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武漢新芯投資240億美元建NAND Flash 廠

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2018-02-24 11:45:521086

武漢走向下坡路

武漢于2006年由武漢政府出資100人民幣新建的半導(dǎo)體代工廠,2008年開始量產(chǎn)。武漢和中國際之間還有一段剪不斷理還亂的恩恩怨怨,建廠之初,由于缺乏人財和技術(shù),武漢和中國際就簽訂了托管協(xié)議,由中國際給予武漢以包括生產(chǎn)技術(shù)和人才在內(nèi)的援助。
2018-04-28 09:05:0125821

7納米面臨較長更新?lián)Q代周期

長江存儲主要攻關(guān)3D NAND閃存芯片工藝量產(chǎn),計劃共建三座3D-NAND Flash廠房???b class="flag-6" style="color: red">投資240美元,其中,第一階段的廠房已去年9月完成建設(shè),計劃2018年投產(chǎn),2020年形成月產(chǎn)能30萬片的規(guī)模。
2018-05-23 18:11:357990

DRAM市場第3季將可喜迎旺季,而NAND Flash市場價格也可稍有反彈

隨著上游NAND Flash的64層3D NAND產(chǎn)能持續(xù)開出,且被大量應(yīng)用在SSD產(chǎn)品線,今年以來高容量SSD價格持續(xù)下滑,6月中旬主流的240GB TLC SSD現(xiàn)貨價已降至40~43美元
2018-06-26 15:39:494535

上半年全球風(fēng)電投資達572美元,太陽能投資716美元

根據(jù)彭博社新能源財經(jīng)最新發(fā)布的清潔能源投資報告,今年上半年,全球風(fēng)電投資累計達到572美元,同比增長33%。但是,太陽能投資同比下降19%至716美元
2018-07-11 15:39:001368

三星意圖拉大與對手間的差距,2019年的NAND Flash資本支出將達90美元

韓國業(yè)界最近指出,三星電子2019年的NAND Flash資本支出將達90美元,預(yù)計將以韓國平澤、中國西安為主,擴大高容量3D NAND生產(chǎn)規(guī)模,期望拉大與其它競爭對手間的差距。
2018-08-05 11:53:421631

5G投資風(fēng)口 中國竟比美國多出240美元

據(jù)CNBC網(wǎng)站北京時間8月7日報道,德勤咨詢公司今天發(fā)布研究報告稱,中國近幾年在5G技術(shù)上的投資比美國多出240美元,有望掀起一波令后者難以追趕的“海嘯”。
2018-08-08 10:54:173289

2018上半年市場行情回歸理性,6月NAND Flash價格呈下滑趨勢

NAND Flash價格在經(jīng)歷了2016年和2017年暴漲之后,2018上半年市場行情回歸理性,在原擴大64層3D NAND產(chǎn)出下,NAND Flash基本已回到2016年的價格水平。隨著各家
2018-08-11 09:35:003365

長江存儲趕超將為NAND Flash市場帶來新變量

2018年全球NAND Flash價格一路走跌,由于市場需求增長平緩,業(yè)者預(yù)期下半年將延續(xù)跌勢,隨著國際NAND Flash大廠紛紛加碼投資次時代技術(shù)堆疊,2019年QLC(Quad-Level
2018-08-29 17:46:267373

武漢啟動二期擴產(chǎn)項目 總投資17.8美元 十一年終扭虧

8月28日,武漢二期擴產(chǎn)項目現(xiàn)場推進會在東湖高新區(qū)召開,武漢市委副書記、代市長周先旺出席會議并講話。他強調(diào),要加快突破重大核心技術(shù),加快打造“國之重器”,推動“中國武漢造”早日成為現(xiàn)實。
2018-10-01 15:41:0010921

投資達10美元的杭州中晶圓大尺寸硅片項目主體結(jié)構(gòu)封頂正式完成

9月8日上午,總投資達10美元的杭州中晶圓大尺寸硅片項目正式完成主體結(jié)構(gòu)封頂工作。
2018-10-12 11:25:593464

再投240美元,紫光成都存儲器制造基地成又一個長江存儲!

再投240美元,紫光成都存儲器制造基地成又一個長江存儲! 繼2016年12月30日,紫光集團聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設(shè),項目總投資240美元的長江存儲國家
2018-10-15 17:07:021241

存儲器原Q3業(yè)績搶眼,然NAND價格大跌超60%

NAND Flash價格跌幅持續(xù)擴大的環(huán)境下,存儲器原Q3財報卻表現(xiàn)搶眼。其主要是因為三星、蘋果、華為等高端旗艦機容量向512GB升級,以及SSD向高容量轉(zhuǎn)移需求帶動下,FlashNAND
2018-11-19 18:56:435301

紫光240美元!成都3D NAND Flash

紫光在四川布局宏大,總投資將超過2000
2019-07-01 11:32:083426

國際宣布將以1.13美元出售意大利8寸LFoundry于新買方

近日,中國際發(fā)布公告,將以1.13美元出售意大利8寸LFoundry于新買方,新買方為無錫錫產(chǎn)微半導(dǎo)體有限公司。
2019-07-01 16:43:223850

三星將在2010年前向IC投資240美元

據(jù)路透社周一報道,韓國三星電子有限公司表示,如果其集成電路和平板顯示器領(lǐng)域出現(xiàn)一些裂縫,它將在2010年前向其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)投資240美元( 12月6日)。韓國公司芯片業(yè)務(wù)總裁黃昌圭在報告中表示,其
2019-09-01 08:26:001993

華為怒砸56手機以提速沖刺

華為誓要成為全球第一智能手機廠商!怒砸56手機:提速沖刺
2019-08-18 11:54:032965

NAND Flash價格明顯止跌 NAND新一輪軍備競賽又將開始

的減緩生產(chǎn)速度——少切點晶圓,慢新產(chǎn)線。下半年開始NAND Flash價格明顯止跌,近期三星、SK海力士、美光等原又再次掀起了新一輪的軍備競賽,一些新的工廠開始正式納入規(guī)劃或者即將投入運營,這將給NAND Flash產(chǎn)業(yè)帶來什么變化?又是否是中國的機遇?
2019-10-12 10:01:221136

NOR Flash市場回暖,武漢有望打破NOR Flash市場格局

在國內(nèi)NOR Flash中,武漢集成電路制造有限公司(以下簡稱“武漢”)近期宣布推出基于50nm Floating Gate工藝的SPI NOR Flash產(chǎn)品系列XM25QWxxC,為物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備和其它功耗敏感應(yīng)用提供靈活的設(shè)計方案。
2019-12-27 14:15:295270

浦項化學(xué)投資2000多韓元人造石墨負(fù)極生產(chǎn)

據(jù)韓聯(lián)社報道,浦項化學(xué)30日召開董事會會議,決定投資2177韓元建立新的人造石墨負(fù)極生產(chǎn)
2020-03-30 15:28:182795

什么是pSLC Nand Flash

NAND閃存結(jié)構(gòu)NAND Flash的內(nèi)部組織是由塊和頁構(gòu)成。每個塊包含多個頁
2020-07-22 11:56:266212

NAND Flash鎧俠重新申請上市

日刊工業(yè)新聞報道,全球第二大NAND Flash鎧俠(Kioxia,原東芝存儲器)近期將重新申請上市,預(yù)計最早將于今年12月在東京證券交易所掛牌上市。此外,生產(chǎn)主力的日本四日市工廠擴建計劃也將提前
2020-10-13 11:39:412620

擎科技總部正式落戶武漢,其首款7nm車規(guī)級芯片將明年發(fā)布

繼去年4月,投資90元的吉利控股的高端整車項目落戶湖北武漢經(jīng)濟開發(fā)區(qū)之后,去年12月,吉利集團旗下的注冊資本高達1.5美元咖通(武漢)科技有限公司也落戶武漢,2020年10月20日,吉利控股旗下的汽車芯片設(shè)計企業(yè)——擎科技的總部也正式落戶湖北武漢經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)。
2020-10-22 09:31:383507

NAND Flash 的存儲結(jié)構(gòu)以及NAND Flash的接口控制設(shè)計

Nand flashflash存儲器的其中一種,Nand flash其內(nèi)部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND FLASH存儲器具有容量較大和改寫速度快
2020-11-03 16:12:085421

英特爾向越南封測工廠追加投資4.75美元

1月26日,英特爾官網(wǎng)宣布,已向越南封測工廠Intel Products Vietnam(IPV)追加投資4.75美元。這項新投資是繼英特爾于2006年宣布在西貢高科技園區(qū)(SHTP)投資10美元打造先進芯片封測之后的又一項投資。這使英特爾在越南工廠的總投資達到15美元
2021-01-29 17:07:432886

2020年第四季度NAND Flash市場銷售收入達141美元

根據(jù)CFM研究顯示,NAND Flash市場規(guī)模在三季度創(chuàng)下近兩年來的收入高峰后,由于服務(wù)器市場主要OEM客戶庫存繼續(xù)調(diào)整使得需求相對疲軟,再加上NAND Flash平均價格的下滑,2020年四季度全球NAND Flash市場銷售收入環(huán)比減少3.3%至141美元。
2021-02-24 08:59:583487

Nand Flash文件系統(tǒng)解決方案

Nand Flash文件系統(tǒng)解決方案(嵌入式開發(fā)一般考什么證書)-ST提供適用于SLC的NFTL(NAND Flash Translation Layer)和FAT類文件系統(tǒng)來解決NAND Flash存儲的問題。
2021-07-30 10:41:299

Intel斥資200美元芯片工廠

  Intel公司官方日前正式宣布將斥資200美元在美國亞利桑那州芯片工廠,目前已經(jīng)投資開工,美國亞利桑那州將成為Intel最重要的芯片生產(chǎn)基地,預(yù)計將在2023年正式問世。
2021-09-28 17:46:052726

SPI Nand Flash簡介

1.SPI Nand Flash簡介SPI Nand Flash顧名思義就是串行接口的Nand Flash,它和普通并行的Nand Flash相似,比如:SLC Nand Flash。2.SPI
2021-12-02 10:51:1735

NOR falsh、NAND flash、SDEMMC、QSPI flash、SPI flash

1、NOR flashNOR flash數(shù)據(jù)線和地址線分開,可以實現(xiàn)ram一樣的隨機尋址功能,可以讀取任何一個字節(jié)。但是擦除仍要按塊來擦。2、NAND flashNAND flash數(shù)據(jù)線和地址線
2021-12-02 12:21:0630

nand_flash的初始化,如何從nand_flash中讀取數(shù)據(jù)

本文章主要講解了nand_flash初始化的方法,如何讀取nand_flash上的數(shù)據(jù)
2021-12-22 19:04:4617

NOR FlashNAND FLASH的區(qū)別是什么

使用FlashMemory作為存儲介質(zhì)。 根據(jù)硬件上存儲原理的不同,Flash Memory主要可以分為NOR FlashNAND FLASH兩類。主要的差異如下所示: NAND FLASH讀取速度
2022-01-25 17:25:1262317

Nand Flash工作原理

FLASH芯片分為Nor FlashNand Flash,Nor Flash容量小有獨立的地址線,用于存儲較小的程序代碼如引導(dǎo)代碼和程序參數(shù),NAND FLASH容量大地址總線共用一組引線,Nand Flash用來安裝操作系統(tǒng)存放應(yīng)用程序及用戶數(shù)據(jù) 像IOS,Linux Andriod
2022-02-10 10:11:4534

NAND Flash 原理深度解析(下)

在上一篇文章中為大家介紹了NAND Flash的工作原理和自身的特性(點擊查看 ),本次文章將繼續(xù)為大家?guī)黻P(guān)于NAND Flash的內(nèi)容。 一、NAND Flash 的容量結(jié)構(gòu) 從訪問NAND
2023-09-22 18:10:025190

NAND Flash和NOR Flash的區(qū)別

NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型。
2023-11-30 13:53:203960

股份開展SLC NAND Flash導(dǎo)入,已推出車規(guī)級產(chǎn)品

針對NAND Flash產(chǎn)品的技術(shù)優(yōu)勢,特別是SPI NAND Flash這一產(chǎn)品,東股份強調(diào)其具有電壓選擇靈活(包括3.3V和1.8V)及豐富封裝形式,如WSON、BGA等。另外,公司實施的單顆集成技術(shù),使得存儲陣列、ECC模塊以及接口模塊得以整合于同一芯片之中
2023-12-26 10:53:131666

高塔半導(dǎo)體擬在印度投資80美元芯片

近日,以色列領(lǐng)先的高塔半導(dǎo)體公司向印度政府遞交了一份引人矚目的提案。該公司計劃在印度投資高達80美元,建立一座先進的芯片制造。這一戰(zhàn)略舉措旨在進一步拓展其在全球半導(dǎo)體市場的份額,并滿足印度及周邊地區(qū)對高質(zhì)量芯片的需求。
2024-02-21 14:03:261018

英特爾擬在美國投資1000美元,用于新建和擴建芯片

英特爾公司近期公布了一項雄心勃勃的投資計劃,打算在美國俄亥俄州、新墨西哥州、俄勒岡州以及亞利桑那州共計投入高達1000美元,用于新建和擴建芯片工廠。此次投資不僅得到了美國政府的鼎力支持,獲得了195美元的補貼和貸款,英特爾還期望能夠額外獲得250美元的稅收抵免。
2024-03-22 11:04:061128

谷歌計劃投資30美元數(shù)據(jù)中心

谷歌公司近日宣布了一項雄心勃勃的投資計劃,將斥資30美元用于建設(shè)和擴展其數(shù)據(jù)中心園區(qū)。其中,弗吉尼亞州的數(shù)據(jù)中心將追加10美元投資,用于擴建現(xiàn)有的三個園區(qū),使該州的總投資額超過40美元。
2024-05-06 11:30:56983

微軟斥資33美元AI數(shù)據(jù)中心

微軟近日宣布,將投資33美元在威斯康星州建設(shè)一座人工智能數(shù)據(jù)中心,選址恰為富士康曾經(jīng)的“爛尾”液晶顯示屏。此次投資不僅將推動該州的人工智能技術(shù)發(fā)展,還將為當(dāng)?shù)厣鐓^(qū)帶來深遠影響。
2024-05-10 11:46:40999

首傳減產(chǎn)消息,NAND Flash市場迎供需平衡預(yù)期

近期,NAND Flash市場再次迎來重要變動。據(jù)媒體報道,繼鎧俠、美光相繼宣布減產(chǎn)后,市場又傳出三星、SK海力士兩大韓也將減產(chǎn)消費級NAND Flash的消息。這標(biāo)志著首次有韓國廠商加入減產(chǎn)行列
2025-01-07 14:04:06835

斥資5.75美元先進封裝和光子學(xué)中心!

”的全流程制造能力。 ? ? 格馬耳他先進封測中心的初期投資規(guī)模為 5.75?美元(IT之家備注:當(dāng)前約 41.98?元人民幣),未來 10?年還將為該中心的研發(fā)工作追加投資 1.86?美元(當(dāng)前約 13.58?元人民幣)。 ? 美國聯(lián)邦政府將為此對格追加提供 7500?萬美元(當(dāng)
2025-01-22 14:54:55561

三星在存儲領(lǐng)域投資217美元,DDR5蓄勢待發(fā)

(約99美元)。報道稱此次投資將會主要集中在西安二期工廠和平澤P2工廠。據(jù)悉,存儲相關(guān)設(shè)備的投資已經(jīng)先行。br /nbsp;br /西安二期為NAND Flash工廠,目前已訂購的設(shè)備將在今年6-7月交付產(chǎn)線用于生產(chǎn)128層V6 3D NAND。消息稱,西安二期工廠建成后合計月
2021-01-30 06:27:003363

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