SK海力士10月6日宣布推出全球首款DDR5 DRAM，頻率、容量、能效和功能技術(shù)都達到了全新的高度。
2020-10-08 00:54:40
8383 去年美光等多家內(nèi)存廠商相繼推出了DDR5內(nèi)存，但去年各大平臺DDR5內(nèi)存上千乃至數(shù)千的價格，加上CPU、主板等硬件支持的普及還不到位等問題，這第一批DDR5內(nèi)存并沒有在市場上掀起多大的風(fēng)浪。然而
2022-07-12 08:27:0012762 在今年宣布以14nm制程制作Galaxy S6系列機種使用處理器Exynos 7420之后，三星也計劃將在2016年年底進入10nm制程技術(shù)量產(chǎn)新款處理器產(chǎn)品。而另一方面，預(yù)期今年第三季進入16nm
2015-05-28 10:23:161272 先前證實采用10nm制程技術(shù)的“Cannonlake”將延后至2017年下半年間推出消息后，相關(guān)消息具體透露Intel計畫將以10nm制程打造代號“Icelake”與“Tigerlake”處理器系列
2016-01-22 08:53:401434 Samsung 5 日宣佈正式量產(chǎn)全球首款採用 10nm 制程生產(chǎn)的 DDR4 DRAM 顆粒，加快半導(dǎo)體市場邁向更精密的 10nm 制程工藝之路，繼 2014 年首個量產(chǎn) 20nm 制程 DDR3 記憶體顆粒，成為業(yè)界領(lǐng)先。
2016-04-06 09:04:56893 近期業(yè)界傳出可能是臺積電、聯(lián)發(fā)科以戰(zhàn)逼和的策略奏效，高通回頭向臺積電投片的時程可望較業(yè)界預(yù)期再早一些。臺積電目前已經(jīng)完成10納米制程研發(fā)準(zhǔn)備，將在今年年底正式將10nm投入量產(chǎn)階段，臺積電認(rèn)為，蘋果、華為海思、聯(lián)發(fā)科、高通四大客戶依然為10納米訂單巨頭。
2016-09-14 09:34:341251 10月份，三星宣布10nm進入量產(chǎn)后，市場上的14nm/16nm產(chǎn)品似乎瞬間黯然無光。三星計劃明年初發(fā)布首款10nm產(chǎn)品，預(yù)計是采用10nm LPE的Exynos 8895。顯然，老對手臺積電和它的客戶不愿被動挨打，最新消息顯示，聯(lián)發(fā)科首顆10nm芯片Helio X30定于年底量產(chǎn)亮相。
2016-11-03 11:22:381276 4月20日，DRAM大廠南亞科宣布，將在新北市泰山南林科技園區(qū)興建一座雙層無塵室的 12 吋先進晶圓廠，采用自主研發(fā)的 10nm制程技術(shù)，規(guī)劃建置 EUV 極紫外光微影生產(chǎn)技術(shù)，月產(chǎn)能約 4.5 萬片，計劃今年底動工、2024 年開始第一階段 1.5 萬片量產(chǎn)，總投資額達新臺幣 3000 億元。
2021-04-20 14:14:439146 “ ?本文將詳細介紹 DDR5、LPDDR5 的技術(shù)細節(jié)以及 Layout 的規(guī)范要求。然后比較 CAMM2 模組與 SODIMM 的差別。? ” ?? 本文將介紹什么是 DDR5，DDR5 和之前
2025-10-27 19:28:167378 
近日，嘉合勁威首批DDR5內(nèi)存條在深圳坪山工廠量產(chǎn)下線。首批DDR5內(nèi)存條采用鎂光DRAM，頻率4800MHZ，電壓1.1V，時序40-40-40? 1.1V ，容量16G（單面）/32G（雙面
2021-04-27 09:00:0015368 最新消息，三星電子本月初與主要客戶就提高DRAM芯片售價達成一致。DDR4 DRAM價格平均上漲兩位數(shù)百分比；DDR5價格上漲個位數(shù)百分比。據(jù)稱 DDR4 上調(diào) 20%，DDR5 上調(diào)約 5
2025-05-13 01:09:006846 隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片制程工藝已從90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、14nm升級到到現(xiàn)在比較主流的10nm、7nm，而最近據(jù)媒體報道，半導(dǎo)體的3nm工藝研發(fā)制作也啟動
2019-12-10 14:38:41
國產(chǎn)DDR5究竟離我們還有多遠？DDR5尚未真正普及的原因是什么？
2021-06-18 09:49:06
Error Correction Code)
隨著DDR5信號速率的增加和芯片生產(chǎn)工藝難度的加大，DRAM內(nèi)存出現(xiàn)單位錯誤的風(fēng)險也隨之增加，為進一步改善內(nèi)存信道，糾正DRAM芯片中可能出現(xiàn)的位錯誤，DDR5
2023-06-28 09:09:11
，DDR5誤碼測試儀，DDR5寄存器芯片測試，DDR5 DIMM Module測試系統(tǒng)，DDR5 DRAM測試系統(tǒng)
The M5513 is an all-inclusive memory test
2024-08-06 12:03:07
我公司用VGA轉(zhuǎn)HDMI在把HDMI轉(zhuǎn)AHD，請問這種方案有市場前景嗎？感謝大家
2018-01-30 15:46:31
美元高點相比，跌幅約5.59%。盡管如此，DRAM廠瑞晶、南科（2408）、華亞科（2474）和DRAM模塊廠威剛（3260）、創(chuàng)見（2451）仍看好DRAM后市，并認(rèn)為第二季將淡季不淡。內(nèi)存封測廠測合
2010-05-10 10:51:03
材料的邊界及其下方的鬼影判斷，我們制備的樣品寬度為一個鰭片左右，約5——10nm)的樣品來觀察鰭片上方磊晶的SiGe結(jié)構(gòu)。 圖5：(a)i8與(b)S8平行鰭片方向柵極與SiGe結(jié)構(gòu)；(c)i8
2018-06-14 14:25:19
三星電子近日在國際學(xué)會“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達到10nm工藝”。 國際電子器件
2015-12-14 13:45:01
，將2022年視為DDR5的預(yù)熱年，2023年DDR5滲透率將大幅提升。從1998年三星生產(chǎn)出最早的商用DDR SDRAM芯片到現(xiàn)在，已經(jīng)過去了20多年，DRAM內(nèi)存市場一直在發(fā)展，從DDR到DDR
2022-10-26 16:37:40
的寬度，也被稱為柵長。柵長越短，則可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶體管。目前，業(yè)內(nèi)最重要的代工企業(yè)臺積電、三星和GF（格羅方德），在半導(dǎo)體工藝的發(fā)展上越來越迅猛，10nm制程才剛剛應(yīng)用一年半，7n...
2021-07-29 07:19:33
【關(guān)注與分享，是對原創(chuàng)最大的鼓勵 】DIALOG 五月份發(fā)布了低功耗WiFi SOCDA16200及配套的模組產(chǎn)品；DIALOG是一家怎么樣的公司? 低功耗WiFi市場前景如何?本文干貨多多，歡迎
2021-11-11 08:33:59
高速、低功耗數(shù)據(jù)緩沖器為DDR5 DRAM及存儲類內(nèi)存模塊提升速度與帶寬
2020-11-24 06:58:15
Jones則最為悲觀，他原本預(yù)期產(chǎn)業(yè)營收今年將衰退1.5%，但表示最壞也有可能衰退3%。而Gartner則是預(yù)測成長1.9%?！ cClean看好產(chǎn)業(yè)前景的原因，包括全球GDP成長、英特爾（Intel
2016-01-14 14:51:30
南亞科第二季營收將成長于5%，獲利有機會季增3~5成。南亞科及華邦電下半年旺值得注意的是，南亞科20奈米制程微縮順利，下半年8GB DDR4將進入量產(chǎn)，年底前可望完成LPDDR4試產(chǎn)并進入量產(chǎn)，屆時
2017-06-13 15:03:01
1662.53億元人民幣），同比增長10.6%，稅后凈利3065.74億元新臺幣（約為604.26億元人民幣），同比增長16.2%，成績可喜。對于先進制程，臺積電透露，7nm、10nm研發(fā)順利進行，今年Q1
2016-01-25 09:38:11
南亞科擴建12寸廠 全球市占挑戰(zhàn)10%
南亞科將逆勢擴建旗下12寸廠，從現(xiàn)有3萬片擴增至5萬~6萬片，成為此波DRAM景氣復(fù)蘇后，首家擴產(chǎn)的臺系DRAM廠。值得注意
2010-01-22 09:52:57860 鎂光南亞合作開發(fā)出42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片
鎂光公司與其合作伙伴南亞公司最近公開展示了其合作開發(fā)的42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品，雙方并宣稱下一代30nm制程級別
2010-02-10 09:40:501422 導(dǎo)語：聯(lián)發(fā)科和華為均已確定下一代處理器將采用10nm工藝制程，高通也緊追其后遞交10nm芯片樣品給客戶，據(jù)悉，高通10nm訂單均交給三星代工生產(chǎn)。
2016-07-28 19:00:27868 據(jù)報道，市場傳出，因大陸品牌手機的高端手機市況生變，聯(lián)發(fā)科近期向臺積電下修明年度10nm的投片需求，大砍的幅度超過五成。
2016-12-20 08:53:57832 雖然摩爾定律即將走向終結(jié)，但半導(dǎo)體制程工藝推進的腳步卻一直沒有停下過。臺積電和三星作為ARM芯片代工陣營的領(lǐng)軍企業(yè)，雙方你追我趕大打制程戰(zhàn)，已將制程工藝推進至10nm，而高通聯(lián)發(fā)科等我們所熟知的IC
2017-01-11 10:49:114294 
近日，有消息指出蘋果全新一代的A11處理器將會采用三星的10nm制程生產(chǎn)。目前業(yè)內(nèi)的頂端處理器，例如：高通驍龍835處理器和三星Exynos 8895處理器已經(jīng)率先使用10nm的工藝制程，而作為
2017-04-26 14:15:382852 從目前來看聯(lián)發(fā)科去年押寶10nm已成為一個大錯，X30不受市場歡迎，另一款采用10nm工藝的P35據(jù)說可能會被放棄，而改用12nm工藝的P30來救場。
2017-05-15 13:03:173521 Digitimes發(fā)布消息稱，英特爾可以按計劃在今年底首發(fā)10nm處理器，但僅限低功耗移動平臺，預(yù)計是Core m或者后綴U系列的低電壓版本。而就在上周，英特爾剛宣布，第一代基于10nm工藝制程Cannon Lake處理器已經(jīng)完工，同時第二代10nm處理器Ice Lake也已經(jīng)完成了最終設(shè)計。
2017-06-15 11:43:441592 三星在DRAM市場的霸主再一次的得到了增強。據(jù)報道，三星利用第一代10nm 制程工藝研發(fā)出了8Gb DDR4 芯片，這是目前“全球最小”的 DRAM 芯片。
2017-12-21 13:49:012033 作為科技行業(yè)著名的“牙膏廠”，英特爾一直走在所有廠商前面。因為它的10nm制程已經(jīng)跳票三年之久，每當(dāng)一款新的處理器發(fā)布，眾人翹首以待10nm的到來，可英特爾還是給用戶潑冷水，繼續(xù)跳票10nm工藝。
2018-06-15 15:53:006091 美國內(nèi)存大廠美光（Micron）21日公布上季財報與展望均優(yōu)于預(yù)期，并看好產(chǎn)業(yè)供需狀況穩(wěn)定，反映今年DRAM市場健康發(fā)展。業(yè)界看好，隨著市況佳，南亞科、華邦電、威剛、宇瞻、十銓等DRAM族群也將繳出亮麗成績。
2018-06-23 11:06:001121 芯片代工行業(yè)在制程邁入10nm以內(nèi)后，面臨的成本壓力也越來越高。據(jù)SemiEngineering報道，IBS的測算顯示，10nm芯片的開發(fā)成本已經(jīng)超過了1.7億美元，7nm接近3億美元，5nm超過5億美元。
2018-07-11 15:15:001361 
12月20日，三星宣布已開始量產(chǎn)第二代10nm級8Gb DDR4 DRAM，并持續(xù)擴大整體10nm級DRAM的生產(chǎn)，有助于滿足全球不斷飆升的DRAM芯片需求，繼續(xù)加強三星市場競爭力。
2018-07-31 14:55:251102 三星宣布推出基于10nm級（指10~18nm）的DDR4 SO-DIMM內(nèi)存模組，用于高性能筆記本產(chǎn)品。新的內(nèi)存模組容量達到32GB單條，頻率2666MHz，結(jié)構(gòu)上是由16個16Gb DDR
2018-08-06 16:38:015722 三星宣布成功開發(fā)業(yè)界首款10nm級8Gb LPDDR5 DRAM。自從2014年8Gb LPDRD4投入量產(chǎn)以來，三星就開始向LPDDR5標(biāo)準(zhǔn)過渡。LPDDR5 DRAM芯片主要應(yīng)用于移動設(shè)備如手機、平板、二合一電腦等，5G和AI將是其主要應(yīng)用領(lǐng)域。
2018-08-08 15:22:281625 臺塑集團旗下DRAM大廠南亞科技術(shù)能力大躍進，完成首顆自主研發(fā)的20nm制程8Gb DDR4 DRAM，并通過個人電腦（PC）客戶認(rèn)證，本月開始出貨，為南亞科轉(zhuǎn)攻利基型DRAM多年后，再度重返個人電腦市場，明年農(nóng)歷年后將再切入服務(wù)器市場，南亞科借此成為韓系和美系大廠之后，另一穩(wěn)定供貨來源。
2018-08-28 16:09:213452 )制程DRAM，目前傳出進入第三代10納米(1z)制程開發(fā)。SK海力士(SK Hynix)和美光(Micron)也在不斷加速先進制程研發(fā)速度，追趕三星，預(yù) ... 10納米級DRAM先進制程競爭
2018-11-12 18:04:02533 晶圓代工領(lǐng)域10nm已成分水嶺，隨著英特爾的10nm制程久攻不下，聯(lián)電和格芯相繼擱置7nm及以下先進制程的研發(fā)后，10nm以下的代工廠中只有三星在繼續(xù)與臺積電拼刺刀。
2018-11-16 10:37:374463 SK海力士官方宣布，公司已經(jīng)研發(fā)出單顆容量16Gb（2GB）的下一代DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒，且是首款滿足JEDEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的DDR5。
2018-11-17 11:47:495462 今年11月15日，SK海力士發(fā)布第一個符合JEDEC規(guī)格的DDR5 DRAM，而三星則在7月份成功開發(fā)出10nm級別的LPDDR5 DRAM，在技術(shù)上進一步領(lǐng)先于世界同類企業(yè)。據(jù)業(yè)內(nèi)人士介紹，SK
2018-11-23 17:27:118023 今年以來DRAM價格持續(xù)下跌，DRAM廠南亞科今年獲利表現(xiàn)恐不如去年好。為了維持穩(wěn)定獲利，南亞科將朝向優(yōu)化產(chǎn)品組合方向調(diào)整，提高DDR4及LPDDR4X等毛利率較好的產(chǎn)品比重。此外，南亞科已取得美光的1x/1y納米制程技術(shù)授權(quán)選擇權(quán)，并啟動自主研發(fā)的10納米世代制程研發(fā)。
2019-03-01 16:30:254592 3月21日，三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。
2019-03-21 16:43:083840 ，動態(tài)隨機存取存儲器）。自開始批量生產(chǎn)第二代10nm級（1y-nm）8Gb DDR4以來僅僅16個月，三星不再使用Extreme Ultra-Violet（EUV）處理的情況下開發(fā)1z-nm 8Gb DDR4，說明三星突破了DRAM的擴展極限。
2019-03-21 17:30:542123 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。
2019-03-24 11:36:164320 關(guān)鍵詞：DRAM , DDR4 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。量產(chǎn)時間
2019-03-29 07:52:01592 三星電子有限公司（Samsung Electronics）在其官網(wǎng)上發(fā)布消息，該公司正式宣布，首次開發(fā)了第三代 10nm 制程工藝（1z-nm）8GB 超高性能和高功效的 DRAM（Dynamic Random Access Memory，動態(tài)隨機存取存儲器）。
2019-09-27 17:23:291500 SK海力士所研發(fā)的行業(yè)內(nèi)首個五代雙倍速率（DDR5） DRAM， 達到了電子工程設(shè)計發(fā)展聯(lián)合協(xié)會（Joint Ele ctron Device Engineering Council，簡稱JEDEC） 標(biāo)準(zhǔn)， 這項技術(shù)正在DRAM市場開拓一片新天地。
2019-10-29 16:16:374434 1 月 13 日訊，近日，南亞科技股份有限公司稱，公司已完成自主研發(fā) 10 納米級 DRAM 技術(shù)，將在今年下半年試產(chǎn)。順應(yīng) 10 納米制程發(fā)展，南亞科今年資本支出金額將高于去年的 55 億元。據(jù)悉，除可改善成本，南亞科成功自主開發(fā) 10 納米制程技術(shù)，將有助掌握朝高密度新產(chǎn)品發(fā)展機會與技術(shù)進展。
2020-01-14 10:47:271225 英特爾10nm制程Ice Lake處理器已經(jīng)發(fā)布，不過首批10nm主要應(yīng)用于低功耗平臺。而第二代10nm平臺將于今年三或四季度發(fā)售，即早前CES公布的Tiger Lake平臺。
2020-02-13 23:04:483334 
目前，DRAM廠商三星電子、SK海力士、美光科技等廠商都已提出DDR5/LP DDR5的產(chǎn)品規(guī)劃并發(fā)布相應(yīng)產(chǎn)品。美光科技更是于日前宣布交付全球首款量產(chǎn)化的LPDDR5，將搭載于即將上市的小米10智能手機之上。
2020-03-01 18:56:433479 隨著Ice Lake處理器的成功，Intel的10nm工藝總算可以長舒一口氣，產(chǎn)能已經(jīng)沒什么問題了。今年的重點是Tiger Lake處理器，這是第二代10nm工藝，CPU及GPU架構(gòu)也會全面升級。
2020-03-04 15:35:203486 根據(jù)外媒WCCFTECH的報道，爆料消息稱英偉達的下一代GPU架構(gòu)將基于三星10nm制程，而不是之前報道的臺積電7nm工藝，據(jù)稱使用的10nm制程更接近于三星提供的8LPP技術(shù)，另外新的Tegra芯片也將使用相同的制程。
2020-03-12 16:28:463370 驅(qū)動DRAM內(nèi)存市場向DDR5升級的動力應(yīng)該是來自對帶寬有強烈需求的專業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域，比如云服務(wù)器、邊緣計算等等，由于系統(tǒng)內(nèi)存帶寬跟不上服務(wù)器CPU核心數(shù)量的增長，服務(wù)器因此需要更大的內(nèi)存帶寬。
2020-03-22 14:12:0010655 Intel昨天正式宣布了2020年會推出多款10nm處理器，面向服務(wù)器10nm處理器是Ice Lak-SP系列的，再下一代則是Sapphire Rapids，規(guī)格更無敵了，PCIe 5.0、DDR5一次集齊。
2020-04-10 16:08:532340 Intel的10nm處理器遲遲沒有高性能桌面版，估計跟10nm的性能上限不如14nm有關(guān)，畢竟后者實現(xiàn)了5．3GHz的加速頻率，這一點10nm工藝做不到。
2020-04-10 17:07:474258 JEDEC還沒有正式發(fā)布DDR5規(guī)范，但是DRAM制造商和SoC設(shè)計人員正在全力準(zhǔn)備DDR5的發(fā)布。Cadence公司早在2018年就對這項新技術(shù)進行了宣傳，并在之后發(fā)布了臨時DDR5 IP
2020-06-08 17:37:346162 今年，小米10等智能手機都開始用上了LPDDR5內(nèi)存，此后，這樣規(guī)格的內(nèi)存應(yīng)該也會成為新一代旗艦手機的標(biāo)配。不過在PC端，DDR5內(nèi)存還是需要等待的，英特爾和AMD的下一代消費級處理器和主板產(chǎn)品中
2020-07-30 15:27:123275 EUV，依靠現(xiàn)有的DUV（深紫外光刻）是玩不轉(zhuǎn)的。 有意思的是，三星最近竟然將EUV與相對上古的10nm工藝結(jié)合，用于量產(chǎn)旗下首批16Gb容量的LPDDR5內(nèi)存芯片。 據(jù)悉，三星的新一代內(nèi)存芯片是基于第三代10nm級（1z）工藝打造，請注意16Gb容量的后綴，是Gb而不是GB，16Gb對應(yīng)的其實是
2020-09-01 14:00:293544 DDR5的主要特性是芯片容量，不僅僅是更高的性能和更低的功耗，DDR5將具有改進的命令總線效率，更好的刷新方案以及增加的存儲體組以獲得額外的性能。
2020-09-17 16:41:1718333 2018年10月，Cadence和鎂光公布了自己的DDR5內(nèi)存研發(fā)進度，兩家廠商已經(jīng)開始研發(fā)16GB DDR5產(chǎn)品，并計劃在2019年年底之前實現(xiàn)量產(chǎn)目標(biāo)。
2020-11-29 10:09:076940 DDR4內(nèi)存條的價格已經(jīng)很便宜了，2021年就會有DDR5內(nèi)存上市了，雖然初期主要面向數(shù)據(jù)中心市場，但是新一代平臺值得期待，DDR5內(nèi)存頻率相比現(xiàn)在可以翻倍。
2020-12-12 10:01:513254 DDR4內(nèi)存條的價格已經(jīng)很便宜了，2021年就會有DDR5內(nèi)存上市了，雖然初期主要面向數(shù)據(jù)中心市場，但是新一代平臺值得期待，DDR5內(nèi)存頻率相比現(xiàn)在可以翻倍。 今年7月份，JEDEC正式發(fā)布DDR5
2020-12-12 10:35:394727 在量產(chǎn)國內(nèi)首個8Gb DDR4芯片之后，合肥長鑫日前又獲得了156億元的巨額投資，將加速開發(fā)17nm工藝的DDR5內(nèi)存研發(fā)及生產(chǎn)。
2020-12-18 09:53:145086 。 Digitimes 表示，聯(lián)發(fā)科新一代天璣 700/800 系列芯片將支持 5G，但是制造工藝下降為臺積電 10nm、12nm 制程，針對入門級 5G 手機設(shè)計。
2021-01-26 09:40:083694 擴展至強。 接下來就是Sapphire Rapids（藍寶石激流），按順序為第四代可擴展至強，與今年底推出，全面換新，接口也要變。 根據(jù)目前的情報，Sapphire Rapids將會采用10nm
2021-02-05 17:12:313997 2月22日消息，由于5G智能手機、筆記本電腦及平板、游戲機、服務(wù)器等市場的需求維持強勁，在預(yù)期DRAM第二季可能出現(xiàn)缺貨情況下，近期DRAM現(xiàn)貨價漲勢加速，標(biāo)準(zhǔn)型DRAM價格創(chuàng)下近2年新高，缺貨嚴(yán)重的2Gb DDR3價格更改寫5年新高，法人點名南亞科、威剛、十銓直接受惠，看好第一季獲利大躍進。
2021-02-22 09:49:421868 合作伙伴推出美光 DDR5 服務(wù)器 DRAM,以支持下一代英特爾和 AMD DDR5 服務(wù)器及工作站平臺的行業(yè)資格認(rèn)證。相比 DDR4 DRAM,DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品能夠將系統(tǒng)性能提高至多85%。美光全新
2022-07-07 14:45:573042 該機構(gòu)表示，目前已經(jīng)在芝奇（G.Skill）Trident Z5系列DDR5內(nèi)存中發(fā)現(xiàn)了三星HKMG DDR5內(nèi)存顆粒。該機構(gòu)還預(yù)計HKMG將成為下一代DRAM行業(yè)的新標(biāo)準(zhǔn)。
2022-09-19 15:14:482099 ％。其中生產(chǎn)設(shè)備資本支出降幅約四成。 ? 展望2022第四季度DRAM市場供需，南亞科表示，全球性總體經(jīng)濟面臨衰退，受高通膨、升息、俄烏戰(zhàn)爭、封控等負面因素電子產(chǎn)品市場需求疲弱，部分終端客戶庫存逐步去化。 ? 供應(yīng)商庫存增加，部分供應(yīng)商調(diào)降資本支出，整體市
2022-10-19 14:16:082408 對存儲系統(tǒng)性能的要求不斷提升，DDR5芯片在服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域加速滲透。 相比前代產(chǎn)品，DDR5因其速度更快、能耗更低、帶寬更高、容量更大等優(yōu)勢 ，給用戶帶來更佳的可靠性和擴展性，市場前景廣闊。 反映到芯片成品制造環(huán)節(jié)，包括DDR5在內(nèi)的
2022-11-22 10:51:521552 對存儲系統(tǒng)性能的要求不斷提升，DDR5芯片在服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域加速滲透。相比前代產(chǎn)品，DDR5因其速度更快、能耗更低、帶寬更高、容量更大等優(yōu)勢，給用戶帶來更佳的可靠性和擴展性，市場前景廣闊。 反映到芯片成品制造環(huán)節(jié)，包括DDR5在內(nèi)的
2022-11-24 16:17:532839 （nm）級工藝技術(shù)打造的16Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評估。? “ ?三星電子高級副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負責(zé)人Jooyoung?Lee表示： 三星12nm級
2022-12-21 11:08:291205 Jooyoung Lee表示："三星12nm級DRAM將成為推動整個市場廣泛采用DDR5 DRAM的關(guān)鍵因素。憑借卓越的性能和能效，我
2022-12-21 21:19:541342 
* 獲得近期上市的英特爾CPU“Sapphire Rapids”兼容存儲器認(rèn)證? * 以DDR5積極應(yīng)對服務(wù)器市場，提早克服存儲器半導(dǎo)體低迷期? * 第二代10納米級也一同認(rèn)證，以多種產(chǎn)品群應(yīng)對
2023-01-12 21:32:261496 DDR5 已占據(jù)整個 DRAM 市場份額的 10%，2024年則將進一步擴大至 43%。服務(wù)器市場可能最先推廣DDR5，服務(wù)器市場對高性能有著絕對的需求。
2023-04-18 11:36:473238 Rambus預(yù)計服務(wù)器DDR5將在2023年出現(xiàn)強勁增長。市場調(diào)研機構(gòu)IDC的數(shù)據(jù)顯示，DDR5的拐點可能會在2024年上半年出現(xiàn)。
2023-05-06 14:52:19868 
業(yè)界對DDR5 DRAM的市場預(yù)期不太樂觀。
2023-06-05 10:36:31671 
DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5（第五代雙倍數(shù)據(jù)率）和DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率）是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù)，它們在電氣特性和引腳布局上存在明顯差異。因此，DDR5內(nèi)存模塊無法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2535586 SK海力士同樣也在籌備提高DDR5產(chǎn)品比重。其已在今年5月開發(fā)出10nm級第5代（1b）DDR5，供應(yīng)給英特爾。韓國投資證券分析師預(yù)計，由于DDR5需求高漲，拉動產(chǎn)品平均銷售單價，SK海力士DRAM業(yè)務(wù)有望加快轉(zhuǎn)虧為盈，公司整體業(yè)績也有望提前擺脫虧損。
2023-10-24 14:50:16899 隨著DDR5信號速率的增加和芯片生產(chǎn)工藝難度的加大，DRAM內(nèi)存出現(xiàn)單位錯誤的風(fēng)險也隨之增加，為進一步改善內(nèi)存信道，糾正DRAM芯片中可能出現(xiàn)的位錯誤，DDR5引入了片上ECC技術(shù)，將ECC集成到DDR5芯片內(nèi)部，提高可靠性并降低風(fēng)險，同時還能降低缺陷率。
2023-11-30 14:49:311297 
如今，各行業(yè)正在加速向DDR5新紀(jì)元邁進，無論是PC、筆記本電腦還是人工智能，都對DDR5有強烈的需求。隨著內(nèi)存市場需求的回暖，內(nèi)存芯片供應(yīng)商們已著手在今年第 4 季度全面拉高 DDR5 產(chǎn)能，逐步取代現(xiàn)今的 DDR4。2024年，DDR5作為一款高附加值的DRAM，將繼續(xù)受到業(yè)界各大廠商的青睞。
2023-12-13 14:31:411454 
三大存儲巨頭的限產(chǎn)有助于穩(wěn)定市場環(huán)境以及減少虧損。產(chǎn)品供應(yīng)的限制使得HBM、DDR5以及LPDDR5這些高端和先進產(chǎn)品的售價上調(diào)。據(jù)消息人士透露，盡管存在供需矛盾，但需求依然強勁。
2023-12-20 14:38:071167 據(jù)DRAM產(chǎn)品分類顯示，PC DRAM方面，DDR5訂單需求未得到充分滿足，買方預(yù)期DDR4價格將進一步上漲，這激發(fā)了備貨需求。盡管新一代設(shè)備向DDR5轉(zhuǎn)型，但對于DDR4采購量增幅不定。預(yù)計PC DRAM季度合約價變化幅度將在10～15%之間，其中DDR5占據(jù)更大比例。
2024-01-08 14:27:261082 2024年，南亞科預(yù)披露將啟動資本開銷約200億元，有待董事會批準(zhǔn)。同時進一步釋放消息，計劃2024年使用10nm第二代制程技術(shù)（1B）來生產(chǎn)8Gb DDR4及16Gb DDR5產(chǎn)品，由此可見其對于未來發(fā)展的投入決心。
2024-01-11 09:43:001261 據(jù)悉，現(xiàn)有的南亞科技已投入8/4Gb DDR4內(nèi)存以及16Gb DDR5內(nèi)存的1B nm制程試生產(chǎn)中。他們計劃下半年少量推出DDR5產(chǎn)品并逐步提高產(chǎn)量，預(yù)計明年產(chǎn)量將會進一步增加。
2024-05-30 15:41:092438 近日，中國臺灣知名內(nèi)存芯片制造商南亞科發(fā)布了其2024年第二季度的財務(wù)業(yè)績報告，數(shù)據(jù)顯示，該公司在這一季度內(nèi)實現(xiàn)了顯著的營收增長，進一步鞏固了其在DRAM市場的競爭地位。據(jù)財報披露，南亞科二季度營收
2024-07-12 09:41:091805 近日，DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）市場傳來重磅消息，由于服務(wù)器需求持續(xù)強勁及產(chǎn)能排擠效應(yīng)顯著，多家大廠決定在第三季度對DDR5內(nèi)存價格進行新一輪調(diào)整。據(jù)供應(yīng)鏈最新消息，三星電子與SK海力士這兩大DRAM巨頭已正式發(fā)出通知，宣布DDR5內(nèi)存的單季價格將實現(xiàn)15%以上的顯著上漲。
2024-08-21 15:40:011224 SK海力士宣布了一項重大技術(shù)突破，成功開發(fā)出全球首款采用第六代10納米級（1c）工藝的16Gb DDR5 DRAM。這一里程碑式的成就標(biāo)志著SK海力士在半導(dǎo)體存儲技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2024-08-29 16:39:151255 DDR5內(nèi)存的工作原理詳解 1. DDR5內(nèi)存簡介 DDR5（Double Data Rate 5）是第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM）。它是DDR4的后續(xù)產(chǎn)品，提供更高
2024-11-22 15:38:037932 DDR5內(nèi)存與DDR4內(nèi)存性能差異 隨著技術(shù)的發(fā)展，內(nèi)存技術(shù)也在不斷進步。DDR5內(nèi)存作為新一代的內(nèi)存技術(shù)，相較于DDR4內(nèi)存，在性能上有著顯著的提升。 1. 數(shù)據(jù)傳輸速率 DDR5內(nèi)存的最大數(shù)
2024-11-29 14:58:405418 Memory)的開發(fā)。 此次合作將充分融合南亞科技在10nm級DRAM技術(shù)領(lǐng)域的深厚積累，以及補丁科技在定制內(nèi)存產(chǎn)品設(shè)計方面的卓越能力。雙方將強強聯(lián)手，共同打造出針對AI與邊緣應(yīng)用需求的高附加值、高性能、低功耗的定制超高帶寬內(nèi)存解決方案。 這一戰(zhàn)略合作的達成，標(biāo)志著南亞科技與補丁科技在內(nèi)存技
2024-12-20 14:28:171003 隨著國產(chǎn)DDR5內(nèi)存的上市，內(nèi)存市場的競爭態(tài)勢即將迎來新的變化。DRAM內(nèi)存作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的明星產(chǎn)品，據(jù)市調(diào)機構(gòu)Trendforce預(yù)估，2024年全球DRAM內(nèi)存的產(chǎn)值將達到約907億美元。
2025-01-07 15:53:292425
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