在美國的步步緊逼下，華為面臨越來越嚴格的出口限制， 就連中芯國際都在近日表示：他們未來給某個客戶代工可能會受到限制。其實美國對他國進行專利封鎖制裁的手段并非首次出現(xiàn)，三十年前美國日本也發(fā)生過類似的貿易爭端。

在美國的步步緊逼下，華為面臨越來越嚴格的出口限制， 就連中芯國際都在近日表示：他們未來給某個客戶代工可能會受到限制。

其實美國對他國進行專利封鎖制裁的手段并非首次出現(xiàn)，三十年前美國日本也發(fā)生過類似的貿易爭端。

戰(zhàn)后初期受美國援助，日本電子制造業(yè)開始復蘇，1950年之后日本政府重點發(fā)展以半導體為代表的電子制造業(yè)，采用政策與資金雙結合的“舉國體制”，同時日本廠商大力模仿美國同類產(chǎn)品，直到1985年的30多年時間日本電子制造業(yè)產(chǎn)值從1955年的0.02萬億日元增長到1985年的17.7萬億日元，同期出口從近乎為0增長到9.9萬億日元，日本DRAM在全球市占率一度高達80%。

日美電子貿易戰(zhàn)從1984年持續(xù)到1991年，措施上從限制專利輸出到開征反傾銷關稅再到“最低價格協(xié)定”以及“最低市場份額協(xié)定”。貿易戰(zhàn)后日本電子行業(yè)出現(xiàn)兩層分化，首先是低端組裝業(yè)務開始海外遷移，只有集成電路和元器件在全球競爭力持續(xù)強勢，另一層分化是集成電路行業(yè)內只有設備與材料一騎絕塵，DRAM等產(chǎn)品從全球霸主地位不斷衰落。

為了從日美電子貿易摩擦中尋求芯片突圍經(jīng)驗，民生證券公司發(fā)布了題為《日美電子貿易摩擦啟示錄》的研究報告，從電子及制造業(yè)發(fā)展的大歷史周期角度，分析了日本電子產(chǎn)業(yè)的興衰，為現(xiàn)在中美貿易爭端出謀劃策。

美日本貿易摩擦

美國對日貿易摩擦的時間跨度大約為 1985～1991 年，從 1975 年～1991 年，美國共向日本發(fā)起了 15 次 301 調查。在電子制造業(yè)領域美國對日本的貿易摩擦一直持續(xù)不斷，前有收音機進口數(shù)量限制后有彩電反傾銷政策，但是美國對日本電子制造業(yè)最擔憂的也是貿易摩擦中最激烈的領域發(fā)生在半導體行業(yè)。

1、美國對日貿易摩擦在電子制造業(yè)領域具體政策

起因：日本在全球半導體市場份額持續(xù)上升 。在全球半導體市場上，美國半導體收入在全球半導體總收入中所占的比重由1978 年的 55%下降到 1984 年的 30%，而同期日本由 28%上升到 46%，1985 年后，日本的企業(yè)首次成為世界最大的半導體銷售商，到 1986 年，世界半導體銷量排行榜前三位均為日本企業(yè)。此外，上世紀 80 年代，日本高科技出口已經(jīng)超過進口，日本電子計算機在美國市場的占有率由 1980 年的 1%增加到 1984 年的 7.2%，電子部件由 3.2%上升到 7.2%。與此同時在機器人、集成電路、光纖通訊、激光、陶瓷材料等技術方面處于世界領先水平。

美國對日半導體貿易摩擦措施：知識產(chǎn)權委員會+最低價格協(xié)定+超級 301 條款 。 1984 年成立知識產(chǎn)權委員會，限制本國技術外流。1983 年美國商務部認定， “對美國科技的挑戰(zhàn)主要來自日本，目前雖僅限少數(shù)的高技術領域，但預計將來這種挑戰(zhàn)將涉及更大的范圍”，以后，美國就開始在高技術方面對日本采取防范措施，并加大對知識產(chǎn)權的保護力度，1984 年成立知識產(chǎn)權委員會，限制本國技術外流。

1986 年初，日美兩國簽訂了為期 5 年的《日美半導體保證協(xié)定》。在美國政府強力施壓之下，1986 年初日美兩國簽訂了為期 5 年的《日美半導體保證協(xié)定》，該協(xié)議的主要內容為：美國暫停對日本 DRAM 傾銷訴訟，但作為交換條件，要求日本政府促進日本企業(yè)購買美國生產(chǎn)的半導體，加強政府對價格的監(jiān)督。

《協(xié)定》的具體內容包括：1）在市場準入方面：日本擴大外國半導體加入日本市場的機會，要求在日本市場必須有 20%的美國半導體產(chǎn)品占有率；2）在傾銷方面，美國暫停對 DRAM 的反傾銷調查，并根據(jù)日本生產(chǎn)商提供的成本資料確立了外國市場價格。當銷售價低于外國市場價水平時，就可以斷定該生產(chǎn)商正在以低于平均成本的價格進行傾銷（在美國的反傾銷法中，允許加上 8%的邊際利潤）。

加征關稅以及“超級 301”條款。1987 年 3 月，美國政府以日本未能遵守協(xié)議為由，就微機等日本有關產(chǎn)品采取了征收 100%進口關稅的報復性措施。1988 年美國通過“綜合貿易與競爭法”，祭出“超級 301”條款，使日本所有出口商品都處于美國貿易制裁風險之中。1989 年美國認定日本在大型計算機、衛(wèi)星和林業(yè)產(chǎn)品方面封閉市場，動用“超級 301”條款進行調查。

新半導體協(xié)議。之后，日美兩國政府于 1991 年 6 月簽定了五年期的新半導體協(xié)議，其主要內容為：擴大市場準入條款，削減并修改了反傾銷條款。

廣場協(xié)定：日本 DRAM 成本優(yōu)勢不再的直接原因。盡管美國迫使日本簽訂廣場協(xié)定不是只針對半導體產(chǎn)業(yè)，但是不得不提廣場協(xié)定對日本半導體的出口影響是巨大的。1985 年 9 月，日元匯率在 1 美元兌 250 日元上下波動，在“廣場協(xié)議”生效后不到 3 個月的時間里，快速升值到 1 美元兌 200 日元附近，升幅 20%。1986年底，1 美元兌 152 日元，1987 年最高達到 1 美元兌 120 日元。1985 年后日本電子制造業(yè)的貿易順差開始掉頭向下，DRAM 產(chǎn)品的市場占有率也開始急劇下降，時間點與廣場協(xié)議簽訂時間高度相關。

2、 貿易摩擦后的日本電子制造業(yè)的兩層分化

第一層分化：終端產(chǎn)品萎縮，零部件與設備占比提升 。

1985 年后集成電路、零部件出口持續(xù)增長，視頻、音頻、計算機持續(xù)萎縮。出口是衡量一個國家某種產(chǎn)品在全球競爭力最有效的方式之一。我們對日本電子行業(yè)每種細分品類在 1985 年之后的出口額進行了詳細統(tǒng)計，以此來觀察在 1985 年貿易摩擦之后日本電子行業(yè)哪些產(chǎn)品衰落了，哪些產(chǎn)品競爭力提升了。從下圖中可以看出在 1985 年之后出口額能持續(xù)增長的只有集成電路產(chǎn)品，零部件產(chǎn)品在 1985 年后2000 年之前仍然保持高速增長，視頻產(chǎn)品、音響設備、計算機及相關設備等產(chǎn)品在1985 年之后出口額持續(xù)萎縮。

零部件與設備成為出口創(chuàng)匯主力。1985 年之后日本電子制造業(yè)中零部件與設備的產(chǎn)值占比持續(xù)提升，從 1985 年的 30%提升到 2013 年的 60%，出口創(chuàng)收占比更是從不到 30%提升到接近 80%，同時占電子行業(yè)進口額的比重持續(xù)下降到 40%，說明日本本土零部件與設備廠商的競爭力不斷提升，不光實現(xiàn)了實現(xiàn)進口替代，更是成為了出口創(chuàng)匯的主力產(chǎn)業(yè)。

第二層分化：半導體領域 DRAM 開始衰敗，設備與材料興起 。

除了終端電子產(chǎn)品之外，日本半導體領域也同樣出現(xiàn)分化趨勢。日本 DRAM 行業(yè)在 1985 年之后在全球市場份額持續(xù)下滑，但是日本半導體行業(yè)中核心設備在全球的份額持續(xù)提升，80 年代是日本半導體設備及材料崛起的黃金十年。在 1980 年全球前十大半導體設備廠商中，美國占有 9 席，日本僅僅占 1 席；而到 1990 年全球前十大廠商中，日本占有 5 席，美國占有 5 席。

根據(jù) SEMI 的預測，在半導體材料領域，日本企業(yè)全球市場占有率約為 52%，其中歐洲與北美占比都為 15%左右。在全球該領域中日本行業(yè)占據(jù)了絕對優(yōu)勢，此時期日本半導體材料在光刻膠、模壓樹脂、硅晶圓、鍵合引線及引線框架等重要材料方面占了非常高的份額，日本半導體材料企業(yè)在全球行業(yè)中地位舉足輕重。像日立化學、京瓷化學、信越、三菱佳友株式會社 SUMCO、佳友電木等日本企業(yè)幾乎壟斷了全球半導體材料。靶材領域，市場占有率超 90%的全球 6 大廠商中前兩大就是日本的廠商 Shin-Etsu 和 SUMCO，兩家市場占有率合計超過 50%。硅片領域被日本信越化學、三菱住友、中國臺灣地區(qū)環(huán)球晶圓、德國世創(chuàng)和韓國 LG 五大供應商壟斷，全球硅片供應占比超 90%。其中日本的信越化學、三菱住友分別占比 27%、26%。

日本集成電路行業(yè)整體貿易順差在 1985 年之后曾經(jīng)歷短暫快速下跌，主要是由于之前順差貢獻的主力 DRAM 出現(xiàn)較大滑坡所致，但是日本集成電路行業(yè)并未一蹶不振，從 87 年開始恢復增長一直持續(xù)到金融危機前的 2007 年，這其中設備和材料的貢獻功不可沒。

3、 貿易摩擦加速了日本電子制造業(yè)的第一層分化，但并不影響第二層分化

貿易摩擦的確加速了第一層分化 。貿易摩擦后日本電子產(chǎn)業(yè)的演進規(guī)律是從終端產(chǎn)品向上游核心零部件以及設備的進化，其本質上是從低端低毛利產(chǎn)品到高端高毛利進化的過程，日美貿易摩擦不是這一進化的根本原因，但具有加速作用。1985 年之后日本電子制造業(yè)的貿易順差開始急速下降，日本彩電以及曾經(jīng)的貿易順差主力產(chǎn)品 VTR 從 1985 年開始下滑。日本電子制造業(yè)從彩電出口為主到液晶面板出口為主，從終端組裝產(chǎn)品出口為主到集成電路出口占比持續(xù)上升，貿易摩擦后日本電子產(chǎn)業(yè)的演進規(guī)律是從終端產(chǎn)品向上游核心零部件以及設備的進化，其本質上是從低端低毛利產(chǎn)品到高端高毛利進化的過程。

日美貿易摩擦只是影響了日本部分終端產(chǎn)品的出口，相反，日美貿易摩擦卻是日本電子制造業(yè)升級轉型的催化劑。從一國產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)律來看，日本電子制造業(yè)的這一升級并不是遭受了貿易摩擦的日本一國獨有的專利，從全球來看，雖然美國從來不是被貿易摩擦的國家，但是美國電子制造業(yè)的歷史其實就是一部低端產(chǎn)品生產(chǎn)不斷向日本以及亞洲四小龍再向東南亞國家遷移而美國本土制造業(yè)不斷升級的歷史。只是因為貿易摩擦的影響使得日本電子制造業(yè)在 1985 年就開始被迫需要升級。

第二層分化更深層次原因是其沒有跟上科技產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新潮流 。日本 DRAM 行業(yè)的潰敗最根本原因在于錯過了個人 PC 的興起。DRAM 是日本半導體行業(yè)最具代表性的產(chǎn)品，考察日本 DRAM 產(chǎn)品的興衰可以一窺日本半導體行業(yè)的整體興衰。日美半導體貿易摩擦在 1991 年以簽訂《新半導體保證協(xié)議》結束，新條款當中對日本 DRAM 的最低價格決定者已經(jīng)從美國變更為日本，由日本廠商參考全球 DRAM 平均價格自行決定最低售價，相比由美國決定最低售價已經(jīng)寬松很多，但此時日本 DRAM 的全球市占率還有接近 70%，貿易摩擦可以解釋日本 DRAM 市占率從 80%下降到 70%，但是無法解釋為何后來日本 DRAM 在全球的市占率從 70%下降到 10%以及后續(xù)強強聯(lián)合的爾必達的倒閉。我們認為日本 DRAM 行業(yè)失敗的根本原因在于日本廠商錯過了個人 PC 的興起。

日本 DRAM 廠商錯失個人 PC 創(chuàng)新潮流。20 世紀 90 年代，電腦界開啟了換代潮流，從大型機向個人 PC 轉變，這一換代也導致了 DRAM 需求的變化，DRAM 的主力需求從大型機生產(chǎn)商向 PC 生廠商切換。伴隨著這一轉變，日本 DRAM 市占率不斷萎縮，韓國開始后來居上，在 1992 年超過日本成為霸主。主要是大型機和 PC需要的 DRAM 規(guī)格是完全不同的，PC 需要的 DRAM 的制造要求就是低成本而不是 25 年的質量保證，而韓國廠商生產(chǎn)的 DRAM 切合了低成本的要求最終打敗了日本。

但是，處于潮流轉變中的日本廠商肯定也感受到了 PC 的興起，但日本廠商的追求極致的文化告訴他們可以將大型機高質保要求的理念用于生產(chǎn) PC 用 DRAM 當中，于是日本廠商堅持生產(chǎn) 25 年質保的 PC 用 DRAM，而這種 DRAM 對于 PC 來說質量明顯過剩。結果，大量生產(chǎn)低成本 PC 用 DRAM 的韓國廠商崛起，而日本失去了霸主地位。

日本半導體行業(yè)的文化過于追求極限。半導體制造需要精密的技術，而這些技術并不是一朝一夕能形成的。當時 DRAM 多用于大型電腦和電話交換機設備，其立下的技術標準是要求大型電腦用的 DRAM 有 25 年的質保，日本半導體制造商的工匠精神生產(chǎn)出了這種可靠性要求極其嚴格的DRAM，由此日本DRAM開始橫掃全球。

此時，在技術上追求極限，生產(chǎn)高品質的 DRAM 這一技術文化開始扎根于日本半導體企業(yè)的方方面面，而這種技術文化正是日本半導體行業(yè)競爭力的源泉。

強強聯(lián)合的爾必達也未能挽救日本的 DRAM 行業(yè)。1999 年底，日立和 NEC 合資成立專門生產(chǎn) DRAM 的公司爾必達，當時普遍認為爾必達是“強大技術研發(fā)實力的日立”和“強大生產(chǎn)技術的 NEC”合二為一，由此將誕生世界上最強大的 DRAM制造商。甚至后來還有三菱電機的加入，但是爾必達的命運卻以破產(chǎn)倒閉而告終。

爾必達最根本的問題在于公司固守生產(chǎn)大型機 DRAM 思維而缺乏用低成本來生產(chǎn)低價格 PC DRAM 的意識。金融危機之后 DRAM 曾經(jīng)跌破了 1 美元，當時爾必達高管在公開場合認為 1 美元的 DRAM 是無稽之談，爾必達還是堅持了早年日本DRAM 行業(yè)走高端高價格的路線，必然遭到時代的淘汰。

日元升值并不是日本 DRAM 喪失地位的主因。部分研究認為主要是貿易摩擦導致的日元匯率升值使得日本成本優(yōu)勢降低，于是韓國的 DRAM 后來居上，我們認為不應高估匯率變動對日本 DRAM 產(chǎn)品競爭力的影響，85 年之后的韓國在 DRAM 市場可謂一騎絕塵，但 97 年韓元在短暫貶值后開啟了 10 年的升值周期，升值幅度接近一倍，但這期間韓國 DRAM 的全球市占率卻從 35%上升到接近 50%，而且在 08年金融危機后韓元同樣持續(xù)升值，但 DRAM 市占率一路沖到最高接近 70%。并且以美元計價的日本和韓國兩國制造業(yè)平均工資水平韓國曾一度與日本相當，但日本卻再也沒能重拾當年的雄風，在 DRAM 市場一路潰敗。

4、 鷸蚌相爭，漁翁得利：日美半導體貿易摩擦最大的贏家是韓國

1984 年才成立知識產(chǎn)權委員會限制對日技術輸出的意義不大。1983 年美國認定，對美國科技的挑戰(zhàn)主要來自日本。以后，美國就開始在高技術方面對日本采取防范措施，并加大對知識產(chǎn)權的保護力度于 1984 年成立知識產(chǎn)權委員會，限制本國技術外流。而此時的日本半導體技術雖然無法完全與美國抗衡，但關鍵技術都已經(jīng)獲得突破。1980 年，日本宣布為期四年的“VLSI”項目順利完成，期間申請實用新型專利 1210 件，商業(yè)專利 347 件。更重要的是，到了 64K DRAM 大規(guī)模集成電路時代，富士通公司的研發(fā)進度開始與 IBM、德州儀器等美國企業(yè)并駕齊驅，而到了 256KDRAM 時代，美國才剛研制出來，日本富士通和日立的產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn)上市。可以說此時的日本 DRAM 產(chǎn)業(yè)已經(jīng)不需要依靠美國技術。

對日本 DRAM 反傾銷犧牲了日本卻成全了韓國。到了 1985 年眼看限制對日技術輸出也無法阻止日本 DRAM 一統(tǒng)天下，美國開始對其進行更直接的反傾銷調查直至后續(xù)逼迫日本簽訂《日美半導體協(xié)議》。盡管我們認為日本 DRAM 衰敗更多原因來自于日本企業(yè)自身，不可否認美國的反傾銷調查加速了日本 DRAM 的下滑，但美國沒有想到的是韓國的 DRAM 廠商卻趁勢崛起，以三星為代表的廠商獲得了全球 70%左右份額。

韓國DRAM廠商崛起而美國無力阻止。1985年之后韓國DRAM份額逐漸上升，此時 DRAM 的消費主力逐漸從大型機轉向個人 PC，而個人 PC 的生產(chǎn)主力地區(qū)在中國臺灣，因此韓國DRAM主要銷往臺灣等地，美國無法阻止臺灣廠商進口韓國DRAM。當然美國進口的 PC 當中也有使用韓國 DRAM 的，但是這些進口 PC 中大部分都是美國自己的品牌，并且，在 1980 年之后由于受日本 DRAM 沖擊太大，美國本土企業(yè)已經(jīng)逐漸撤出 DRAM 生產(chǎn)，此時美國對韓國 DRAM 進行貿易摩擦已經(jīng)沒有意義。

貿易摩擦后日本電子制造業(yè)的演進對中國的啟示

既沒有富士康，更沒有蘋果與高通。日本電子制造業(yè)在二戰(zhàn)后因為美國的扶持以及本國舉國體制發(fā)展半導體，曾經(jīng)取得了輝煌的成就，但近年來日本電子制造業(yè)卻持續(xù)萎靡，只在半導體材料和設備領域維持著領先的市場份額，日本電子制造業(yè)60 多年的發(fā)展史既沒有產(chǎn)生富士康這種代工領導者，更沒有產(chǎn)生蘋果與高通這類核心設計品牌，偏居上游的日本電子制造業(yè)有逐漸空心化的趨勢。

日本電子制造業(yè)衰落主要原因沒有把握住科技產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的趨勢。貿易摩擦并不是日本電子制造業(yè)的這一空心化趨勢的核心因素，究其原因，主要是日本沒有把握住科技產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的潮流，在 1985 年之前大型機時代，日本電子制造業(yè)逐漸崛起，但是從 2000 年互聯(lián)網(wǎng) 1.0 時代開始日本逐漸與行業(yè)最新潮流脫鉤，以至于持續(xù)錯過了互聯(lián)網(wǎng) 1.0 以及 2.0 時代，當前處于互聯(lián)網(wǎng) 2.0 向 AI、5G 以及智能駕駛變革的關鍵時期，能否抓住這一潮流對日本以及當前的中國都至關重要。

中國當前雖有貿易摩擦，但基本卡位了科技創(chuàng)新的每一波潮流。當前中國雖然處于貿易摩擦的陰霾籠罩下，但是我們緊扣科技產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的節(jié)奏，中國科技公司緊跟互聯(lián)網(wǎng) 2.0 以及移動互聯(lián)網(wǎng)的步伐，并且在新能源車領域整體水平不輸國外公司，在這過程中涌現(xiàn)出一大批領導者企業(yè)如 5G 領域的華為、AI 領域的?？低?/u>、商湯科技以及智能駕駛領域的百度。我們持續(xù)看好中國科技企業(yè)今后的創(chuàng)新，在這之前日本公司的一些經(jīng)驗教訓值得我們學習。