圖片來(lái)源：聯(lián)電 12月2日，中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體代工廠聯(lián)電（UMC）宣布，在首次成功使用硅技術(shù)之后，其22nm制程技術(shù)已準(zhǔn)備就緒。 該公司稱，全球面積最小、使用22nm制程技術(shù)的USB 2.0通過(guò)硅驗(yàn)證
2019-12-03 09:59:41
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2022 年 4 月 21日，中國(guó)——CEA、Soitec、格芯 (GlobalFoundries) 和意法半導(dǎo)體宣布一項(xiàng)新的合作協(xié)議，四家公司計(jì)劃聯(lián)合制定行業(yè)的下一代 FD-SOI(全耗盡型
2022-04-21 17:18:484238 
意法半導(dǎo)體宣布，其28納米FD-SOI技術(shù)平臺(tái)在測(cè)試中取得又一項(xiàng)重大階段性成功:其應(yīng)用處理器引擎芯片工作頻率達(dá)到3GHz，在指定的工作頻率下新產(chǎn)品能效高于其它現(xiàn)有技術(shù)。
2013-03-13 09:40:241837 
意法半導(dǎo)體獨(dú)有的FD-SOI技術(shù)配備嵌入式存儲(chǔ)器，有望突破更高性能，以實(shí)現(xiàn)更低工作功耗和更低待機(jī)功耗。
2013-11-09 08:54:091663 2015年7月2日：格羅方德半導(dǎo)體（GLOBALFOUNDRIES）今日宣布，公司已完成對(duì)IBM微電子業(yè)務(wù)的收購(gòu)。此項(xiàng)交易為公司增添差異化技術(shù)、世界一流的技術(shù)人員和知識(shí)產(chǎn)權(quán)。
2015-07-02 16:15:191560 在我們大多數(shù)人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里，半導(dǎo)體廠商應(yīng)該不是選擇FinFET就是FD-SOI工藝技術(shù)。
2015-07-07 09:52:224208 格羅方德半導(dǎo)體自完成對(duì)IBM微電子業(yè)務(wù)的收購(gòu)，是其獲得了一系列差異化技術(shù)，可用于增強(qiáng)其公司在軍用、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、大數(shù)據(jù)和高性能計(jì)算等主要增長(zhǎng)型市場(chǎng)中的產(chǎn)品組合。
2015-07-16 09:46:291415 近日Global Foundries(以下簡(jiǎn)稱GF)宣布其14nm FinFET和22nm FD-SOI工藝都取得了突破，成功量產(chǎn)，這似乎為半導(dǎo)體代工廠GF近數(shù)年的頹勢(shì)帶來(lái)一股希望，不過(guò)在筆者看來(lái)，GF未必能就此扭轉(zhuǎn)命運(yùn)，不過(guò)是GF與那些半導(dǎo)體廠商豪門恩怨的延續(xù)。
2015-07-25 22:16:208213 半導(dǎo)體晶圓代工公司格羅方德（Globalfoundries）日前開發(fā)出支援4種技術(shù)制程的22nm FD-SOI平臺(tái)，以滿足新一代物聯(lián)網(wǎng)（IoT）裝置的超低功耗要求——這主要來(lái)自于該公司與意法半導(dǎo)體
2015-10-08 08:29:221285 Globalfoundries技術(shù)長(zhǎng)Gary Patton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽（FD-SOI）制程技術(shù)可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開發(fā)后續(xù)制程。
2016-05-27 11:17:321545 格羅方德半導(dǎo)體（GlobalFoundries）今日宣布簽署了一份諒解備忘錄，以推動(dòng)公司在中國(guó)市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)下一階段的增長(zhǎng)。格羅方德將與重慶市政府合資在中國(guó)建立一家300mm晶圓制造廠，以此擴(kuò)展全球制造布局。同時(shí)，該公司也將積極投資擴(kuò)展設(shè)計(jì)支持能力，以便更好地服務(wù)中國(guó)客戶。
2016-06-01 13:48:091945 獲得英 特爾（Intel）、三星、臺(tái)積電（TSMC）等大廠采用的FinFET制程，號(hào)稱能提供最高性能與最低功耗；但Jones指出，在約當(dāng)14納米節(jié) 點(diǎn)，FD-SOI每邏輯閘成本能比FinFET低16.8%，此外其設(shè)計(jì)成本也低25%左右，并降低了需要重新設(shè)計(jì)的風(fēng)險(xiǎn)。
2016-09-14 11:39:022462 
晶體管（FinFET）制程技術(shù)外，也投入全耗盡型絕緣層上覆硅（FD-SOI）市場(chǎng)，并推出22納米及12納米FDX制程平臺(tái)，搶攻物聯(lián)網(wǎng)商機(jī)。
2016-11-17 14:23:221271 2017年2月10日，Globalfoundries（格芯）宣布在中國(guó)成都高新西區(qū)建立12英寸代工廠，在半導(dǎo)體業(yè)界造成了巨大的影響：項(xiàng)目一期為成熟的130nm和180nm工藝，二期則為其22 FDX FD-SOI工藝，建成后年產(chǎn)能將達(dá)到100萬(wàn)片。
2017-03-08 11:21:085463 22納米 FD-SOI (22FDX)平臺(tái)的可微縮嵌入式磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器（eMRAM）技術(shù)。作為業(yè)界最先進(jìn)的嵌入式內(nèi)存解決方案，格芯22FDX eMRAM，為消費(fèi)領(lǐng)域、工業(yè)控制器、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)及汽車等廣泛應(yīng)用提供優(yōu)越的性能和卓越可靠性。 正如近期在美國(guó)所展示的，格芯22FDX eMRAM具有業(yè)界領(lǐng)先的存儲(chǔ)
2017-09-25 17:21:098685 5G時(shí)代將對(duì)半導(dǎo)體的移動(dòng)性與對(duì)物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的適應(yīng)性有著越來(lái)越高的要求。此時(shí)，FD-SOI與RF-SOI技術(shù)的優(yōu)勢(shì)日漸凸顯，人們對(duì)SOI技術(shù)的關(guān)注也與日俱增。
2017-09-29 11:22:5713150 今日，格芯 與 eVaderis共同宣布，將共同開發(fā)超低功耗MCU參考設(shè)計(jì)方案，該方案基于格芯22nm FD-SOI（22FDX?）平臺(tái)的嵌入式磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器（eMRAM）技術(shù)。雙方合作所提供的技術(shù)
2018-03-01 14:52:0611765 格芯Fab1廠總經(jīng)理兼高級(jí)副總裁Thomas Morgenstern表示，FD-SOI（全耗盡平面晶體管）工藝將是格芯當(dāng)前戰(zhàn)略中心與創(chuàng)新的源泉。
2018-09-20 09:30:1910317 今天分享另一篇網(wǎng)上流傳很廣的22nm 平面 process flow. 有興趣的可以與上一篇22nm gate last FinFET process flow 進(jìn)行對(duì)比學(xué)習(xí)。 言歸正傳，接下來(lái)介紹平面工藝最后一個(gè)節(jié)點(diǎn)22nm process flow。
2023-11-28 10:45:5117804 
，特別適用于面臨性能和功耗雙重挑戰(zhàn)的相關(guān)應(yīng)用，比如自動(dòng)駕駛、AIoT、先進(jìn)傳感器和邊緣智能等應(yīng)用。 在2024年第九屆上海FD-SOI論壇上，來(lái)自芯原股份、三星電子、意法半導(dǎo)體和IBS等公司的嘉賓著重分享了當(dāng)前FD-SOI發(fā)展的前沿信息，以及這些重點(diǎn)公司的布局。
2024-10-28 06:57:004142 
半導(dǎo)體領(lǐng)域的頂尖專家、企業(yè)高管及學(xué)術(shù)代表，圍繞 FD-SOI （全耗盡絕緣體上硅）工藝的技術(shù)優(yōu)勢(shì)、發(fā)展趨勢(shì)、設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)等核心議題展開深入探討，為推動(dòng) FD-SOI 技術(shù)在邊緣 AI 、智能物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用搭建了高效交流平臺(tái)。 電子發(fā)燒友網(wǎng)今年繼續(xù)在現(xiàn)場(chǎng)為大家?guī)?lái)
2025-09-25 14:11:367748 
第十屆上海 FD-SOI 論壇 ? 2025 年 9 月 15 日 下午的專題二環(huán)節(jié) ， 繼續(xù) 聚焦 FD-SOI 的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)， 來(lái)自多家全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)公司的 專家 、 國(guó)內(nèi)大學(xué) 學(xué)者和企業(yè)代表
2025-09-25 17:41:258710 
FD-SOI（全耗盡型絕緣層上硅）技術(shù)是一種新的工藝技術(shù)，有望成為其30納米以下的技術(shù)節(jié)點(diǎn)中成本效益最高的制造工藝。如果采用28納米技術(shù)制作一顆晶片，在相同的選件和金屬層條件下，FD-SOI需要38
2016-04-15 19:59:26
半導(dǎo)體發(fā)展至今，無(wú)論是從結(jié)構(gòu)和加工技術(shù)多方面都發(fā)生了很多的改進(jìn)，如同Gordon E. Moore老大哥預(yù)測(cè)的一樣，半導(dǎo)體器件的規(guī)格在不斷的縮小，芯片的集成度也在不斷提升，工藝制程從90nm
2020-12-10 06:55:40
適應(yīng)相控陣架構(gòu)、直接射頻采樣、波束成形和 5G 無(wú)線電等應(yīng)用。Alphacore 采用 GlobalFoundries 的 22nm FD-SOI 工藝設(shè)計(jì)了一款名為 A11B5G 的混合 ADC
2023-02-07 14:11:25
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：III-V/SOI 波導(dǎo)電路的化學(xué)機(jī)械拋光工藝開發(fā)編號(hào)：JFSJ-21-064作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:14:11
的寬度，也被稱為柵長(zhǎng)。柵長(zhǎng)越短，則可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶體管。目前，業(yè)內(nèi)最重要的代工企業(yè)臺(tái)積電、三星和GF（格羅方德），在半導(dǎo)體工藝的發(fā)展上越來(lái)越迅猛，10nm制程才剛剛應(yīng)用一年半，7n...
2021-07-29 07:19:33
半導(dǎo)體為代表的歐洲半導(dǎo)體科研機(jī)構(gòu)和公司相繼迎來(lái)技術(shù)突破，快速發(fā)展，為MRAM的商業(yè)化應(yīng)用埋下了伏筆。 2014年，三星與意法半導(dǎo)體簽訂28nm FD-SOI技術(shù)多資源制造全方位合作協(xié)議，授權(quán)三星在芯片
2023-03-21 15:03:00
基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些技術(shù)優(yōu)勢(shì)？基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些主要應(yīng)用？
2021-06-26 07:14:03
我弄了個(gè)22nm的工藝，配置完了之后報(bào)錯(cuò)是為什么？怎么解決？
2021-06-24 08:03:26
尊敬的先生/女士，您能否提供步驟和可能的圖表，以便在ADS仿真中獲得N-MOS FD-SOI晶體管的C-V曲線？提前謝謝Gadora 以上來(lái)自于谷歌翻譯 以下為原文Dear Sir/Madam
2018-11-15 16:42:08
40nm等工藝節(jié)點(diǎn)推出藍(lán)牙IP解決方案，并已進(jìn)入量產(chǎn)。此次推出的22nm雙模藍(lán)牙射頻IP將使得公司的智能物聯(lián)網(wǎng)IP平臺(tái)更具特色。結(jié)合銳成芯微豐富的模擬IP、存儲(chǔ)IP、接口IP、IP整合及芯片定制服務(wù)、專業(yè)及時(shí)的技術(shù)支持，銳成芯微期待為廣大物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用市場(chǎng)提供更完善的技術(shù)解決方案。
2023-02-15 17:09:56
Intel 22nm光刻工藝背后的故事
去年九月底的舊金山秋季IDF 2009論壇上，Intel第一次向世人展示了22nm工藝晶圓，并宣布將在2011年下半年發(fā)布相關(guān)產(chǎn)品。
2010-03-24 08:52:581395 臺(tái)積電又跳過(guò)22nm工藝 改而直上20nm
為了在競(jìng)爭(zhēng)激烈的半導(dǎo)體代工行業(yè)中提供最先進(jìn)的制造技術(shù)，臺(tái)積電已經(jīng)決定跳過(guò)22nm工藝的研
2010-04-15 09:52:161210 22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域，靠現(xiàn)行Bulk MOSFET的微細(xì)化會(huì)越來(lái)越困難的，為此，人們關(guān)注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。由于這些技術(shù)都不需要向通
2010-06-23 08:01:42888 22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域，靠現(xiàn)行BulkMOSFET的微細(xì)化會(huì)越來(lái)越困難的，為此，人們關(guān)注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。
2011-01-18 17:53:421852 格羅方德半導(dǎo)體(GLOBALFOUNDRIES )日前宣布了該公司推進(jìn)尖端20納米的制造工藝走向市場(chǎng)的一項(xiàng)重大的進(jìn)展。羅格方德半導(dǎo)體利用電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)的先進(jìn)廠商如Cadence Design Systems、Magma De
2011-09-20 08:49:001007 Achronix 半導(dǎo)體公司今日宣布了其 Speedster22i HD和HP產(chǎn)品系列的細(xì)節(jié)，它們是將采用英特爾22nm 3D晶體管技術(shù)工藝制造的首批現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列（FPGA）產(chǎn)品。Speedster22i FPGA產(chǎn)品是業(yè)內(nèi)唯一
2012-04-25 09:12:051560 意法半導(dǎo)體（ST）、Soitec與CMP（Circuits Multi Projets）攜手宣佈，大專院校、研究實(shí)驗(yàn)室和設(shè)計(jì)公司將可透過(guò)CMP的硅中介服務(wù)採(cǎi)用意法半導(dǎo)體的CMOS 28奈米FD-SOI （Fully Depleted Silicon-on-Insulator，
2012-10-25 09:42:501589 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造技術(shù)廠商格羅方德半導(dǎo)體（GLOBALFOUNDRIES）今日宣布，其子公司新加坡格羅方德半導(dǎo)體公司（GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.）榮膺由新加坡經(jīng)濟(jì)發(fā)展局（EDB）頒發(fā)的區(qū)域總部（RHQ）大獎(jiǎng)。
2015-12-08 16:51:441839 AMD剝離出來(lái)的代工廠GlobalFoundries(經(jīng)常被戲稱為AMD女友)近日迎來(lái)好消息，上海復(fù)旦微電子已經(jīng)下單采納其22nm FD-SOI工藝(22FDX)。
2017-07-11 08:56:221284 據(jù)報(bào)道,意法半導(dǎo)體公司決定選擇格芯22FDX?用來(lái)提升其FD-SOI平臺(tái)和技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力，格芯FDX技術(shù)將賦能ST為新一代消費(fèi)者和工業(yè)應(yīng)用提供高性能、低功耗的產(chǎn)品。
2018-01-10 16:04:426591 集微網(wǎng)消息，格羅方德（GlobalFoundries）于 10 日宣布，全球半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（ST）選擇采用格羅方德 22 納米 FD-SOI（22FDX）制程技術(shù)平臺(tái)，以支持用于工業(yè)及消費(fèi)性
2018-01-10 20:44:021155 GlobalFoundries的FD-SOI技術(shù)已經(jīng)略有成效，近日傳來(lái)消息，又迎來(lái)意法半導(dǎo)體（ST）的大單進(jìn)補(bǔ)，在第二代FD-SOI技術(shù)解決方案領(lǐng)域吧徹底取代三星。
2018-01-15 14:16:031813 在工藝節(jié)點(diǎn)進(jìn)展方面，三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理 ES Jung表示，三星晶圓代工業(yè)務(wù)發(fā)展路線將包括FinFET和FD-SOI兩個(gè)方向，FD-SOI平臺(tái)路線如下圖。目前FD-SOI工藝主要
2018-04-10 17:30:002144 雙方共同開發(fā)的技術(shù)解決方案將大幅降低物聯(lián)網(wǎng)及穿戴式產(chǎn)品的耗電及芯片尺寸 今日，格芯與eVaderis共同宣布，將共同開發(fā)超低功耗MCU參考設(shè)計(jì)方案，該方案基于格芯22nm FD-SOI（22
2018-03-02 15:29:01315 格芯（GLOBALFOUNDRIES）宣布推出業(yè)內(nèi)首個(gè)基于300毫米晶圓的RF SOI代工解決方案。8SW SOI技術(shù)是格芯最先進(jìn)的RF SOI技術(shù)，可以為4G LTE以及6GHz以下5G移動(dòng)和無(wú)線通信應(yīng)用的前端模塊（FEM）帶來(lái)顯著的性能、集成和面積優(yōu)勢(shì)。
2018-05-03 11:48:001821 晶圓代工廠格芯日前宣布其22納米全耗盡型絕緣上覆硅(FD-SOI)制程技術(shù)取得了36項(xiàng)設(shè)計(jì)訂單，其中有超過(guò)十幾項(xiàng)設(shè)計(jì)將會(huì)在今年出樣(tape-out)。另一方面，其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星則預(yù)計(jì)今年將采用其28nm FD-SOI制程出樣20余款芯片。
2018-05-02 16:16:135272 格羅方德半導(dǎo)體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導(dǎo)體工藝平臺(tái)12FDXTM，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)首個(gè)多節(jié)點(diǎn)FD-SOI路線圖，從而延續(xù)了其領(lǐng)先地位。新一代12FDXTM平臺(tái)建立在其22FDXTM平臺(tái)的成功基礎(chǔ)之上，專為未來(lái)的移動(dòng)計(jì)算、5G連接、人工智能、無(wú)人駕駛汽車等各類應(yīng)用智能系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。
2018-05-14 15:54:003070 
加利福尼亞州圣克拉拉，2018年5月23日——格芯宣布，其22nm FD-SOI (22FDX?)技術(shù)平臺(tái)已通過(guò)AEC-Q100(2級(jí))認(rèn)證，準(zhǔn)備投入量產(chǎn)。作為業(yè)內(nèi)符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的先進(jìn)FD-SOI
2018-05-25 11:20:001951 生產(chǎn)FD-SOI工藝的公司有ST Micro（其正在將此工藝用作28納米IDM的生產(chǎn)），三星代工廠（28納米工藝投產(chǎn)中，18納米工藝計(jì)劃投產(chǎn)），以及格芯代工廠（22納米工藝投產(chǎn)中，12納米計(jì)劃投產(chǎn)）。
2018-08-02 11:35:245500 今天，Globalfoundries（簡(jiǎn)稱GF）宣布無(wú)限期停止7nm工藝的投資研發(fā)，轉(zhuǎn)而專注現(xiàn)有14/12nm FinFET工藝及22/12nm FD-SOI工藝。
2018-08-31 15:03:013623 日前，格羅方德宣布停止7nm工藝的投資研發(fā)，轉(zhuǎn)而專注現(xiàn)有14/12nm FinFET工藝和22/12nm FD-SOI工藝。
2018-09-03 16:41:425853 昨天Globalfoundries公司宣布退出7nm及未來(lái)的先進(jìn)工藝之爭(zhēng)，專注14/12nm FinFET及22nm FD-SOI工藝，雖然他們還提到了未來(lái)某天有可能殺回來(lái)，但是這對(duì)市場(chǎng)已經(jīng)沒(méi)什么影響了。
2018-09-04 11:08:362892 縮減硅工藝的可怕競(jìng)爭(zhēng)，最近又難倒了一位參賽選手。格羅方德（GlobalFoundries）今日宣布，它將無(wú)限期地暫停 7nm LP 工藝的開發(fā)，以便將資源轉(zhuǎn)移到更加專業(yè)的 14nm 和 12nm FinFET 節(jié)點(diǎn)的持續(xù)開發(fā)上。
2018-09-06 10:31:343454 雙方攜手采用Imagination的Ensigma連接方案半導(dǎo)體知識(shí)產(chǎn)權(quán)（connectivity IP），在GF的22nm FD-SOI（22FDX?）工藝平臺(tái)上，為業(yè)界提供用于低功耗藍(lán)牙
2018-09-26 11:14:505062 能在全球范圍內(nèi)收獲了超過(guò)20億美元的收益，并在超過(guò)50項(xiàng)客戶設(shè)計(jì)中得到采用。本次兩位中國(guó)客戶的成功流片再次印證了22FDX技術(shù)在實(shí)際應(yīng)用中的可靠性和靈活性。 格芯全球副總裁兼大中華區(qū)總經(jīng)理白農(nóng)先生表示：“22FDX 是業(yè)內(nèi)首個(gè) 22nm FD-SOI 平臺(tái)，作為業(yè)界領(lǐng)先的低功耗芯片平臺(tái)，它在全
2018-11-05 16:31:02500 Soitec與三星晶圓代工廠擴(kuò)大合作 保障FD-SOI晶圓供應(yīng)，滿足當(dāng)下及未來(lái)消費(fèi)品、物聯(lián)網(wǎng)和汽車應(yīng)用等領(lǐng)域的需求，確保FD-SOI技術(shù)大量供應(yīng)。
2019-01-22 09:07:00871 關(guān)鍵詞：自適應(yīng)體偏置 , FD-SOI , 22FDX IP加快節(jié)能型SoC設(shè)計(jì)，推動(dòng)單芯片集成界限 格芯(GF)和領(lǐng)先的半導(dǎo)體IP提供商Dolphin Integration今日宣布，雙方正在合作
2019-02-24 15:56:01574 當(dāng)MOS器件的特征尺寸不斷縮小至22nm及以下時(shí)，提高溝道的摻雜濃度和降低源漏結(jié)深已仍不能很好的改善短溝道效應(yīng)。在SOI絕緣層上的平面硅技術(shù)基礎(chǔ)上提出FD-SOI晶體管。研究發(fā)現(xiàn)要使FD-SOI有效
2019-04-10 08:00:00
13 值得注意的是，去年6月，格芯開始全球裁員，在建的成都12寸晶圓廠項(xiàng)目招聘暫停。去年8月，格芯宣布無(wú)限期停止7nm工藝的投資研發(fā)，轉(zhuǎn)而專注現(xiàn)有14/12nm FinFET工藝及22/12nm FD-SOI工藝。
2019-04-24 16:23:214152 為求低功耗、高能效及高性價(jià)比之元件，市場(chǎng)逐漸開發(fā)出FD-SOI（完全空乏型硅絕緣層金氧半晶體管）結(jié)構(gòu)；而FD-SOI構(gòu)造主要以SOI晶圓為核心，透過(guò)傳統(tǒng)Si芯片制程方式，進(jìn)而以水平式晶體管架構(gòu)，取代線寬較大（16～12nm）之FinFET元件。
2019-05-22 17:22:205089 
事實(shí)勝于雄辯，與以往FD-SOI論壇上只以PPT展示FD-SOI優(yōu)勢(shì)相比，本次論壇多家公司以已經(jīng)采用FD-SOI工藝的產(chǎn)品說(shuō)明其優(yōu)勢(shì)，其震撼效果難以言傳！
2019-08-06 16:22:454242 長(zhǎng)期跟蹤研究半導(dǎo)體工藝和技術(shù)趨勢(shì)的IBS CEO Handel Jones發(fā)表演講，并對(duì)FD-SOI未來(lái)走勢(shì)做出預(yù)測(cè)。
2019-08-06 16:25:004363 在FD-SOI工藝遷移中也發(fā)現(xiàn)一些問(wèn)題，就是可用的IP短缺，例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:445032 格芯（GLOBALFOUNDRIES）今日宣布推出基于公司22納米 FD－SOI （22FDX）平臺(tái)的可微縮嵌入式磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器（eMRAM）技術(shù)。作為業(yè)界最先進(jìn)的嵌入式內(nèi)存解決方案，格芯22FDXeMRAM，為消費(fèi)領(lǐng)域、工業(yè)控制器、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)及汽車等廣泛應(yīng)用提供優(yōu)越的性能和卓越可靠性。
2019-10-21 11:40:161136 據(jù)外媒報(bào)道稱，GlobalFoundries（格芯）今天宣布已經(jīng)完成了22FDX（22 nm FD-SOI）技術(shù)開發(fā)，而這項(xiàng)技術(shù)用于生產(chǎn)嵌入式磁阻非易失性存儲(chǔ)器（eMRAM）。
2020-02-28 11:24:282970 Globalfoundries正在22nm FD-SOI上提供eMRAM技術(shù)，該公司正在與幾個(gè)客戶合作，計(jì)劃在2020年實(shí)現(xiàn)多個(gè)流片。
2020-03-03 15:10:302807 據(jù)外媒報(bào)道稱，美國(guó)半導(dǎo)體晶圓代工廠商GlobalFoundries（格芯）宣布已經(jīng)完成了22FDX（22 nm FD-SOI）技術(shù)開發(fā)，而這項(xiàng)技術(shù)用于生產(chǎn)嵌入式磁阻非易失性存儲(chǔ)器（eMRAM）。
2020-03-03 15:57:27725 近日，格芯宣布基于22nm FD-SOI （22FDX）工藝平臺(tái)，新型存儲(chǔ)器eMRAM（嵌入式、磁阻型非易失性存儲(chǔ)器）已投入生產(chǎn)。
2020-03-11 10:54:371159 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，美國(guó)芯片代工廠商格羅方德（Globalfoundries）和SkyWater Technology當(dāng)?shù)貢r(shí)間周四表示，兩家公司已達(dá)成協(xié)議，為美國(guó)軍事工業(yè)生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片并進(jìn)行新技術(shù)的研發(fā)。
2020-06-19 08:47:332857 “FD-SOI使用的范圍非常廣，包括智能手機(jī)、汽車、物聯(lián)網(wǎng)等。在過(guò)去的一年，我們看到FD-SOI的使用量開始騰飛。我們預(yù)計(jì)在2020年和2021年會(huì)出現(xiàn)FD-SOI使用量的騰飛拐點(diǎn)”，Soitec
2020-07-07 16:04:044287 領(lǐng)先的移動(dòng)和汽車SoC半導(dǎo)體IP提供商Arasan Chip Systems今天宣布，用于臺(tái)積公司22nm工藝技術(shù)的eMMC PHY IP立即可用 加利福尼亞州圣何塞2021年1月21日 /美通社
2021-01-21 10:18:233344 Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺(tái)推出了一系列FPGA產(chǎn)品，包括在嵌入式視頻方面應(yīng)用比較多的CrossLink-NX，重新定義的Certus-NX，去年Q4問(wèn)世的基于安全的FPGA Mach-NX，以及最新推出的CertusPro-NX，另外明年還會(huì)推出基于FD-SOI平臺(tái)的兩款新品。
2021-08-14 10:07:446557 據(jù)芯片行業(yè)來(lái)看，目前22nm和28nm的芯片工藝技術(shù)已經(jīng)相當(dāng)成熟了，很多廠商也使用22nm、28nm的芯片居多，主要原因就是價(jià)格便宜，那么這兩個(gè)芯片之間有什么性能差異呢？
2022-06-29 09:47:4611987 我國(guó)在半導(dǎo)體行業(yè)一直都處于落后狀態(tài)，不過(guò)近幾年已經(jīng)慢慢地開始追趕上來(lái)了，在半導(dǎo)體設(shè)備這方面，我國(guó)的上海微電子已經(jīng)成功研發(fā)出了深紫外光光刻機(jī)，這種光刻機(jī)能夠進(jìn)行22nm制程工藝的加工，也就是說(shuō)在
2022-06-29 10:37:362826 的技術(shù)呢？ 據(jù)了解，全球芯片巨頭Intel在2011年發(fā)布了22nm工藝，而在2012年第三季度，臺(tái)積電也開始了22nmHP制程的芯片研發(fā)工作，因此可得出22nm芯片最早在2011年被發(fā)布出來(lái)，是2011年的技術(shù)。 不過(guò)這并不代表著我國(guó)這些22nm芯片就很落后，相反，在導(dǎo)航定位領(lǐng)
2022-06-29 11:06:177246 GF也為數(shù)字IC制造提供了28nm Planar CMOS FET的替代品，如12nm和14nm FinFET和22nm FD-SOI工藝，該公司也將大量精力和研發(fā)資金集中在為其舊的Planar CMOS工藝節(jié)點(diǎn)尋找新的、有趣的能力。該公司稱這些額外的處理能力為“模塊”。
2022-08-30 10:07:385302 于2019年舉行。因特殊原因暫停了三年，2023年主辦方重啟再次主辦，第八屆FD-SOI論壇，邀請(qǐng)到國(guó)內(nèi)外幾乎所有FD-SOI生態(tài)內(nèi)的重要企業(yè)專家參與。三年內(nèi)國(guó)內(nèi)外的科技環(huán)境發(fā)生了巨大的變化，FD-SOI的產(chǎn)業(yè)格局和技術(shù)又有哪些變化？ ? 半導(dǎo)體工藝在2001年的新工藝技術(shù)的兩條路
2023-11-01 16:39:043350 
谷歌 Pixel 6 拆解，FD-SOI首次被用于5G毫米波
2023-12-07 16:15:46939 
本文簡(jiǎn)單介紹了兩種常用的SOI晶圓——FD-SOI與PD-SOI。
2024-03-17 10:10:365137 
據(jù)悉，FD-SOI 是一種先進(jìn)的平面半導(dǎo)體技術(shù)，能夠通過(guò)簡(jiǎn)化制作流程進(jìn)行精準(zhǔn)的漏電流控制，相較于現(xiàn)有的 40nm EPM 技術(shù)，新工藝大幅度提高了性能指標(biāo)：能效提升 50%，數(shù)字密度增加三倍有余，并能夠承載更大的片上存儲(chǔ)和更低的噪音系數(shù)。
2024-03-21 14:00:231482 近日，英國(guó)劍橋的半導(dǎo)體知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）領(lǐng)軍企業(yè)Agile Analog宣布了一項(xiàng)重要里程碑，成功在格羅方德（GlobalFoundries，簡(jiǎn)稱格芯）的FinFET及FDX FD-SOI先進(jìn)工藝平臺(tái)
2024-07-27 14:41:321733 ，以及芯原在FD-SOI提供的解決方案。 ? 全耗盡型絕緣體上硅（FD-SOI）是一種平面工藝技術(shù)，從結(jié)構(gòu)上看， FD-SOI晶體管的靜電特性優(yōu)于傳統(tǒng)體硅技術(shù)。埋氧層可以降低源極和漏極之間的寄生電容，還能有效地抑制電子從源極流向漏極，從而大幅降低導(dǎo)致性能下降的漏
2024-10-23 10:02:421288 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）2024年10月23日，第九屆上海FD-SOI論壇在浦東香格里拉酒店召開，FD-SOI產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)業(yè)上下游企業(yè)再次匯聚一堂，其中包括多位行業(yè)重量級(jí)嘉賓，比如IBS首席執(zhí)行官
2024-10-23 10:22:161108 
22FDX工藝，在這個(gè)工藝上格羅方德取得了值得肯定的成績(jī)。 ? 在2024年第九屆上海FD-SOI論壇上，格羅方德亞洲區(qū)總裁兼中國(guó)區(qū)主席洪啟財(cái)受邀出席，他在題為《解鎖未來(lái)：推動(dòng) FDX?（FD-SOI）技術(shù)進(jìn)步》的分享中再一次介紹了格羅方德在FD-SOI技術(shù)方面的布局和路線。
2024-10-23 10:46:001261 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）今年上半年，三星在FD-SOI工藝上面再進(jìn)一步。3月份，意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）宣布與三星聯(lián)合推出18nm FD-SOI工藝。該工藝支持嵌入式
2024-10-23 11:53:05990 
空間。當(dāng)然，從AIoT這個(gè)應(yīng)用方向也能夠看出，RF IP對(duì)于基于FD-SOI工藝打造芯片是至關(guān)重要的。 ? 在第九屆上海FD-SOI論壇上，芯原股份無(wú)線IP平臺(tái)高級(jí)總監(jiān)曾毅分享了主題為《為SoC設(shè)計(jì)提供基于FD-SOI的IP技術(shù)平臺(tái)》的報(bào)告，詳細(xì)介紹了芯原股份基于FD-SOI的無(wú)線
2024-10-23 16:04:441107 
)和三星的合作，它已經(jīng)在微控制器領(lǐng)域找到了自己的出路。早在2018年，意法半導(dǎo)體就宣布，它正在為汽車市場(chǎng)提供采用28nm FD-SOI工藝制造的嵌入式PCM (ePCM)微控制器。現(xiàn)在，意法半導(dǎo)體宣布了
2025-01-21 10:27:131124 
隨著汽車行業(yè)加速邁向以數(shù)字化體驗(yàn)和智能出行為特征的未來(lái)，半導(dǎo)體創(chuàng)新的作用愈發(fā)關(guān)鍵。在最近的SID 商業(yè)大會(huì)上 (SID Business Conference)，格羅方德車載顯示屏、攝像頭、激光雷達(dá)
2025-09-03 17:31:211192 
芯原股份今日發(fā)布其無(wú)線IP平臺(tái)，旨在幫助客戶快速開發(fā)高能效、高集成度的芯片，廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)和消費(fèi)電子領(lǐng)域。該平臺(tái)基于格羅方德（GF）22FDX?（22納米FD-SOI）工藝，支持短程、中程及遠(yuǎn)程
2025-09-25 10:52:23421 9月24日，格羅方德2025年技術(shù)峰會(huì)(GlobalFoundries Technology Summit 2025)亞洲站在上海成功舉辦。本屆GTS亞洲站匯聚半導(dǎo)體行業(yè)眾多領(lǐng)軍人物，分享對(duì)未來(lái)行業(yè)
2025-09-29 16:26:16852 日前，格羅方德（GlobalFoundries）于上海成功舉辦格羅方德2025年技術(shù)峰會(huì)（GlobalFoundries Technology Summit 2025, GTS 2025）亞洲站
2025-10-10 14:44:11695 為期兩天的第十屆上海FD-SOI論壇上周圓滿落幕。作為半導(dǎo)體行業(yè)年度技術(shù)盛會(huì)，本次論壇匯聚了全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的頂尖專家、企業(yè)高管及學(xué)術(shù)代表，圍繞 FD-SOI工藝的技術(shù)優(yōu)勢(shì)、發(fā)展趨勢(shì)、設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)等核心
2025-10-10 14:46:25584 2025年9月25日，第十屆上海FD-SOI論壇在浦東香格里拉酒店圓滿舉辦。本次論壇由芯原股份 (簡(jiǎn)稱“芯原”)、新傲科技和新傲芯翼主辦，SEMI中國(guó)和SOI國(guó)際產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟協(xié)辦。超過(guò)300位來(lái)自襯底
2025-10-13 16:45:401030
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