新建工廠的規(guī)劃獲得韓國政府批準
達到 415 萬平方米,計劃主要生產 DRAM 芯片,定于 2021 年第四季度開工,2025 年建成投產。這一大型工廠將包含四個晶圓加工廠,每個月產量為 80 萬片。 IT之家此前報道,SK 海力士近日表示,將在未來 10 年內開發(fā) 10nm 以下制程工藝的 DRAM 芯片,以及 600 層堆疊的
2021-04-13 11:29:49
2778
2778SK海力士成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM 內存芯片
韓國SK海力士公司剛剛正式宣布已經成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內存芯片,可以實現(xiàn)24GB的業(yè)界最大的容量。HBM3 DRAM內存芯片帶來了更高的帶寬,每秒處理819GB的數(shù)據(jù),相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:14
2672
2672SK首次提供24Gb DDR5樣品 美光推出全新20代PCI SSD
SK海力士宣布提供業(yè)界內DRAM單一芯片容量最大的24Gb DDR5樣品。24Gb DDR5產品采用了EUV工藝的第四代10納米級(1a)技術,相較第二代10納米級(1y)DDR5產品單一芯片容量從16Gb提升至24Gb,從而改善了生產效率,其速度提升高達33%。
2022-03-29 17:20:52
2205
2205SK海力士和Solidigm共同開發(fā)新SSD ,希捷與群聯(lián)擴充企業(yè)級SSD產品
SK海力士和Solidigm 今日首次公開了兩家公司共同開發(fā)的新企業(yè)級SSD(eSSD)產品-P5530。
2022-04-07 15:35:27
7386
7386SK海力士研發(fā)全球首款業(yè)界最高層數(shù)的238層NAND閃存
SK海力士在美國圣克拉拉舉行的2022閃存峰會(Flash Memory Summit 2022)上首次亮相了238層NAND閃存新產品。
2022-08-04 15:53:49
15867
15867SK海力士開發(fā)出業(yè)界最快的服務器內存模組MCR DIMM
2022年12月8日 /美通社/ -- SK海力士(或‘公司', www.skhynix.com )今日宣布成功開發(fā)出DDR5多路合并陣列雙列直插內存模組(MCR DIMM, Multiplexer
2022-12-09 20:40:31
2118
2118三星首款12納米級DDR5 DRAM開發(fā)成功
-三星電子新款DRAM將于2023年開始量產,以優(yōu)異的性能和更高的能效,推動下一代計算、數(shù)據(jù)中心和AI應用的發(fā)展 官方發(fā)布? ? 2022年12月21日,三星電子宣布,已成功開發(fā)出其首款采用12納米
2022-12-21 11:08:29
1205
1205三星電子首款12納米級DDR5 DRAM開發(fā)成功
款采用12納米(nm)級工藝技術打造的16 Gb DDR5 DRAM,并與AMD一起完成了兼容性方面的產品評估。 三星電子首款12納米級DDR5 DRAM 三星電子高級副總裁兼DRAM產品與技術負責人
2022-12-21 21:19:54
1342
1342
SK海力士第四代10納米級DDR5服務器DRAM全球首獲英特爾認證
處理器(代號為Sapphire Rapids)兼容認證。 全球首獲英特爾認證SK海力士第四代10納米級DDR5服務器DRAM_1 全球首獲英特爾認
2023-01-12 21:32:26
1496
1496SK海力士推出全球最快移動DRAM——LPDDR5T
繼SK海力士在去年11月推出的移動DRAM LPDDR5X*,將其性能提升成功開發(fā)出了LPDDR5T。本次產品的速度比現(xiàn)有產品快13%,運行速度高達9.6Gbps(Gb/s)。公司為了強調其超高速度特性,命名時在規(guī)格名稱“LPDDR5”上加以“Turbo(渦輪增壓)”作為了后綴。
2023-01-30 11:21:33
2449
2449SK海力士季度虧損創(chuàng)紀錄 sk海力士2022年財報難看
被壓制,消費電子市場更是暴雷不斷,SK 海力士的大部分利潤來自于銷售內存芯片。對于虧損SK海力士稱第四季度虧損主要原因是電腦和智能手機的需求低迷導致存儲芯片需求減少;疊加芯片價格大幅下滑導致。 內存芯片行業(yè)面臨著嚴重供需失衡,而鑒
2023-02-01 16:52:12
3954
3954
SK海力士發(fā)布全球首款321層NAND!
SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存,成為業(yè)界首家開發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品,并介紹了開發(fā)進展情況。
2023-08-10 16:01:47
1992
1992SK海力士開發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E
sk海力士表示:“以唯一批量生產hbm3的經驗為基礎,成功開發(fā)出了世界最高性能的擴展版hbm3e。“將以業(yè)界最大規(guī)模的hbm供應經驗和量產成熟度為基礎,從明年上半年開始批量生產hbm3e,鞏固在針對ai的存儲器市場上的獨一無二的地位?!?/div>
2023-08-21 09:21:49
1808
1808Meta、英偉達相繼拜訪SK海力士,要求額外供應DDR5/HBM
meta是SK海力士的主要顧客之一,正在購買為構建和擴張數(shù)據(jù)中心的企業(yè)用ssd (ssd)和服務器dram。據(jù)悉,對ai服務器投入大量資金的meta還要求sk海力士追加提供高性能、高效率的ddr5服務器dram。
2023-08-30 10:03:33
1393
1393三星電子和SK海力士計劃四季度全面提高DDR5產量
SK海力士同樣也在籌備提高DDR5產品比重。其已在今年5月開發(fā)出10nm級第5代(1b)DDR5,供應給英特爾。韓國投資證券分析師預計,由于DDR5需求高漲,拉動產品平均銷售單價,SK海力士DRAM業(yè)務有望加快轉虧為盈,公司整體業(yè)績也有望提前擺脫虧損。
2023-10-24 14:50:16
899
899SK海力士全球最高速LPDDR5T移動DRAM與高通完成性能驗證
完成與高通最新移動處理器的兼容性驗證,正式開始向客戶提供產品 "將通過加強與高通的合作,實現(xiàn)智能手機發(fā)展為AI時代的核心應用。" 韓國首爾2023年10月25日?/美通社/ -- SK海力士25日
2023-10-25 18:17:54
1829
1829
SK海力士三季度虧損97億元,SK海力士確認反對西數(shù)與鎧俠合并
SK海力士稱,由于高性能半導體存儲器產品的市場需求增加,公司業(yè)績開始持續(xù)改善。尤其是面向人工智能的存儲器產品,如HBM3、高容量DDR5 DRAM和高性能移動DRAM等,銷售表現(xiàn)良好。因此與上一季度相比,營業(yè)收入增長了24%,營業(yè)虧損減少了38%。
2023-10-31 17:02:28
1269
1269SK海力士全面推進全球最高速率LPDDR5T DRAM商用化
據(jù)sk海力士透露,LPDDR5T是迄今為止最能大幅提高智能手機性能的存儲產品中速度最快的產品。公司方面強調說,將繼續(xù)擴大產品適用范圍,引領移動dram領域的升級。
2023-11-13 10:32:31
1819
1819瀾起科技榮獲SK海力士“最佳供應商獎”
SK海力士提供優(yōu)質的產品和服務。從DDR4世代跨越到DDR5世代,瀾起科技與SK海力士合作的產品涵蓋DDR4、DDR5內存接口芯片及DDR5內存模組配套芯片。 隨著人工智能、機器學習等異構計算飛速發(fā)展,CXL作為一種全新的高速互連協(xié)議迅速崛起,吸引業(yè)界各大廠商爭
2023-12-04 09:02:37
2065
2065SK海力士:挑戰(zhàn)美國限制,推進中國半導體技術升級
無錫工廠是SK海力士的核心生產基地,其產量約占公司DRAM總產量的40%。目前,無錫工廠正在生產兩款較舊的10納米DRAM。
2024-01-16 10:45:25
865
865SK海力士持續(xù)投資無錫的原因
無錫工廠是SK海力士的核心生產基地,其產量約占公司DRAM總產量的40%。目前,無錫工廠正在生產兩款較舊的10nm制程DRAM。
2024-01-31 11:23:05
1539
1539AI需求激增,三星與SK海力士計劃增產高價值DRAM
趨勢,半導體巨頭三星電子和SK海力士正考慮增加工廠的半導體晶圓投入量,以加速向更先進的10納米第四代(1a)和第五代(1b)版本的過渡。
2024-03-06 10:49:49
1263
1263剛剛!SK海力士出局!
在基礎晶圓上通過硅通孔(TSV)連接多層DRAM,首批HBM3E產品均采用8層堆疊,容量為24GB。SK海力士和三星分別在去年8月和10月向英偉達發(fā)送了樣品。此前有消息稱,英偉達已經向SK海力士支付了約合5.4億至7.7億美元的預付款,供應下一代HBM3E。 SK海力士和三星都在推進12層
2024-03-27 09:12:08
1225
1225SK海力士與臺積電共同研發(fā)HBM4,預計2026年投產
自 HBM3E(第五代 HBM 產品)起,SK海力士的 HBM 產品基礎裸片均采用自家工藝生產;然而,從 HMB4(第六代 HBM 產品)開始,該公司將轉用臺積電的先進邏輯工藝。
2024-04-19 10:32:07
1374
1374SK海力士考慮新建DRAM工廠
SK海力士,作為全球領先的內存芯片制造商,正在積極考慮建設一家新的DRAM工廠。這一決策源于其現(xiàn)有的龍仁芯片集群投產計劃的推遲,以及對今年內存芯片需求大幅增長的預測。
2024-05-06 10:52:02
982
982SK海力士提前完成HBM4內存量產計劃至2025年
SK海力士宣布,計劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產品,而16層堆疊版本的推出將會稍后。根據(jù)該公司上月與臺積電簽署的HBM基礎裸片合作協(xié)議,原本預計HBM4內存要等到2026年才會問世。
2024-05-06 15:10:21
1338
1338SK海力士推出新一代移動端NAND閃存解決方案ZUFS 4.0
今日,SK海力士公司宣布了一項革命性的技術突破,他們成功研發(fā)出了面向端側(On-Device)AI應用的全新移動端NAND閃存解決方案——“ZUFS(Zoned UFS)4.0”。這款產品的推出,標志著SK海力士在閃存技術領域的又一次飛躍。
2024-05-09 11:00:30
1175
1175漲價20%!三星、 SK 海力士將停止供貨這類芯片
業(yè)界傳出,全球前二大DRAM供貨商三星、SK海力士全力沖刺高帶寬內存(HBM)與主流DDR5規(guī)格內存,下半年起將停止供應DDR3利基型DRAM,引起市場搶貨潮,導致近期DDR3價格飆漲,最高漲幅達二成,且下半年報價還會再上揚。
2024-05-14 10:31:58
877
877SK海力士HBM4E內存2025年下半年采用32Gb DRAM裸片量產
值得注意的是,目前全球三大內存制造商都還未開始量產1c nm(第六代10+nm級)制程DRAM內存顆粒。早前報道,三星電子與SK海力士預計今年內實現(xiàn)1c nm DRAM的量產,而美光則需等到明年。新一代顆粒有望在密度和能效方面取得顯著進步。
2024-05-14 14:56:27
1657
1657三星和SK海力士下半年停產DDR3內存
近日,三星和SK海力士宣布,將于下半年停止生產并供應DDR3內存,轉向利潤更高的DDR5內存和HBM系列高帶寬內存。此舉標志著內存行業(yè)的一次重要轉型。
2024-05-17 10:12:21
1563
1563SK海力士引入創(chuàng)新MOR技術于DRAM生產
SK海力士在半導體領域再次邁出創(chuàng)新步伐,計劃在其第6代(1c工藝,約10nm)DRAM的生產中,首次采用Inpria的下一代金屬氧化物光刻膠(MOR)。這一突破性的應用標志著MOR技術正式進入DRAM量產工藝。
2024-05-30 11:02:58
1506
1506TLB成功開發(fā)出CXL內存模塊PCB,并向三星和SK海力士提供首批樣品
近日,韓國上市PCB制造商TLB (KOSDAQ:356860)成功開發(fā)出CXL內存模塊PCB,并已獨家向三星電子和SK海力士提供了6款以上的首批樣品。
2024-05-30 11:30:34
2156
2156SK海力士加大1b DRAM產能以滿足市場需求
在全球半導體產業(yè)風起云涌的當下,SK海力士再次展現(xiàn)出其前瞻性和決斷力。據(jù)行業(yè)內部消息透露,該公司正積極擴大其第5代1b DRAM的生產規(guī)模,以應對當前市場對HBM(高帶寬內存)及DDR5 DRAM不斷增長的需求。
2024-06-17 16:30:50
1183
1183SK海力士擴產1b DRAM,引領存儲行業(yè)新熱潮
在6月17日傳來的最新消息中,全球知名的半導體制造商SK海力士正積極布局,大力擴展其第5代1b DRAM的生產規(guī)模。這一舉措旨在應對日益增長的高帶寬內存(HBM)和DDR5 DRAM的市場需求,進一步鞏固其在存儲領域的領先地位。
2024-06-17 16:50:02
1580
1580SK海力士5層堆疊3D DRAM制造良率已達56.1%
在全球半導體技術的激烈競爭中,SK海力士再次展示了其卓越的研發(fā)實力與創(chuàng)新能力。近日,在美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上,SK海力士宣布了其在3D DRAM技術領域的最新研究成果,其中5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%,這一突破性的進展引起了業(yè)界的廣泛關注。
2024-06-27 10:50:22
1473
1473SK海力士DDR5芯片價格或將大幅上漲
近日,據(jù)外媒報道,SK海力士已宣布將其DDR5 DRAM芯片價格上調15%至20%,這一舉動在業(yè)界引起了廣泛關注。供應鏈內部人士透露,此次漲價的主要原因在于HBM3/3E產能的大幅擴張,對DDR5的生產資源造成了明顯擠占。
2024-08-14 15:40:46
1516
1516SK海力士轉向4F2 DRAM以降低成本
SK海力士近日宣布了一項重要計劃,即開發(fā)采用4F2結構(垂直柵)的DRAM。這一決策緊跟其競爭對手三星的步伐,標志著SK海力士在DRAM制造領域的新探索。SK海力士研究員表示,隨著極紫外(EUV
2024-08-14 17:06:43
1670
1670DDR5內存面臨漲價潮,存儲巨頭轉向HBM生產
近日,存儲芯片市場傳來重大消息,SK海力士正式通知市場,其DDR5內存產品將漲價15%至20%,這一舉動無疑給市場投下了一枚震撼彈。此次漲價的根源在于,SK海力士、美光、三星等存儲芯片巨頭紛紛調整
2024-08-15 10:19:21
2754
2754DRAM大廠第三季DDR5價格大幅上調
近日,DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)市場傳來重磅消息,由于服務器需求持續(xù)強勁及產能排擠效應顯著,多家大廠決定在第三季度對DDR5內存價格進行新一輪調整。據(jù)供應鏈最新消息,三星電子與SK海力士這兩大DRAM巨頭已正式發(fā)出通知,宣布DDR5內存的單季價格將實現(xiàn)15%以上的顯著上漲。
2024-08-21 15:40:01
1224
1224SK海力士開發(fā)出第六代10納米級DDR5 DRAM
SK海力士宣布了一項重大技術突破,成功開發(fā)出全球首款采用第六代10納米級(1c)工藝的16Gb DDR5 DRAM。這一里程碑式的成就標志著SK海力士在半導體存儲技術領域的領先地位。
2024-08-29 16:39:15
1255
1255SK海力士CXL方案成功融入Linux系統(tǒng)
韓國首爾,2024年9月23日訊 —— SK海力士今日宣布了一項重大技術突破,其自主研發(fā)的異構存儲器軟件開發(fā)套件(Heterogeneous Memory S/W Development Kit
2024-09-23 14:23:44
1328
1328SK海力士推出48GB 16層HBM3E產品
近日在一次科技展覽上,SK海力士驚艷亮相,展出了全球首款48GB 16層HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)產品。這一突破性產品不僅展示了SK海力士在高端存儲技術領域
2024-11-05 15:01:20
1231
1231SK海力士調整生產策略,聚焦高端存儲技術
限的產能轉向更高端的產品線,如人工智能用存儲器及先進DRAM產品。 SK海力士的這一決策可能與其重點發(fā)展高端存儲技術研發(fā)和生產有關。近日,該公司對外展示了全球首款48GB 16層HBM3E產品,該產品在容量和層數(shù)上均達到了業(yè)界最高水平。這一成果不僅彰顯了SK海力士
2024-11-07 11:37:18
1276
1276SK海力士展出全球首款16層HBM3E芯片
在近日舉行的SK AI峰會上,韓國存儲巨頭SK海力士向全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產品。這一產品的推出,標志著SK海力士在高端存儲技術領域的又一次重大突破。
2024-11-13 14:35:05
1189
1189SK海力士完成2025年度組織及人事大調整
SK海力士公司近日正式宣布,其2025年度的組織調整及人事任命工作已圓滿結束。此次調整,SK海力士引入了以C級(首席級別)為核心的管理體系,旨在通過明確各核心部門的責任和權限,推動公司決策流程的加速
2024-12-06 13:46:34
2224
2224SK海力士HBM技術的發(fā)展歷史
SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領域領導地位方面,HBM1無疑發(fā)揮了決定性作用。無論是率先開發(fā)出全球首款最高性能的HBM,還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領先地位,這些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一個團隊”協(xié)作精神(One Team Spirit)。
2025-06-18 15:31:02
1667
1667瑞薩電子推出第六代DDR5 RCD,傳輸速率達9600MT/s
電子發(fā)燒友網綜合報道 日前,瑞薩電子宣布推出業(yè)界首款面向DDR5寄存雙列直插式內存模塊(RDIMM)的第六代(Gen6)寄存時鐘驅動器(RCD),這款全新RCD率先實現(xiàn)了9600兆傳輸/秒(MT/s
2025-11-19 15:59:05
5454
5454
電子發(fā)燒友App


評論