4G牌照的發(fā)放為業(yè)界帶來(lái)一片光明。發(fā)牌既標(biāo)志著4G新時(shí)代的開(kāi)篇，也是我國(guó)在3G時(shí)代技術(shù)積淀收獲的“碩果”。幾度浮沉的芯片廠商，或?qū)⒃谛碌臅r(shí)間節(jié)點(diǎn)下完成新的“使命必達(dá)”。

　　邁向新制程

　　隨著TD-LTE產(chǎn)業(yè)成熟和商用推廣，未來(lái)TD-LTE芯片和終端需進(jìn)一步提升性能，TD-LTE芯片將逐漸向28nm演進(jìn)。

　　全產(chǎn)業(yè)鏈的相對(duì)成熟是4G發(fā)牌時(shí)必需的考量，雖然在芯片環(huán)節(jié)還受限于多模多頻的挑戰(zhàn)，但一個(gè)顯見(jiàn)的事實(shí)是制程工藝成熟度的提升是突破這一瓶頸的關(guān)鍵。大唐電信集團(tuán)董事長(zhǎng)真才基就對(duì)《中國(guó)電子報(bào)》記者表示，從芯片角度來(lái)看，4G終端芯片將聚集在28nm制程，中芯國(guó)際的28nm技術(shù)已經(jīng)成熟，能夠與4G發(fā)展的要求相匹配。希望中國(guó)4G終端芯片能夠較長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定在28nm工藝上發(fā)展，因其產(chǎn)業(yè)化平臺(tái)越長(zhǎng)，對(duì)提高終端供給能力越有好處。

　　在3G時(shí)代早期，多模TD芯片廠商基本采用65nm甚至90nm制程，導(dǎo)致成本功耗居高不下，一直阻礙著TD-SCDMA的發(fā)展。但隨著TD—LTE時(shí)代的到來(lái)，隨著多模多頻基帶以及平臺(tái)芯片復(fù)雜度的提高，以及成本、功耗要求的不斷提高，如果說(shuō)TD-LTD芯片的發(fā)展要汲取教訓(xùn)的話，那顯然28nm制程將成為未來(lái)芯片廠商采取的主要技術(shù)。

　　聯(lián)芯科技副總裁劉積堂也強(qiáng)調(diào)，對(duì)于TD-LTE芯片市場(chǎng)來(lái)說(shuō)，在產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期，基于40nm工藝芯片的數(shù)據(jù)類終端可以滿足TD-LTE應(yīng)用需求。隨著TD-LTE產(chǎn)業(yè)成熟和商用推廣，未來(lái)TD-LTE芯片和終端需進(jìn)一步提升性能，TD-LTE芯片將逐漸向28nm演進(jìn)，以提供更佳的用戶體驗(yàn)。聯(lián)芯正在研發(fā)的四核五模十頻TD-LTE芯片預(yù)計(jì)年底推出，將采用28nm工藝。

　　締造新空間

　　LTE FDD牌照暫未發(fā)放，以及中移動(dòng)TD-LTE終端策略的改變，為國(guó)內(nèi)芯片帶來(lái)一個(gè)“拾遺補(bǔ)缺”的“空間”。

　　在4G牌照中，中國(guó)移動(dòng)、中國(guó)聯(lián)通、中國(guó)電信首批均獲得TD-LTE網(wǎng)絡(luò)經(jīng)營(yíng)許可，LTE FDD牌照暫未發(fā)放，這為國(guó)內(nèi)芯片帶來(lái)一個(gè)“拾遺補(bǔ)缺”的“空間”。TD產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟秘書(shū)長(zhǎng)楊驊就曾指出，國(guó)內(nèi)企業(yè)由于緊靠中國(guó)移動(dòng)的TD-SCDMA市場(chǎng)支撐，在LTE FDD領(lǐng)域積累相對(duì)不足，因而可先發(fā)展TD-LTE來(lái)滿足客戶的需求，當(dāng)發(fā)展到一定程度需要LTE FDD頻譜使用的時(shí)候，再引入LTE FDD制式，這樣就會(huì)給國(guó)內(nèi)企業(yè)一段時(shí)間去補(bǔ)LTE FDD的課，以具備為L(zhǎng)TE FDD和TD-LTE同時(shí)提供服務(wù)的能力。

　　此外，中移動(dòng)TD-LTE終端策略的改變也帶來(lái)利好。據(jù)了解，中移動(dòng)TD-LTE終端策略發(fā)生了重大調(diào)整，不再堅(jiān)持“五模十頻”的硬指標(biāo)，明年年初將會(huì)引入“三?！碑a(chǎn)品。楊驊指出，這大大降低了技術(shù)門(mén)檻，還可將4G芯片和專利費(fèi)節(jié)省下來(lái)，國(guó)內(nèi)芯片廠商也將迎來(lái)更大的發(fā)展空間。同時(shí)，這有助于中移動(dòng)推“三模”的千元智能機(jī)，加快4G普及速度。Marvell全球副總裁李春潮說(shuō)，Marvell千元采用其TD-LTE/TD-SCDMA/GSM三模芯片方案將于第一季度推出，預(yù)計(jì)明年上半年，中國(guó)就會(huì)出現(xiàn)大量千元4G手機(jī)。

　　對(duì)于另兩大運(yùn)營(yíng)商的需求，李春潮指出，中國(guó)電信對(duì)4G終端有不同需求，數(shù)據(jù)卡之類的產(chǎn)品并不需要CDMA。如果是智能終端，對(duì)4G手機(jī)的要求是同時(shí)兼容FDD-LTE、CDMA2000、GSM，Marvell的解決方案是“雙芯片”方案，比如用其PXA1088 LTE再外接CDMA的調(diào)制解調(diào)器，Marvell也會(huì)與中國(guó)電信探討合作?！爸袊?guó)聯(lián)通目前其4G終端方案與國(guó)際主流FDD運(yùn)營(yíng)商需求差別不大，Marvell目前的五模平臺(tái)可以滿足其需求。”李春潮進(jìn)一步指出，“目前，Marvell的重點(diǎn)是加強(qiáng)與中國(guó)移動(dòng)合作，按需、按時(shí)地把我們的方案推廣到市場(chǎng)上。”

　　需要注意的事，雖然國(guó)內(nèi)廠商暫時(shí)可以“放風(fēng)”，但著眼于長(zhǎng)遠(yuǎn)還是要提早布局LTE融合及演進(jìn)之道?！癟D-LTE和LTE FDD很大程度是融合的，兩種技術(shù)在L2層以上的規(guī)范都是一樣的，只是在底層幀結(jié)構(gòu)有所不同。從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，無(wú)論是4G或是將來(lái)的5G，都會(huì)在TD-LTE和LTE FDD兩種平臺(tái)平衡發(fā)展。從芯片的角度講，開(kāi)發(fā)工作要與新技術(shù)和新標(biāo)準(zhǔn)同步進(jìn)行?！?Marvell移動(dòng)產(chǎn)品總監(jiān)張路表示，“LTE在加速演進(jìn)，LTE-A明年就會(huì)在北美和歐洲開(kāi)始商用，中國(guó)芯片廠商還應(yīng)做相應(yīng)的技術(shù)儲(chǔ)備和產(chǎn)品研發(fā)。”

　　引發(fā)新挑戰(zhàn)

　　具有強(qiáng)大數(shù)據(jù)和多媒體能力的高集成度智能手機(jī)芯片將是市場(chǎng)發(fā)展的主要方向，此外，在功耗、面積、成本方面需要不斷提升。

　　TD-LTE芯片主要分成調(diào)制解調(diào)器和智能平臺(tái)這兩類形態(tài)。張路提到，調(diào)制解調(diào)器芯片主要應(yīng)用于高端智能手機(jī)，無(wú)線上網(wǎng)卡、Mi-Fi、Dongle和物聯(lián)網(wǎng)等;單芯片解決方案則應(yīng)用于手機(jī)和平板電腦等智能終端。雖然產(chǎn)品還會(huì)以這些形態(tài)出現(xiàn)，但技術(shù)還會(huì)不斷發(fā)展。

　　除了要求基帶和射頻支持多模多頻之外，從發(fā)展來(lái)看，TD-LTE智能終端還需應(yīng)用處理器具備強(qiáng)大的數(shù)據(jù)與多媒體處理能力。聯(lián)發(fā)科技中國(guó)區(qū)總經(jīng)理章維力說(shuō)，在4G時(shí)代，數(shù)據(jù)流量的爆發(fā)和智能手機(jī)多媒體化的發(fā)展成為主流特征，具有強(qiáng)大數(shù)據(jù)和多媒體能力的智能手機(jī)芯片將是市場(chǎng)發(fā)展的主要方向。

　　此外功耗的降低和芯片面積的減少也是“必由之路”。有專家指出，一方面，相比2G、3G技術(shù)，LTE高速的數(shù)據(jù)傳輸處理和特有的天線技術(shù)，都需要消耗更多的功耗，但用戶對(duì)終端設(shè)備電池續(xù)航能力的要求卻在不斷提高;另一方面，技術(shù)的復(fù)雜度也在一定程度上增加了LTE芯片的面積，隨著終端支持的頻段增多，通常射頻芯片需提供的接收通道也會(huì)增加，頻段增加影響射頻前端器件的數(shù)量，因此，多頻段引入將增加終端射頻前端器件成本。但終端設(shè)備的輕薄化和外觀設(shè)計(jì)的時(shí)尚化，都需要盡可能壓縮主板面積，功耗和面積已成為重要的挑戰(zhàn)。

　　而終端價(jià)格不斷下探的壓力也將轉(zhuǎn)移到芯片產(chǎn)業(yè)。SoC系統(tǒng)集成是關(guān)鍵，需要把周邊的芯片技術(shù)不斷整合消化，這顯著提高了門(mén)檻。李春潮表示，在4G時(shí)代芯片廠商也要注重提供交鑰匙方案，這是未來(lái)發(fā)展一大趨勢(shì)。

　　此外，4G的市場(chǎng)趨勢(shì)是面向全球市場(chǎng)的?！罢Z(yǔ)音技術(shù)方案也是TD-LTE手機(jī)發(fā)展的重要環(huán)節(jié)。從LTE FDD的商用經(jīng)驗(yàn)來(lái)看，具備語(yǔ)音和寬帶數(shù)據(jù)能力的智能手機(jī)是用戶最為滿意的終端形態(tài)?！?劉積堂提到，“因此，終端廠商選擇平臺(tái)，也將從原來(lái)的單一市場(chǎng)轉(zhuǎn)而面向全球運(yùn)營(yíng)商，作為芯片廠商就需要緊跟通信技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)演進(jìn)?！?/p>

　　成就新格局

　　未來(lái)的競(jìng)爭(zhēng)格局將發(fā)生較大變化，中國(guó)芯片廠商將快速崛起，尤其在4G中低端市場(chǎng)更將領(lǐng)先于歐美芯片廠商。

　　在4G發(fā)令槍響之后，新一輪的市場(chǎng)排位賽也拉開(kāi)帷幕。從對(duì)決來(lái)看，李春潮說(shuō)，目前在LTE芯片的國(guó)內(nèi)外廠商中，國(guó)外廠商在LTE FDD與WCDMA技術(shù)方面比較有優(yōu)勢(shì)，但在TD-SCDMA方面積累不夠。中國(guó)國(guó)內(nèi)的一些公司強(qiáng)項(xiàng)是在TD-SCDMA技術(shù)領(lǐng)域，而在LTE FDD和WCDMA技術(shù)方面還要做很多工作。

　　劉積堂說(shuō)，TD-SCDMA芯片市場(chǎng)是國(guó)際巨頭們不太看中的細(xì)分市場(chǎng)，相對(duì)國(guó)內(nèi)廠商來(lái)說(shuō)缺少積累，TD-SCDMA是國(guó)內(nèi)芯片公司難得的一個(gè)具有競(jìng)爭(zhēng)力的市場(chǎng)。而在TD-SCDMA向TD-LTE演進(jìn)中，國(guó)際巨頭開(kāi)始全面覺(jué)醒，紛紛進(jìn)入TD-LTE芯片領(lǐng)域，并且取得了后來(lái)居上的業(yè)績(jī)，國(guó)內(nèi)芯片公司在4G時(shí)代面臨的全模競(jìng)爭(zhēng)壓力是十分巨大的。

　　明年主導(dǎo)廠商在TD-LTE芯片市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)將更趨激烈。從市場(chǎng)來(lái)看，高通的優(yōu)勢(shì)明顯，但最近因中國(guó)的反壟斷調(diào)查以及中移動(dòng)終端芯片策略改變氣勢(shì)有所“收斂”。Marvell的LTE單芯片平臺(tái)在相關(guān)測(cè)試和招標(biāo)環(huán)節(jié)也表現(xiàn)搶眼，最近有多款基于Marvell的4G平臺(tái)的MiFi終端和智能手機(jī)通過(guò)了中國(guó)移動(dòng)的OT測(cè)試，成為首批上市的4G終端。英特爾方面稱，基于22nm的手機(jī)芯片組也將面世，將可體現(xiàn)出制程方面的優(yōu)勢(shì)。博通也是動(dòng)作頻頻，已推出了五模LTE芯片，體積相比業(yè)界其他解決方案小35%。

　　國(guó)外廠商在加緊布局，國(guó)內(nèi)廠商也不忘排兵布陣，海思、展訊、聯(lián)芯科技、聯(lián)發(fā)科等廠商均在全力沖刺。聯(lián)發(fā)科技今年底即將推出的LTE Modem會(huì)同時(shí)支持LTE FDD與TDD-LTE，明年上半年，基于四核或八核AP+4G Modem解決方案將進(jìn)入量產(chǎn)，最終4G SoC將于明年下半年量產(chǎn)。聯(lián)芯科技也將在年底推五模SoC智能手機(jī)芯片。

　　“在4G時(shí)代，國(guó)內(nèi)公司需要突破多模通信技術(shù)積累、巨額研發(fā)資金投入、領(lǐng)先芯片設(shè)計(jì)工藝掌握、智能芯片公司品牌的培育、操作系統(tǒng)技術(shù)把握、多媒體應(yīng)用技術(shù)創(chuàng)新等多重關(guān)口?！眲⒎e堂進(jìn)一步指出，“因?yàn)榫邆涑杀竞涂焖偈袌?chǎng)響應(yīng)的優(yōu)勢(shì)，未來(lái)的競(jìng)爭(zhēng)格局將發(fā)生較大變化，中國(guó)芯片廠商將快速崛起，尤其在4G中低端市場(chǎng)更將領(lǐng)先于歐美芯片廠商?！?/p>