91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

AMD第三代銳龍Threadripper處理器曝光,總體設(shè)計(jì)非常精美

獨(dú)愛72H ? 來源:cnBeta ? 作者:佚名 ? 2019-11-07 17:01 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

(文章來源:cnBeta)

AMD的第三代銳龍Threadripper(線程撕裂者)處理器包裝盒諜照于近日曝光,從圖片來看將會沿用Threadripper處理器精美的包裝設(shè)計(jì)。該諜照也表明Threadripper 3000系列處理器即將面世,而且外媒Videocardz聲稱這些處理器以及隨附的TRX40芯片組主板最早有望在明天推出。

在先前的報(bào)道中,AMD曾計(jì)劃在11月5日發(fā)布新品公告,但顯然目前已經(jīng)推遲。在日前的AMD大中華區(qū)合作伙伴峰會上,AMD再次提到了今年11月份推出第三代銳龍Threadripper(線程撕裂者)處理器,而且首次公布會是一款24核48線程的處理器,這個(gè)核心數(shù)比目前最高32核要少,但是三代Threadripper顯然更強(qiáng)大。

之所以這么說,是因?yàn)槿J龍Threadripper(線程撕裂者)處理器中,AMD將會把游戲版與工作站版分開,二者使用不同的平臺,芯片組有TRX4及WRX8系列之分,目前曝光的24核版顯然是屬于TRX4系列的,也就是給消費(fèi)級桌面玩家使用的。

根據(jù)之前的爆料,面向HEDT平臺的銳龍Threadripper,支持的還是4通道、64條PCIe 4.0通道,16條可彈性分配給SATA,支持超頻,使用TRX40系列芯片組。

面向工作站的銳龍Threadripper,使用的是WRX80芯片組,內(nèi)存通道提升到8通道,每通道依然是最多256GB內(nèi)存,總的容量達(dá)到了2TB、帶寬也翻倍了,同時(shí)支持96甚至128條PCIe 4.0通道,32條可彈性分配給SATA設(shè)備,唯一的缺點(diǎn)就是放棄了OC超頻。

TRX40芯片組會是今年的又一款高端平臺,目前各大廠商都會推出多款TRX40主板,Planet3d網(wǎng)站統(tǒng)計(jì)了四大主板廠商已知的TRX40型號??梢钥吹?,華擎至少有2款TRX40主板,華碩目前曝光的也是2款,微星有3款,最多的是技嘉,至少有4款,總計(jì)有12款,后續(xù)還會更多。

(責(zé)任編輯:fqj)

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 處理器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    68

    文章

    20255

    瀏覽量

    252344
  • amd
    amd
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    5684

    瀏覽量

    139989
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    AMDAI嵌入式P100系列處理器產(chǎn)品簡介

    AMD AI 嵌入式 P100 系列處理器代表了 AMD 在車規(guī)級(通過 AECQ 100 認(rèn)證)和工業(yè)級(寬溫)嵌入式
    的頭像 發(fā)表于 01-23 09:19 ?2115次閱讀
    <b class='flag-5'>AMD</b><b class='flag-5'>銳</b><b class='flag-5'>龍</b>AI嵌入式P100系列<b class='flag-5'>處理器</b>產(chǎn)品簡介

    騰半導(dǎo)體推出全新第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺

    今天,騰半導(dǎo)體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開發(fā)的全新第三代(G3) 超結(jié) MOSFET技術(shù)平臺。
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:44 ?643次閱讀
    <b class='flag-5'>龍</b>騰半導(dǎo)體推出全新<b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺

    行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨?,碳化硅器件成本有?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基

    行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨?,碳化硅器件成本有?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基
    的頭像 發(fā)表于 01-16 11:41 ?396次閱讀

    高頻交直流探頭在第三代半導(dǎo)體測試中的應(yīng)用

    高頻交直流探頭基于法拉第電磁感應(yīng)原理,具備高帶寬、高精度和高分辨率,適用于第三代半導(dǎo)體器件的動態(tài)特性、柵極電流測量及開關(guān)損耗計(jì)算。
    的頭像 發(fā)表于 01-15 09:16 ?260次閱讀

    Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本

    Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設(shè)計(jì)及市場定位等多重因素影響,整體呈現(xiàn)“高技術(shù)投入與規(guī)?;当静⒋妗钡奶卣?。一、成本構(gòu)成:核心
    發(fā)表于 12-25 09:12

    開啟連接新紀(jì)元——芯科科技第三代無線SoC現(xiàn)已全面供貨

    搭載第三代無線SoC中的Secure Vault安全技術(shù)率先通過PSA 4級認(rèn)證
    的頭像 發(fā)表于 10-09 15:57 ?4.3w次閱讀

    基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章:B3M技術(shù)平臺架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對基本半導(dǎo)體(BASIC Semiconductor)B3M系列的技術(shù)認(rèn)知
    的頭像 發(fā)表于 10-08 13:12 ?797次閱讀
    基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析:<b class='flag-5'>第三代</b>SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    上海貝嶺發(fā)布第三代高精度基準(zhǔn)電壓源

    BLR3XX系列是上海貝嶺推出的第三代高精度基準(zhǔn)電壓源。具有高輸出精度、低功耗、低噪聲以及低溫度系數(shù)的特性。
    的頭像 發(fā)表于 07-10 17:48 ?1193次閱讀
    上海貝嶺發(fā)布<b class='flag-5'>第三代</b>高精度基準(zhǔn)電壓源

    電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用

    第三代半導(dǎo)體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn),正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中,電鏡技術(shù)發(fā)揮著不可或缺的作用
    的頭像 發(fā)表于 06-19 14:21 ?736次閱讀
    電鏡技術(shù)在<b class='flag-5'>第三代</b>半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用

    尋跡智行第三代自研移動機(jī)器人控制獲歐盟CE認(rèn)證

    尋跡智行第三代自研移動機(jī)器人控制BR-300G獲歐盟CE認(rèn)證
    的頭像 發(fā)表于 06-12 13:47 ?616次閱讀
    尋跡智行<b class='flag-5'>第三代</b>自研移動機(jī)器人控制<b class='flag-5'>器</b>獲歐盟CE認(rèn)證

    第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

    隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展,半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅(Si)半導(dǎo)體已無法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運(yùn)而生。第三代半導(dǎo)體主要包括氮化鎵(GaN
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:04 ?2464次閱讀

    瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

    隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展,進(jìn)一步推動算力需求,服務(wù)電源效率需達(dá)97.5%-98%,通過降低能量損耗,來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機(jī)遇,瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人,推出的第三代超結(jié)MOSFET,能全面滿足高效能需求。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 13:58 ?898次閱讀
    瑞能半導(dǎo)體<b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

    英飛凌發(fā)布第三代3D霍爾傳感TLE493D-x3系列

    近日,英飛凌的磁傳感門類再添新兵,第三代3D霍爾傳感TLE493D-x3系列在經(jīng)歷兩產(chǎn)品的迭代之后應(yīng)運(yùn)而生。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 10:33 ?1543次閱讀
    英飛凌發(fā)布<b class='flag-5'>第三代</b>3D霍爾傳感<b class='flag-5'>器</b>TLE493D-x3系列

    能量密度提升15%!TDK第三代電池量產(chǎn)在即

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道?消息人士指出,日本 TDK 公司正加速推進(jìn)第三代硅陽極電池的量產(chǎn)進(jìn)程,將出貨時(shí)間從原計(jì)劃的第三季度提前至 6 月底。 ? 這款電池的核心技術(shù)在于將負(fù)極材料由傳統(tǒng)石墨替換為硅材料
    的頭像 發(fā)表于 05-19 03:02 ?3282次閱讀

    恩智浦推出第三代成像雷達(dá)處理器S32R47系列

    恩智浦半導(dǎo)體發(fā)布采用16納米FinFET技術(shù)的新一S32R47成像雷達(dá)處理器,進(jìn)一步鞏固公司在成像雷達(dá)領(lǐng)域的專業(yè)實(shí)力。S32R47系列是第三代成像雷達(dá)處理器,性能比前代產(chǎn)品提升高達(dá)兩
    的頭像 發(fā)表于 05-12 15:06 ?8.9w次閱讀