由于第三代半導體材料具有非常顯著的性能優(yōu)勢和巨大的產(chǎn)業(yè)帶動作用，歐美日等發(fā)達國家和地區(qū)都把發(fā)展碳化硅半導體技術(shù)列入國家戰(zhàn)略，投入巨資支持發(fā)展。本文將對第三代半導體材料的定義、特性以及各國研發(fā)情況進行詳細剖析。

　　一、第一代半導體材料概況

　　第一代半導體材料主要是指硅（Si）、鍺元素（Ge）半導體材料。作為第一代半導體材料的鍺和硅，在國際信息產(chǎn)業(yè)技術(shù)中的各類分立器件和應(yīng)用極為普遍的集成電路、電子信息網(wǎng)絡(luò)工程、電腦、手機、電視、航空航天、各類軍事工程和迅速發(fā)展的新能源、硅光伏產(chǎn)業(yè)中都得到了極為廣泛的應(yīng)用，硅芯片在人類社會的每一個角落無不閃爍著它的光輝。

　　二、第二代半導體材料概況

　　第二代半導體材料主要是指化合物半導體材料，如砷化鎵（GaAs）、銻化銦（InSb）;三元化合物半導體，如GaAsAl、GaAsP;還有一些固溶體半導體，如Ge-Si、GaAs-GaP;玻璃半導體（又稱非晶態(tài)半導體），如非晶硅、玻璃態(tài)氧化物半導體;有機半導體，如酞菁、酞菁銅、聚丙烯腈等。

　　第二代半導體材料主要用于制作高速、高頻、大功率以及發(fā)光電子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及發(fā)光器件的優(yōu)良材料。因信息高速公路和互聯(lián)網(wǎng)的興起，還被廣泛應(yīng)用于衛(wèi)星通訊、移動通訊、光通信和GPS導航等領(lǐng)域。

　　三、第三代半導體材料

　　1、定義

　　第三代半導體材料主要以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶（Eg》2.3eV）半導體材料。

　　2、應(yīng)用領(lǐng)域

　　以SiC等為代表的第三代半導體材料，將被廣泛應(yīng)用于光電子器件、電力電子器件等領(lǐng)域，以其優(yōu)異的半導體性能在各個現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域發(fā)揮重要革新作用，應(yīng)用前景和市場潛力巨大。

　　隨著SiC生產(chǎn)成本的降低，SiC半導體正在憑借其優(yōu)良的性能逐步取代Si半導體，打破Si基由于材料本身性能所遇到的瓶頸。無疑，它將引發(fā)一場類似于蒸汽機一樣的產(chǎn)業(yè)革命：

　　1.SiC材料應(yīng)用在高鐵領(lǐng)域，可節(jié)能20%以上，并減小電力系統(tǒng)體積;

　　2.SiC材料應(yīng)用在新能源汽車領(lǐng)域，可降低能耗20%;

　　3.SiC材料應(yīng)用在家電領(lǐng)域，可節(jié)能50%;

　　4.SiC材料應(yīng)用在風力發(fā)電領(lǐng)域，可提高效率20%;

　　5.SiC材料應(yīng)用在太陽能領(lǐng)域，可降低光電轉(zhuǎn)換損失25%以上;

　　6.SiC材料應(yīng)用在工業(yè)電機領(lǐng)域，可節(jié)能30%-50%;

　　7.SiC材料應(yīng)用在超高壓直流輸送電和智能電網(wǎng)領(lǐng)域，可使電力損失降低60%，同時供電效率提高40%以上;

　　8.SiC材料應(yīng)用在大數(shù)據(jù)領(lǐng)域，可幫助數(shù)據(jù)中心能耗大幅降低;

　　9.SiC材料應(yīng)用在通信領(lǐng)域，可顯著提高信號的傳輸效率和傳輸安全及穩(wěn)定性;

　　10.SiC材料可使航空航天領(lǐng)域，可使設(shè)備的損耗減小30%-50%，工作頻率提高3倍，電感電容體積縮小3倍，散熱器重量大幅降低。

　　3、材料特性

　　與第一二代半導體材料相比，第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度，更高的擊穿電場，更高的熱導率，更高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，通常又被稱為寬禁帶半導體材料（禁帶寬度大于2.2電子伏特），亦被稱為高溫半導體材料。從目前第三代半導體材料和器件的研究來看，較為成熟的是SiC和GaN半導體材料，而氧化鋅、金剛石、氮化鋁等材料的研究尚屬起步階段。

　　相對于Si，SiC的優(yōu)點很多：有10倍的電場強度，高3倍的熱導率，寬3倍禁帶寬度，高1倍的飽和漂移速度。因為這些特點，用SiC制作的器件可以用于極端的環(huán)境條件下。微波及高頻和短波長器件是目前已經(jīng)成熟的應(yīng)用市場。42GHz頻率的SiCMESFET用在軍用相控陣雷達、通信廣播系統(tǒng)中，用SiC作為襯底的高亮度藍光LED是全彩色大面積顯示屏的關(guān)鍵器件。

　　在碳化硅SiC中摻雜氮或磷可以形成n型半導體，而摻雜鋁、硼、鎵或鈹形成p型半導體。在碳化硅中大量摻雜硼、鋁或氮可以使摻雜后的碳化硅具備數(shù)量級可與金屬比擬的導電率。摻雜Al的3C-SiC、摻雜B的3C-SiC和6H-SiC的碳化硅都能在1.5K的溫度下?lián)碛谐瑢?，但摻雜Al和B的碳化硅兩者的磁場行為有明顯區(qū)別。摻雜鋁的碳化硅和摻雜B的晶體硅一樣都是II型半導體，但摻雜硼的碳化硅則是I型半導體。

　　氮化鎵（GaN、Gallium nitride）是氮和鎵的化合物，此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。作為時下新興的半導體工藝技術(shù)，提供超越硅的多種優(yōu)勢。與硅器件相比，GaN在電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度上實現(xiàn)了性能的飛躍。

　　GaN具備出色的擊穿能力、更高的電子密度及速度，和更高的工作溫度。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，廣泛應(yīng)用于功率因數(shù)校正（PFC）、軟開關(guān)DC-DC等電源系統(tǒng)設(shè)計，以及電源適配器、光伏逆變器或太陽能逆變器、服務(wù)器及通信電源等終端領(lǐng)域。

　　GaN是極穩(wěn)定的化合物，又是堅硬的高熔點材料，熔點約為1700℃，GaN具有高的電離度，在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的（0.5或0.43）。在大氣壓力下，GaN晶體一般是六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)。它在一個元胞中有4個原子，原子體積大約為GaAs的一半。因為其硬度高，又是一種良好的涂層保護材料。

　　GaN的電學特性是影響器件的主要因素。未有意摻雜的GaN在各種情況下都呈n型，最好的樣品的電子濃度約為4×1016/cm3。一般情況下所制備的P型樣品，都是高補償?shù)摹?/p>

　　4、代表性國家

　　如美國，2014年初，美國總統(tǒng)奧巴馬宣布成立“下一代功率電子技術(shù)國家制造業(yè)創(chuàng)新中心”，期望通過加強第三代半導體技術(shù)的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，使美國占領(lǐng)下一代功率電子產(chǎn)業(yè)這個正出現(xiàn)的規(guī)模最大、發(fā)展最快的新興市場，并為美國創(chuàng)造出一大批高收入就業(yè)崗位。

　　日本也建立了“下一代功率半導體封裝技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟”，由大阪大學牽頭，協(xié)同羅姆、三菱電機、松下電器等18家從事SiC和GaN材料、器件以及應(yīng)用技術(shù)開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化的知名企業(yè)、大學和研究中心，共同開發(fā)適應(yīng)SiC和GaN等下一代功率半導體特點的先進封裝技術(shù)。

　　歐洲則啟動了產(chǎn)學研項目“LASTPOWER”，由意法半導體公司牽頭，協(xié)同來自意大利、德國等六個歐洲國家的私營企業(yè)、大學和公共研究中心，聯(lián)合攻關(guān)SiC和GaN的關(guān)鍵技術(shù)。項目通過研發(fā)高性價比且高可靠性的SiC和GaN功率電子技術(shù)，使歐洲躋身于世界高能效功率芯片研究與商用的最前沿。

　　2015年5月，中國建立第三代半導體材料及應(yīng)用聯(lián)合創(chuàng)新基地，搶占第三代半導體戰(zhàn)略新高地，還與荷蘭代爾夫特理工大學簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議，標志著該基地引進國際優(yōu)勢創(chuàng)新資源、匯聚全球創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)人才取得新進展。

　　未來，由半導體SiC材料制作成的功率器件將支撐起當今節(jié)能技術(shù)的發(fā)展趨向，成為節(jié)能設(shè)備最核心的部件，因此半導體SiC功率器件也被業(yè)界譽為功率變流裝置的“CPU”、綠色經(jīng)濟的“核芯”。

　　5、我國第三代半導體材料研發(fā)情況

　　據(jù)了解，我國政府高度重視第三代半導體材料的研究與開發(fā)，從2004年開始對第三代半導體領(lǐng)域的研究進行了部署，啟動了一系列重大研究項目，2013年科技部在863計劃新材料技術(shù)領(lǐng)域項目征集指南中明確將第三代半導體材料及應(yīng)用列為重要內(nèi)容。

　　業(yè)界普遍看好SiC的市場發(fā)展前景，根據(jù)預測，至2022年其市場規(guī)模將達到40億美元，年平均復合增長率可達到45%，屆時將催生巨大市場應(yīng)用空間。

　　雖然前景看好，但我國在該領(lǐng)域的發(fā)展的最大瓶頸就是原材料。我國SiC原材料的質(zhì)量、制備問題亟待破解。目前我國對SiC晶元的制備尚為空缺，大多數(shù)設(shè)備靠國外進口。

　　國內(nèi)開展SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比較晚，與國外相比水平較低，阻礙國內(nèi)第三代半導體研究進展的還有原始創(chuàng)新問題。國內(nèi)新材料領(lǐng)域的科研院所和相關(guān)生產(chǎn)企業(yè)大都急功近利，難以容忍長期“只投入，不產(chǎn)出”的現(xiàn)狀。因此，以第三代半導體材料為代表的新材料原始創(chuàng)新舉步維艱。

　　產(chǎn)業(yè)鏈下游的產(chǎn)出要以上游材料為基礎(chǔ)，而事實上我國對基礎(chǔ)的材料問題的關(guān)注度不夠，一旦投入與支持的力度不夠，相關(guān)人才便很難被吸引，人才隊伍建設(shè)的問題也將逐漸成為發(fā)展瓶頸。

　　不過，在首屆第三代半導體材料及應(yīng)用發(fā)展國際研討會上，科技部副部長曹健林曾表示，“今天的中國，在技術(shù)上已經(jīng)走到了世界前列，更何況中國已經(jīng)是世界上最大的經(jīng)濟體系，我們應(yīng)該與全世界的同行共同來解決面臨的問題，而且隨著中國政府支持創(chuàng)新、鼓勵創(chuàng)新力度的加強，我們更相信中國有能力解決這些問題，這不僅是為中國，也是為全世界科學技術(shù)工作做出巨大的推動。”

　　此外，與會專家也認為，與在第一代、第二代半導體材料及集成電路產(chǎn)業(yè)上的多年落后、很難追趕國際先進水平的形勢不同，我國在第三代半導體領(lǐng)域的研究工作一直緊跟世界前沿，工程技術(shù)水平和國際先進水平差距不大，已經(jīng)發(fā)展到了從跟蹤模仿到并駕齊驅(qū)、進而可能在部分領(lǐng)域獲得領(lǐng)先和比較優(yōu)勢，并且有機會實現(xiàn)超越。

　　所以，隨著國家戰(zhàn)略層面支持力度的加大，特別是我國在節(jié)能減排和信息技術(shù)快速發(fā)展方面具備比較好的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)，且具有迫切的市場需求，因此我國將有望集中優(yōu)勢力量一舉實現(xiàn)彎道超車，占位領(lǐng)跑。