據(jù)5月14日消息，韓國SK海力士在IEEE IMW國際存儲研討會上宣布HBM4E內(nèi)存的開發(fā)周期有望縮短至一年，并進(jìn)一步透露相關(guān)細(xì)節(jié)。公司技術(shù)專家Kim Kwi Wook表示，計劃采用1c nm制程的32Gb DRAM裸片來制造HBM4E內(nèi)存。

值得注意的是，目前全球三大內(nèi)存制造商都還未開始量產(chǎn)1c nm（第六代10+nm級）制程DRAM內(nèi)存顆粒。早前報道，三星電子與SK海力士預(yù)計今年內(nèi)實現(xiàn)1c nm DRAM的量產(chǎn)，而美光則需等到明年。新一代顆粒有望在密度和能效方面取得顯著進(jìn)步。

關(guān)于SK海力士是否會在HBM4上更新DRAM裸片制程，目前尚無確切消息。韓媒The Elec近期報道指出，鑒于SK海力士已將HBM4量產(chǎn)時間提前至2025年下半年，繼續(xù)沿用1b nm顆粒更為合理。

當(dāng)前市場主流的HBM3E產(chǎn)品均采用24Gb DRAM顆粒，使其在8層堆疊下可達(dá)24GB單堆棧容量；若采用12層堆疊，HBM3E堆棧容量可增至36GB。

而未來的HBM4E內(nèi)存升級至32Gb DRAM裸片后，12層堆疊版將實現(xiàn)48GB單顆容量，16層版甚至可達(dá)到64GB的驚人規(guī)模，為AI應(yīng)用提供更大空間。

Kim Kwi Wook預(yù)測，HBM4E內(nèi)存相較于HBM4，帶寬將提升40%，密度增加30%，能效亦提高30%。對于鍵合技術(shù)路線，他表示混合鍵合存在良率問題，SK海力士在下一代HBM4產(chǎn)品中采用此技術(shù)的可能性較小。