SK海力士轉向4F2 DRAM以降低成本
SK海力士近日宣布了一項重要計劃，即開發(fā)采用4F2結構（垂直柵）的DRAM。這一決策緊跟其競爭對手三星的步伐，標志著SK海力士在DRAM制造領域的新探索。SK海力士研究員表示，隨著極紫外（EUV）工藝成本的不斷攀升，自1c DRAM商業(yè)化以來，傳統(tǒng)制造工藝的經濟性正受到嚴峻挑戰(zhàn)。因此，公司決定嘗試4F2結構DRAM，旨在通過技術創(chuàng)新來縮減成本。
4F2結構DRAM作為一種先進的內存制造技術，通過垂直堆疊晶體管來優(yōu)化單元陣列結構，有效減少了芯片表面積，提升了制造效率。SK海力士此舉不僅體現了其對技術前沿的敏銳洞察，也彰顯了公司在面對成本壓力時的靈活應對能力。未來，隨著4F2結構DRAM的推出，SK海力士有望進一步提升市場競爭力，推動行業(yè)成本優(yōu)化和技術進步。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
DRAM
+關注
關注
41文章
2394瀏覽量
189180 -
SK海力士
+關注
關注
0文章
1007瀏覽量
41658 -
三星
+關注
關注
1文章
1767瀏覽量
34229
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
KV緩存黑科技！SK海力士“H3存儲架構”，HBM和HBF技術加持！
據韓國經濟日報報道，SK海力士近日在IEEE（電氣與電子工程師協(xié)會）全球半導體大會上發(fā)表論文，提出了一種全新的存儲架構。據悉，該架構名為“H3（hybrid semiconductor
SK海力士HBS存儲技術，基于垂直導線扇出VFO封裝工藝
電子發(fā)燒友網綜合報道，據韓媒報道，存儲行業(yè)巨頭SK海力士正全力攻克一項全新的性能瓶頸技術高帶寬存儲HBS。 ? SK海力士研發(fā)的這項HBS技術采用了創(chuàng)新的芯片堆疊方案。根據規(guī)劃，該技術
SK海力士發(fā)布未來存儲路線圖
電子發(fā)燒友網綜合報道，近日，韓國首爾舉行的“SK AI Summit 2025”峰會上，SK海力士CEO郭魯正（Kwak Noh-Jung）正式宣布了公司向 “全線AI存儲創(chuàng)造者”（Full
SK海力士ZUFS 4.1閃存，手機端AI運行時間縮短47%！
電子發(fā)燒友網綜合報道，SK海力士宣布，已正式向客戶供應其全球率先實現量產的移動端NAND閃存解決方案產品ZUFS 4.1。 ? SK海力士通過與客戶的密切合作，于今年6月成功完成了該產
SK海力士宣布量產HBM4芯片，引領AI存儲新變革
在人工智能（AI）技術迅猛發(fā)展的當下，數據處理與存儲能力成為制約其進一步飛躍的關鍵因素。2025 年 9 月 12 日，韓國半導體巨頭 SK 海力士宣布，已成功完成面向 AI 的超高性能存儲器新產品
SK海力士321層4D NAND的誕生
SK海力士致力于成為“全方位面向AI的存儲器供應商（Full Stack AI Memory Provider）”，不僅在DRAM領域持續(xù)創(chuàng)新，在NAND閃存（NAND Flash，以下簡稱NAND
SK海力士在微細工藝技術領域的領先實力
SK海力士的成功神話背后，離不開眾多核心技術的支撐，其中最令人矚目的便是“微細工藝”。通過對肉眼難以辨識的微細電路進行更為精細化的處理，SK海力士憑借壓倒性的技術實力，引領著全球半導體
SK海力士HBM技術的發(fā)展歷史
SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領域領導地位方面，HBM1無疑發(fā)揮了決定性作用。無論是率先開發(fā)出全球首款最高性能的HBM，還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領先地位，這些成就的背后皆源于SK
SK海力士宋清基TL榮庸發(fā)明日銅塔產業(yè)勛章
SK海力士宣布，5月19日于首爾COEX麻谷會展中心舉行的“第60屆發(fā)明日紀念儀式”上，來自HBM開發(fā)部門的宋清基TL榮庸銅塔產業(yè)勛章。
SK海力士如何成為面向AI的存儲器市場領跑者
近年來，SK海力士屢獲創(chuàng)新成果，這些成就皆得益于“一個團隊”協(xié)作精神（One Team Spirit）”。無論是創(chuàng)下歷史最佳業(yè)績、開發(fā)出全球領先產品，還是躍升成為全球頂級面向AI的存儲器供應商，這些
SK海力士UFS 4.1來了，基于321層1Tb TLC 4D NAND閃存
電子發(fā)燒友網綜合報道，SK海力士宣布公司成功開發(fā)出搭載全球最高321層1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND閃存的移動端解決方案產品UFS 4.1
SK海力士以基于AI/DT的智能工廠推動HBM等核心產品的營收增長
近日，SK海力士宣布，在首爾江南區(qū)韓國科學技術會館舉行的“2025年科學?信息通訊日紀念儀式”上，公司數字化轉型組織的都承勇副社長榮獲了科學技術信息通信部頒發(fā)的銅塔產業(yè)勛章。
英偉達供應商SK海力士盈利大增158%
得益于AI需求的有力推動；高帶寬內存(HBM)需求持續(xù)暴漲，這帶動了英偉達供應商SK海力士盈利大增158%。 據SK海力士公布的財務業(yè)績數據顯示，在2025年第一季度
SK海力士強化HBM業(yè)務實力的戰(zhàn)略規(guī)劃
隨著人工智能技術的迅猛發(fā)展，作為其核心支撐技術的高帶寬存儲器（以下簡稱HBM）實現了顯著的增長，為SK海力士在去年實創(chuàng)下歷史最佳業(yè)績做出了不可或缺的重要貢獻。業(yè)內普遍認為，SK海力士的
SK海力士已完成收購英特爾NAND業(yè)務部門的第二（最終）階段交易
3 月 28 日消息，根據 SK 海力士向韓國金融監(jiān)管機構 FSS 披露的文件，該企業(yè)已在當地時間今日完成了收購英特爾 NAND 閃存及 SSD 業(yè)務案的第二階段，交易正式完成。 這筆交易
工商網監(jiān)
評論