在存儲大好的年代，力晶跟銀行借了很多錢，風光蓋廠，為了維持技術的領先，花大錢買機臺，跟著投入先進制程的研發(fā)，可惜無法維持太久。

2008 年一場金融海嘯，一度讓多家記憶體廠陷入危機，力晶也是其中之一。當時，力晶曾向銀行申請紓困 466 億元，總負債一度高達 755 億元，負債比率達到八成。

2012 年 12 月，力晶在股市上的凈值轉為負數(shù)，負債高達 1，100 億元，被迫下柜。當日，力晶的收盤價只剩下 0.29 元，可以說是股東們最痛苦的一天。

下柜后的力晶全力轉型，毅然決然從老本行 DRAM 轉型為晶圓代工廠，力晶自 2013 年營運轉虧為盈以來，到 2017 年的這 5 年當中，順利繳出亮眼的成績單。這幾年來，力晶每年獲利都超過百億元，迅速還清千億元的債務，去年每股凈值也重返新臺幣 10 元大關，甚至有能力開始對股東配發(fā)股利，迎向重生之路。

回顧力晶“前生”

力晶是記憶體業(yè)大起大落最戲劇性的案例之一。梳理一下力晶這一段戲劇性之路。

力晶于 1994 年十二月創(chuàng)立于新竹科學園區(qū)，早期專注于動態(tài)隨機存取存儲之生產，逐步擴及及晶圓代工及 Flash 生產，并以大陸終端客戶為主要營收來源。

公司在生產動態(tài)隨機存取存儲制程技術以三菱電機既有的技術為基礎，與日本的 DRAM 大廠 Elpida 締結策略聯(lián)盟，共同研發(fā)尖端 DRAM 技術。公司也和 Renesas 等國際大廠合作，開發(fā)生產高容量快閃存儲（Data Flash），以期成為國內最大之全方位存儲公司。

在邏輯代工制程技術方面，自日本三菱公司引進 0.25 微米／0.18 微米／0.15 微米邏輯代工制程技術，并建立相關制程的設計資料庫及 IP，以及開發(fā) Mixed-mode 、CIS 等產品，以協(xié)助客戶順利量產新世代產品。

代工業(yè)務主要為轉投資的 8 寸廠巨晶電子。公司成立初始即鎖定日本三菱為策略合作伙伴，不斷引進日方技術提升制程能力，已成為國內最大動態(tài)隨機存取存儲廠商。

力晶 2008 年第二季將產能全數(shù)轉換為 70nm 制程，65nm 制程于第三季進入量產。

2009 年主流制程為 65 納米制程，雖持續(xù)進行制程微縮，但在 2010 年，仍無法負擔制程轉換的成本，因此生產成本與競爭對手差距仍大。

2010 年 4 月，力晶宣布減資 38%，以彌補累積虧損。2010 年 H2 全部轉進 63 納米，每片產出增加 25%；2010 年 Q4 導入 45 納米，2011 年 H1 量產出貨，資金投入約 120-150 億元。

因爾必達與瑞晶 45 納米制程順利，提前采購 45 納米機臺，而調升 2010 年資本支出，資本支出從原先的 127 億元提升至 174.88 億元，增幅達 37％，其中 45 納米設備占 100 億元以上，2011 年到位的浸潤式機臺也從 2 臺提升到 4-5 臺。

2011 年 1 月，2Gb DDR3 DRAM 40 納米制程投片量產，預計年中全數(shù)轉進 40 納米，于下半年 100%轉進，并計劃于第四季投入 30 納米技術。公司自力研發(fā)的 40 納米快閃存儲也開始出貨，以手機用低電壓 NAND Flash 領域為主。公司接獲任天堂的 3DS 利基型存儲代工訂單。

同年 4 月，力晶與 Elpida 達成的 DRAM 產銷新協(xié)議，使公司的專利授權、技轉費用降低，并無償取得 Mobile DRAM 技術及銷售權，結合自行開發(fā)的 NAND 快閃存儲技術，將針對高速成長的行動應用（Mobile Applications）新市場，提供完整的存儲產品組合。

力晶積極轉型為晶圓代工廠，以及加重行動型存儲、快閃存儲及代工業(yè)務營收，降低標準 DRAM。截至 2011 年，產品比重方面，晶圓代工占 60%、DRAM 占 30%、Nand Flash 占 10%。晶圓代工領域包括 LCD 驅動 IC、CMOS Sensor、類比 IC、電源管理 IC。

自 2012 年起，NAND Flash 的投片量將正式超越 DRAM，且 DRAM 投片產能將永遠性的降低至 20%以下。

DRAM 制程方面，2012 年將全部由 40 納米轉換至 30 納米，且均生產 4G 產品。

產能配置方面，至 2012 年 1 月晶圓代工每月投片量拉升至 6 萬片，標準型 DRAM 投片約 2 萬片，Nand Flash 約 6000 千片。

2012 年遭逢 DRAM 價格崩跌沖擊，力晶也在 2012 年 12 月 11 日下柜，當日股價只剩 0.29 元，凈值變成負數(shù)投資人手上持股化為“壁紙”，遙想 2000 年一度高達八十元的股價，力晶投資人此次幾乎是干洗出場。

為替力晶留存一條生路，力晶集團執(zhí)行長黃崇仁除與債權銀行協(xié)商展延償債，也毅然將公司轉型為代工驅動 IC、電源管理 IC 與利基型記憶體等產品。

2013 年 4 月，力晶 P3 廠月產能約 2 萬片 12 寸廠設備及生產線由金士頓標下，并由力晶代工。

2014 年 6 月，轉投資 LCD 驅動 IC 廠瑞力被 Synaptics 并購，力晶出售所有持股后，預期獲利約 36 億元，且與 Synaptics 達成協(xié)議維持合作關系，Synaptics 在整合 LCD 驅動 IC 及觸控 IC 的單芯片，將交由力晶生產。

2015 年，力晶申請通過與安徽合肥市政府合資成立合肥晶合集成電路公司（簡稱晶合集成），以總投資額約人民幣 135.3 億元興建 12 寸晶圓廠，計劃切入 LCD 驅動 IC 生產代工。一期廠房正式動土不到兩年就完工進行試產，今年第二季進入量產，月產能規(guī)模約為 1 萬片，并按計劃逐步增加，目標 2019 年達每月 4 萬片產能規(guī)模。

力晶方面表示，在先進國家建廠一般需耗時兩年半到三年，晶合從動土興建到完工生產只花了一年半，實屬不易，也是力晶與合肥市政府雙方努力合作的成果。而晶合廠一旦投片完成也不會有所耽擱，因為馬上就有力晶臺灣廠轉移來的面板驅動 IC 訂單可做。

藉由轉型，力晶從 2013 年起連續(xù)幾年獲利百億元，已償還上千億元債務，擺脫紓困窘境，到 2015 年底每股凈值提高到 10.12 元，回到十元以上的票面值。這主要是因為當時他看到中國半導體崛起的商機，瞄準合肥為中國面板大廠京東方生產制造重鎮(zhèn)，有助取得 LCD 驅動 IC 訂單。

展望力晶“來世”

過去雖然有很多 DRAM 大廠倒閉，但也因這些廠退出，每個月少了 10 幾萬片的產能，近五年多來，未見有新 DRAM 廠投資，即使最近三星宣布新的資本支出，也未提及在 DRAM 的擴充。力晶目前也是少數(shù)能為客戶提供設計能力的專業(yè)記憶體代工廠。

對于力晶的未來，黃崇仁強調，DRAM 先進制程目前遭遇摩爾定律的極限，且新廠投資極為昂貴，但需求端已全靠個人電腦支撐，市場快速分散至智慧型手機、伺服器、網通和各項消費型電子。近期全球興起全面布建 5G，以及 AI 人工智慧和擴增實境（AR）和虛擬實境（VR）和物聯(lián)網的應用，讓 DRAM 和 NAND Flash 應用更多元化，都將推升 DRAM 產業(yè)進入另一新的里程碑。

黃崇仁強調，雖然中國大陸想積極切入 DRAM 制程，但只要三大廠包括三星、SK 海力士和美光不移轉技術，中國大陸自行開發(fā)成功，路途難困。這也給臺灣 DRAM 廠包括力晶等很大的機會。力晶在還清積欠銀行團貸款后，已積極規(guī)劃重新上市。目前準備先買回原本被銀行拍賣給金士頓的力晶 P3 廠 2 萬片生產 DRAM 設備，交易金額暫不便透露。

在合肥建廠后，力晶又宣布擴大在臺投資，要砸 2780 億元在竹科銅鑼基地興建 2 座 12 寸晶圓廠，2020 年動工，預計第一期 2022 年投產 1.5 萬片，四期完成預計是 2030 年，屆時銅鑼廠總產能將達 10 萬片，至此力晶也躍居臺灣晶圓代工廠第三雄。

力晶集團旗下兩岸晶圓廠分工藍圖浮現(xiàn)，規(guī)劃斥資近 3，000 億元興建的 12 英寸新廠，將集中生產高壓制程金屬氧化物場效應晶體管（MOSFET）、圖像傳感器（CIS）和基因定序檢測芯片；現(xiàn)有竹科的產能則集中火力發(fā)展 AI、物聯(lián)網和網通所需利基型內存；LCD 驅動 IC 則逐步轉往大陸合肥。

在力晶分工藍圖浮現(xiàn)的背后，戲劇性的故事看似走上了正軌，但面臨晶圓代工行業(yè)巨頭割據的現(xiàn)狀，力晶的未來又被蒙上了一層霧紗，歷史的車輪滾滾向前，見證著力晶的輝煌、衰敗、轉型、成長以及未來的明朗和撲朔迷離 ……
責任編輯：tzh