本內(nèi)容講解了氮化鎵在射頻通信中應(yīng)用。氮化鎵并非革命性的晶體管技術(shù),與現(xiàn)有技術(shù)相比，氮化鎵(GaN)的優(yōu)勢(shì)在于更高的漏極效率、更大的帶寬、更高的擊穿電壓和更高的結(jié)溫操作
2011-12-12 15:19:28
1773 Veeco 公司今日宣布和ALLOS Semiconductors （ALLOS）達(dá)成了一項(xiàng)戰(zhàn)略舉措，展示了200mm硅基氮化鎵晶圓用于藍(lán)/綠光micro-LED的生產(chǎn)。維易科和ALLOS合作將其
2018-02-26 10:24:1010634 (STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)和世界排名前列的電信、工業(yè)、國(guó)防和數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商MACOM技術(shù)解決方案控股有限公司(納斯達(dá)克股票代碼:MTSI，以下簡(jiǎn)稱“MACOM”) 宣布，射頻硅基氮化鎵(RF GaN-on-Si)原型芯片制造成功?；谶@一成果，意法半導(dǎo)
2022-05-19 16:03:513914 
高性能模擬射頻、微波、毫米波和光波半導(dǎo)體產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商MACOM Technology Solutions Inc.(“MACOM”)推出了MAMG-100227-010寬帶功率放大器模塊，擴(kuò)展了硅基氮化鎵（GaN-on-Si）功率放大器產(chǎn)品組合。
2019-01-30 13:50:577340 `2017年可謂是令人振奮的一年，射頻半導(dǎo)體行業(yè)取得了眾多顛覆性的突破與進(jìn)步，包括但不限于持續(xù)整合MMIC市場(chǎng)，通過(guò)氮化鎵技術(shù)促進(jìn)新型基站架構(gòu)和射頻能量應(yīng)用的發(fā)展，甚至在實(shí)現(xiàn)5G部署方面也初步取得了
2018-02-08 11:01:42
5G 的出現(xiàn)促使人們重新思考從半導(dǎo)體到基站系統(tǒng)架構(gòu)再到網(wǎng)絡(luò)拓?fù)涞臒o(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施。氮化鎵、MMIC、射頻 SoC 以及光網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的并行發(fā)展共同助力提高設(shè)計(jì)和成本效率在半導(dǎo)體層面上，硅基氮化鎵的主流商業(yè)
2019-07-05 04:20:15
氮化鎵、MMIC、射頻SoC以及光網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的并行發(fā)展共同助力提高設(shè)計(jì)和成本效率。5G的出現(xiàn)促使人們重新思考從半導(dǎo)體到基站系統(tǒng)架構(gòu)再到網(wǎng)絡(luò)拓?fù)涞臒o(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施。在半導(dǎo)體層面上，硅基氮化鎵的主流商業(yè)
2019-07-31 07:47:23
MACOM六十多年的技術(shù)傳承，運(yùn)用bipolar、MOSFET和GaN技術(shù)，提供標(biāo)準(zhǔn)和定制化的解決方案以滿足客戶最嚴(yán)苛的需求。射頻功率晶體管 - 硅基氮化鎵 (GaN on Si)MACOM是全球唯一
2017-08-14 14:41:32
，可幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員簡(jiǎn)化和加快產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，使其能夠輕松微調(diào)射頻能量輸出水平，從而最大限度地提高效率和增強(qiáng)性能。MACOM的射頻能量工具包將其硅基氮化鎵功率晶體管的優(yōu)勢(shì)與直觀、靈活的軟件和信號(hào)控制能力相結(jié)合
2017-08-03 10:11:14
：“ST的晶圓制造規(guī)模和卓越的運(yùn)營(yíng)能力將讓MACOM和ST能夠推動(dòng)新的射頻功率應(yīng)用，在制造成本上取得的突破有助于擴(kuò)大硅上氮化鎵市場(chǎng)份額。雖然擴(kuò)大現(xiàn)有射頻應(yīng)用的機(jī)會(huì)很有吸引力，但是我們更想將硅上氮化鎵用于
2018-02-12 15:11:38
) 2017上展示其業(yè)界領(lǐng)先的硅基氮化鎵產(chǎn)品組合和其他高性能MMIC和二極管產(chǎn)品。 MACOM展位將展示專為商業(yè)、工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療射頻應(yīng)用而優(yōu)化的全新產(chǎn)品解決方案。敬請(qǐng)蒞臨1312＃展位，與MACOM
2017-05-18 18:12:54
分子束外延法和有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積法生長(zhǎng)的新型半導(dǎo)體。這些帶隙原理已應(yīng)用于MACOM AlGaAs技術(shù)的開(kāi)發(fā)，因此推動(dòng)了PIN二極管射頻性能的大幅提升。主要優(yōu)勢(shì)與等效的GaAs PIN結(jié)構(gòu)相比，改善了
2017-06-06 14:37:19
已經(jīng)有不少硅基氮化鎵組件被通信客戶采用。為了保證供應(yīng)，MACOM不久前還與ST簽署了合作協(xié)議。從中可以看出，往后具有更大集成效能的半導(dǎo)體材料應(yīng)用或將走向歷史的中央舞臺(tái)。5G促使企業(yè)加速國(guó)內(nèi)本土化進(jìn)程目前
2019-01-22 11:22:59
不同，MACOM氮化鎵工藝的襯底采用硅基。硅基氮化鎵器件既具備了氮化鎵工藝能量密度高、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，又比碳化硅基氮化鎵器件在成本上更具有優(yōu)勢(shì)，采用硅來(lái)做氮化鎵襯底，與碳化硅基氮化鎵相比，硅基氮化鎵晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41
的產(chǎn)品方案也不一樣，更像是定制化的產(chǎn)品，根據(jù)客戶對(duì)產(chǎn)品性能及成本的不同需求制定相應(yīng)的解決方案。不過(guò)產(chǎn)品方案的驗(yàn)證的時(shí)間比較快，成熟方案在1-2個(gè)星期左右。MACOM的射頻功率晶體管的產(chǎn)品迭代時(shí)間在一年
2017-05-23 18:40:45
以及能耗成本上的差別。碳化硅基氮化鎵的高昂的成本，極大限制了其在商業(yè)基站成為主流應(yīng)用的前景。相比之下，一個(gè)8英寸硅晶圓廠幾周的產(chǎn)能便可滿足 MACOM氮化鎵用于整個(gè)射頻和微波行業(yè)一年的需求。MACOM
2017-08-30 10:51:37
地控制烹飪。以上講解到的演示，即我們的硅基氮化鎵技術(shù)將如何支持射頻能量市場(chǎng)，這是我們要通過(guò)高效氮化鎵技術(shù)推動(dòng)的多種應(yīng)用之一。關(guān)于MACOMMACOM是一家新生代半導(dǎo)體器件公司，集高速增長(zhǎng)、多元化和高
2017-09-06 14:44:16
是硅基氮化鎵技術(shù)。2017 電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會(huì)展臺(tái)現(xiàn)場(chǎng)演示在2017年的電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會(huì)上，MACOM上海無(wú)線產(chǎn)品中心設(shè)計(jì)經(jīng)理劉鑫表示，硅襯底有一些優(yōu)勢(shì)，材料便宜，散熱系數(shù)好。且MACOM在高性能射頻領(lǐng)域
2017-07-18 16:38:20
`網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施與反導(dǎo)雷達(dá)等領(lǐng)域都要求使用高性能高功率密度的射頻器件，這使得市場(chǎng)對(duì)于射頻氮化鎵（GaN）器件的需求不斷升溫。舉個(gè)例子，現(xiàn)在的無(wú)線基站里面，已經(jīng)開(kāi)始用氮化鎵器件取代硅基射頻器件，在
2016-08-30 16:39:28
氮化鎵開(kāi)關(guān)管來(lái)取代，一顆頂四顆，并且具有更低的導(dǎo)通電阻。通過(guò)使用氮化鎵開(kāi)關(guān)管來(lái)減少硅MOS管的數(shù)量，還可以減小保護(hù)板的面積，使保護(hù)板可以集成到主板上，節(jié)省一塊PCB，降低整體成本。儲(chǔ)能電源儲(chǔ)能電源通常
2023-02-21 16:13:41
高效能、高電壓的射頻基礎(chǔ)設(shè)施。幾年后，即2008年，氮化鎵金屬氧化物半導(dǎo)場(chǎng)效晶體（MOSFET）（在硅襯底上形成）得到推廣，但由于電路復(fù)雜和缺乏高頻生態(tài)系統(tǒng)組件，使用率較低。
2023-06-15 15:50:54
度大、擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨(dú)特的性能，被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料。氮化鎵在光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測(cè)器件等方面展現(xiàn)出巨大的潛力，甚至為該行業(yè)帶來(lái)跨越式
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
。氮化鎵的性能優(yōu)勢(shì)曾經(jīng)一度因高成本而被抵消。最近，氮化鎵憑借在硅基氮化鎵技術(shù)、供應(yīng)鏈優(yōu)化、器件封裝技術(shù)以及制造效率方面的突出進(jìn)步成功脫穎而出，成為大多數(shù)射頻應(yīng)用中可替代砷化鎵和 LDMOS 的最具成本
2017-08-15 17:47:34
應(yīng)用的發(fā)展歷程無(wú)疑是一次最具顛覆性的技術(shù)革新過(guò)程，為射頻半導(dǎo)體行業(yè)開(kāi)創(chuàng)了一個(gè)新時(shí)代。通過(guò)與ST達(dá)成的協(xié)議，MACOM硅基氮化鎵技術(shù)將獲得獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，能夠滿足未來(lái)4G LTE和5G無(wú)線基站基礎(chǔ)設(shè)施對(duì)于性能
2018-08-17 09:49:42
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時(shí)，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來(lái)，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
?是提高性能和降低價(jià)值。硅襯底倒裝波LED芯片，效率會(huì)更高、工藝會(huì)更好。6英寸硅襯底上氮化鎵基大功率LED研發(fā)，有望降低成本50%以上。 目前已開(kāi)發(fā)出6寸硅襯底氮化鎵基LED的外延及先進(jìn)工藝技術(shù)，光效
2014-01-24 16:08:55
不同，MACOM氮化鎵工藝的襯底采用硅基。硅基氮化鎵器件具備了氮化鎵工藝能量密度高、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，Wafer可以做的很大，目前在8英寸，未來(lái)可以做到10英寸、12英寸，整個(gè)晶圓的長(zhǎng)度可以拉長(zhǎng)至2米
2017-08-29 11:21:41
如何實(shí)現(xiàn)高性能的射頻測(cè)量系統(tǒng)？ 高性能射頻測(cè)量系統(tǒng)該怎么正確選用阻抗匹配元件？在設(shè)計(jì)PCB裝配式開(kāi)關(guān)模塊時(shí)需要考慮什么？
2021-04-14 06:46:36
的最終目標(biāo)前進(jìn)。這意味著客戶最終可以與主流技術(shù)的發(fā)展同步，例如，MACOM公司已經(jīng)能夠提供300W塑料封裝的硅上 GaN器件，它有著大于70%的效率，售價(jià)約為 15 美元，這一價(jià)格/性能水平已處于當(dāng)今射頻能量器件領(lǐng)域的領(lǐng)先位置。
2017-04-05 10:50:35
一個(gè)腔室或是一個(gè)局限的環(huán)境，在其內(nèi)部可放置吸收射頻輻射的食物，并可提供所需的級(jí)別的 EMC 屏蔽。MACOM簡(jiǎn)介：MACOM（鎂可微波）科技公司是面向下一代互聯(lián)網(wǎng)和國(guó)防應(yīng)用的高性能模擬、射頻、微波
2017-04-06 16:50:08
24 小時(shí)，磁控管的有效壽命及其性能將會(huì)很快下降。這意味著，現(xiàn)今要經(jīng)常，有時(shí)每周就需派出技術(shù)人員去更換磁控管，這將是一項(xiàng)費(fèi)用昂貴的行為，所以將磁控管改用固態(tài)氮化鎵晶體管將有很大的潛力來(lái)降低這種服務(wù)成本
2017-04-17 18:19:05
以與LDMOS 相競(jìng)爭(zhēng)的成本來(lái)提供其性能優(yōu)勢(shì)。 MACOM的硅上 GaN器件能提供超過(guò) 70%的能量效率，并在 900 MHz 和 2.45GHz 頻率下均具有高的增益。這些頻率都是工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)學(xué)應(yīng)用的開(kāi)放
2017-05-01 15:47:21
速度。這些功能對(duì)于牽引逆變器來(lái)說(shuō)是最佳的，因?yàn)樗鼈冃枰g歇地將大量能量傳輸回電池。與此同時(shí)，硅上氮化鎵開(kāi)關(guān)為從低kW到10kW寬范圍的供電系統(tǒng)帶來(lái)了益處，即交流到直流板載充電器（OBC）、直流到直流輔助
2018-07-19 16:30:38
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比，不僅性能優(yōu)異，應(yīng)用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面，已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來(lái)所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說(shuō)氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個(gè)氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來(lái)的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
幾十倍、甚至上百倍的數(shù)量增加，因此成本的控制非常關(guān)鍵，而硅基氮化鎵在成本上具有巨大的優(yōu)勢(shì)，隨著硅基氮化鎵技術(shù)的成熟，它能以最大的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)取得市場(chǎng)的突破。[color=rgb(51, 51, 51
2019-07-08 04:20:32
應(yīng)用領(lǐng)域，SiC和GaN形成競(jìng)爭(zhēng)。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場(chǎng)效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開(kāi)序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
的首選技術(shù)。固態(tài)射頻半導(dǎo)體氮化鎵與LDMOS相比，硅基氮化鎵的性能優(yōu)勢(shì)已牢固確立——它可提供超過(guò)70%的功率效率，將每單位面積的功率提高4到6倍，并且可擴(kuò)展至高頻率。同時(shí)，綜合測(cè)試數(shù)據(jù)已證實(shí)，硅基氮化鎵
2018-08-21 10:57:30
的使用壽命最短2個(gè)月，最長(zhǎng)4個(gè)月。因此，由于更換燈泡的成本過(guò)高，諸如室外、街道、體育場(chǎng)或區(qū)域照明的應(yīng)用將無(wú)法從基于磁控管的等離子照明中獲益。不過(guò)，利用氮化鎵技術(shù)的性能優(yōu)勢(shì)，基于固態(tài)射頻能量的等離子照明
2018-08-06 10:44:39
嗨，幾次之前我?guī)?lái)了Lora開(kāi)發(fā)工具包LoRa（R）技術(shù)評(píng)估工具包- 800。（我想在這里發(fā)布網(wǎng)址，但似乎不可能）。我想把這個(gè)工具包用于商業(yè)目的，我想問(wèn)我是否需要從微芯片購(gòu)買(mǎi)一些許可證或支付一些付款
2019-07-29 07:51:37
降低性能。行業(yè)內(nèi)外隨著射頻能量通過(guò)加大控制來(lái)改進(jìn)工藝的機(jī)會(huì)持續(xù)增多，MACOM將繼續(xù)與行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者合作，以應(yīng)用最佳實(shí)踐并通過(guò)我們的硅基氮化鎵(GaN-on-Si)解決方案實(shí)現(xiàn)射頻能量。確保了解有關(guān)射頻能量
2018-01-18 10:56:28
我們?cè)凇叭粘Ｉ钪械奈⒉?b class="flag-6" style="color: red">射頻能量”系列此前的技術(shù)知識(shí)分享中有提到氮化鎵(GaN)技術(shù)在固態(tài)烹飪和等離子照明應(yīng)用中的諸多優(yōu)勢(shì)以及普遍認(rèn)為的氮化鎵將對(duì)商業(yè)和工業(yè)市場(chǎng)產(chǎn)生變革的影響。在談?wù)撏黄菩缘陌雽?dǎo)體
2017-12-27 10:48:11
將幫助商業(yè)OEM調(diào)整其產(chǎn)品設(shè)計(jì)，納入基于硅基氮化鎵的射頻能量，使他們更輕松地利用這種不熟悉的技術(shù)。利用射頻能量工具包，照明系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在能夠有效降低開(kāi)發(fā)復(fù)雜性和成本、縮短固態(tài)等離子照明的上市時(shí)間
2018-02-07 10:15:47
空置的地方，這進(jìn)一步延長(zhǎng)了燈泡的壽命。盡管這是一個(gè)極具吸引力的概念，但從以往記錄來(lái)看，固態(tài)芯片的成本結(jié)構(gòu)比磁控管更昂貴，這使射頻能量應(yīng)用成為一種奢侈品。然而，憑借MACOM氮化鎵（以硅基的成本構(gòu)成實(shí)現(xiàn)
2017-12-14 10:24:22
。核心基本不變的微波爐在經(jīng)過(guò)50年的穩(wěn)步發(fā)展后，憑借結(jié)合射頻能量聯(lián)盟的突破與MACOM硅基氮化鎵技術(shù)的性能，便極有可能得到徹底變革。MACOM很高興能夠走在技術(shù)突破的前沿，并希望通過(guò)為全世界打造更智能
2017-11-15 10:08:05
功率/高頻射頻晶體管和發(fā)光二極管。2010年，第一款增強(qiáng)型氮化鎵晶體管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化鎵功率集成電路- 將GaN FET、氮化鎵基驅(qū)動(dòng)電路和電路保護(hù)集成為單個(gè)器件
2023-06-25 14:17:47
應(yīng)用市場(chǎng)，GaN器件的市場(chǎng)份額將逐漸提高。長(zhǎng)期來(lái)看，在宏基站和回傳領(lǐng)域，憑借高頻高功率的性能優(yōu)勢(shì)，GaN將逐漸取代LDMOS和GaAs從而占據(jù)主導(dǎo)位置；在射頻能量領(lǐng)域，LDMOS憑借高功率低成本優(yōu)勢(shì)
2019-04-13 22:28:48
在于它的導(dǎo)熱性不佳。事實(shí)上，在所有可用于射頻放大或功率切換的半導(dǎo)體中，它的導(dǎo)熱性最差。氧化鎵的熱導(dǎo)率只有金剛石的1/60，碳化硅（高性能射頻氮化鎵的基底）的1/10，約為硅的1/5。（有趣的是，它可
2023-02-27 15:46:36
我們?nèi)碌陌灼?shū)：“用一個(gè)集成驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化GaN性能?！? 通過(guò)閱讀博文“我們一起來(lái)實(shí)現(xiàn)氮化鎵的可靠運(yùn)行”，進(jìn)一步了解TI如何使GaN更加可靠。? 加入TI E2E? 社區(qū)氮化鎵 (GaN) 解決方案論壇，尋找解決方案、獲得幫助、與同行工程師和TI專家們一起分享知識(shí)，解決難題。
2018-08-30 15:05:50
中國(guó)上海，2016年2月24日- 領(lǐng)先的高性能模擬、微波、毫米波和光波半導(dǎo)體產(chǎn)品供應(yīng)商MACOM日前宣布推出其備受矚目、應(yīng)用于宏基站的MAGb系列氮化鎵（GaN）功率晶體管。
2016-02-24 10:40:211503 “固態(tài)射頻能量技術(shù)具有從生活消費(fèi)品到工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療系統(tǒng)及基礎(chǔ)設(shè)施的全方位優(yōu)勢(shì)，有望在未來(lái)撼動(dòng)整個(gè)市場(chǎng)劃分。”MACOM市場(chǎng)部資深總監(jiān)Mark Murphy表示。
2016-06-03 10:11:462521 氮化鎵技術(shù)非常適合4.5G或5G系統(tǒng)，因?yàn)轭l率越高，氮化鎵的優(yōu)勢(shì)越明顯。但對(duì)于手機(jī)而言，氮化鎵材料還有很多難題需要解決。 網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施與反導(dǎo)雷達(dá)等領(lǐng)域都要求使用高性能高功率密度的射頻器件，這使得市場(chǎng)
2017-11-22 16:19:011450 射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。 數(shù)十年來(lái)，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si
2018-03-26 10:27:001901 實(shí)現(xiàn)高速/LVDS（低壓差分信號(hào)）通信。仿真器系統(tǒng)可配置為使用高性能工具包來(lái)進(jìn)行通信調(diào)試以及將指令燒寫(xiě)到目標(biāo)器件中。與標(biāo)準(zhǔn)通信方法相比，這種通信提供以下特性。
2018-06-11 08:34:00
9 ，已有測(cè)試數(shù)據(jù)證實(shí)，硅基氮化鎵符合嚴(yán)格的可靠性要求，其射頻性能和可靠性相比價(jià)格昂貴的碳化硅基氮化鎵也絲毫不遜色。從成本價(jià)格的角度，在硅基氮化鎵在批量生產(chǎn)的情況下，可以實(shí)現(xiàn)與傳統(tǒng)的LDMOS相當(dāng)?shù)慕?jīng)濟(jì)實(shí)惠的成本結(jié)構(gòu)。
2018-11-10 11:29:249762 在半導(dǎo)體層面上，硅基氮化鎵的主流商業(yè)化開(kāi)啟了提高射頻功率密度、節(jié)省空間和提高能效的大門(mén)，其批量生產(chǎn)水平的成本結(jié)構(gòu)非常低，與LDMOS相當(dāng)，遠(yuǎn)低于碳化硅基氮化鎵。
2018-11-24 09:36:332638 關(guān)鍵詞：硅基氮化鎵 , 功率放大器 MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”) 推出全新MAMG-100227-010寬帶功率放大器 (PA) 模塊，擴(kuò)展其硅
2019-02-17 12:32:01659 方便設(shè)計(jì)人員針對(duì)射頻性能和芯片面積同時(shí)進(jìn)行優(yōu)化，設(shè)計(jì)并制造出高性能、低功耗無(wú)線射頻前端開(kāi)關(guān)，從而減少設(shè)計(jì)反復(fù)，很大程度地縮短客戶將產(chǎn)品推向市場(chǎng)的時(shí)間。
2019-10-21 11:19:023628 從研發(fā)到商業(yè)化應(yīng)用，氮化鎵的發(fā)展是當(dāng)下的顛覆性技術(shù)創(chuàng)新，其影響波及了現(xiàn)今整個(gè)微波和射頻行業(yè)。氮化鎵對(duì)眾多射頻應(yīng)用的系統(tǒng)性能、尺寸及重量產(chǎn)生了明確而深刻的影響，并實(shí)現(xiàn)了利用傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)無(wú)法實(shí)現(xiàn)的系統(tǒng)級(jí)解決方案，其市場(chǎng)潛力剛剛開(kāi)始被關(guān)注。
2020-07-06 14:09:192074 氮化鎵技術(shù)非常適合4.5G或5G系統(tǒng)，因?yàn)轭l率越高，氮化鎵的優(yōu)勢(shì)越明顯。但對(duì)于手機(jī)而言，氮化鎵材料還有很多難題需要解決。網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施與反導(dǎo)雷達(dá)等領(lǐng)域都要求使用高性能高功率密度的射頻器件，這使得市場(chǎng)
2020-10-09 10:44:001 近日，為了解決晶片尺寸不匹配的問(wèn)題并應(yīng)對(duì) microLED 生產(chǎn)產(chǎn)量方面的挑戰(zhàn)，ALLOS 應(yīng)用其獨(dú)特的應(yīng)變工程技術(shù)，展示了 200 mm 硅基氮化鎵 （GaN－on－Si） 外延片的出色一致性和可重復(fù)性
2020-12-24 10:20:302566 射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化,硅基氮化鎵（GaN－on－Si）技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2020-12-25 16:42:13826 意法半導(dǎo)體和世界排名前列的電信、工業(yè)、國(guó)防和數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商MACOM技術(shù)解決方案控股有限公司宣布，射頻硅基氮化鎵(RF GaN-on-SiC)原型芯片制造成功?；谶@一成果，意法半導(dǎo)體和MACOM將繼續(xù)攜手，深化合作。
2022-05-19 10:26:484238 意法半導(dǎo)體和世界排名前列的電信、工業(yè)、國(guó)防和數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商MACOM技術(shù)解決方案控股有限公司宣布，射頻硅基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型芯片制造成功。
2022-05-20 09:16:172067 據(jù)外媒報(bào)道，格芯（Globalfoundries Inc.）日前獲得3000萬(wàn)美元的聯(lián)邦資金支持，用于在其位于佛蒙特州的晶圓廠開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)硅基氮化鎵（GaN-on-Si）晶圓，該工廠目前每月可生產(chǎn)超過(guò)
2022-10-21 15:33:231691 和GaN為代表物質(zhì)制作的器件具有更大的輸出功率和更好的頻率特性。 2、分類狀況 氮化鎵根據(jù)襯底不同可分為硅基氮化鎵和碳化硅基氮化鎵：碳化硅基氮化鎵射頻器件具有高導(dǎo)熱性能和大功率射頻輸出優(yōu)勢(shì)，適用于5G基站、衛(wèi)星、雷達(dá)等領(lǐng)域；硅
2023-02-03 14:31:181408 硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長(zhǎng)在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過(guò)程中，由于氮化鎵薄膜直接生長(zhǎng)在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 15:47:337273 
硅基氮化鎵作為第三代化合物半導(dǎo)體材料，主要應(yīng)用于功率器件，憑借更小體積、更高效率對(duì)傳統(tǒng)硅材料進(jìn)行替代。預(yù)計(jì)中短期內(nèi)硅基氮 化鎵將在手機(jī)快充充電器市場(chǎng)快速滲透，長(zhǎng)期在基站、服務(wù)器、新能源汽車(chē)等諸多場(chǎng)景也將具有一定的增長(zhǎng)潛力。
2023-02-06 16:44:274965 硅基氮化鎵是一個(gè)正在走向成熟的顛覆性半導(dǎo)體技術(shù)，硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長(zhǎng)在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過(guò)程中，由于氮化鎵薄膜直接生長(zhǎng)在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 16:44:264975 
在過(guò)去幾年中，氮化鎵（GaN）在半導(dǎo)體技術(shù)中顯示出巨大的潛力，適用于各種高功率應(yīng)用。與硅基半導(dǎo)體器件相比，氮化鎵是一種物理上堅(jiān)硬且穩(wěn)定的寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體，具有快速的開(kāi)關(guān)速度，更高的擊穿強(qiáng)度和高導(dǎo)熱性。
2023-02-09 18:04:021141 硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長(zhǎng)在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過(guò)程中，由于氮化鎵薄膜直接生長(zhǎng)在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-10 10:43:342743 
在這種情況下，氮化鎵因其卓越的射頻性能而成為5G mMIMO無(wú)線電的領(lǐng)先大功率射頻功率放大器技術(shù)。然而，目前的實(shí)現(xiàn)方式成本過(guò)高。與硅基技術(shù)相比，氮化鎵生長(zhǎng)在昂貴的III/V族SiC晶圓上，采用昂貴
2023-02-10 10:48:501674 
氮化鎵根據(jù)襯底不同可分為硅基氮化鎵和碳化硅基氮化鎵：碳化硅基氮化鎵射頻器件具有高導(dǎo)熱性能和大功率射頻輸出優(yōu)勢(shì)，適用于5G基站、衛(wèi)星、雷達(dá)等領(lǐng)域；硅基氮化鎵功率器件主要應(yīng)用于電力電子器件領(lǐng)域。雖然
2023-02-10 10:52:524734 
硅基氮化鎵是一種具有較大禁帶寬度的半導(dǎo)體，屬于所謂寬禁帶半導(dǎo)體之列。
2023-02-12 13:52:271619 在半導(dǎo)體層面上，硅基氮化鎵的主流商業(yè)化為提高射頻性能敞開(kāi)了大門(mén)，其中包括增加功率放大器的功率密度，以及縮小器件尺寸并最終節(jié)省系統(tǒng)空間。
2023-02-12 14:00:151261 硅基氮化鎵是第三代半導(dǎo)體化合材料，有著能量密度高、可靠性高的優(yōu)點(diǎn)，能夠代替很多傳統(tǒng)的硅材料，晶圓可以做得很大，晶圓的長(zhǎng)度可以拉長(zhǎng)至2米。 硅基氮化鎵器件具有擊穿電壓高、導(dǎo)通電阻低、開(kāi)關(guān)速度快、零
2023-02-12 14:30:283191 硅基氮化鎵作為第三代化合物半導(dǎo)體材料，主要應(yīng)用于功率器件，可有效縮小功率器件體積，提高功率器件效率，對(duì)傳統(tǒng)硅材料功率器 件進(jìn)行替代。
2023-02-12 17:05:08997 硅基氮化鎵（GaN-on-silicon）LED始終備受世人的關(guān)注。在最近十年的初期，當(dāng) Bridgelux（普瑞光電）公司宣布該技術(shù)可減低 LED 照明的成本時(shí)，它一舉成為了頭條新聞。LED 芯片
2023-02-12 17:28:001624 硅基氮化鎵技術(shù)是一種新型的氮化鎵外延片技術(shù)，它可以提高外延片的熱穩(wěn)定性和抗拉強(qiáng)度，從而提高外延片的性能。
2023-02-14 14:19:012596 硅基氮化鎵功率器件是一種新型的功率器件，它可以提高功率器件的熱穩(wěn)定性和抗拉強(qiáng)度，從而提高功率器件的性能。它主要用于電子、光學(xué)、電力、航空航天等領(lǐng)域。
2023-02-14 14:28:092240 硅基氮化鎵襯底是一種新型的襯底，它可以提高襯底的熱穩(wěn)定性和抗拉強(qiáng)度，從而提高襯底的性能。它主要用于電子、光學(xué)、電力、航空航天等領(lǐng)域。
2023-02-14 14:36:082354 硅基氮化鎵技術(shù)原理是指利用硅和氮化鎵的特性，將其結(jié)合在一起，形成一種新的復(fù)合材料，以滿足電子元件、電子器件和電子零件的制造要求。硅基氮化鎵具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性，可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件，而氮化鎵則可以提供良好的電子性能和絕緣性能。
2023-02-14 14:46:582277 硅基氮化鎵是一種新型復(fù)合材料，它是由硅和氮化鎵結(jié)合而成的，具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性和抗拉強(qiáng)度，可以用于制造功率器件和襯底，如電子元件、電子器件和電子零件等。它具有低溫制備、低成本、低污染等優(yōu)點(diǎn)，可以滿足不同應(yīng)用領(lǐng)域的需求。
2023-02-14 15:14:171894 硅基氮化鎵是一種由硅和氮化鎵組成的復(fù)合材料，它具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性，可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件。此外，硅基氮化鎵還可以用于制造高精度的零件和組件，如電路板、電子控制器、電子模塊、電子接口、電子連接器等。
2023-02-14 15:26:103578 硅基氮化鎵充電器是一種利用硅基氮化鎵材料作為電池正極材料的充電器，具有高功率密度、高安全性和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)。
2023-02-14 15:41:074636 硅基氮化鎵和藍(lán)寶石基氮化鎵都是氮化鎵材料，但它們之間存在一些差異。硅基氮化鎵具有良好的電子性能，可以用于制造電子元件，而藍(lán)寶石基氮化鎵具有良好的熱穩(wěn)定性，可以用于制造熱敏元件。此外，硅基氮化鎵的成本更低，而藍(lán)寶石基氮化鎵的成本更高。
2023-02-14 15:57:152751 氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導(dǎo)體晶體，也是一般照明LED和藍(lán)光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常堅(jiān)硬的材料;其原子的化學(xué)鍵是高度離子化的氮化鎵化學(xué)鍵，該化學(xué)鍵產(chǎn)生的能隙達(dá)到3.4 電子伏特。
2023-05-26 10:10:412272 
GaN 技術(shù)持續(xù)為國(guó)防和電信市場(chǎng)提供性能和效率。目前射頻市場(chǎng)應(yīng)用以碳化硅基氮化鎵器件為主。雖然硅基氮化鎵（GaN-on-Si）目前不會(huì)威脅到碳化硅基氮化鎵的主導(dǎo)地位，但它的出現(xiàn)將影響供應(yīng)鏈，并可能塑造未來(lái)的電信技術(shù)。
2023-09-14 10:22:362158 
射頻功率放大器是無(wú)線通信系統(tǒng)中的關(guān)鍵部件，其性能直接影響到無(wú)線設(shè)備的整體性能。傳統(tǒng)的射頻功率放大器主要采用三五族化合物半導(dǎo)體材料，如GaAs、InP等。然而，這些化合物半導(dǎo)體材料存在成本高、難以維護(hù)等問(wèn)題，限制了射頻功率放大器的應(yīng)用范圍。
2023-10-24 15:02:391070 
氮化鎵芯片是什么？氮化鎵芯片優(yōu)缺點(diǎn) 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質(zhì)制造的芯片，它被廣泛應(yīng)用于高功率和高頻率應(yīng)用領(lǐng)域，如通信、雷達(dá)、衛(wèi)星通信、微波射頻等領(lǐng)域。與傳統(tǒng)的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:3011008 對(duì)目前市場(chǎng)上的幾種主要氮化鎵芯片進(jìn)行比較分析，幫助讀者了解不同型號(hào)芯片的特點(diǎn)和適用場(chǎng)景。 一、氮化鎵芯片的基本原理 氮化鎵（GaN）是一種硅基半導(dǎo)體材料，具有較高的載流子遷移率和較大的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度，使其具備優(yōu)秀的高
2024-01-10 09:25:573840 、應(yīng)用領(lǐng)域等方面。 背景介紹: 硅基氮化鎵集成電路芯片是在半導(dǎo)體領(lǐng)域中的一項(xiàng)重要研究課題。隨著智能手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)和人工智能等技術(shù)的快速發(fā)展，對(duì)高性能、高頻率、高可靠性集成電路芯片的需求日益增長(zhǎng)。然而，傳統(tǒng)的硅基材料在高
2024-01-10 10:14:582335
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